電子部品装置
【課題】少ない制御線で複数個のスイッチの自在な制御を実現する。
【解決手段】電子部品装置は、複数個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎと、スイッチ制御回路１とを備える。スイッチ制御回路１は、複数のスイッチ制御パタンを記憶するスイッチ制御パタン記憶部１１と、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて複数のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択してスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎに出力するスイッチ制御パタン選択回路１２とから構成される。
【解決手段】電子部品装置は、複数個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎと、スイッチ制御回路１とを備える。スイッチ制御回路１は、複数のスイッチ制御パタンを記憶するスイッチ制御パタン記憶部１１と、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて複数のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択してスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎに出力するスイッチ制御パタン選択回路１２とから構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数個のスイッチとスイッチ制御手段により構成される電子部品装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線端末の開発において、一台の端末で多数の通信方式に対応可能とするため、複数個のスイッチを用いて無線回路の構成を可変とする技術が活発に研究されている（例えば非特許文献１参照）。このような目的のために利用されるスイッチには、優れた高周波特性が求められ、化合物半導体や、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いた高性能なスイッチが開発されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術を用いた微細電子機械スイッチの一例として、静電引力を駆動力として用いる微細電子機械スイッチの基本的な構造を図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。この微細電子機械スイッチは、図１０（Ａ）に示すように、基板１００と、基板１００上に形成された絶縁膜１０１と、絶縁膜１０１上に形成された２つの配線１０２，１０３と、絶縁膜１０１上に形成された駆動電極１０４と、可撓性を備えた梁１０５と、絶縁膜１０１上に形成され、梁１０５の一端を支える支持部１０６と、梁１０５の他端に固定された可動電極１０７と、可動電極１０７と絶縁膜１０８を介して連結された接点電極１０９とからなる。
【０００４】
駆動電極１０４と可動電極１０７との間に電圧を印加すると、図１０（Ｂ）に示すように、静電引力によって可動電極１０７が駆動電極１０４に引き付けられ、梁１０５が変形し、接点電極１０９が２つの配線１０２，１０３に接触することによって、２つの配線１０２と１０３間が導通し、スイッチがオン状態となる。また、電圧の印加を停止すると、梁１０５の復元力によって可動電極１０７は元の位置に戻り、接点電極１０９が配線１０２，１０３から離間して、スイッチはオフ状態となる。このような微細電子機械スイッチを利用すれば、複数個のスイッチと無線通信回路とを組み合わせて、各々のスイッチのオン／オフ状態を制御することによって、無線通信回路の構成を可変とすることが可能となる。
【０００５】
【特許文献１】特許第３１３７１０８号公報
【非特許文献１】E.R.Brown et.al.，“RF-MEMS Switches for Reconfigurable Integrated Circuits”，IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques，vol.46，no.11，pp.1868-1880，1998
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような、多数個の高性能なスイッチを用いた電子部品装置では、多数個のスイッチのオン／オフを制御することが必要となる。装置外部から各々のスイッチのオン／オフを個別に制御しようとした場合、スイッチの個数の増加に伴い多数のスイッチ制御線が必要となり、電子部品装置のサイズが大きくなってしまうという問題があった。また、高周波信号を扱う電子部品装置においては、装置のサイズが大きくなると、配線等の寄生素子による高周波特性の劣化が顕著となることから、高性能化の観点からもスイッチ制御線の本数を減らして小型化することが重要な課題であった。
【０００７】
上記の問題に対し、非特許文献１においては、複数個の微細電子機械スイッチとともに、デコーダ回路を同一チップ上に集積化することによって、装置外部から入力する制御線の数を減らす方法が提案されている。このような構成は、例えば複数個のスイッチの中から必ず１つのスイッチのみが選択される装置のように、固定的な動作を行う装置に対しては有効な方法である。しかしながら、多数個のスイッチのオン／オフ状態の自在な制御が求められる場合においては、固定的な動作をするデコーダ回路を集積化する従来の方法では対応できないという問題があった。
【０００８】
また、多数個のスイッチのオン／オフ状態を自在に制御するための従来技術としては、スイッチとともに、プロセッサを集積化する方法が考えられる。しかしながら、このような方法では、プロセッサの制御のために多数の制御線の数が必要となり、またプロセッサが大きな面積を占有してしまうため、装置のサイズが増大してしまうといった問題があった。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを備えた電子部品装置において、各々のスイッチに対して個別の制御線を用いたり、プロセッサなどの大規模な制御回路を用いたりすることなく、より少ない制御線で複数個のスイッチの自在な制御を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを少なくとも備えた電子部品装置において、前記スイッチ制御手段は、複数のスイッチ制御パタンを記憶するスイッチ制御パタン記憶手段と、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて前記複数のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択して前記スイッチに出力するスイッチ制御パタン選択手段とから構成され、前記スイッチ制御パタン選択手段によって選択されたスイッチ制御パタンにより、前記スイッチのオン／オフ状態が制御されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、独立に制御可能な前記スイッチの組の数をＮ（Ｎは自然数）、選択可能な前記スイッチ制御パタンの数をＭ（Ｍは自然数）としたとき、前記スイッチ制御パタン記憶手段は、前記スイッチのオン／オフ状態を表すスイッチ制御データを記憶する記憶素子を、前記Ｎ組のスイッチ毎にＭ個ずつ有し、前記Ｎ組のスイッチ毎のスイッチ制御データを組み合わせることによって前記スイッチ制御パタンが構成され、前記スイッチ制御パタン選択手段は、前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて前記Ｍ個のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択し、このスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力することを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、ｌｏｇ2Ｍ＜Ｎとなるようにしてもよい。