【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】（１ａ）金属、及び少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
（１ｂ−１）少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
（１ｂ−２）金属を含む層を、前記少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板Ｗに生じる反りを除去する。
【解決手段】基板反り除去装置１０は基板Ｗを保持する保持プレート３０と、基板Ｗのパターン非形成面Ｗ２側に設けられ、パターン非形成面Ｗ２に形成された薄膜Ｆ２を除去するためエッチング液を供給する処理液供給管４０と、基板Ｗの反りを検出する第１レーザ変位計４および第２レーザ変位計５とを備えている。第１レーザ変位計４および第２レーザ変位計５からの信号に基づいて、制御部３は基板Ｗの反りがなくなったことを確認する。制御部３が基板Ｗの反りがなくなったと判断した場合、制御部３は処理液供給管４０からのエッチング液の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッチング量をより正確に把握することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理槽１１では、ＡＴカットの水晶からなる被処理体９をエッチング溶液でエッチングする処理が行われ、ＡＴカットの水晶片３１の両面に互いに対向するように励振電極３２、３３を設けると共に、これらの面の少なくとも一部に露出領域を設けたエッチングセンサ３は、この露出領域の水晶がエッチングされるように前記処理槽１１に配置される。発振回路２２は、このエッチングセンサ３の励振電極３２、３３に接続され、前記露出領域の水晶片の厚さに対応する周波数信号を取得し、演算部４は発振回路２２から取得した周波数信号の周波数の変化に基づき、前記処理槽１１内の被処理体９のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン酸や酸化剤からなるエッチング液において、高微細パターンのエッチング入りを向上させ、エッチング残りおよびオーバーエッチングのない恒常的に安定して高精細・高輝度のフラットディスプレイに対応した高微細精度の透明導電膜の回路パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも下記（ａ）群から選ばれる少なくとも１種のハロゲン酸および／または下記酸化剤（ｂ）とを水に含有してなる透明導電膜用エッチング液において、下記の一般式（１）で表される化合物（Ｗ）を含有することを特徴とする透明導電膜用エッチング液。
・（ａ）群；塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸
・酸化剤（ｂ）；塩化第二鉄または硝酸
（Ｒｆ１ＳＯ₂）（Ｒｆ２ＳＯ₂）ＮＸ （１） （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 被処理体に存在する少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う際に、エッチング選択性の問題が生じず、十分なエッチング速度で２層をエッチング除去することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第１の膜に接触させ、第１の膜のエッチングを進行させる第１処理液供給部１５と、第１処理液とは状態が異なる第２処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第２の膜に接触させ、第２の膜のエッチングを進行させる第２処理液供給部１７と、第１の膜の除去状態を検出する検出部３１と、検出部３１の検出値に基づいて、第１の膜が除去されたと判断した場合に、切り換え部１３に、処理液を第１処理液から第２処理液に切り換える指令を送信する制御部３２とを具備し、検出部３１は、被処理体Ｗに接触した第１処理液の所定物質の濃度を測定する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物である半導体ウェーハ１１を実質的に水平に載置する基台１２と、前記半導体ウェーハに加工用流体１４を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口２６ａ，２７ａを有するノズル２６，２７と、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段４１ａ，４２ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】非拡散層及び拡散層を有する拡散ウェーハに対してスピンエッチングを施し、非拡散層の一部を除去して非拡散層の厚みを略均一とできる拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】非拡散層２１及び拡散層２２を有する拡散ウェーハ２０における非拡散層２１の一部２３を、枚葉式でスピンエッチングにより除去するスピンエッチング工程を備え、スピンエッチング工程は、拡散ウェーハ２０の面内方向Ｄ２に移動可能であり且つエッチング液を拡散ウェーハ２０における非拡散層２１に供給する液供給口を備えるスピンエッチング装置を用い、液供給口を拡散ウェーハ２０における面内方向周辺部２０ｃ及び面内方向中心部２０ｄにそれぞれ位置させて液供給口からエッチング液を非拡散層２１に供給することにより、非拡散層２１における厚み方向の形状に基づいてスピンエッチングの際の非拡散層２１のエッチング除去量のウェーハ面内分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】容易にエッチングの終点を検出することができ、形成される振動子の振動特性を一定に保つことが容易且つ確実にできる振動子の製造方法、及びウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】ウェットエッチングによりエッチング液102中で基板111に振動子112を形成して、目標の振動特性を持つ振動子112を達成できたところで、ウェットエッチングを停止する。ウェットエッチングの停止点を検出するために、励振手段104で励振された振動子112の目標の振動数に対する振動状態を、検出手段105によって、エッチング液102中で少なくとも1回検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのエッチングを精密に行う。
