電子ビームディスプレイ装置
【課題】電子ビームディスプレイ装置において、実用的な輝度を確保しつつ、外光の反射を防止して明所コントラストを改善する。
【解決手段】電子ビームディスプレイ装置は、フェイスプレート基板２７と、フェイスプレート基板の内面に設けられた、各画素領域に対応する開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを有する反射膜３と、開口部を覆うようにフェイスプレート基板の内面に設けられた、電子ビームが照射されて発光する蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと、フェイスプレート基板の外面に設けられた円偏光フィルタ１７と、を有している。
【解決手段】電子ビームディスプレイ装置は、フェイスプレート基板２７と、フェイスプレート基板の内面に設けられた、各画素領域に対応する開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを有する反射膜３と、開口部を覆うようにフェイスプレート基板の内面に設けられた、電子ビームが照射されて発光する蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと、フェイスプレート基板の外面に設けられた円偏光フィルタ１７と、を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子ビームディスプレイ装置に関し、特に、外光反射を効果的に抑制することのできるフェイスプレートの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームを蛍光体に照射して画像を表示する電子ビームディスプレイ装置は公知である。この種の装置では、フェイスプレートとなるガラス基板上に、蛍光体が形成された発光領域と、発光領域の周囲に設けられ発光に寄与しない領域（ブラックマトリックス）と、が設けられている。ブラックマトリックスは隣接する発光領域同士を区切り、コントラストを改善する機能を有している。また、特許文献１には、外光反射を考慮したPDPが記載されている。
【特許文献１】特開平１１-２４２９３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ディスプレイは一般に、室内に設置され、室内光等の外光が照射される環境で使用されることが多い。このような場合、外光がフェイスプレートで反射されるため、ディスプレイの表示画像のコントラストが低下する。このような環境下での表示画像のコントラストを明所コントラストと呼び、ディスプレイはこの明所コントラストの向上が望まれている。特に電子ビームディスプレイでは、フェイスプレートガラス上に蛍光体や、メタルバックを有するため、外光を反射しやすく、明所コントラストの低下が起こりやすい。
【０００４】
本発明は、実用的な輝度を確保しつつ、外光の反射を防止して明所コントラストを改善することが可能な電子ビームディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子ビームディスプレイ装置は、フェイスプレート基板と、フェイスプレート基板の内面に設けられた、各画素領域に対応する開口部を有する反射膜と、開口部を覆うようにフェイスプレート基板の内面に設けられた、電子ビームが照射されて発光する蛍光体層と、フェイスプレート基板の外面に設けられた円偏光フィルタと、を有している。
【発明の効果】
【０００６】
電子ビームディスプレイ装置のフェイスプレート基板に入射した外光が円偏光フィルタに入射するとまず直線偏光になり、次に円偏光となって円偏光フィルタを出射し、反射膜に入射する。外光はフェイスプレート上の反射膜によって逆周りの円偏光となって反射し、再び円偏光フィルタに入射する。円偏光フィルタではまず直線偏光になるが、偏光方向が入射時と直交しているのでほとんどの成分は遮断され、円偏光フィルタからの出射が阻止される。一方、蛍光体層からの発光光は円偏光フィルタで遮断されることがない。このように、フェイスプレート上に反射膜を有することによって、外光を正反射させることができるため、外光は円偏光フィルタで遮蔽される。一方、蛍光体からの自発光（表示発光）は円偏光フィルタを通過できるので、実用的な輝度を確保しつつ、外光の反射を防止して明所コントラストを改善することが可能な電子ビームディスプレイ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の電子ビームディスプレイ装置は、電界放出型電子ディスプレイ（ＦＥＤ）、表面伝導型電子放出ディスプレイ（ＳＥＤ）、陰極線管ディスプレイ（ＣＲＴ）などを含んでいる。特に、ＳＥＤ及びＦＥＤは、厚さが均一で平板状のプレートをフェイスプレートとして用いることができることから、本発明を好適に適用できる。ＦＥＤに用いられる電子放出源としては、スピント型、ＭＩＭ(Metal Insulator Metal)型、カーボンナノチューブ型、弾道電子面放出（ＢＳＤ）型などが挙げられる。以下では、表面伝導型電子放出素子と蛍光体層を用いた電子ビームディスプレイ装置を例に説明する。
【０００８】
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子ビームディスプレイ装置の部分破断斜視図である。電子ビームディスプレイ装置１は、リアプレート２２と、リアプレート２２に固定された支持枠２３と、フェイスプレート２と、を有している。支持枠２３とフェイスプレート２とが互いに接合されることによって密閉された内部空間を有する外囲器２５が形成されている。外囲器２５の内部は真空に維持されている。リアプレート２２及びフェイスプレート２は各々ガラス製のリアプレート基板２６及びフェイスプレート基板２７を備えている。フェイスプレート基板２７は、蛍光体層で生じた発光を透過させる必要があるため、透明の絶縁性基板で製作される。フェイスプレート基板２７としてはソーダライムガラスなどの板ガラスの他、ＰＤＰの分野で用いられる高ひずみ点ガラスなども好適に用いられる。
【０００９】
リアプレート基板２６には、画像信号に応じて電子を放出する多数の表面伝導型電子放出素子２８が設けられ、画像信号に応じて各表面伝導型電子放出素子２８を作動させる配線（Ｘ方向配線２９，Ｙ方向配線３０）が形成されている。外囲器２５には高圧端子Ｈｖが設けられている。
【００１０】
図２は、本発明の第１の実施形態におけるフェイスプレート及びリアプレートの模式的構造図である。図３は、フェイスプレートの部分平面図である。これらの図では、フェイスプレート２の面内方向をＸＹ方向、フェイスプレート２と直交する方向をＺ方向としている。
【００１１】