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、前記スイッチ制御パタン記憶手段は、外部から入力されるスイッチ制御パタン書き換え信号によって前記スイッチ制御パタンの書き換えが可能であることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、前記スイッチ制御パタン記憶手段は、フリップフロップを縦続接続したシフトレジスタによって構成されるものである。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、前記スイッチ制御パタン選択手段は、前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて１つのスイッチ制御パタンを選択するデコーダ回路と、この選択されたスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力するＮ個のセレクタ回路とから構成され、前記デコーダ回路が出力する制御信号を前記Ｎ個のセレクタ回路で共有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数個のスイッチと、スイッチ制御パタン記憶手段と、スイッチ制御パタン選択手段とを設け、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて、スイッチ制御パタン記憶手段に記憶されたスイッチ制御パタンのうち、１つのスイッチ制御パタンを選択してスイッチのオン／オフ状態を制御するようにしたので、各々のスイッチに対する制御線を用いることなく、より少ない制御線を用いて、複数のスイッチの自在な制御が可能になるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態の電子部品装置は、複数個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎと、これらのスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを制御するためのスイッチ制御回路１とが同一チップ上に集積化されて構成される。スイッチ制御回路１は、スイッチ制御パタン記憶部１１と、スイッチ制御パタン選択回路１２とからなる。
【００１４】
スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎとしては、高周波特性に優れるスイッチを用いるのが望ましく、例えば、ＳｉＧｅまたはＩｎＰなどの半導体材料を用いたスイッチや、ＭＥＭＳ技術を用いて作製される微細電子機械スイッチなどを用いれば良い。
【００１５】
スイッチ制御パタン記憶部１１には、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフ状態を制御するためのスイッチ制御データが複数個記憶される。スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎ毎のスイッチ制御データが組み合わされることによって、スイッチ制御パタンが構成される。Ｎ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−ＮをＭ通りのパタンにより制御する場合のスイッチ制御パタンの例を図２に示す。
【００１６】
図２の例では、スイッチ制御パタン記憶部１１には、Ｎ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎの各々に対応する記憶素子（不図示）がスイッチ毎にＭ個ずつ設けられ、それぞれの記憶素子がスイッチオンまたはオフに対応するスイッチ制御データを記憶している。結果として、スイッチ制御パタン記憶部１１にはＮ×Ｍ個の記憶素子が存在する。例えば閾値電圧より高い電圧が記憶素子に保持されている場合をスイッチオン、閾値電圧より低い電圧が保持されている場合をスイッチオフと対応付けることによって、スイッチ制御データを既存の記憶素子に記憶させることができる。
【００１７】
スイッチ制御パタン選択回路１２は、外部から入力されたスイッチ制御パタン選択信号に応じて、スイッチ制御パタン記憶部１１に記憶されたスイッチ制御データのうち、選択されたスイッチ制御パタンに所属するスイッチ制御データを出力し、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフを制御する。
【００１８】
本実施の形態の電子部品装置の例として、静電駆動方式の微細電子機械スイッチを備えた電子部品装置の断面構造を図３に示す。図３の電子部品装置は、半導体基板３０上に形成され、半導体部３１には、スイッチ制御回路１が形成されている。また、半導体基板３０上の絶縁膜３２の上に集積化された可動構造部３３には、微細加工技術を用いて形成された静電駆動方式の微細電子機械スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎが形成されている。
【００１９】
従来と同様に、各スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎは、絶縁膜３２上に形成された２つの配線１０２，１０３と、絶縁膜３２上に形成された駆動電極１０４と、可撓性を備えた梁１０５と、絶縁膜３２上に形成され、梁１０５の一端を支える支持部１０６と、梁１０５の他端に固定された可動電極１０７と、可動電極１０７と絶縁膜１０８を介して連結された接点電極１０９とを有する。
【００２０】
スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフを制御するための駆動電極１０４は、基板上に形成されたスルーホール３４を介して、スイッチ制御回路１に電気的に接続されている。スイッチ制御回路１のスイッチ制御パタン選択回路１２は、選択したスイッチ制御データがスイッチオンを示す場合には、このスイッチ制御データに対応するスイッチの駆動電極１０４に対して電圧を印加することでスイッチをオンし、またスイッチ制御データがスイッチオフを示す場合には、対応するスイッチの駆動電極１０４への電圧印加を停止することでスイッチをオフすることができる。
【００２１】
