電気化学デバイス及びその実装構造
【課題】鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】電気二重層キャパシタ１０-1は、フィルムパッケージ１４から導出された一対の端子（正極端子１２及び負極端子１３）の導出部分に放熱部位となる延長部分１２ｄ，１３ｄがフィルムパッケージ１４と非接触でそれぞれ設けられ、且つ、正極端子１２及び負極端子１３の前記導出部分は先端１２ｂ，１３ｂを除く部分が熱容量体１６によって覆われている。
【解決手段】電気二重層キャパシタ１０-1は、フィルムパッケージ１４から導出された一対の端子（正極端子１２及び負極端子１３）の導出部分に放熱部位となる延長部分１２ｄ，１３ｄがフィルムパッケージ１４と非接触でそれぞれ設けられ、且つ、正極端子１２及び負極端子１３の前記導出部分は先端１２ｂ，１３ｂを除く部分が熱容量体１６によって覆われている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムパッケージを備えた電気化学デバイスと、該電気化学デバイスを回路基板に実装して成る電気化学デバイスの実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気化学デバイス、例えば電気二重層キャパシタやリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等にはその外装としてフィルムパッケージを備えたものが存在する。
【０００３】
前記電気二重層キャパシタは、例えば、正極用分極性電極とセパレータと負極用分極性電極とを順次積層して構成された電極部が、ラミネートフィルムから形成されたフィルムパッケージに電解液とともに封入されている。そして、前記正極用分極性電極に電気的に接続された一方の端子（正極端子）の一部分と、負極用分極性電極に電気的に接続された他方の端子（負極端子）の一部分とを、それぞれ前記フィルムパッケージから導出した構造を有している。
【０００４】
フィルムパッケージには、例えば、プラスチック製の保護層と金属製のバリア層とプラスチック製のヒートシール層を順に有するラミネートフィルムが用いられている。前記フィルムパッケージは、例えば、所定サイズのラミネートフィルムを折り曲げて開放縁のヒートシール層を重ね合わせ、該重ね合わせ部分をヒートシールして封止することにより形成されている。
【０００５】
前記電気二重層を含む電気化学デバイスの近年における小型化に伴い、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望、換言すれば、鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けに対応可能な電気化学デバイスの要求が高まっている。
【０００６】
しかし、前記のようなフィルムパッケージを備えた従前の電気化学デバイスは鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応していない。即ち、従前の電気化学デバイスを高温（例えば約２５０℃）のリフロー炉に投入してリフロー半田付けを行うと、前記リフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒される被半田付け箇所である前記端子の導出部分の先端から、該先端に続く部分を通じて、フィルムパッケージ内に熱が流入し、該熱によってフィルムパッケージ内の発電素子が熱劣化し、該熱劣化によって電気化学デバイスそれ自体の電気特性が著しく低下する不具合を生じ得る。
【特許文献１】特開２００２−２６０６０１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスと、該電気化学デバイスを回路基板に実装して成る電気化学デバイスの実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の電気化学デバイスは、フィルムパッケージと、該フィルムパッケージ内に基端側が封入されるとともに先端側に前記フィルムパッケージから導出された導出部分を有する少なくとも一対の端子と、を備えた電気化学デバイスにおいて、前記端子は、前記先端側から基端側に向けて伝導する熱を放出する熱放出部位を前記導出部分に備えている。
【０００９】
また、本発明の電気化学デバイスの実装構造は、前記電気化学デバイスにおける前記端子の導出部分の先端を、回路基板のランドに半田を介して接続して成る。
【００１０】
前記の電気化学デバイス及びその実装構造によれば、前記端子は、前記フィルムパッケージから導出された導出部分に、前記先端側から基端側に向けて伝導する熱を放出する熱放出部位を備えている。このため、前記端子の先端をリフロー半田付けするときにリフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒される前記先端から該先端に続く部分を通じて流入する熱をその伝導過程で熱放出部位から放出することができる。
【００１１】
つまり、リフロー半田付け時に前記端子の先端が所定温度に加熱されても、該熱が直接的に前記フィルムパッケージ内に流入することを防止することができる。これにより、前記熱によって前記フィルムパッケージ内の発電素子が熱劣化し、該熱劣化によって電気化学デバイスそれ自体の電気特性が著しく低下する不具合を回避することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスと、該電気化学デバイスを回路基板に実装して成る電気化学デバイスの実装構造を提供することができる。
【００１３】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１実施形態］
図１〜図５は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す。図１は電気二重層キャパシタの上面図、図２は図１のａ−ａ線における縦断面図、図３は図１のｂ−ｂ線における縦断面図、図４は図２のＡ部の詳細図、図５は図１〜図４に示した電気二重層キャパシタを回路基板に実装して成る実装構造を示す図である。
【００１５】
図１〜図４に示した電気二重層キャパシタ１０-1は、電極部１１と、一対の端子（正極端子１２、負極端子１３）と、例えばラミネートフィルムから形成されたフィルムパッケージ１４と、電解液１５と、熱容量体１６と、を備える。前記フィルムパッケージ１４は、例えば略矩形状に形成されている。
【００１６】
前記電極部１１は、正極側電極（符号無し）と、負極側電極（符号無し）とを、セパレータ１１ｅを介して交互に積層して構成されている。正極側電極（符号無し）は、正極用分極性電極１１ａと正極用集電体１１ｂと正極用分極性電極１１ａとを順に重ねて構成されている。また、負極側電極（符号無し）は、負極用分極性電極１１ｃと負極用集電体１１ｄと負極用分極性電極１１ｃとを順に重ねて構成されている。図２には図示の便宜上、正極側電極とセパレータ１１ｅと負極側電極とから成るユニットを２つ重ねたものを示してある。実際のユニット数は必要により増減されるが、前記ユニットを少なくとも１つ有するものであることが好ましい。また、最上層及び最下層にはそれぞれ集電体が配置されているが、製造プロセスの便宜上、その外側に分極性電極やセパレータが付加されてもよい。前記各正極用集電体１１ｂの端にはそれぞれ接続片１１ｂ１が設けられており、前記各接続片１１ｂ１は前記一対の端子のうちの一方の端子（正極端子１２）に接続されている。同様に、前記各負極用集電体１１ｄの端にはそれぞれ接続片１１ｄ１が設けられており、前記各接続片１１ｄ１は前記一対の端子のうちの他方の端子（負極端子１３）に接続されている。
【００１７】
前記一対の端子（正極端子１２及び負極端子１３）は、アルミニウム等の金属から厚さ５０〜２００μｍ程度の短冊状に形成されており、互いが非接触に配置されている。前記端子の基端側は前記電極部１１とともに前記フィルムパッケージ１４内に封入されるとともに、先端側に前記フィルムパッケージ１４の一端（図２の右端）から導出された導出部分を有する。
【００１８】
前記正極端子１２及び負極端子１３は、各々の導出部分の基端１２ａ，１３ａが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図２の右端側）に位置すると共に各々の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図２の右端側）に位置している。詳しくは、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分は、各々の基端１２ａ，１３ａに近い箇所を計２回同一向きに約９０度屈曲（或いはＵ字形に屈曲）され、該屈曲箇所１２ｃ，１３ｃ（１２ｃは図示省略）から先の部分を前記フィルムパッケージ１４の下面から離れた位置を該下面とほぼ平行で、且つ、互いがほぼ平行な形態のまま前記フィルムパッケージ１４の他端側（図２の左端側）に向けて延長（延長部分１２ｄ，１３ｄ（１２ｄは図示省略））されフィルムパッケージ１４の他端（図２の左端）から所定長突出している。前記先端１２ｂ，１３ｂは各延長部分１２ｄ，１３ｄの突出部分の端によって構成されている。
【００１９】
要するに、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1では、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂと基端１２ａ，１３ａとの間に存する延長部分１２ｄ，１３ｄが、先端１２ｂ，１３ｂから基端１２ａ，１３ａに向けて伝導する熱を放出する熱放出部位としての機能を発揮する。この機能については後に詳述する。
【００２０】
前記フィルムパッケージ１４は、ヒートシール可能なラミネートフィルム、例えばナイロン等のプラスチックから成る保護層Ｌ１とアルミニウム等の金属から成るバリア層Ｌ２とポリエチレンテレフタレート等のプラスチックから成る絶縁層Ｌ３とポリプロピレン等のプラスチックから成るヒートシール層Ｌ４を順に有するラミネートフィルム（図４参照）から成る。前記バリア層Ｌ２は、例えば、前記フィルムパッケージからの電解液の漏出を防止したり、フィルムパッケージへの水分の浸入を防止する等の役目を果たしている。前記バリア層Ｌ２は、Ａｌなどの金属、またはＡｌ2Ｏ3などの金属酸化物からなることが好ましい。前記絶縁層Ｌ３はヒートシールによってヒートシール層Ｌ４が溶融した場合でもバリア層Ｌ２が導出することを防止する役目を果たしている。本発明はこれに限定するものではなく、例えば、ヒートシールによってヒートシール層Ｌ４が溶融した場合でもバリア層Ｌ２が導出しない程度に十分な厚さのヒートシール層Ｌ４を有するものであれば、絶縁層Ｌ３は必ずしも必要なものではない。
【００２１】