【解決手段】半導体ウェーハ表面にフッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射し、その半導体ウェーハ表面をモニタし、モニタ結果に基づいて、フッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整する。また、半導体ウェーハ表面をモニタ可能なモニタ装置と、フッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射可能なノズルと、このフッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整可能な調整器とを含む半導体ウェーハのエッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】電解加工の研磨精度並びに研磨レートの向上を図る。
【解決手段】ウェーハWの被加工対象膜と電解加工装置10の電極31との間のギャップGを電解液の静圧或いは動圧を利用して極小に制御する。電解液33は誘電体微粒子を含有したものを用い、電解液をギャップ間へ供給しつつ通電して電解加工を行う。ギャップ中の誘電体微粒子が被加工対象膜に近接、または接触した箇所の電位勾配が急峻となり、その部分に活性化エネルギーが集中して除去加工が進行する。誘電体微粒子は分布確率の一様性に応じて被加工対象膜の全面に均等に作用し、表面が荒れることなく鏡面が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにおけるエッチング量を定量的に且つ精度良く把握することができるエッチング量の算出方法を提供する。
【解決手段】金属元素を含んでなるエッチング対象物を腐食性液体からなるエッチング溶液でウェットエッチングした場合のエッチング量を算出する方法であり、定量分析法によりエッチング溶液を分析して、エッチング溶液中に溶出した単位容積あたりの金属元素の溶解量Ｍを求め、下記式（１）を用いて溶解量Ｍをエッチング対象物のエッチング面における深さ方向のエッチング量ｔに換算するエッチング量の算出方法である。
ｔ＝(変換係数×Ｌ×Ｍ)／(Ｄ×Ｓ) … …（１）
（変換係数：溶解量Ｍをエッチング対象物の溶解量に変換する係数、Ｌ：定量分析法での測定エッチング溶液の量、Ｄ：エッチング対象物の密度、Ｓ：エッチング面積） （もっと読む）

【課題】電力負荷を軽減することができ、キャリアガスを用いることなく圧力差で溶剤蒸気を供給させることにより溶剤濃度を高くすることができるとともに、処理液の置換・乾燥に溶剤蒸気を効率的に寄与させて乾燥効率を高めることができる。
【解決手段】制御部６７は、チャンバ２７内を減圧し、圧力計５５によって検出された圧力が、溶剤の温度に対応する溶剤の蒸気圧曲線以下となった場合に、真空時排気ポンプ１９及び排気ポンプ５２による減圧を停止させるとともに、リフタ３１を処理位置から乾燥位置に上昇させる。蒸気圧曲線以下になるまで減圧され、溶剤が気体になりやすい状態とされるので、ヒータ４１の容量が小さくても充分に溶剤蒸気を発生させることができ、電力負荷を軽減できる。また、圧力差によって溶剤蒸気をチャンバ２７内に導入させるので、キャリアガスが不要となって溶剤濃度を高くできる。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置１は、基板処理装置９０の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置１は、循環される希釈液のｐＨ値をｐＨセンサ１６により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、ｐＨセンサ１６の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性の面内分布やエッチング液の組成変化を考慮した、制御性の高いウエットエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウェハを裏面からエッチングして厚みを減じるウエットエッチング方法が、エッチング処理するウェハのエッチング前厚みを測定する工程と、エッチング前厚みと、データベースに記憶させたエッチング前の許容厚みとを比較して、エッチング前厚みが許容範囲内にあるか否かを判断する工程と、エッチング前厚みが許容範囲内にある場合に、データベースに記憶させたエッチング条件より、ウェハのエッチング条件を選択する工程と、エッチング条件に従って、ウェハにエッチング液を供給してエッチングする工程と、エッチング後に、ウェハのエッチング後厚みを測定する工程と、エッチング後厚みと、データベースに記憶させたエッチング後の許容厚みとを比較して、エッチング後厚みが許容範囲内にあるか否かを判断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】コストの増大及びスループットの低下を防止しつつ、安定したシリコン異方性エッチングを行えるようにする。
【解決手段】排気用配管６が接続されたエッチングドラフト７の内部には、Ｓｉウェハ２及び当該Ｓｉウェハ２を異方性エッチングするための薬液１を入れるための薬液槽４が配置されている。薬液槽４の底部には、薬液１を加温するためのヒーター５が設けられている。エッチングドラフト７内又は排気用配管６内に水素濃度計８が設けられている。水素濃度計８によって測定された水素濃度値をモニタリングしながらＳｉウェハ２に対してエッチングを行う。 （もっと読む）

【目的】複数枚の半導体ウエハに、同時にそれぞれ貫通トレンチ（溝）を湿式エッチングで形成する際にも、半導体ウエハから半導体チップが分離せず、しかも間単に適切なエッチング終点を検出できる方法の提供。
【構成】エッチング選択性が大のアルカリエッチング溶液を用いて、複数枚のシリコン半導体基板に貫通するトレンチを一括して形成するために、前記基板にガラス基板をそれぞれ貼合せて前記アルカリ溶液に浸漬させ、発生する水素気泡が該基板の貫通時に急減するに伴い液面の揺れが急減する時点を、該液面にレーザー光を入射させ、得られる反射光の強度変化をモニターして検出し、貫通エッチングの終点とすることを特徴とするシリコン半導体基板のエッチング方法とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成に合わせて、最終的なゲート電極の寸法が均一になるように複数の工程を管理して、ゲート電極の加工寸法のウエハ面内ばらつきを最小化することができる製造技術を提供する。
【解決手段】第１のプロセス装置１０１と、１つ以上後の第２のプロセス装置１１１とを有する半導体製造システムを用い、プロセス装置１０１で処理されたウエハ１０５の計測データを基に、ウエハ上に形成された薄膜膜厚もしくは構造体の高さがウエハ面内で均一になるように、プロセス装置１１１におけるウエハ１１５の処理方向を制御する。すなわち、ゲート寸法のモデル式にしたがいゲート電極の下地構造形成時のウエハ処理方向を制御（または素子分離等の下地構造を考慮して露光装置においてレジスト転写形成時にショット毎にドーズ量を制御）することで、エッチング加工後のゲート長をウエハ面内で均一化する。 （もっと読む）