なお、スイッチ制御パタン選択回路１２によってスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを直接制御することができない場合には、図４に示すように、スイッチ制御パタン選択回路１２とスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎとの間に、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎの駆動特性に応じたスイッチ駆動回路２−１〜２−Ｎを設ければよい。例えば、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを駆動するために高電圧が必要な場合には、スイッチ駆動回路２−１〜２−Ｎとして、昇圧回路や電圧レベル変換回路を用いればよい。
【００２２】
次に、本実施の形態の効果について説明する。Ｎ個のスイッチを用いた電子部品装置では、スイッチのオン／オフを各々のスイッチごとに装置外部から制御しようとした場合、Ｎ本のスイッチ制御線が必要となる。この場合、多数個のスイッチを用いて高機能な電子部品装置を実現しようとした場合、スイッチ制御線の数が多くなり、電子部品装置のサイズが大きくなってしまうという問題がある。また、電子部品装置のサイズの増大に伴い、配線の寄生抵抗や寄生インダクタンスが増え、高周波特性が劣化するという問題がある。
【００２３】
一方、本実施の形態では、スイッチ制御パタン記憶部１１に記憶されたＭ個のスイッチ制御パタンの中から、１つのスイッチ制御パタンを選択することによって、Ｎ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフを制御する。このために必要な制御線の数を考える。スイッチ制御パタン選択回路１２に入力するスイッチ制御パタン選択信号として２値のデジタル信号を用いる場合、Ｋ本の制御線によって選択可能な状態の数は２K通りとなる。したがって、Ｍ個のスイッチ制御パタンの中から、１つのスイッチ制御パタンを選択するために必要な制御線の数は、ｌｏｇ2Ｍの小数点未満を切り上げた値となる。したがって、ｌｏｇ2Ｍ＜Ｎとなる場合において、本実施の形態の電子部品装置は、各々のスイッチを個別に制御する場合と比較して、装置外部から装置に入力するスイッチ制御線の本数を減らすことが可能である。
【００２４】
本実施の形態が有効な応用例としては、例えば複数の通信周波数に対応可能なマルチバンド無線端末が考えられる。マルチバンド無線端末は、複数種類の無線通信回路が集積化されて構成される。複数の通信周波数に対応するためには、複数種類の無線通信回路の特性を、多数個のスイッチを用いて切り替えることが必要となる。例えば、必要とされるスイッチの数を２０個、対応する通信周波数を８個とすると、個々のスイッチを個別に制御した場合、２０本の制御線が必要となる。一方、８個の通信周波数に対応するため、８個の制御パタンから１つのスイッチ制御パタンを選択する本実施の形態の構成を用いる場合、制御線をｌｏｇ2８＝３本にまで減らせるという大きな効果が得られる。
【００２５】
なお、本実施の形態においては、１つのスイッチ制御データに対して１つのスイッチが対応する例を示したが、１つのスイッチ制御データに対してオン／オフの状態を共有する複数個のスイッチの組が存在してもよく、この場合には、１つのスイッチ制御データにより２つ以上のスイッチを制御することができる。
【００２６】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態として、本発明のより具体的な例を示す。図５は本発明の第２の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態では、電子部品装置はＮ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを備え、Ｍ個のスイッチ制御パタンに対応する。これを実現するため、スイッチ制御パタン記憶部１１は、Ｎ×Ｍ個の記憶素子１１０（１１０−１１〜１１０−１Ｍ，１１０−２１〜１１０−２Ｍ，・・・，１１０−Ｎ１〜１１０−ＮＭ）を備えている。
【００２７】
スイッチ制御パタン記憶部１１は、図６に示すように記憶素子１１０となるＤフリップフロップがＮ×Ｍ個縦続接続されたシフトレジスタ１１１によって構成されている。なお、縦続接続とは、前段のフリップフロップの出力が後段のフリップフロップに入力されるように接続された状態を意味する。シフトレジスタ１１１は、クロックと同期してスイッチ制御データを順次送信することにより、スイッチ制御パタンを記憶することができる，
【００２８】
このようにスイッチ制御パタン記憶部１１をシフトレジスタ１１１によって構成することにより、スイッチ制御パタンの書き換えが可能となり、異なるスイッチ制御パタンを要する様々な応用に対して、本電子部品装置を汎用的に利用することが可能となる。加えて、シフトレジスタ１１１を用いることにより、スイッチ制御パタンの書き換えを、データ線とクロック線の２本のみのスイッチ制御パタン書き換え線を用いて実行することが可能になるという優れた効果が得られる。
【００２９】
また、本実施の形態において、スイッチ制御パタン選択回路１２は、図５に示すように、デコーダ回路１２０と、デコーダ回路１２０に接続されたＮ個のセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎとから構成されている。デコーダ回路１２０は、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて、選択すべきスイッチ制御パタンを決定し、このパタンに応じた制御信号をセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎに出力する。Ｎ個のセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎは、共通のデコーダ回路１２０に接続されており、選択されたスイッチ制御パタンに所属するスイッチ制御データを出力する。
【００３０】
例として、スイッチ制御パタンの数が８つである場合のデコーダ回路１２０とセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎの動作を図７を用いて説明する。なお、図７では、セレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎのうちセレクタ回路１２１−１のみを記載している。図７の例では、８つのスイッチ制御パタンのうちから１つのスイッチ制御パタンを選択するため、デコーダ回路１２０にはｌｏｇ2８＝３本の制御線が接続されている。デコーダ回路１２０の制御線に３ビットのスイッチ制御パタン選択信号が入力されると、デコーダ回路１２０は、スイッチ制御パタン選択信号に応じて８つの出力線（スイッチ制御パタン）のうち１つを選択し、選択した１つの出力線に電圧を出力する。
【００３１】
セレクタ回路１２１−１は、デコーダ回路１２０の出力に基づいて、８つの記憶素子１１０−１１〜１１０−１８のうち選択されたスイッチ制御パタンに所属する１つの記憶素子１１０を選択し、この記憶素子１１０に記憶されているスイッチ制御データを出力する。他のセレクタ回路１２１−２〜１２１−Ｎも同様の選択動作を行う。
【００３２】