このフィルムパッケージ１４は、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムを用意し、電解液１５を含浸させた電極部１１を該ラミネートフィルムのヒートシール層Ｌ４側に配置した後、電極部１１を覆い、且つ、少なくとも一対の端子（例えば正極端子１２及び負極端子１３）の先端側を導出するように正極端子１２及び負極端子１３の反対側で前記ラミネートフィルムを折り曲げてヒートシール層Ｌ４を開放側の３辺で重ね合わせ、該重ね合わせ部分を所定温度でヒートシール（図１のヒートシール部１４ａ参照）して封止することにより形成されている。また、電解液１５は、例えばフィルムパッケージ１４に予め形成した孔を通じてフィルムパッケージ１４内に充填し、充填後に前記孔を塞ぐようにしても良い。
【００２２】
前記熱容量体１６は、必要な熱容量が確保できる材料、例えばエポキシ樹脂やポリエチレンやポリプロピレンやポリカーボネイトやポリエチレンテレフタレートやポリアクリレートやポリメタクリレートやその他の一般的な熱硬化性プラスチックや熱可塑性プラスチックや紫外線硬化プラスチック等から成り、これらはシリカ等の無機フェラーを０〜８０ｗｔ％程度含有したものであっても良い。熱容量体１６の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が０．１〜５０Ｗ／ｍ／Ｋ程度で、比熱が０．８〜２．０Ｊ／ｇ／Ｋ程度であり、質量は電極部１１，正極端子１２，負極端子１３及びフィルムパッケージ１４の合計質量の１／２倍〜３倍程度である。
【００２３】
この熱容量体１６は、材料によって形成条件が多少異なるものの、基本的には、直方体形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、該キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２，１３ｂが突出するようにフィルムパッケージ１４を挿入した後、該キャビティ内に流動性熱容量体材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出すことにより形成されている。図２及び図３から分かるように、前記熱容量体１６は、フィルムパッケージ１４の表面に密着して該フィルムパッケージ１４を覆うと共に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。要するに、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂは、フィルムパッケージ１４の他端側（図２の左端側）と向き合う熱容量体１６の面から導出している。
【００２４】
次に、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1をまず、鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって回路基ＳＵに実装する方法の一例について説明する。図５に示すように、該電気二重層キャパシタ１０-1の熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを各々に対応した回路基板ＳＵのランドＬＡそれぞれにクリーム半田（ＳＯ）を介して配置すると共に熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置する。
【００２５】
尚、図５には、熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂの下面高さが各ランドＬＡの上面高さにほぼ一致するものを示してあるが、両者の高さが食い違う場合には正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを配置する前に予め該先端１２ｂ，１３ｂを適宜折り曲げて高さ調整を行う。
【００２６】
次に、電気二重層キャパシタ１０-1が配置された回路基板ＳＵはリフロー炉に投入され、半田付け箇所は該リフロー炉を通過する過程で該リフロー炉の温度雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば約２５０℃）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが半田ＳＯを介して各ランドＬＡに接続される。
【００２７】
リフロー半田付け時には、リフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒され所定温度に加熱される正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３ｂに続く部分を通じて前記端子の基端側が封入された電気二重層キャパシタ１０-1のフィルムパッケージ１４内に向かって熱が流入する。
【００２８】
しかし、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1にあっては、前記正極端子１２及び負極端子１３の前記フィルムパッケージから導出された導出部分に放熱部位となる延長部分１２ｄ，１３ｄがフィルムパッケージ１４と非接触でそれぞれ設けられ、且つ、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分は熱容量体１６によって覆われているため、リフロー半田付け時に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３に続く部分を通じて流入する熱はその伝導過程で主に延長部分１２ｄ，１３ｄから放出されて熱容量体１６に吸収されることになる。
【００２９】
つまり、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒されて前記正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが所定温度に加熱されても、該熱が直接的に前記フィルムパッケージ１４内に流入することを防止することができ、これにより該熱によって電極部１１、特に正極用分極性電極１１ａ及び負極用分極性電極１１ｃが加熱されてこれらが熱劣化し、該熱劣化によって電気二重層キャパシタ１０-1それ自体の電気特性が著しく低下する等の不具合を回避することができる。
【００３０】
正極端子１２及び負極端子１３の各延長部分１２ｄ，１３をフィルムパッケージ１４の上側に配置してもそれ相当の放熱作用は期待できるが、下側に配置したほうがリフロー半田付け時の炉内温度雰囲気から離隔されるので、熱によって各延長部分１２ｄ，１３ｄに温度上昇を生じることを抑制できるため前記放熱作用を効果的に行うことができる。
【００３１】
また、フィルムパッケージ１４を覆う熱容量体１６自らの熱吸収作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気に起因する熱によってフィルムパッケージ１４が直接的に加熱されることを緩和して、該フィルムパッケージ１４の熱損傷を回避することができる。
【００３２】
さらに、リフロー半田付けに際して図５に示すように電気二重層キャパシタ１０-1の熱容量体１６の下面を回路基板ＳＵに接触させておけば、熱容量体１６の前記回路基板ＳＵに接触した部分はリフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒されることがないので、これにより該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００３３】
以上により、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-1を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-1を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
【００３４】
［第２実施形態］
図６及び図７は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す。図６は電気二重層キャパシタの上面図、図７は図６のｃ−ｃ線における縦断面図である。
【００３５】
前記第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1のフィルムパッケージ１４は、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムを用意し、電解液１５を含浸させた電極部１１を該ラミネートフィルムのヒートシール層Ｌ４側に配置した後、電極部１１を覆い、且つ、少なくとも一対の端子（例えば正極端子１２及び負極端子１３）の先端側を導出するように正極端子１２及び負極端子１３の反対側で前記ラミネートフィルムを折り曲げてヒートシール層Ｌ４を開放側の３辺で重ね合わせ、該重ね合わせ部分を所定温度でヒートシール（図１のヒートシール部１４ａ参照）して封止することにより形成されている。また、前記電気二重層キャパシタ１０-1の前記正極端子１２及び負極端子１３は、各々の導出部分の基端１２ａ，１３ａが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図２の右端側）に位置すると共に各々の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図２の左端側）に位置している。
【００３６】
これに対し、第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０-2のフィルムパッケージ１４’は、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムを用意し、電解液１５を含浸させた電極部１１’を該ラミネートフィルムのヒートシール層側に配置した後、電極部１１’を覆い、且つ、少なくとも一対の端子（例えば正極端子１２及び負極端子１３）の先端側を導出するように、且つ前記正極端子１２及び負極端子１３に平行するように前記ラミネートフィルムを折り曲げてヒートシール層Ｌ４を開放側の３辺で重ね合わせ、該重ね合わせ部分を所定温度でヒートシール（図６のヒートシール部１４ａ参照）して封止することにより形成されている。また、この電気二重層キャパシタ１０-2の負極端子１３は、導出部分の基端１３ａ側が前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図６の右端側）に位置すると共に導出部分の先端１３ｂが前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図６の左端側）に位置している。一方、前記正極端子１２は、導出部分の基端１２ａ側が前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図６の左端側）に位置すると共に導出部分の先端１２ｂが前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図６の右端側）に位置している。