フェイスプレート基板２７の内面には反射膜３が設けられている。反射膜３には開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが設けられ、各開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを覆うように蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが設けられている。各蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは一つの画素領域（サブピクセル）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに対応しており、一組の画素領域５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは一つの単位画素（ピクセル）１５を形成している。符号中のＲ，Ｇ，Ｂは各々赤色、緑色、青色を意味する。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６ＢはＣＲＴ分野で公知であるメタルバック（第２の反射膜）７で覆われている。メタルバック７は、高圧端子Ｈｖと電気的に接続された高電位供給膜であり、表面伝導型電子放出素子２８から放出された電子ビームを引き寄せる機能を有している。以下、各要素についてさらに詳しく説明する。
【００１２】
蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、電子ビームの照射により各々赤色、緑色、青色に発光する蛍光体からなり、画像を形成する材料である。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは各々反射膜３の開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂだけでなく、さらに反射膜３の非開口部９の一部または全部を覆うように設けられている。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとしては、ＣＲＴで用いられるＰ２２蛍光体をはじめとする電子ビーム励起で発光する粉状の蛍光体が好適に用いられる。特にＰ２２蛍光体はＣＲＴに広く適用されており、発光色、発光効率、色バランスなどに優れ、好適に用いることができる。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂはスクリーン印刷法、フォトリソグラフィー法、インクジェット法などで形成される。特に、スクリーン印刷法が材料使用効率の点で好適である。
【００１３】
反射膜３は、外光を正反射させ、後述する円偏光フィルタ１７による外光遮断を効果的に行うために設けられている。反射膜３はまた、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂからの発光を反射し開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂから取り出しやすくするためにも設けられる。反射膜３としては正反射率が高い材料を用いることができ、金属薄膜、半導体薄膜などが好適に用いられる。反射膜３として金属膜を使用する場合には、反射率の高い金属を用いることができ、銀、アルミニウム、ニッケル、プラチナ、ロジウムなどが好適に使用できる。特に、アルミニウムは安価であり、反射率も高く、フォトリソグラフィーにも向いているので好ましい。金属の反射膜を作製する方法としては、真空蒸着法、転写法、めっき法などが挙げられる。パターニングの方法としては、フォトリソグラフィー、転写法などが挙げられる。特に、金属膜を真空蒸着法によって成膜し、その後フォトリソグラフィーで開口を設ける方法は、プロセスの容易性から好ましい。上述のように、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂはメタルバック７（第２の反射膜）で覆われている。
【００１４】
フェイスプレート基板２７の外面には円偏光フィルタ１７が設けられている。円偏光フィルタ１７は、直線偏光子１７ａと１／４波長板１７ｂとを組み合わせたもので、薄いシート状のものが好適に用いられる。円偏光フィルタ１７は、ランダム偏光の入射光を円偏光の状態で出射させる特性を有している。図４を参照して、円偏光フィルタ１７によって外光反射が遮断されるメカニズムについて説明する。なお、図４では説明のため直線偏光子１７ａと１／４波長板１７ｂと反射膜３とが互いに分離しているが、実際には互いに密着して設けられている。外光は通常ランダム偏光である。ランダム偏光の光が直線偏光子１７ａを通過すると直線偏光となる。次に１／４波長板１７ｂを通過すると直線偏光が円偏光に変換される。円偏光の光が鏡面状の反射膜３で反射すると位相がずれて反対周りの円偏光になる。この状態で反射光が１／４波長板１７ｂを通過すると直線偏光となるが、その際の偏光方向は入射時の偏光方向と直交するため、直線偏光子１７ａで遮蔽される。この結果、反射膜３で反射した外光はほとんどが円偏光フィルタ１７によって遮蔽されてしまう。ただし、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂなどの拡散反射する面では入射した光の偏光状態が保たれずほとんどランダム偏光に戻ってしまうため、上記のような効果は小さい。したがって、反射膜３の非開口部９の占有面積が大きいほうが外光の反射率を低減することができ、明所コントラストを向上することができる。
【００１５】
メタルバック７は複数の目的で設けられている。一つは、リアプレート２２の表面伝導型電子放出素子２８から放出された電子ビームを加速する高電位を印加するためである。他の目的は、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂからの発光光のうちリアプレート２２方向に出射した光をフェイスプレート２側に反射させるためである。メタルバック７は、加速された電子ビームのエネルギー損失を極力抑えつつ高い光反射率を実現するため、薄膜状の金属が好適に用いられる。アルミニウムは電子ビームのエネルギー損失が小さく、特に好適である。メタルバック７はＣＲＴ分野で公知のフィルミング法や転写法などを用いて形成される。特に樹脂中間膜を用いるフィルミング法は、メタルバックの反射率を向上できるため、好適に用いられる。
【００１６】
表面伝導型電子放出ディスプレイなどの電界放出型電子ビームディスプレイ装置においては、電子ビームの照射領域は画素領域全体ではなく、限られた領域となることが多い。そのため、非発光領域にはできるだけ遮光性の部材を配置し拡散反射率を小さくすることが、コントラスト向上につながる。これは、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、ＥＬパネルなど、発光領域を広く取るほど明るくなるために、開口率を大きくしたいという要求が生じるディスプレイ装置とは逆である。特に、カラー電子ビームディスプレイ装置においては、隣に配置された異なる色の蛍光体層に電子ビームが照射されないように、ある程度電子ビームが絞られていることが求められる。従って、電子ビームの照射領域（図３に照射領域Ｓとして例示的に示した。）の面積は、対応する開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの面積よりも小さいことが望ましく、具体的には、電子ビームの照射領域Ｓの面積は対応する開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの面積の５０％程度が好ましい。また、コントラストの向上の観点から、開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの面積は対応する画素領域５Ｒ，５Ｇ，Ｂの面積の５０％以下が好ましい。