以上のようにして、シフトレジスタにより構成されるスイッチ制御パタン記憶部１１と、デコーダ回路１２０と複数のセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎから構成されるスイッチ制御パタン選択回路１２を用いることによって、少ない本数の制御線により、多数のスイッチ制御パタンの中から１つのスイッチ制御パタンを選択し、多数のスイッチのオン／オフを制御することが可能となる。
【００３３】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態の電子部品装置について、図８を用いて説明する。本実施の形態では、スイッチ制御パタン記憶部１１に、第２の実施の形態で説明したシフトレジスタ１１１と、不揮発性メモリ１１２とを設けている。本実施の形態に係る電子部品装置では、シフトレジスタ１１１に記憶されたスイッチ制御パタンを不揮発性メモリ１１２に記憶させたり、あるいは不揮発性メモリ１１２に記憶されているスイッチ制御パタンをシフトレジスタ１１１に読み込ませたりすることができる。
【００３４】
これにより、本実施の形態では、電子部品装置に対する電源供給が停止した後も、スイッチ制御パタンを不揮発性メモリ１１２に保持しておくことが可能となり、また電源が再供給されたときには不揮発性メモリ１１２からスイッチ制御パタンを読むことが可能になるので、スイッチ制御パタンをスイッチ制御パタン書き換え信号によって外部から設定することが不要になるという優れた効果が得られる。
【００３５】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態の電子部品装置について、図９を用いて説明する。本実施の形態の電子部品装置は、スイッチ制御回路１とスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−６に加え、インダクタ素子Ｌ−１〜Ｌ−３と容量素子Ｃ−１〜Ｃ−３とを備えている。これらのインダクタ素子Ｌ−１〜Ｌ−３や容量素子Ｃ−１〜Ｃ−３は、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−６と接続されて可変ＬＣ回路を構成している。
【００３６】
このように、インダクタ素子Ｌ−１〜Ｌ−３や容量素子Ｃ−１〜Ｃ−３の接続をスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−６により切り替えられるようにすることによって、インダクタンスやキャパシタンスを変化させることが可能な電子部品装置を実現することができる。また、多数のスイッチを用いるとともに、スイッチ制御パタン記憶部１１に多数のスイッチ制御パタンを記憶させ、選択できるようにすることによって、様々な値のインダクタンスやキャパシタンスを得ることが可能になるという優れた効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを備えた電子部品装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置のスイッチ制御パタンの例を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の断面構造を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の他の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るスイッチ制御パタン記憶部の構成を示す回路図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るスイッチ制御パタン選択回路の動作を説明する図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】従来の微細電子機械スイッチの構造と動作を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…スイッチ制御回路、２−１〜２−Ｎ…スイッチ駆動回路、１１…スイッチ制御パタン記憶部、１２…スイッチ制御パタン選択回路、３０…半導体基板、３１…半導体部、３２…絶縁膜、３３…可動構造部、３４…スルーホール、１０２，１０３…配線、１０４…駆動電極、１０５…梁、１０６…支持部、１０７…可動電極、１０８…絶縁膜、１０９…接点電極、１１０−１１〜１１０−ＮＭ…記憶素子、１１１…シフトレジスタ、１１２…不揮発性メモリ、１２０…デコーダ回路、１２１−１〜１２１−Ｎ…セレクタ回路、Ｃ−１〜Ｃ−３…容量素子、Ｌ−１〜Ｌ−３…インダクタ素子、ＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎ…スイッチ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数個のスイッチとスイッチ制御手段により構成される電子部品装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線端末の開発において、一台の端末で多数の通信方式に対応可能とするため、複数個のスイッチを用いて無線回路の構成を可変とする技術が活発に研究されている（例えば非特許文献１参照）。このような目的のために利用されるスイッチには、優れた高周波特性が求められ、化合物半導体や、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いた高性能なスイッチが開発されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術を用いた微細電子機械スイッチの一例として、静電引力を駆動力として用いる微細電子機械スイッチの基本的な構造を図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。この微細電子機械スイッチは、図１０（Ａ）に示すように、基板１００と、基板１００上に形成された絶縁膜１０１と、絶縁膜１０１上に形成された２つの配線１０２，１０３と、絶縁膜１０１上に形成された駆動電極１０４と、可撓性を備えた梁１０５と、絶縁膜１０１上に形成され、梁１０５の一端を支える支持部１０６と、梁１０５の他端に固定された可動電極１０７と、可動電極１０７と絶縁膜１０８を介して連結された接点電極１０９とからなる。
【０００４】
駆動電極１０４と可動電極１０７との間に電圧を印加すると、図１０（Ｂ）に示すように、静電引力によって可動電極１０７が駆動電極１０４に引き付けられ、梁１０５が変形し、接点電極１０９が２つの配線１０２，１０３に接触することによって、２つの配線１０２と１０３間が導通し、スイッチがオン状態となる。また、電圧の印加を停止すると、梁１０５の復元力によって可動電極１０７は元の位置に戻り、接点電極１０９が配線１０２，１０３から離間して、スイッチはオフ状態となる。このような微細電子機械スイッチを利用すれば、複数個のスイッチと無線通信回路とを組み合わせて、各々のスイッチのオン／オフ状態を制御することによって、無線通信回路の構成を可変とすることが可能となる。
【０００５】
【特許文献１】特許第３１３７１０８号公報