【００３７】
詳しくは、前記負極端子１３の導出部分は、基端１３ａに近い箇所を計２回同一向きに約９０度屈曲（或いはＵ字形に屈曲）され、該屈曲箇所１３ｃから先の部分を前記フィルムパッケージ１４’の下面から離れた位置を該下面とほぼ平行な形態のまま前記フィルムパッケージ１４’の他端側（図６の左端側）に向けて延長（延長部分１３ｄ）されフィルムパッケージ１４’の他端（図６の左端）から所定長突出するとともに幅広に形成されている。
【００３８】
また、前記正極端子１２の導出部分は、基端１２ａに近い箇所を計２回同一向きに約９０度屈曲（或いはＵ字形に屈曲）され、該屈曲箇所１２ｃ（図示省略）から先の部分を前記フィルムパッケージ１４’の下面から離れた位置を該下面とほぼ平行で、且つ、前記負極端子１３の導出部分と平行な形態のまま前記フィルムパッケージ１４’の一端側（図６の右端側）に向けて延長（延長部分１２ｄは図示省略）されフィルムパッケージ１４’の一端（図６の右端）から所定長突出するとともに幅広に形成されている。
【００３９】
その他の構成及び作用効果は前記第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同様であるためその説明を省略する。
【００４０】
［第３実施形態］
図８及び図９は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す。図８は電気二重層キャパシタの上面図、図９は図８のｄ−ｄ線における縦断面図である。
【００４１】
第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3が第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と異なるところは、熱容量体１６を断熱体１７によって覆った点にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同じであるため同一符号を用いてその説明を省略する。
【００４２】
前記断熱体１７は、断熱作用を発揮する材料、例えばシリカエアロゲルやカーボンエアロゲルやヒュームシリカや発砲ポリイミドや発砲ポリテトラフルオロエチレン等から成る。断熱体１７の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が０．０１５〜０．１Ｗ／ｍ／Ｋ程度であり、厚さは０．５〜２．０ｍｍ程度ある。
【００４３】
この断熱体１７は、材料によって形成条件が多少異なる。例えば上記材料からなる市販のシート状もしくは板状体の断熱体を利用するのが最も簡易で、該断熱体を所定形状に加工してエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接着剤等を用いて前記熱容量体の表面に接着することにより形成される。また、他の一例は、直方体形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、該キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが突出するように熱容量体１６を挿入した後、該キャビティ内に流動性の断熱体材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出すことにより形成される。
【００４４】
図９から分かるように、断熱体１７は熱容量体１６の表面に密着して該熱容量体１６を覆うと共に熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。
【００４５】
第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3にあっては、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同様の作用効果を得られる他、熱容量体１６を覆う断熱体１７自らの断熱作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気によって熱容量体１６が直接的に加熱されることを緩和して、該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００４６】
［第４実施形態］
図１０及び図１１は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す。図１０は電気二重層キャパシタの上面図、図１１は図１０のｅ−ｅ線における縦断面図である。
【００４７】
第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4が第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と異なるところは、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の形態と、熱伝導体（正極端子用熱伝導体１８及び負極端子用熱伝導体１９）の存在にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同じであるため同一符号を用いてその説明を省略する。
【００４８】
正極端子１２及び負極端子１３は、導出部分の基端１２ａ，１３ａがフィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図１１の右端側）に位置すると共に導出部分の先端１２ｂ，１３ｂが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの前記一方側（図１１の右端側）に位置している。詳しくは、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分は、各々の基端１２ａ，１３ａに近い箇所を計２回異なる向きに約９０度屈曲され、該屈曲箇所１２ｅ，１３ｅ（１２ｅは図示省略）から先の部分を互いがほぼ平行な形態のままフィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方端（図９の右端）から所定長突出している。前記先端１２ｂ，１３ｂは各突出部分の端によって構成されている。
【００４９】
各熱伝導体１８，１９は、熱伝導作用を発揮する材料、例えばアルミニウム等の金属または合金やグラファイトやアルミナ等から成る。熱伝導体１８，１９の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が１０〜２０００Ｗ／ｍ／Ｋ程度である。
【００５０】
この各熱伝導体１８，１９は短冊状、好ましくはフィルムパッケージ１４の一端から他端までの長さよりも大きい長さを有する形状を有しており、熱容量体１６を形成する前に各々の端を正極端子１２及び負極端子１３の屈曲箇所１２ｅ，１３ｅに、例えば熱伝導可能な接合材を介して、接触されており、フィルムパッケージ１４の下面から離れた位置に該下面とほぼ平行に配置されている。
【００５１】
要するに、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4では、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂと基端１２ａ，１３ａとの間に接触されている熱伝導体１８，１９が、先端１２ｂ，１３ｂから基端１２ａ，１３ａに向けて伝導する熱を放出する熱放出部位としての機能を発揮する。この機能については後に詳述する。
【００５２】
前記熱容量体１６はフィルムパッケージ１４の表面に密着して該フィルムパッケージ１４を覆っている。また、前記熱容量体１６は、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。また、前記熱容量体１６は、各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く表面に密着して該各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く部分を覆っている。
【００５３】
次に、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4を鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって回路基ＳＵに実装する方法の一例を説明する。まず、図５と同様に、該電気二重層キャパシタ１０-4の熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを各々に対応した回路基板ＳＵのランドＬＡそれぞれにクリーム半田（ＳＯ）を介して配置すると共に熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置する。
【００５４】
また、前記熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂの下面高さと各ランドＬＡの上面高さとに食い違うがある場合には正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを配置する前に予め該先端１２ｂ，１３ｂを適宜折り曲げて高さ調整を行う。
【００５５】
次に、電気二重層キャパシタ１０-4が配置された回路基板ＳＵは炉に投入され、半田付け箇所は該リフロー炉を通過する過程で炉内温度雰囲気に直接晒されることにより所定温度（例えば約２５０℃）に加熱されて、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが半田ＳＯを介して各ランドＬＡに接続される。
【００５６】
リフロー半田付け時には、リフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒され所定温度に加熱される正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３ｂに続く部分を通じて前記端子の基端側が封入された電気二重層キャパシタ１０-4のフィルムパッケージ１４内に向かって熱が流入する。
【００５７】
しかし、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4にあっては、前記正極端子１２及び負極端子１３の前記フィルムパッケージから導出された導出部分に放熱部位となる熱伝導体１８，１９がそれぞれ接続され、且つ、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分と各熱伝導体１８，１９とが前記熱容量体１６によって覆われているため、リフロー半田付け時に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３ｂに続く部分を通じて流入する熱はその伝導過程で主に熱伝導体１８，１９から放出されて前記熱容量体１６に吸収されることになる。