【００１７】
このように、反射膜３の開口率を小さくすると、光の取り出し効率が低下して、発光効率及び輝度の低下を招く。そのため、開口率を下げても光取り出し効率が下がらないようにすることが、明所コントラストを向上させるために望ましい。本実施形態は、蛍光体層からの発光を効率よく取り出す構成を有している。
【００１８】
図５は、図２中Ａ部の部分断面図である。上述したように、蛍光体層６Ｒは開口部４Ｒを有する反射膜３の上に重なるように設けられており、メタルバック７は蛍光体層６Ｒの全域を覆っている。本実施形態では、メタルバック７は高電位を供給し外光を正反射させるだけでなく、非開口部９上に設けられた蛍光体層６Ｒからの発光光を反射させて光の取り出し効率をあげることを目的として設けられている。図示するように、蛍光体層６Ｒは、非開口部９の内側において、反射率の高い反射膜３と同じく反射率の高いメタルバック７との間に挟まれるように設けられている。そのため、非開口部９に配置された蛍光体層６Ｒから出射した光（図５中に矢印で示す。）は反射膜３とメタルバック７とで反射を繰り返し、開口部４Ｒから外部に取り出される。すなわち開口部４Ｒ付近に設けられた蛍光体層６Ｒ以外の領域の蛍光体層６Ｒで発光した光を開口部４Ｒから取り出すことができるため、開口率を小さくしても光取出し効率が向上し、発光効率、輝度が低下する割合が小さくなる。このように、輝度を低下させずに外光反射率を低減できるため、明所コントラストの向上が実現できる。このような構造においては、開口部を電子ビームのビームサイズ（電子ビーム照射領域）よりも小さくすることによって、さらに明所コントラストを向上させることができる。
【００１９】
（第２の実施形態）本実施形態は、第１の実施形態と同様に非開口部にも蛍光体層を設けると同時に、反射膜の非開口部に、画素領域同士を区切るリブ構造を有していることを特徴としている。電子ビームディスプレイ装置の全体構成、リアプレートの構成、円偏光フィルタの構成等は第１の実施形態と同様である。図６は、第２の実施形態におけるフェイスプレートの模式的断面図である。図７は、第２の実施形態の作用を説明するための、図６中Ｂ部の部分断面図である。
【００２０】
反射膜３ａの非開口部９ａにはリブ構造（立体構造と呼ばれる場合もある）１０が設けられている。リブ構造１０は反射膜３ａからリアプレート２２側に突き出すように設けられ、フェイスプレート基板２２を格子状に分割している。分割された各区画は第１の実施形態と同様、各画素領域（図示せず）に割当てられ、各画素領域内には対応する蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが設けられている。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂはリブ構造１０に接して設けられているが、必ずしも接している必要はない。リブ構造１０は蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと同等以上の膜厚を有しているので、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが隣接する画素領域の他色の蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと混じり合うことが防止される。
【００２１】
図７に示すように、非開口部９ａで発光した光は反射膜３ａとメタルバック７ａで反射を繰り返し、開口部４Ｒから取り出されるが、リブ構造１０でも反射するので一層開口部４Ｒから取り出しやすくなる。リブ構造１０を白色で作製すれば、反射膜３ａ、メタルバック７ａとともに蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂからの発光を開口部から取り出す効率が向上する。
【００２２】
リブ構造１０は、蛍光体層と同程度以上の膜厚を形成できる材料であればよい。たとえば低融点ガラスフリットや、低融点ガラスフリットに顔料を含有させたもの、低融点ガラスフリットに白色のセラミック（アルミナ、チタニア、ジルコニア）などを含有させたものを用いることができる。特に、光の取り出し効率を向上させるためには、白色すなわち拡散反射率が高い材料が好ましく、低融点ガラスフリットにアルミナ、ジルコニアなどを含有させた材料が好適に用いられる。リブ構造１０は、スクリーン印刷、サンドブラスト法、転写法などで形成される。膜厚を厚くして高精細化を図るためには、サンドブラスト法が好ましい。
【００２３】
以下、具体的な実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。
【００２４】
（実施例１）
図１〜３に示す電子ビームディスプレイ装置のフェイスプレート２を以下の工程で作製した。
【００２５】
工程１（反射膜の形成）
ソーダライムガラスの基板をアニールし、洗浄し、次いで真空蒸着法により、反射膜となる厚さ２００ｎｍのアルミニウム薄膜を基板の全面に形成した。次にフォトレジストを基板の全面に塗布し、開口部のレジストが除去されるように露光を行った。次に、開口部のレジストを現像により除去し、アルミニウム膜をエッチングで除去し、その後残ったレジストを剥離し、開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを有する反射膜３を形成した。画素領域（サブピクセル）５Ｒ，５Ｇ，５ＢのサイズはＸ方向１５０μｍ、Ｙ方向４５０μｍ、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素要素１つずつからなる正方形の単位画素１５のサイズは４５０μｍ四方とした。画素領域５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ内の開口サイズはＸ方向７５μｍ、Ｙ方向２００μｍとした。
【００２６】
工程２（蛍光体層の形成）
次に、ＲＧＢの蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂをスクリーン印刷法により形成した。使用した蛍光体は、化成オプトニクス株式会社製のＰ２２蛍光体であり、赤：Ｐ２２ＲＥ３（Ｙ2Ｏ2Ｓ）、緑：Ｐ２２ＧＮ４（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、青：Ｐ２２Ｂ２（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）を用いた。蛍光体の平均粒径は各色とも７μｍで、平均膜厚が１５μｍになるように形成した。１画素の蛍光体ドットの大きさを、Ｘ方向１００μｍとし、Ｙ方向３００μｍとした。その後、４５０℃で焼成を行った。