【非特許文献１】E.R.Brown et.al.，“RF-MEMS Switches for Reconfigurable Integrated Circuits”，IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques，vol.46，no.11，pp.1868-1880，1998
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような、多数個の高性能なスイッチを用いた電子部品装置では、多数個のスイッチのオン／オフを制御することが必要となる。装置外部から各々のスイッチのオン／オフを個別に制御しようとした場合、スイッチの個数の増加に伴い多数のスイッチ制御線が必要となり、電子部品装置のサイズが大きくなってしまうという問題があった。また、高周波信号を扱う電子部品装置においては、装置のサイズが大きくなると、配線等の寄生素子による高周波特性の劣化が顕著となることから、高性能化の観点からもスイッチ制御線の本数を減らして小型化することが重要な課題であった。
【０００７】
上記の問題に対し、非特許文献１においては、複数個の微細電子機械スイッチとともに、デコーダ回路を同一チップ上に集積化することによって、装置外部から入力する制御線の数を減らす方法が提案されている。このような構成は、例えば複数個のスイッチの中から必ず１つのスイッチのみが選択される装置のように、固定的な動作を行う装置に対しては有効な方法である。しかしながら、多数個のスイッチのオン／オフ状態の自在な制御が求められる場合においては、固定的な動作をするデコーダ回路を集積化する従来の方法では対応できないという問題があった。
【０００８】
また、多数個のスイッチのオン／オフ状態を自在に制御するための従来技術としては、スイッチとともに、プロセッサを集積化する方法が考えられる。しかしながら、このような方法では、プロセッサの制御のために多数の制御線の数が必要となり、またプロセッサが大きな面積を占有してしまうため、装置のサイズが増大してしまうといった問題があった。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを備えた電子部品装置において、各々のスイッチに対して個別の制御線を用いたり、プロセッサなどの大規模な制御回路を用いたりすることなく、より少ない制御線で複数個のスイッチの自在な制御を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを少なくとも備えた電子部品装置において、前記スイッチ制御手段は、複数のスイッチ制御パタンを記憶するスイッチ制御パタン記憶手段と、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて前記複数のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択して前記スイッチに出力するスイッチ制御パタン選択手段とから構成され、前記スイッチ制御パタン選択手段によって選択されたスイッチ制御パタンにより、前記スイッチのオン／オフ状態が制御されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、独立に制御可能な前記スイッチの組の数をＮ（Ｎは自然数）、選択可能な前記スイッチ制御パタンの数をＭ（Ｍは自然数）としたとき、前記スイッチ制御パタン記憶手段は、前記スイッチのオン／オフ状態を表すスイッチ制御データを記憶する記憶素子を、前記Ｎ組のスイッチ毎にＭ個ずつ有し、前記Ｎ組のスイッチ毎のスイッチ制御データを組み合わせることによって前記スイッチ制御パタンが構成され、前記スイッチ制御パタン選択手段は、前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて前記Ｍ個のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択し、このスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力することを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、ｌｏｇ2Ｍ＜Ｎとなるようにしてもよい。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、前記スイッチ制御パタン記憶手段は、外部から入力されるスイッチ制御パタン書き換え信号によって前記スイッチ制御パタンの書き換えが可能であることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、前記スイッチ制御パタン記憶手段は、フリップフロップを縦続接続したシフトレジスタによって構成されるものである。
また、本発明の電子部品装置の１構成例において、前記スイッチ制御パタン選択手段は、前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて１つのスイッチ制御パタンを選択するデコーダ回路と、この選択されたスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力するＮ個のセレクタ回路とから構成され、前記デコーダ回路が出力する制御信号を前記Ｎ個のセレクタ回路で共有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数個のスイッチと、スイッチ制御パタン記憶手段と、スイッチ制御パタン選択手段とを設け、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて、スイッチ制御パタン記憶手段に記憶されたスイッチ制御パタンのうち、１つのスイッチ制御パタンを選択してスイッチのオン／オフ状態を制御するようにしたので、各々のスイッチに対する制御線を用いることなく、より少ない制御線を用いて、複数のスイッチの自在な制御が可能になるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態の電子部品装置は、複数個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎと、これらのスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを制御するためのスイッチ制御回路１とが同一チップ上に集積化されて構成される。スイッチ制御回路１は、スイッチ制御パタン記憶部１１と、スイッチ制御パタン選択回路１２とからなる。
【００１４】
スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎとしては、高周波特性に優れるスイッチを用いるのが望ましく、例えば、ＳｉＧｅまたはＩｎＰなどの半導体材料を用いたスイッチや、ＭＥＭＳ技術を用いて作製される微細電子機械スイッチなどを用いれば良い。
【００１５】
スイッチ制御パタン記憶部１１には、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフ状態を制御するためのスイッチ制御データが複数個記憶される。スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎ毎のスイッチ制御データが組み合わされることによって、スイッチ制御パタンが構成される。Ｎ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−ＮをＭ通りのパタンにより制御する場合のスイッチ制御パタンの例を図２に示す。