【００５８】
つまり、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒されて正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ．１３ｂが所定温度に加熱されても、該熱が直接的にフィルムパッケージ１４内に流入することを防止することができ、これにより該熱によって電極部１１、特に正極用分極性電極１１ａ及び負極用分極性電極１１ｃが加熱されてこれらが熱劣化し、該熱劣化によって電気二重層キャパシタ１０-4それ自体の電気特性が著しく低下する等の不具合を回避することができる。
【００５９】
前記熱伝導体１８，１９をフィルムパッケージ１４の上側に配置してもそれ相当の放熱作用は期待できるが、下側に配置したほうが炉内温度雰囲気から離隔されリフロー半田付け時の熱によって熱伝導体１８，１９に温度上昇を生じることを抑制できるため前記放熱作用を効果的に行うことができる。
【００６０】
また、フィルムパッケージ１４を覆う熱容量体１６自らの熱吸収作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気によってフィルムパッケージ１４が直接的に加熱されることを緩和して、該フィルムパッケージ１４の熱損傷を回避することができる。
【００６１】
さらに、リフロー半田付けに際して図５と同様に電気二重層キャパシタ１０-4の熱容量体１６の下面を回路基板ＳＵに接触させておけば、熱容量体１６の前記回路基板ＳＵに接触した部分はリフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒されることがないので、これにより該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００６２】
以上により、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-4を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-4を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
【００６３】
［第５実施形態］
図１２及び図１３は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す。図１２は電気二重層キャパシタの上面図、図１３は図１２のｆ−ｆ線における縦断面図である。
【００６４】
第５実施形態の電気二重層キャパシタ１０-5が第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と異なるところは、熱容量体１６を断熱体１７によって覆った点にある。他の構成は第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と同じであるため同一符号を用いてその説明を省略する。
【００６５】
前記断熱体１７は、断熱作用を発揮する材料、例えばシリカエアロゲルやカーボンエアロゲルやヒュームシリカや発砲ポリイミドや発砲ポリテトラフルオロエチレン等から成る。断熱体１７の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が０．０１５〜０．１Ｗ／ｍ／Ｋ程度でであり、厚さは０．５〜２．０ｍｍ程度ある。
【００６６】
この断熱材１７は、材料によって形成条件は多少異なる。例えば上記材料からなる市販のシート状もしくは板状体の断熱体を利用するのが最も簡易で、該断熱体を所定形状に加工してエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接着剤等を用いて前記熱容量体の表面に接着することにより形成される。また、他の一例は、直方体形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、該キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが導出されるように熱容量体１６を挿入した後、該キャビティ内に流動性の断熱体材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出すことにより形成されている。
【００６７】
図１３から分かるように、断熱体１７は熱容量体１６の表面に密着して該熱容量体１６を覆うと共に熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。
【００６８】
第５実施形態の電気二重層キャパシタ１０-5にあっては、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と同様の作用効果を得られる他、熱容量体１６を覆う断熱体１７自らの断熱作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気に晒されることによって熱容量体１６が直接的に加熱されることを緩和して、該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００６９】
［他の実施形態］
（１）前述の第１，第３実施形態にあっては、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分として各々の基端１２ａ，１３ａがフィルムパッケージ１３の一端側に位置し、且つ、各々の先端１２ｂ，１３ｂがフィルムパッケージ１３の他端側に位置した形態を例示したが、放熱部位となる延長部分１２ｄ，１３ｄを有する形態であれば、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の形態と基端位置及び先端位置は適宜変更可能である。
（２）前述の第４，第５実施形態にあっては、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分として各々の基端１２ａ，１３ａがフィルムパッケージ１３の一端側に位置し、且つ、各々の先端１２ｂ，１３ｂがフィルムパッケージ１３の一端側に位置した形態を例示したが、放熱部位となる各熱伝導体１８，１９が接続されていれば、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の形態と基端位置及び先端位置は適宜変更可能である。
（３）前述の第１〜第３実施形態にあっては、熱容量体１６によってフィルムパッケージ１４，１４’と正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆った構造を例示したが、熱容量体１６によって正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆った構造を採用しても、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒される正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３に続く部分を通じて流入した熱をその伝導過程で熱容量体１６に吸収する作用効果は同様に発揮することが可能である。
（４）前述の第４，第５実施形態にあっては、熱容量体１６によってフィルムパッケージ１４と正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分と各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く部分を覆った構造を例示したが、熱容量体１６によって正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分と各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く部分を覆った構造を採用しても、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒されて前記正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３に続く部分を通じて流入した熱をその伝導過程で熱容量体１６に吸収する作用効果は同様に発揮することが可能である。
（５）前述の第１実施形態及び第３〜第５実施形態にあっては、何れも一対の端子が同一方向に導出された例を示したが、本発明はこれに限定するものではなく、第２実施形態に示すように、一対の端子を異なる方向に導出してもよい。
（６）前述の第４，第５実施形態にあっては、何れも前記一対の端子にそれぞれ接触するように熱導体１８，１９を設けたが、本発明はこれに限定するものではなく、例えば、熱伝導体として例えばアルミナ等の絶縁材を用いることにより、前記一対の端子に接触する共通の熱伝導体を設けてもよい。
（７）前述の第１〜第５実施形態にあっては、電気二重層キャパシタに本発明を適用したものを例示したが、フィルムパッケージと該フィルムパッケージから導出された導出部分を有する少なくとも一対の端子（例えば正極端子及び負極端子）を備えた他の電気化学デバイス、例えばリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等であっても本発明を適用して同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図２】図１のａ−ａ線における縦断面図である。
【図３】図１のｂ−ｂ線における縦断面図である。
【図４】図２のＡ部の詳細図である。
【図５】図１〜図４に示した電気二重層キャパシタを回路基板に実装して成る実装構造を示す図である。
【図６】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図７】図６のｃ−ｃ線における縦断面図である。
【図８】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図９】図８のｄ−ｄ線における縦断面図である。
【図１０】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図１１】図１０のｅ−ｅ線における縦断面図である。