【００２７】
工程３（メタルバックの形成）
次に、ＣＲＴの分野で公知であるフィルミング法を用いて、メタルバック７を作製した。樹脂中間膜を形成した後、真空蒸着法によりアルミニウムを厚さ１００ｎｍで形成した。その後４５０℃で焼成を行い、樹脂中間膜を除去した。
【００２８】
工程４（真空容器形成）
以上の工程を経てフェイスプレート２を作製し、リアプレート２２と組み合わせて真空容器（外囲器２５）を形成し、電子ビームディスプレイ装置１を形成した。リアプレート２２及び表面伝導型電子放出素子２８は従来技術に従って作製した。
【００２９】
工程５（円偏光フィルタ形成）
形成した電子ビームディスプレイ装置のフェイスプレート２の外側に、厚さ１００μｍの１／４波長板７ｂと厚さ１００μｍの直線偏光子１７ａとを積層形成した円偏光フィルタ１７を貼り付け、電子ビームディスプレイ装置としての動作を確認した。
【００３０】
作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は３５０ｃｄ／ｍ2、拡散反射率は２％、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは３５０程度であった。
【００３１】
（実施例２）
本実施例は、図６，７に示すリブ構造１０を設けた電子ビームディスプレイ装置の例である。蛍光体層やメタルバックの製法やパネルの駆動条件などは実施例１と同様である。
【００３２】
工程１（反射膜の形成）
実施例１と同様の方法で反射膜を製作した。画素領域（サブピクセル）内の開口サイズはＸ方向５０μｍ、Ｙ方向２００μｍとした。
【００３３】
工程２（リブ構造の形成）
つぎに、サンドブラスト法でリブ構造１０を形成した。リブ構造１０の材料としては、低融点ガラスフリット粉末とアルミナ粉末を樹脂バインダーと有機溶剤に混合したペーストを用いた。作製したペーストをスリットコーターにて、厚さ５０μｍで基板全面に塗布し、１５０℃で乾燥した。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）を貼り付け、幅５０μｍの格子状になるように露光し、現像した。その後、サンドブラストで格子以外のところを切削し、その後ＤＦＲを剥離した。その後、５００℃で焼成した。
【００３４】
工程３（蛍光体層の形成）
製法は実施例１と同様であるが、格子状に形成されたリブ構造１０の開口部を埋めるように蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを塗布した。
【００３５】
その後、実施例１と同様にメタルバックの形成、真空容器の形成、円偏光フィルタの形成を行った。表面伝導型電子放出素子についても実施例１と同様に作成した。作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は３００ｃｄ／ｍ2、拡散反射率は１．５％、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは４００程度であった。
【００３６】
（実施例３）
本実施例は、実施例２と同じ開口配置であるがリブ構造１０のない形態での例である。ただし、製法やパネルの駆動条件は実施例２と同様である。作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は２８０ｃｄ／ｍ2、拡散反射率は１．５％、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは３７０程度であった。
【００３７】
（比較例）
次に比較例として、図８に示す電子ビームディスプレイ装置の例を示す。比較例では反射膜及び円偏光フィルタを用いていない。反射膜の部分にはブラックマトリクス１１を用いた。ソーダライムガラスの基板上に、ブラックマトリクス１１となる黒色ペーストを厚さ５μｍで基板全面に塗布した。本比較例では黒色ペーストとして感光剤を混合したカーボンブラックを用いた。黒色ペーストを塗布後、サブピクセル内の開口をＸ方向７５μｍ、Ｙ方向２００μｍとなるように露光を行い、現像し所望のパターンを得た。その後４５０℃で焼成した。その後、実施例１と同様に蛍光体層の形成、メタルバックの形成、真空容器の形成を行った。作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は７００ｃｄ／ｍ2であった。拡散反射率は８％であり、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは１５０程度であった。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子ビームディスプレイ装置の部分破断斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるフェイスプレート及びリアプレートの模式的構造図である。
【図３】フェイスプレートの部分平面図である。
【図４】円偏光フィルタによって外光反射が遮断されるメカニズムについて説明する図である。
【図５】図２中Ａ部の部分断面図である。
【図６】第２の実施形態におけるフェイスプレートの模式的断面図である。
【図７】第２の実施形態の作用を説明するための、図６中Ｂ部の部分断面図である。
【図８】比較例のフェイスプレートの模式的断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１ 電子ビームディスプレイ装置
２ フェイスプレート
３，３ａ 反射膜
４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ 開口部
５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ 画素領域（サブピクセル）
６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ 蛍光体層
１７ 円偏光フィルタ
２７ フェイスプレート基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子ビームディスプレイ装置に関し、特に、外光反射を効果的に抑制することのできるフェイスプレートの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームを蛍光体に照射して画像を表示する電子ビームディスプレイ装置は公知である。この種の装置では、フェイスプレートとなるガラス基板上に、蛍光体が形成された発光領域と、発光領域の周囲に設けられ発光に寄与しない領域（ブラックマトリックス）と、が設けられている。ブラックマトリックスは隣接する発光領域同士を区切り、コントラストを改善する機能を有している。また、特許文献１には、外光反射を考慮したPDPが記載されている。