【００１６】
図２の例では、スイッチ制御パタン記憶部１１には、Ｎ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎの各々に対応する記憶素子（不図示）がスイッチ毎にＭ個ずつ設けられ、それぞれの記憶素子がスイッチオンまたはオフに対応するスイッチ制御データを記憶している。結果として、スイッチ制御パタン記憶部１１にはＮ×Ｍ個の記憶素子が存在する。例えば閾値電圧より高い電圧が記憶素子に保持されている場合をスイッチオン、閾値電圧より低い電圧が保持されている場合をスイッチオフと対応付けることによって、スイッチ制御データを既存の記憶素子に記憶させることができる。
【００１７】
スイッチ制御パタン選択回路１２は、外部から入力されたスイッチ制御パタン選択信号に応じて、スイッチ制御パタン記憶部１１に記憶されたスイッチ制御データのうち、選択されたスイッチ制御パタンに所属するスイッチ制御データを出力し、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフを制御する。
【００１８】
本実施の形態の電子部品装置の例として、静電駆動方式の微細電子機械スイッチを備えた電子部品装置の断面構造を図３に示す。図３の電子部品装置は、半導体基板３０上に形成され、半導体部３１には、スイッチ制御回路１が形成されている。また、半導体基板３０上の絶縁膜３２の上に集積化された可動構造部３３には、微細加工技術を用いて形成された静電駆動方式の微細電子機械スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎが形成されている。
【００１９】
従来と同様に、各スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎは、絶縁膜３２上に形成された２つの配線１０２，１０３と、絶縁膜３２上に形成された駆動電極１０４と、可撓性を備えた梁１０５と、絶縁膜３２上に形成され、梁１０５の一端を支える支持部１０６と、梁１０５の他端に固定された可動電極１０７と、可動電極１０７と絶縁膜１０８を介して連結された接点電極１０９とを有する。
【００２０】
スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフを制御するための駆動電極１０４は、基板上に形成されたスルーホール３４を介して、スイッチ制御回路１に電気的に接続されている。スイッチ制御回路１のスイッチ制御パタン選択回路１２は、選択したスイッチ制御データがスイッチオンを示す場合には、このスイッチ制御データに対応するスイッチの駆動電極１０４に対して電圧を印加することでスイッチをオンし、またスイッチ制御データがスイッチオフを示す場合には、対応するスイッチの駆動電極１０４への電圧印加を停止することでスイッチをオフすることができる。
【００２１】
なお、スイッチ制御パタン選択回路１２によってスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを直接制御することができない場合には、図４に示すように、スイッチ制御パタン選択回路１２とスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎとの間に、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎの駆動特性に応じたスイッチ駆動回路２−１〜２−Ｎを設ければよい。例えば、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを駆動するために高電圧が必要な場合には、スイッチ駆動回路２−１〜２−Ｎとして、昇圧回路や電圧レベル変換回路を用いればよい。
【００２２】
次に、本実施の形態の効果について説明する。Ｎ個のスイッチを用いた電子部品装置では、スイッチのオン／オフを各々のスイッチごとに装置外部から制御しようとした場合、Ｎ本のスイッチ制御線が必要となる。この場合、多数個のスイッチを用いて高機能な電子部品装置を実現しようとした場合、スイッチ制御線の数が多くなり、電子部品装置のサイズが大きくなってしまうという問題がある。また、電子部品装置のサイズの増大に伴い、配線の寄生抵抗や寄生インダクタンスが増え、高周波特性が劣化するという問題がある。
【００２３】
一方、本実施の形態では、スイッチ制御パタン記憶部１１に記憶されたＭ個のスイッチ制御パタンの中から、１つのスイッチ制御パタンを選択することによって、Ｎ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎのオン／オフを制御する。このために必要な制御線の数を考える。スイッチ制御パタン選択回路１２に入力するスイッチ制御パタン選択信号として２値のデジタル信号を用いる場合、Ｋ本の制御線によって選択可能な状態の数は２K通りとなる。したがって、Ｍ個のスイッチ制御パタンの中から、１つのスイッチ制御パタンを選択するために必要な制御線の数は、ｌｏｇ2Ｍの小数点未満を切り上げた値となる。したがって、ｌｏｇ2Ｍ＜Ｎとなる場合において、本実施の形態の電子部品装置は、各々のスイッチを個別に制御する場合と比較して、装置外部から装置に入力するスイッチ制御線の本数を減らすことが可能である。
【００２４】
本実施の形態が有効な応用例としては、例えば複数の通信周波数に対応可能なマルチバンド無線端末が考えられる。マルチバンド無線端末は、複数種類の無線通信回路が集積化されて構成される。複数の通信周波数に対応するためには、複数種類の無線通信回路の特性を、多数個のスイッチを用いて切り替えることが必要となる。例えば、必要とされるスイッチの数を２０個、対応する通信周波数を８個とすると、個々のスイッチを個別に制御した場合、２０本の制御線が必要となる。一方、８個の通信周波数に対応するため、８個の制御パタンから１つのスイッチ制御パタンを選択する本実施の形態の構成を用いる場合、制御線をｌｏｇ2８＝３本にまで減らせるという大きな効果が得られる。
【００２５】
なお、本実施の形態においては、１つのスイッチ制御データに対して１つのスイッチが対応する例を示したが、１つのスイッチ制御データに対してオン／オフの状態を共有する複数個のスイッチの組が存在してもよく、この場合には、１つのスイッチ制御データにより２つ以上のスイッチを制御することができる。
【００２６】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態として、本発明のより具体的な例を示す。図５は本発明の第２の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態では、電子部品装置はＮ個のスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎを備え、Ｍ個のスイッチ制御パタンに対応する。これを実現するため、スイッチ制御パタン記憶部１１は、Ｎ×Ｍ個の記憶素子１１０（１１０−１１〜１１０−１Ｍ，１１０−２１〜１１０−２Ｍ，・・・，１１０−Ｎ１〜１１０−ＮＭ）を備えている。
【００２７】