【図１２】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図１３】図１２のｆ−ｆ線における縦断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０-1，１０-2，１０-3，１０-4，１０-5…電気二重層キャパシタ、１１，１１’…電極部、１２…正極端子、１２ａ…基端、１２ｂ…先端、１２ｃ，１２ｅ…屈曲箇所、１２ｄ…延長部分、１３…負極端子、１３ａ…基端、１３ｂ…先端、１３ｃ，１２ｅ…屈曲箇所、１３ｄ…延長部分、１４，１４’…フィルムパッケージ、１５…電解液、１６…熱容量体、１７…断熱体、１８，１９…熱伝導体、ＳＵ…回路基板、ＬＡ…ランド、ＳＯ…半田。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムパッケージを備えた電気化学デバイスと、該電気化学デバイスを回路基板に実装して成る電気化学デバイスの実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気化学デバイス、例えば電気二重層キャパシタやリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等にはその外装としてフィルムパッケージを備えたものが存在する。
【０００３】
前記電気二重層キャパシタは、例えば、正極用分極性電極とセパレータと負極用分極性電極とを順次積層して構成された電極部が、ラミネートフィルムから形成されたフィルムパッケージに電解液とともに封入されている。そして、前記正極用分極性電極に電気的に接続された一方の端子（正極端子）の一部分と、負極用分極性電極に電気的に接続された他方の端子（負極端子）の一部分とを、それぞれ前記フィルムパッケージから導出した構造を有している。
【０００４】
フィルムパッケージには、例えば、プラスチック製の保護層と金属製のバリア層とプラスチック製のヒートシール層を順に有するラミネートフィルムが用いられている。前記フィルムパッケージは、例えば、所定サイズのラミネートフィルムを折り曲げて開放縁のヒートシール層を重ね合わせ、該重ね合わせ部分をヒートシールして封止することにより形成されている。
【０００５】
前記電気二重層を含む電気化学デバイスの近年における小型化に伴い、該電気化学デバイスを一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望、換言すれば、鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けに対応可能な電気化学デバイスの要求が高まっている。
【０００６】
しかし、前記のようなフィルムパッケージを備えた従前の電気化学デバイスは鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応していない。即ち、従前の電気化学デバイスを高温（例えば約２５０℃）のリフロー炉に投入してリフロー半田付けを行うと、前記リフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒される被半田付け箇所である前記端子の導出部分の先端から、該先端に続く部分を通じて、フィルムパッケージ内に熱が流入し、該熱によってフィルムパッケージ内の発電素子が熱劣化し、該熱劣化によって電気化学デバイスそれ自体の電気特性が著しく低下する不具合を生じ得る。
【特許文献１】特開２００２−２６０６０１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスと、該電気化学デバイスを回路基板に実装して成る電気化学デバイスの実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の電気化学デバイスは、フィルムパッケージと、該フィルムパッケージ内に基端側が封入されるとともに先端側に前記フィルムパッケージから導出された導出部分を有する少なくとも一対の端子と、を備えた電気化学デバイスにおいて、前記端子は、前記先端側から基端側に向けて伝導する熱を放出する熱放出部位を前記導出部分に備えている。
【０００９】
また、本発明の電気化学デバイスの実装構造は、前記電気化学デバイスにおける前記端子の導出部分の先端を、回路基板のランドに半田を介して接続して成る。
【００１０】
前記の電気化学デバイス及びその実装構造によれば、前記端子は、前記フィルムパッケージから導出された導出部分に、前記先端側から基端側に向けて伝導する熱を放出する熱放出部位を備えている。このため、前記端子の先端をリフロー半田付けするときにリフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒される前記先端から該先端に続く部分を通じて流入する熱をその伝導過程で熱放出部位から放出することができる。
【００１１】
つまり、リフロー半田付け時に前記端子の先端が所定温度に加熱されても、該熱が直接的に前記フィルムパッケージ内に流入することを防止することができる。これにより、前記熱によって前記フィルムパッケージ内の発電素子が熱劣化し、該熱劣化によって電気化学デバイスそれ自体の電気特性が著しく低下する不具合を回避することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気化学デバイスと、該電気化学デバイスを回路基板に実装して成る電気化学デバイスの実装構造を提供することができる。
【００１３】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１実施形態］
図１〜図５は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す。図１は電気二重層キャパシタの上面図、図２は図１のａ−ａ線における縦断面図、図３は図１のｂ−ｂ線における縦断面図、図４は図２のＡ部の詳細図、図５は図１〜図４に示した電気二重層キャパシタを回路基板に実装して成る実装構造を示す図である。
【００１５】
図１〜図４に示した電気二重層キャパシタ１０-1は、電極部１１と、一対の端子（正極端子１２、負極端子１３）と、例えばラミネートフィルムから形成されたフィルムパッケージ１４と、電解液１５と、熱容量体１６と、を備える。前記フィルムパッケージ１４は、例えば略矩形状に形成されている。
【００１６】
前記電極部１１は、正極側電極（符号無し）と、負極側電極（符号無し）とを、セパレータ１１ｅを介して交互に積層して構成されている。正極側電極（符号無し）は、正極用分極性電極１１ａと正極用集電体１１ｂと正極用分極性電極１１ａとを順に重ねて構成されている。また、負極側電極（符号無し）は、負極用分極性電極１１ｃと負極用集電体１１ｄと負極用分極性電極１１ｃとを順に重ねて構成されている。図２には図示の便宜上、正極側電極とセパレータ１１ｅと負極側電極とから成るユニットを２つ重ねたものを示してある。実際のユニット数は必要により増減されるが、前記ユニットを少なくとも１つ有するものであることが好ましい。また、最上層及び最下層にはそれぞれ集電体が配置されているが、製造プロセスの便宜上、その外側に分極性電極やセパレータが付加されてもよい。前記各正極用集電体１１ｂの端にはそれぞれ接続片１１ｂ１が設けられており、前記各接続片１１ｂ１は前記一対の端子のうちの一方の端子（正極端子１２）に接続されている。同様に、前記各負極用集電体１１ｄの端にはそれぞれ接続片１１ｄ１が設けられており、前記各接続片１１ｄ１は前記一対の端子のうちの他方の端子（負極端子１３）に接続されている。
【００１７】
前記一対の端子（正極端子１２及び負極端子１３）は、アルミニウム等の金属から厚さ５０〜２００μｍ程度の短冊状に形成されており、互いが非接触に配置されている。前記端子の基端側は前記電極部１１とともに前記フィルムパッケージ１４内に封入されるとともに、先端側に前記フィルムパッケージ１４の一端（図２の右端）から導出された導出部分を有する。
【００１８】
前記正極端子１２及び負極端子１３は、各々の導出部分の基端１２ａ，１３ａが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図２の右端側）に位置すると共に各々の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図２の右端側）に位置している。詳しくは、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分は、各々の基端１２ａ，１３ａに近い箇所を計２回同一向きに約９０度屈曲（或いはＵ字形に屈曲）され、該屈曲箇所１２ｃ，１３ｃ（１２ｃは図示省略）から先の部分を前記フィルムパッケージ１４の下面から離れた位置を該下面とほぼ平行で、且つ、互いがほぼ平行な形態のまま前記フィルムパッケージ１４の他端側（図２の左端側）に向けて延長（延長部分１２ｄ，１３ｄ（１２ｄは図示省略））されフィルムパッケージ１４の他端（図２の左端）から所定長突出している。前記先端１２ｂ，１３ｂは各延長部分１２ｄ，１３ｄの突出部分の端によって構成されている。
【００１９】
要するに、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1では、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂと基端１２ａ，１３ａとの間に存する延長部分１２ｄ，１３ｄが、先端１２ｂ，１３ｂから基端１２ａ，１３ａに向けて伝導する熱を放出する熱放出部位としての機能を発揮する。この機能については後に詳述する。
【００２０】
前記フィルムパッケージ１４は、ヒートシール可能なラミネートフィルム、例えばナイロン等のプラスチックから成る保護層Ｌ１とアルミニウム等の金属から成るバリア層Ｌ２とポリエチレンテレフタレート等のプラスチックから成る絶縁層Ｌ３とポリプロピレン等のプラスチックから成るヒートシール層Ｌ４を順に有するラミネートフィルム（図４参照）から成る。前記バリア層Ｌ２は、例えば、前記フィルムパッケージからの電解液の漏出を防止したり、フィルムパッケージへの水分の浸入を防止する等の役目を果たしている。前記バリア層Ｌ２は、Ａｌなどの金属、またはＡｌ2Ｏ3などの金属酸化物からなることが好ましい。前記絶縁層Ｌ３はヒートシールによってヒートシール層Ｌ４が溶融した場合でもバリア層Ｌ２が導出することを防止する役目を果たしている。本発明はこれに限定するものではなく、例えば、ヒートシールによってヒートシール層Ｌ４が溶融した場合でもバリア層Ｌ２が導出しない程度に十分な厚さのヒートシール層Ｌ４を有するものであれば、絶縁層Ｌ３は必ずしも必要なものではない。
【００２１】
このフィルムパッケージ１４は、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムを用意し、電解液１５を含浸させた電極部１１を該ラミネートフィルムのヒートシール層Ｌ４側に配置した後、電極部１１を覆い、且つ、少なくとも一対の端子（例えば正極端子１２及び負極端子１３）の先端側を導出するように正極端子１２及び負極端子１３の反対側で前記ラミネートフィルムを折り曲げてヒートシール層Ｌ４を開放側の３辺で重ね合わせ、該重ね合わせ部分を所定温度でヒートシール（図１のヒートシール部１４ａ参照）して封止することにより形成されている。また、電解液１５は、例えばフィルムパッケージ１４に予め形成した孔を通じてフィルムパッケージ１４内に充填し、充填後に前記孔を塞ぐようにしても良い。
【００２２】