【特許文献１】特開平１１-２４２９３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ディスプレイは一般に、室内に設置され、室内光等の外光が照射される環境で使用されることが多い。このような場合、外光がフェイスプレートで反射されるため、ディスプレイの表示画像のコントラストが低下する。このような環境下での表示画像のコントラストを明所コントラストと呼び、ディスプレイはこの明所コントラストの向上が望まれている。特に電子ビームディスプレイでは、フェイスプレートガラス上に蛍光体や、メタルバックを有するため、外光を反射しやすく、明所コントラストの低下が起こりやすい。
【０００４】
本発明は、実用的な輝度を確保しつつ、外光の反射を防止して明所コントラストを改善することが可能な電子ビームディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子ビームディスプレイ装置は、フェイスプレート基板と、フェイスプレート基板の内面に設けられた、各画素領域に対応する開口部を有する反射膜と、開口部を覆うようにフェイスプレート基板の内面に設けられた、電子ビームが照射されて発光する蛍光体層と、フェイスプレート基板の外面に設けられた円偏光フィルタと、を有している。
【発明の効果】
【０００６】
電子ビームディスプレイ装置のフェイスプレート基板に入射した外光が円偏光フィルタに入射するとまず直線偏光になり、次に円偏光となって円偏光フィルタを出射し、反射膜に入射する。外光はフェイスプレート上の反射膜によって逆周りの円偏光となって反射し、再び円偏光フィルタに入射する。円偏光フィルタではまず直線偏光になるが、偏光方向が入射時と直交しているのでほとんどの成分は遮断され、円偏光フィルタからの出射が阻止される。一方、蛍光体層からの発光光は円偏光フィルタで遮断されることがない。このように、フェイスプレート上に反射膜を有することによって、外光を正反射させることができるため、外光は円偏光フィルタで遮蔽される。一方、蛍光体からの自発光（表示発光）は円偏光フィルタを通過できるので、実用的な輝度を確保しつつ、外光の反射を防止して明所コントラストを改善することが可能な電子ビームディスプレイ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の電子ビームディスプレイ装置は、電界放出型電子ディスプレイ（ＦＥＤ）、表面伝導型電子放出ディスプレイ（ＳＥＤ）、陰極線管ディスプレイ（ＣＲＴ）などを含んでいる。特に、ＳＥＤ及びＦＥＤは、厚さが均一で平板状のプレートをフェイスプレートとして用いることができることから、本発明を好適に適用できる。ＦＥＤに用いられる電子放出源としては、スピント型、ＭＩＭ(Metal Insulator Metal)型、カーボンナノチューブ型、弾道電子面放出（ＢＳＤ）型などが挙げられる。以下では、表面伝導型電子放出素子と蛍光体層を用いた電子ビームディスプレイ装置を例に説明する。
【０００８】
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子ビームディスプレイ装置の部分破断斜視図である。電子ビームディスプレイ装置１は、リアプレート２２と、リアプレート２２に固定された支持枠２３と、フェイスプレート２と、を有している。支持枠２３とフェイスプレート２とが互いに接合されることによって密閉された内部空間を有する外囲器２５が形成されている。外囲器２５の内部は真空に維持されている。リアプレート２２及びフェイスプレート２は各々ガラス製のリアプレート基板２６及びフェイスプレート基板２７を備えている。フェイスプレート基板２７は、蛍光体層で生じた発光を透過させる必要があるため、透明の絶縁性基板で製作される。フェイスプレート基板２７としてはソーダライムガラスなどの板ガラスの他、ＰＤＰの分野で用いられる高ひずみ点ガラスなども好適に用いられる。
【０００９】
リアプレート基板２６には、画像信号に応じて電子を放出する多数の表面伝導型電子放出素子２８が設けられ、画像信号に応じて各表面伝導型電子放出素子２８を作動させる配線（Ｘ方向配線２９，Ｙ方向配線３０）が形成されている。外囲器２５には高圧端子Ｈｖが設けられている。
【００１０】
図２は、本発明の第１の実施形態におけるフェイスプレート及びリアプレートの模式的構造図である。図３は、フェイスプレートの部分平面図である。これらの図では、フェイスプレート２の面内方向をＸＹ方向、フェイスプレート２と直交する方向をＺ方向としている。
【００１１】
フェイスプレート基板２７の内面には反射膜３が設けられている。反射膜３には開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが設けられ、各開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを覆うように蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが設けられている。各蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは一つの画素領域（サブピクセル）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに対応しており、一組の画素領域５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは一つの単位画素（ピクセル）１５を形成している。符号中のＲ，Ｇ，Ｂは各々赤色、緑色、青色を意味する。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６ＢはＣＲＴ分野で公知であるメタルバック（第２の反射膜）７で覆われている。メタルバック７は、高圧端子Ｈｖと電気的に接続された高電位供給膜であり、表面伝導型電子放出素子２８から放出された電子ビームを引き寄せる機能を有している。以下、各要素についてさらに詳しく説明する。
【００１２】
蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、電子ビームの照射により各々赤色、緑色、青色に発光する蛍光体からなり、画像を形成する材料である。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは各々反射膜３の開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂだけでなく、さらに反射膜３の非開口部９の一部または全部を覆うように設けられている。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとしては、ＣＲＴで用いられるＰ２２蛍光体をはじめとする電子ビーム励起で発光する粉状の蛍光体が好適に用いられる。特にＰ２２蛍光体はＣＲＴに広く適用されており、発光色、発光効率、色バランスなどに優れ、好適に用いることができる。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂはスクリーン印刷法、フォトリソグラフィー法、インクジェット法などで形成される。特に、スクリーン印刷法が材料使用効率の点で好適である。
【００１３】