スイッチ制御パタン記憶部１１は、図６に示すように記憶素子１１０となるＤフリップフロップがＮ×Ｍ個縦続接続されたシフトレジスタ１１１によって構成されている。なお、縦続接続とは、前段のフリップフロップの出力が後段のフリップフロップに入力されるように接続された状態を意味する。シフトレジスタ１１１は、クロックと同期してスイッチ制御データを順次送信することにより、スイッチ制御パタンを記憶することができる，
【００２８】
このようにスイッチ制御パタン記憶部１１をシフトレジスタ１１１によって構成することにより、スイッチ制御パタンの書き換えが可能となり、異なるスイッチ制御パタンを要する様々な応用に対して、本電子部品装置を汎用的に利用することが可能となる。加えて、シフトレジスタ１１１を用いることにより、スイッチ制御パタンの書き換えを、データ線とクロック線の２本のみのスイッチ制御パタン書き換え線を用いて実行することが可能になるという優れた効果が得られる。
【００２９】
また、本実施の形態において、スイッチ制御パタン選択回路１２は、図５に示すように、デコーダ回路１２０と、デコーダ回路１２０に接続されたＮ個のセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎとから構成されている。デコーダ回路１２０は、外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて、選択すべきスイッチ制御パタンを決定し、このパタンに応じた制御信号をセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎに出力する。Ｎ個のセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎは、共通のデコーダ回路１２０に接続されており、選択されたスイッチ制御パタンに所属するスイッチ制御データを出力する。
【００３０】
例として、スイッチ制御パタンの数が８つである場合のデコーダ回路１２０とセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎの動作を図７を用いて説明する。なお、図７では、セレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎのうちセレクタ回路１２１−１のみを記載している。図７の例では、８つのスイッチ制御パタンのうちから１つのスイッチ制御パタンを選択するため、デコーダ回路１２０にはｌｏｇ2８＝３本の制御線が接続されている。デコーダ回路１２０の制御線に３ビットのスイッチ制御パタン選択信号が入力されると、デコーダ回路１２０は、スイッチ制御パタン選択信号に応じて８つの出力線（スイッチ制御パタン）のうち１つを選択し、選択した１つの出力線に電圧を出力する。
【００３１】
セレクタ回路１２１−１は、デコーダ回路１２０の出力に基づいて、８つの記憶素子１１０−１１〜１１０−１８のうち選択されたスイッチ制御パタンに所属する１つの記憶素子１１０を選択し、この記憶素子１１０に記憶されているスイッチ制御データを出力する。他のセレクタ回路１２１−２〜１２１−Ｎも同様の選択動作を行う。
【００３２】
以上のようにして、シフトレジスタにより構成されるスイッチ制御パタン記憶部１１と、デコーダ回路１２０と複数のセレクタ回路１２１−１〜１２１−Ｎから構成されるスイッチ制御パタン選択回路１２を用いることによって、少ない本数の制御線により、多数のスイッチ制御パタンの中から１つのスイッチ制御パタンを選択し、多数のスイッチのオン／オフを制御することが可能となる。
【００３３】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態の電子部品装置について、図８を用いて説明する。本実施の形態では、スイッチ制御パタン記憶部１１に、第２の実施の形態で説明したシフトレジスタ１１１と、不揮発性メモリ１１２とを設けている。本実施の形態に係る電子部品装置では、シフトレジスタ１１１に記憶されたスイッチ制御パタンを不揮発性メモリ１１２に記憶させたり、あるいは不揮発性メモリ１１２に記憶されているスイッチ制御パタンをシフトレジスタ１１１に読み込ませたりすることができる。
【００３４】
これにより、本実施の形態では、電子部品装置に対する電源供給が停止した後も、スイッチ制御パタンを不揮発性メモリ１１２に保持しておくことが可能となり、また電源が再供給されたときには不揮発性メモリ１１２からスイッチ制御パタンを読むことが可能になるので、スイッチ制御パタンをスイッチ制御パタン書き換え信号によって外部から設定することが不要になるという優れた効果が得られる。
【００３５】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態の電子部品装置について、図９を用いて説明する。本実施の形態の電子部品装置は、スイッチ制御回路１とスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−６に加え、インダクタ素子Ｌ−１〜Ｌ−３と容量素子Ｃ−１〜Ｃ−３とを備えている。これらのインダクタ素子Ｌ−１〜Ｌ−３や容量素子Ｃ−１〜Ｃ−３は、スイッチＳＷ−１〜ＳＷ−６と接続されて可変ＬＣ回路を構成している。
【００３６】
このように、インダクタ素子Ｌ−１〜Ｌ−３や容量素子Ｃ−１〜Ｃ−３の接続をスイッチＳＷ−１〜ＳＷ−６により切り替えられるようにすることによって、インダクタンスやキャパシタンスを変化させることが可能な電子部品装置を実現することができる。また、多数のスイッチを用いるとともに、スイッチ制御パタン記憶部１１に多数のスイッチ制御パタンを記憶させ、選択できるようにすることによって、様々な値のインダクタンスやキャパシタンスを得ることが可能になるという優れた効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを備えた電子部品装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置のスイッチ制御パタンの例を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の断面構造を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品装置の他の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るスイッチ制御パタン記憶部の構成を示す回路図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るスイッチ制御パタン選択回路の動作を説明する図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係る電子部品装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】従来の微細電子機械スイッチの構造と動作を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…スイッチ制御回路、２−１〜２−Ｎ…スイッチ駆動回路、１１…スイッチ制御パタン記憶部、１２…スイッチ制御パタン選択回路、３０…半導体基板、３１…半導体部、３２…絶縁膜、３３…可動構造部、３４…スルーホール、１０２，１０３…配線、１０４…駆動電極、１０５…梁、１０６…支持部、１０７…可動電極、１０８…絶縁膜、１０９…接点電極、１１０−１１〜１１０−ＮＭ…記憶素子、１１１…シフトレジスタ、１１２…不揮発性メモリ、１２０…デコーダ回路、１２１−１〜１２１−Ｎ…セレクタ回路、Ｃ−１〜Ｃ−３…容量素子、Ｌ−１〜Ｌ−３…インダクタ素子、ＳＷ−１〜ＳＷ−Ｎ…スイッチ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを少なくとも備えた電子部品装置において、