前記熱容量体１６は、必要な熱容量が確保できる材料、例えばエポキシ樹脂やポリエチレンやポリプロピレンやポリカーボネイトやポリエチレンテレフタレートやポリアクリレートやポリメタクリレートやその他の一般的な熱硬化性プラスチックや熱可塑性プラスチックや紫外線硬化プラスチック等から成り、これらはシリカ等の無機フェラーを０〜８０ｗｔ％程度含有したものであっても良い。熱容量体１６の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が０．１〜５０Ｗ／ｍ／Ｋ程度で、比熱が０．８〜２．０Ｊ／ｇ／Ｋ程度であり、質量は電極部１１，正極端子１２，負極端子１３及びフィルムパッケージ１４の合計質量の１／２倍〜３倍程度である。
【００２３】
この熱容量体１６は、材料によって形成条件が多少異なるものの、基本的には、直方体形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、該キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２，１３ｂが突出するようにフィルムパッケージ１４を挿入した後、該キャビティ内に流動性熱容量体材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出すことにより形成されている。図２及び図３から分かるように、前記熱容量体１６は、フィルムパッケージ１４の表面に密着して該フィルムパッケージ１４を覆うと共に正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。要するに、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂは、フィルムパッケージ１４の他端側（図２の左端側）と向き合う熱容量体１６の面から導出している。
【００２４】
次に、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1をまず、鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって回路基ＳＵに実装する方法の一例について説明する。図５に示すように、該電気二重層キャパシタ１０-1の熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを各々に対応した回路基板ＳＵのランドＬＡそれぞれにクリーム半田（ＳＯ）を介して配置すると共に熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置する。
【００２５】
尚、図５には、熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂの下面高さが各ランドＬＡの上面高さにほぼ一致するものを示してあるが、両者の高さが食い違う場合には正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを配置する前に予め該先端１２ｂ，１３ｂを適宜折り曲げて高さ調整を行う。
【００２６】
次に、電気二重層キャパシタ１０-1が配置された回路基板ＳＵはリフロー炉に投入され、半田付け箇所は該リフロー炉を通過する過程で該リフロー炉の温度雰囲気に直接晒されて所定温度（例えば約２５０℃）に加熱され、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが半田ＳＯを介して各ランドＬＡに接続される。
【００２７】
リフロー半田付け時には、リフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒され所定温度に加熱される正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３ｂに続く部分を通じて前記端子の基端側が封入された電気二重層キャパシタ１０-1のフィルムパッケージ１４内に向かって熱が流入する。
【００２８】
しかし、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1にあっては、前記正極端子１２及び負極端子１３の前記フィルムパッケージから導出された導出部分に放熱部位となる延長部分１２ｄ，１３ｄがフィルムパッケージ１４と非接触でそれぞれ設けられ、且つ、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分は熱容量体１６によって覆われているため、リフロー半田付け時に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３に続く部分を通じて流入する熱はその伝導過程で主に延長部分１２ｄ，１３ｄから放出されて熱容量体１６に吸収されることになる。
【００２９】
つまり、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒されて前記正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが所定温度に加熱されても、該熱が直接的に前記フィルムパッケージ１４内に流入することを防止することができ、これにより該熱によって電極部１１、特に正極用分極性電極１１ａ及び負極用分極性電極１１ｃが加熱されてこれらが熱劣化し、該熱劣化によって電気二重層キャパシタ１０-1それ自体の電気特性が著しく低下する等の不具合を回避することができる。
【００３０】
正極端子１２及び負極端子１３の各延長部分１２ｄ，１３をフィルムパッケージ１４の上側に配置してもそれ相当の放熱作用は期待できるが、下側に配置したほうがリフロー半田付け時の炉内温度雰囲気から離隔されるので、熱によって各延長部分１２ｄ，１３ｄに温度上昇を生じることを抑制できるため前記放熱作用を効果的に行うことができる。
【００３１】
また、フィルムパッケージ１４を覆う熱容量体１６自らの熱吸収作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気に起因する熱によってフィルムパッケージ１４が直接的に加熱されることを緩和して、該フィルムパッケージ１４の熱損傷を回避することができる。
【００３２】
さらに、リフロー半田付けに際して図５に示すように電気二重層キャパシタ１０-1の熱容量体１６の下面を回路基板ＳＵに接触させておけば、熱容量体１６の前記回路基板ＳＵに接触した部分はリフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒されることがないので、これにより該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００３３】
以上により、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-1を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-1を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
【００３４】
［第２実施形態］
図６及び図７は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す。図６は電気二重層キャパシタの上面図、図７は図６のｃ−ｃ線における縦断面図である。
【００３５】
前記第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1のフィルムパッケージ１４は、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムを用意し、電解液１５を含浸させた電極部１１を該ラミネートフィルムのヒートシール層Ｌ４側に配置した後、電極部１１を覆い、且つ、少なくとも一対の端子（例えば正極端子１２及び負極端子１３）の先端側を導出するように正極端子１２及び負極端子１３の反対側で前記ラミネートフィルムを折り曲げてヒートシール層Ｌ４を開放側の３辺で重ね合わせ、該重ね合わせ部分を所定温度でヒートシール（図１のヒートシール部１４ａ参照）して封止することにより形成されている。また、前記電気二重層キャパシタ１０-1の前記正極端子１２及び負極端子１３は、各々の導出部分の基端１２ａ，１３ａが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図２の右端側）に位置すると共に各々の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図２の左端側）に位置している。
【００３６】
これに対し、第２実施形態の電気二重層キャパシタ１０-2のフィルムパッケージ１４’は、所定サイズの矩形状ラミネートフィルムを用意し、電解液１５を含浸させた電極部１１’を該ラミネートフィルムのヒートシール層側に配置した後、電極部１１’を覆い、且つ、少なくとも一対の端子（例えば正極端子１２及び負極端子１３）の先端側を導出するように、且つ前記正極端子１２及び負極端子１３に平行するように前記ラミネートフィルムを折り曲げてヒートシール層Ｌ４を開放側の３辺で重ね合わせ、該重ね合わせ部分を所定温度でヒートシール（図６のヒートシール部１４ａ参照）して封止することにより形成されている。また、この電気二重層キャパシタ１０-2の負極端子１３は、導出部分の基端１３ａ側が前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図６の右端側）に位置すると共に導出部分の先端１３ｂが前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図６の左端側）に位置している。一方、前記正極端子１２は、導出部分の基端１２ａ側が前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの他方側（図６の左端側）に位置すると共に導出部分の先端１２ｂが前記フィルムパッケージ１４’の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図６の右端側）に位置している。
【００３７】
詳しくは、前記負極端子１３の導出部分は、基端１３ａに近い箇所を計２回同一向きに約９０度屈曲（或いはＵ字形に屈曲）され、該屈曲箇所１３ｃから先の部分を前記フィルムパッケージ１４’の下面から離れた位置を該下面とほぼ平行な形態のまま前記フィルムパッケージ１４’の他端側（図６の左端側）に向けて延長（延長部分１３ｄ）されフィルムパッケージ１４’の他端（図６の左端）から所定長突出するとともに幅広に形成されている。
【００３８】
また、前記正極端子１２の導出部分は、基端１２ａに近い箇所を計２回同一向きに約９０度屈曲（或いはＵ字形に屈曲）され、該屈曲箇所１２ｃ（図示省略）から先の部分を前記フィルムパッケージ１４’の下面から離れた位置を該下面とほぼ平行で、且つ、前記負極端子１３の導出部分と平行な形態のまま前記フィルムパッケージ１４’の一端側（図６の右端側）に向けて延長（延長部分１２ｄは図示省略）されフィルムパッケージ１４’の一端（図６の右端）から所定長突出するとともに幅広に形成されている。