反射膜３は、外光を正反射させ、後述する円偏光フィルタ１７による外光遮断を効果的に行うために設けられている。反射膜３はまた、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂからの発光を反射し開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂから取り出しやすくするためにも設けられる。反射膜３としては正反射率が高い材料を用いることができ、金属薄膜、半導体薄膜などが好適に用いられる。反射膜３として金属膜を使用する場合には、反射率の高い金属を用いることができ、銀、アルミニウム、ニッケル、プラチナ、ロジウムなどが好適に使用できる。特に、アルミニウムは安価であり、反射率も高く、フォトリソグラフィーにも向いているので好ましい。金属の反射膜を作製する方法としては、真空蒸着法、転写法、めっき法などが挙げられる。パターニングの方法としては、フォトリソグラフィー、転写法などが挙げられる。特に、金属膜を真空蒸着法によって成膜し、その後フォトリソグラフィーで開口を設ける方法は、プロセスの容易性から好ましい。上述のように、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂはメタルバック７（第２の反射膜）で覆われている。
【００１４】
フェイスプレート基板２７の外面には円偏光フィルタ１７が設けられている。円偏光フィルタ１７は、直線偏光子１７ａと１／４波長板１７ｂとを組み合わせたもので、薄いシート状のものが好適に用いられる。円偏光フィルタ１７は、ランダム偏光の入射光を円偏光の状態で出射させる特性を有している。図４を参照して、円偏光フィルタ１７によって外光反射が遮断されるメカニズムについて説明する。なお、図４では説明のため直線偏光子１７ａと１／４波長板１７ｂと反射膜３とが互いに分離しているが、実際には互いに密着して設けられている。外光は通常ランダム偏光である。ランダム偏光の光が直線偏光子１７ａを通過すると直線偏光となる。次に１／４波長板１７ｂを通過すると直線偏光が円偏光に変換される。円偏光の光が鏡面状の反射膜３で反射すると位相がずれて反対周りの円偏光になる。この状態で反射光が１／４波長板１７ｂを通過すると直線偏光となるが、その際の偏光方向は入射時の偏光方向と直交するため、直線偏光子１７ａで遮蔽される。この結果、反射膜３で反射した外光はほとんどが円偏光フィルタ１７によって遮蔽されてしまう。ただし、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂなどの拡散反射する面では入射した光の偏光状態が保たれずほとんどランダム偏光に戻ってしまうため、上記のような効果は小さい。したがって、反射膜３の非開口部９の占有面積が大きいほうが外光の反射率を低減することができ、明所コントラストを向上することができる。
【００１５】
メタルバック７は複数の目的で設けられている。一つは、リアプレート２２の表面伝導型電子放出素子２８から放出された電子ビームを加速する高電位を印加するためである。他の目的は、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂからの発光光のうちリアプレート２２方向に出射した光をフェイスプレート２側に反射させるためである。メタルバック７は、加速された電子ビームのエネルギー損失を極力抑えつつ高い光反射率を実現するため、薄膜状の金属が好適に用いられる。アルミニウムは電子ビームのエネルギー損失が小さく、特に好適である。メタルバック７はＣＲＴ分野で公知のフィルミング法や転写法などを用いて形成される。特に樹脂中間膜を用いるフィルミング法は、メタルバックの反射率を向上できるため、好適に用いられる。
【００１６】
表面伝導型電子放出ディスプレイなどの電界放出型電子ビームディスプレイ装置においては、電子ビームの照射領域は画素領域全体ではなく、限られた領域となることが多い。そのため、非発光領域にはできるだけ遮光性の部材を配置し拡散反射率を小さくすることが、コントラスト向上につながる。これは、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、ＥＬパネルなど、発光領域を広く取るほど明るくなるために、開口率を大きくしたいという要求が生じるディスプレイ装置とは逆である。特に、カラー電子ビームディスプレイ装置においては、隣に配置された異なる色の蛍光体層に電子ビームが照射されないように、ある程度電子ビームが絞られていることが求められる。従って、電子ビームの照射領域（図３に照射領域Ｓとして例示的に示した。）の面積は、対応する開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの面積よりも小さいことが望ましく、具体的には、電子ビームの照射領域Ｓの面積は対応する開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの面積の５０％程度が好ましい。また、コントラストの向上の観点から、開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの面積は対応する画素領域５Ｒ，５Ｇ，Ｂの面積の５０％以下が好ましい。
【００１７】
このように、反射膜３の開口率を小さくすると、光の取り出し効率が低下して、発光効率及び輝度の低下を招く。そのため、開口率を下げても光取り出し効率が下がらないようにすることが、明所コントラストを向上させるために望ましい。本実施形態は、蛍光体層からの発光を効率よく取り出す構成を有している。
【００１８】
図５は、図２中Ａ部の部分断面図である。上述したように、蛍光体層６Ｒは開口部４Ｒを有する反射膜３の上に重なるように設けられており、メタルバック７は蛍光体層６Ｒの全域を覆っている。本実施形態では、メタルバック７は高電位を供給し外光を正反射させるだけでなく、非開口部９上に設けられた蛍光体層６Ｒからの発光光を反射させて光の取り出し効率をあげることを目的として設けられている。図示するように、蛍光体層６Ｒは、非開口部９の内側において、反射率の高い反射膜３と同じく反射率の高いメタルバック７との間に挟まれるように設けられている。そのため、非開口部９に配置された蛍光体層６Ｒから出射した光（図５中に矢印で示す。）は反射膜３とメタルバック７とで反射を繰り返し、開口部４Ｒから外部に取り出される。すなわち開口部４Ｒ付近に設けられた蛍光体層６Ｒ以外の領域の蛍光体層６Ｒで発光した光を開口部４Ｒから取り出すことができるため、開口率を小さくしても光取出し効率が向上し、発光効率、輝度が低下する割合が小さくなる。このように、輝度を低下させずに外光反射率を低減できるため、明所コントラストの向上が実現できる。このような構造においては、開口部を電子ビームのビームサイズ（電子ビーム照射領域）よりも小さくすることによって、さらに明所コントラストを向上させることができる。
【００１９】
（第２の実施形態）本実施形態は、第１の実施形態と同様に非開口部にも蛍光体層を設けると同時に、反射膜の非開口部に、画素領域同士を区切るリブ構造を有していることを特徴としている。電子ビームディスプレイ装置の全体構成、リアプレートの構成、円偏光フィルタの構成等は第１の実施形態と同様である。図６は、第２の実施形態におけるフェイスプレートの模式的断面図である。図７は、第２の実施形態の作用を説明するための、図６中Ｂ部の部分断面図である。