前記スイッチ制御手段は、
複数のスイッチ制御パタンを記憶するスイッチ制御パタン記憶手段と、
外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて前記複数のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択して前記スイッチに出力するスイッチ制御パタン選択手段とから構成され、
前記スイッチ制御パタン選択手段によって選択されたスイッチ制御パタンにより、前記スイッチのオン／オフ状態が制御されることを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品装置において、
独立に制御可能な前記スイッチの組の数をＮ（Ｎは自然数）、選択可能な前記スイッチ制御パタンの数をＭ（Ｍは自然数）としたとき、
前記スイッチ制御パタン記憶手段は、前記スイッチのオン／オフ状態を表すスイッチ制御データを記憶する記憶素子を、前記Ｎ組のスイッチ毎にＭ個ずつ有し、前記Ｎ組のスイッチ毎のスイッチ制御データを組み合わせることによって前記スイッチ制御パタンが構成され、
前記スイッチ制御パタン選択手段は、前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて前記Ｍ個のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択し、このスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力することを特徴とする電子部品装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品装置において、
ｌｏｇ2Ｍ＜Ｎであることを特徴とする電子部品装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品装置において、
前記スイッチ制御パタン記憶手段は、外部から入力されるスイッチ制御パタン書き換え信号によって前記スイッチ制御パタンの書き換えが可能であることを特徴とする電子部品装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品装置において、
前記スイッチ制御パタン記憶手段は、フリップフロップを縦続接続したシフトレジスタによって構成されることを特徴とする電子部品装置。
【請求項６】
請求項２に記載の電子部品装置において、
前記スイッチ制御パタン選択手段は、
前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて１つのスイッチ制御パタンを選択するデコーダ回路と、
この選択されたスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力するＮ個のセレクタ回路とから構成され、
前記デコーダ回路が出力する制御信号を前記Ｎ個のセレクタ回路で共有することを特徴とする電子部品装置。
【請求項１】
複数個のスイッチとスイッチ制御手段とを少なくとも備えた電子部品装置において、
前記スイッチ制御手段は、
複数のスイッチ制御パタンを記憶するスイッチ制御パタン記憶手段と、
外部から入力されるスイッチ制御パタン選択信号に応じて前記複数のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択して前記スイッチに出力するスイッチ制御パタン選択手段とから構成され、
前記スイッチ制御パタン選択手段によって選択されたスイッチ制御パタンにより、前記スイッチのオン／オフ状態が制御されることを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品装置において、
独立に制御可能な前記スイッチの組の数をＮ（Ｎは自然数）、選択可能な前記スイッチ制御パタンの数をＭ（Ｍは自然数）としたとき、
前記スイッチ制御パタン記憶手段は、前記スイッチのオン／オフ状態を表すスイッチ制御データを記憶する記憶素子を、前記Ｎ組のスイッチ毎にＭ個ずつ有し、前記Ｎ組のスイッチ毎のスイッチ制御データを組み合わせることによって前記スイッチ制御パタンが構成され、
前記スイッチ制御パタン選択手段は、前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて前記Ｍ個のスイッチ制御パタンのうち１つのスイッチ制御パタンを選択し、このスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力することを特徴とする電子部品装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品装置において、
ｌｏｇ2Ｍ＜Ｎであることを特徴とする電子部品装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品装置において、
前記スイッチ制御パタン記憶手段は、外部から入力されるスイッチ制御パタン書き換え信号によって前記スイッチ制御パタンの書き換えが可能であることを特徴とする電子部品装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品装置において、
前記スイッチ制御パタン記憶手段は、フリップフロップを縦続接続したシフトレジスタによって構成されることを特徴とする電子部品装置。
【請求項６】
請求項２に記載の電子部品装置において、
前記スイッチ制御パタン選択手段は、
前記スイッチ制御パタン選択信号に応じて１つのスイッチ制御パタンを選択するデコーダ回路と、
この選択されたスイッチ制御パタンに対応する記憶素子を前記Ｎ組のスイッチ毎に選択して、この選択したＮ個の記憶素子に記憶されているスイッチ制御データを前記Ｎ組のスイッチに対して出力するＮ個のセレクタ回路とから構成され、
前記デコーダ回路が出力する制御信号を前記Ｎ個のセレクタ回路で共有することを特徴とする電子部品装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−７３４７１（Ｐ２０１０−７３４７１Ａ）
【公開日】平成２２年４月２日（２０１０．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２３９１９９（Ｐ２００８−２３９１９９）
【出願日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２日（２０１０．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【Ｆターム（参考）】
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