【００３９】
その他の構成及び作用効果は前記第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同様であるためその説明を省略する。
【００４０】
［第３実施形態］
図８及び図９は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す。図８は電気二重層キャパシタの上面図、図９は図８のｄ−ｄ線における縦断面図である。
【００４１】
第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3が第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と異なるところは、熱容量体１６を断熱体１７によって覆った点にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同じであるため同一符号を用いてその説明を省略する。
【００４２】
前記断熱体１７は、断熱作用を発揮する材料、例えばシリカエアロゲルやカーボンエアロゲルやヒュームシリカや発砲ポリイミドや発砲ポリテトラフルオロエチレン等から成る。断熱体１７の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が０．０１５〜０．１Ｗ／ｍ／Ｋ程度であり、厚さは０．５〜２．０ｍｍ程度ある。
【００４３】
この断熱体１７は、材料によって形成条件が多少異なる。例えば上記材料からなる市販のシート状もしくは板状体の断熱体を利用するのが最も簡易で、該断熱体を所定形状に加工してエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接着剤等を用いて前記熱容量体の表面に接着することにより形成される。また、他の一例は、直方体形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、該キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが突出するように熱容量体１６を挿入した後、該キャビティ内に流動性の断熱体材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出すことにより形成される。
【００４４】
図９から分かるように、断熱体１７は熱容量体１６の表面に密着して該熱容量体１６を覆うと共に熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。
【００４５】
第３実施形態の電気二重層キャパシタ１０-3にあっては、第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同様の作用効果を得られる他、熱容量体１６を覆う断熱体１７自らの断熱作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気によって熱容量体１６が直接的に加熱されることを緩和して、該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００４６】
［第４実施形態］
図１０及び図１１は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す。図１０は電気二重層キャパシタの上面図、図１１は図１０のｅ−ｅ線における縦断面図である。
【００４７】
第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4が第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と異なるところは、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の形態と、熱伝導体（正極端子用熱伝導体１８及び負極端子用熱伝導体１９）の存在にある。他の構成は第１実施形態の電気二重層キャパシタ１０-1と同じであるため同一符号を用いてその説明を省略する。
【００４８】
正極端子１２及び負極端子１３は、導出部分の基端１２ａ，１３ａがフィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方側（図１１の右端側）に位置すると共に導出部分の先端１２ｂ，１３ｂが前記フィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの前記一方側（図１１の右端側）に位置している。詳しくは、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分は、各々の基端１２ａ，１３ａに近い箇所を計２回異なる向きに約９０度屈曲され、該屈曲箇所１２ｅ，１３ｅ（１２ｅは図示省略）から先の部分を互いがほぼ平行な形態のままフィルムパッケージ１４の互いに対向する一対の辺のうちの一方端（図９の右端）から所定長突出している。前記先端１２ｂ，１３ｂは各突出部分の端によって構成されている。
【００４９】
各熱伝導体１８，１９は、熱伝導作用を発揮する材料、例えばアルミニウム等の金属または合金やグラファイトやアルミナ等から成る。熱伝導体１８，１９の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が１０〜２０００Ｗ／ｍ／Ｋ程度である。
【００５０】
この各熱伝導体１８，１９は短冊状、好ましくはフィルムパッケージ１４の一端から他端までの長さよりも大きい長さを有する形状を有しており、熱容量体１６を形成する前に各々の端を正極端子１２及び負極端子１３の屈曲箇所１２ｅ，１３ｅに、例えば熱伝導可能な接合材を介して、接触されており、フィルムパッケージ１４の下面から離れた位置に該下面とほぼ平行に配置されている。
【００５１】
要するに、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4では、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂと基端１２ａ，１３ａとの間に接触されている熱伝導体１８，１９が、先端１２ｂ，１３ｂから基端１２ａ，１３ａに向けて伝導する熱を放出する熱放出部位としての機能を発揮する。この機能については後に詳述する。
【００５２】
前記熱容量体１６はフィルムパッケージ１４の表面に密着して該フィルムパッケージ１４を覆っている。また、前記熱容量体１６は、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。また、前記熱容量体１６は、各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く表面に密着して該各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く部分を覆っている。
【００５３】
次に、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4を鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって回路基ＳＵに実装する方法の一例を説明する。まず、図５と同様に、該電気二重層キャパシタ１０-4の熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを各々に対応した回路基板ＳＵのランドＬＡそれぞれにクリーム半田（ＳＯ）を介して配置すると共に熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置する。
【００５４】
また、前記熱容量体１６を回路基板ＳＵに配置した状態で正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂの下面高さと各ランドＬＡの上面高さとに食い違うがある場合には正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを配置する前に予め該先端１２ｂ，１３ｂを適宜折り曲げて高さ調整を行う。
【００５５】
次に、電気二重層キャパシタ１０-4が配置された回路基板ＳＵは炉に投入され、半田付け箇所は該リフロー炉を通過する過程で炉内温度雰囲気に直接晒されることにより所定温度（例えば約２５０℃）に加熱されて、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが半田ＳＯを介して各ランドＬＡに接続される。
【００５６】
リフロー半田付け時には、リフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒され所定温度に加熱される正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３ｂに続く部分を通じて前記端子の基端側が封入された電気二重層キャパシタ１０-4のフィルムパッケージ１４内に向かって熱が流入する。
【００５７】
しかし、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4にあっては、前記正極端子１２及び負極端子１３の前記フィルムパッケージから導出された導出部分に放熱部位となる熱伝導体１８，１９がそれぞれ接続され、且つ、正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分と各熱伝導体１８，１９とが前記熱容量体１６によって覆われているため、リフロー半田付け時に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３ｂに続く部分を通じて流入する熱はその伝導過程で主に熱伝導体１８，１９から放出されて前記熱容量体１６に吸収されることになる。
【００５８】
つまり、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒されて正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ．１３ｂが所定温度に加熱されても、該熱が直接的にフィルムパッケージ１４内に流入することを防止することができ、これにより該熱によって電極部１１、特に正極用分極性電極１１ａ及び負極用分極性電極１１ｃが加熱されてこれらが熱劣化し、該熱劣化によって電気二重層キャパシタ１０-4それ自体の電気特性が著しく低下する等の不具合を回避することができる。
【００５９】
前記熱伝導体１８，１９をフィルムパッケージ１４の上側に配置してもそれ相当の放熱作用は期待できるが、下側に配置したほうが炉内温度雰囲気から離隔されリフロー半田付け時の熱によって熱伝導体１８，１９に温度上昇を生じることを抑制できるため前記放熱作用を効果的に行うことができる。