【００２０】
反射膜３ａの非開口部９ａにはリブ構造（立体構造と呼ばれる場合もある）１０が設けられている。リブ構造１０は反射膜３ａからリアプレート２２側に突き出すように設けられ、フェイスプレート基板２２を格子状に分割している。分割された各区画は第１の実施形態と同様、各画素領域（図示せず）に割当てられ、各画素領域内には対応する蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが設けられている。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂはリブ構造１０に接して設けられているが、必ずしも接している必要はない。リブ構造１０は蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと同等以上の膜厚を有しているので、蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが隣接する画素領域の他色の蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと混じり合うことが防止される。
【００２１】
図７に示すように、非開口部９ａで発光した光は反射膜３ａとメタルバック７ａで反射を繰り返し、開口部４Ｒから取り出されるが、リブ構造１０でも反射するので一層開口部４Ｒから取り出しやすくなる。リブ構造１０を白色で作製すれば、反射膜３ａ、メタルバック７ａとともに蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂからの発光を開口部から取り出す効率が向上する。
【００２２】
リブ構造１０は、蛍光体層と同程度以上の膜厚を形成できる材料であればよい。たとえば低融点ガラスフリットや、低融点ガラスフリットに顔料を含有させたもの、低融点ガラスフリットに白色のセラミック（アルミナ、チタニア、ジルコニア）などを含有させたものを用いることができる。特に、光の取り出し効率を向上させるためには、白色すなわち拡散反射率が高い材料が好ましく、低融点ガラスフリットにアルミナ、ジルコニアなどを含有させた材料が好適に用いられる。リブ構造１０は、スクリーン印刷、サンドブラスト法、転写法などで形成される。膜厚を厚くして高精細化を図るためには、サンドブラスト法が好ましい。
【００２３】
以下、具体的な実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。
【００２４】
（実施例１）
図１〜３に示す電子ビームディスプレイ装置のフェイスプレート２を以下の工程で作製した。
【００２５】
工程１（反射膜の形成）
ソーダライムガラスの基板をアニールし、洗浄し、次いで真空蒸着法により、反射膜となる厚さ２００ｎｍのアルミニウム薄膜を基板の全面に形成した。次にフォトレジストを基板の全面に塗布し、開口部のレジストが除去されるように露光を行った。次に、開口部のレジストを現像により除去し、アルミニウム膜をエッチングで除去し、その後残ったレジストを剥離し、開口部４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを有する反射膜３を形成した。画素領域（サブピクセル）５Ｒ，５Ｇ，５ＢのサイズはＸ方向１５０μｍ、Ｙ方向４５０μｍ、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素要素１つずつからなる正方形の単位画素１５のサイズは４５０μｍ四方とした。画素領域５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ内の開口サイズはＸ方向７５μｍ、Ｙ方向２００μｍとした。
【００２６】
工程２（蛍光体層の形成）
次に、ＲＧＢの蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂをスクリーン印刷法により形成した。使用した蛍光体は、化成オプトニクス株式会社製のＰ２２蛍光体であり、赤：Ｐ２２ＲＥ３（Ｙ2Ｏ2Ｓ）、緑：Ｐ２２ＧＮ４（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、青：Ｐ２２Ｂ２（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）を用いた。蛍光体の平均粒径は各色とも７μｍで、平均膜厚が１５μｍになるように形成した。１画素の蛍光体ドットの大きさを、Ｘ方向１００μｍとし、Ｙ方向３００μｍとした。その後、４５０℃で焼成を行った。
【００２７】
工程３（メタルバックの形成）
次に、ＣＲＴの分野で公知であるフィルミング法を用いて、メタルバック７を作製した。樹脂中間膜を形成した後、真空蒸着法によりアルミニウムを厚さ１００ｎｍで形成した。その後４５０℃で焼成を行い、樹脂中間膜を除去した。
【００２８】
工程４（真空容器形成）
以上の工程を経てフェイスプレート２を作製し、リアプレート２２と組み合わせて真空容器（外囲器２５）を形成し、電子ビームディスプレイ装置１を形成した。リアプレート２２及び表面伝導型電子放出素子２８は従来技術に従って作製した。
【００２９】
工程５（円偏光フィルタ形成）
形成した電子ビームディスプレイ装置のフェイスプレート２の外側に、厚さ１００μｍの１／４波長板７ｂと厚さ１００μｍの直線偏光子１７ａとを積層形成した円偏光フィルタ１７を貼り付け、電子ビームディスプレイ装置としての動作を確認した。
【００３０】
作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は３５０ｃｄ／ｍ2、拡散反射率は２％、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは３５０程度であった。
【００３１】
（実施例２）
本実施例は、図６，７に示すリブ構造１０を設けた電子ビームディスプレイ装置の例である。蛍光体層やメタルバックの製法やパネルの駆動条件などは実施例１と同様である。
【００３２】
工程１（反射膜の形成）
実施例１と同様の方法で反射膜を製作した。画素領域（サブピクセル）内の開口サイズはＸ方向５０μｍ、Ｙ方向２００μｍとした。
【００３３】
工程２（リブ構造の形成）
つぎに、サンドブラスト法でリブ構造１０を形成した。リブ構造１０の材料としては、低融点ガラスフリット粉末とアルミナ粉末を樹脂バインダーと有機溶剤に混合したペーストを用いた。作製したペーストをスリットコーターにて、厚さ５０μｍで基板全面に塗布し、１５０℃で乾燥した。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）を貼り付け、幅５０μｍの格子状になるように露光し、現像した。その後、サンドブラストで格子以外のところを切削し、その後ＤＦＲを剥離した。その後、５００℃で焼成した。
【００３４】
工程３（蛍光体層の形成）
製法は実施例１と同様であるが、格子状に形成されたリブ構造１０の開口部を埋めるように蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを塗布した。
【００３５】
その後、実施例１と同様にメタルバックの形成、真空容器の形成、円偏光フィルタの形成を行った。表面伝導型電子放出素子についても実施例１と同様に作成した。作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は３００ｃｄ／ｍ2、拡散反射率は１．５％、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは４００程度であった。
【００３６】
（実施例３）
本実施例は、実施例２と同じ開口配置であるがリブ構造１０のない形態での例である。ただし、製法やパネルの駆動条件は実施例２と同様である。作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は２８０ｃｄ／ｍ2、拡散反射率は１．５％、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは３７０程度であった。
【００３７】
（比較例）
次に比較例として、図８に示す電子ビームディスプレイ装置の例を示す。比較例では反射膜及び円偏光フィルタを用いていない。反射膜の部分にはブラックマトリクス１１を用いた。ソーダライムガラスの基板上に、ブラックマトリクス１１となる黒色ペーストを厚さ５μｍで基板全面に塗布した。本比較例では黒色ペーストとして感光剤を混合したカーボンブラックを用いた。黒色ペーストを塗布後、サブピクセル内の開口をＸ方向７５μｍ、Ｙ方向２００μｍとなるように露光を行い、現像し所望のパターンを得た。その後４５０℃で焼成した。その後、実施例１と同様に蛍光体層の形成、メタルバックの形成、真空容器の形成を行った。作製した電子ビームディスプレイ装置の輝度は７００ｃｄ／ｍ2であった。拡散反射率は８％であり、室内照度３００ｌｘの時の明所コントラストは１５０程度であった。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子ビームディスプレイ装置の部分破断斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるフェイスプレート及びリアプレートの模式的構造図である。
【図３】フェイスプレートの部分平面図である。
【図４】円偏光フィルタによって外光反射が遮断されるメカニズムについて説明する図である。
【図５】図２中Ａ部の部分断面図である。
【図６】第２の実施形態におけるフェイスプレートの模式的断面図である。
【図７】第２の実施形態の作用を説明するための、図６中Ｂ部の部分断面図である。
【図８】比較例のフェイスプレートの模式的断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１ 電子ビームディスプレイ装置
２ フェイスプレート
３，３ａ 反射膜
４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ 開口部
５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ 画素領域（サブピクセル）
６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ 蛍光体層
１７ 円偏光フィルタ
２７ フェイスプレート基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェイスプレート基板と、
前記フェイスプレート基板の内面に設けられた、各画素領域に対応する開口部を有する反射膜と、
前記開口部を覆うように前記フェイスプレート基板の内面に設けられた、電子ビームが照射されて発光する蛍光体層と、
前記フェイスプレート基板の外面に設けられた円偏光フィルタと、
を有する、電子ビームディスプレイ装置。
【請求項２】
前記蛍光体層は前記反射膜の非開口部を覆うように設けられ、該蛍光体層は第２の反射膜で覆われている、請求項１に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第２の反射膜は電位供給膜である、請求項２に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項４】
前記開口部の面積は対応する前記画素領域の面積の５０％以下である、請求項２または３に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項５】
前記開口部の面積は、電子ビーム照射領域の面積よりも小さい、請求項２または３に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項６】
前記反射膜の前記非開口部に、前記画素領域同士を区切るリブ構造を有する、請求項２から５のいずれか１項に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項１】
フェイスプレート基板と、
前記フェイスプレート基板の内面に設けられた、各画素領域に対応する開口部を有する反射膜と、
前記開口部を覆うように前記フェイスプレート基板の内面に設けられた、電子ビームが照射されて発光する蛍光体層と、
前記フェイスプレート基板の外面に設けられた円偏光フィルタと、
を有する、電子ビームディスプレイ装置。
【請求項２】
前記蛍光体層は前記反射膜の非開口部を覆うように設けられ、該蛍光体層は第２の反射膜で覆われている、請求項１に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第２の反射膜は電位供給膜である、請求項２に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項４】
前記開口部の面積は対応する前記画素領域の面積の５０％以下である、請求項２または３に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項５】
前記開口部の面積は、電子ビーム照射領域の面積よりも小さい、請求項２または３に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【請求項６】
前記反射膜の前記非開口部に、前記画素領域同士を区切るリブ構造を有する、請求項２から５のいずれか１項に記載の電子ビームディスプレイ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−７０６０７（Ｐ２００９−７０６０７Ａ）
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３５３５８（Ｐ２００７−２３５３５８）
【出願日】平成１９年９月１１日（２００７．９．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１１日（２００７．９．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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