【００６０】
また、フィルムパッケージ１４を覆う熱容量体１６自らの熱吸収作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気によってフィルムパッケージ１４が直接的に加熱されることを緩和して、該フィルムパッケージ１４の熱損傷を回避することができる。
【００６１】
さらに、リフロー半田付けに際して図５と同様に電気二重層キャパシタ１０-4の熱容量体１６の下面を回路基板ＳＵに接触させておけば、熱容量体１６の前記回路基板ＳＵに接触した部分はリフロー炉の炉内温度雰囲気に直接晒されることがないので、これにより該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００６２】
以上により、鉛フリー半田を使用した高温のリフロー半田付けに対応できる電気二重層キャパシタ１０-4を提供することができ、該電気二重層キャパシタ１０-4を一般の電子部品と同様に鉛フリー半田を使用したリフロー半田付けによって基板等に実装できるようにする要望に確実に答えることができる。
【００６３】
［第５実施形態］
図１２及び図１３は本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す。図１２は電気二重層キャパシタの上面図、図１３は図１２のｆ−ｆ線における縦断面図である。
【００６４】
第５実施形態の電気二重層キャパシタ１０-5が第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と異なるところは、熱容量体１６を断熱体１７によって覆った点にある。他の構成は第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と同じであるため同一符号を用いてその説明を省略する。
【００６５】
前記断熱体１７は、断熱作用を発揮する材料、例えばシリカエアロゲルやカーボンエアロゲルやヒュームシリカや発砲ポリイミドや発砲ポリテトラフルオロエチレン等から成る。断熱体１７の好ましい物性値を挙げれば、熱伝導率が０．０１５〜０．１Ｗ／ｍ／Ｋ程度でであり、厚さは０．５〜２．０ｍｍ程度ある。
【００６６】
この断熱材１７は、材料によって形成条件は多少異なる。例えば上記材料からなる市販のシート状もしくは板状体の断熱体を利用するのが最も簡易で、該断熱体を所定形状に加工してエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接着剤等を用いて前記熱容量体の表面に接着することにより形成される。また、他の一例は、直方体形状のキャビティを有するモールド（図示省略）を用い、該キャビティ内に正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂが導出されるように熱容量体１６を挿入した後、該キャビティ内に流動性の断熱体材料を投入してこれを硬化させ、硬化後にモールドから取り出すことにより形成されている。
【００６７】
図１３から分かるように、断熱体１７は熱容量体１６の表面に密着して該熱容量体１６を覆うと共に熱容量体１６から導出された正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く表面に密着して該正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆っている。
【００６８】
第５実施形態の電気二重層キャパシタ１０-5にあっては、第４実施形態の電気二重層キャパシタ１０-4と同様の作用効果を得られる他、熱容量体１６を覆う断熱体１７自らの断熱作用に基づき、リフロー半田付け時の炉内温度雰囲気に晒されることによって熱容量体１６が直接的に加熱されることを緩和して、該熱容量体１６の熱吸収能力の低下を抑制することができる。
【００６９】
［他の実施形態］
（１）前述の第１，第３実施形態にあっては、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分として各々の基端１２ａ，１３ａがフィルムパッケージ１３の一端側に位置し、且つ、各々の先端１２ｂ，１３ｂがフィルムパッケージ１３の他端側に位置した形態を例示したが、放熱部位となる延長部分１２ｄ，１３ｄを有する形態であれば、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の形態と基端位置及び先端位置は適宜変更可能である。
（２）前述の第４，第５実施形態にあっては、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分として各々の基端１２ａ，１３ａがフィルムパッケージ１３の一端側に位置し、且つ、各々の先端１２ｂ，１３ｂがフィルムパッケージ１３の一端側に位置した形態を例示したが、放熱部位となる各熱伝導体１８，１９が接続されていれば、正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の形態と基端位置及び先端位置は適宜変更可能である。
（３）前述の第１〜第３実施形態にあっては、熱容量体１６によってフィルムパッケージ１４，１４’と正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆った構造を例示したが、熱容量体１６によって正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分を覆った構造を採用しても、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒される正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３に続く部分を通じて流入した熱をその伝導過程で熱容量体１６に吸収する作用効果は同様に発揮することが可能である。
（４）前述の第４，第５実施形態にあっては、熱容量体１６によってフィルムパッケージ１４と正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分と各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く部分を覆った構造を例示したが、熱容量体１６によって正極端子１２及び負極端子１３の導出部分の先端１２ｂ，１３ｂを除く部分と各熱伝導体１８，１９の接続箇所を除く部分を覆った構造を採用しても、リフロー半田付け時に炉内温度雰囲気に直接晒されて前記正極端子１２及び負極端子１３の先端１２ｂ，１３ｂから該先端１２ｂ，１３に続く部分を通じて流入した熱をその伝導過程で熱容量体１６に吸収する作用効果は同様に発揮することが可能である。
（５）前述の第１実施形態及び第３〜第５実施形態にあっては、何れも一対の端子が同一方向に導出された例を示したが、本発明はこれに限定するものではなく、第２実施形態に示すように、一対の端子を異なる方向に導出してもよい。
（６）前述の第４，第５実施形態にあっては、何れも前記一対の端子にそれぞれ接触するように熱導体１８，１９を設けたが、本発明はこれに限定するものではなく、例えば、熱伝導体として例えばアルミナ等の絶縁材を用いることにより、前記一対の端子に接触する共通の熱伝導体を設けてもよい。
（７）前述の第１〜第５実施形態にあっては、電気二重層キャパシタに本発明を適用したものを例示したが、フィルムパッケージと該フィルムパッケージから導出された導出部分を有する少なくとも一対の端子（例えば正極端子及び負極端子）を備えた他の電気化学デバイス、例えばリチウムイオンキャパシタやレドックスキャパシタやリチウムイオン電池等であっても本発明を適用して同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第１実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図２】図１のａ−ａ線における縦断面図である。
【図３】図１のｂ−ｂ線における縦断面図である。
【図４】図２のＡ部の詳細図である。
【図５】図１〜図４に示した電気二重層キャパシタを回路基板に実装して成る実装構造を示す図である。
【図６】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第２実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図７】図６のｃ−ｃ線における縦断面図である。
【図８】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第３実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図９】図８のｄ−ｄ線における縦断面図である。
【図１０】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第４実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図１１】図１０のｅ−ｅ線における縦断面図である。
【図１２】本発明を電気二重層キャパシタに適用した第５実施形態を示す、電気二重層キャパシタの上面図である。
【図１３】図１２のｆ−ｆ線における縦断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０-1，１０-2，１０-3，１０-4，１０-5…電気二重層キャパシタ、１１，１１’…電極部、１２…正極端子、１２ａ…基端、１２ｂ…先端、１２ｃ，１２ｅ…屈曲箇所、１２ｄ…延長部分、１３…負極端子、１３ａ…基端、１３ｂ…先端、１３ｃ，１２ｅ…屈曲箇所、１３ｄ…延長部分、１４，１４’…フィルムパッケージ、１５…電解液、１６…熱容量体、１７…断熱体、１８，１９…熱伝導体、ＳＵ…回路基板、ＬＡ…ランド、ＳＯ…半田。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムパッケージと、該フィルムパッケージ内に基端側が封入されるとともに先端側に前記フィルムパッケージから導出された導出部分を有する少なくとも一対の端子と、を備えた電気化学デバイスにおいて、
前記端子は、前記先端側から基端側に向けて伝導する熱を放出する熱放出部位を前記導出部分に備えている、
ことを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項２】
前記熱放出部位は、前記フィルムパッケージと非接触に配置され、且つ、前記導出部分の先端と基端との間に存する延長部分である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
【請求項３】
前記フィルムパッケージは略矩形状に形成されており、前記端子は、その導出部分の基端が前記フィルムパッケージの互いに対向する一対の辺のうちの一方側に位置すると共に前記導出部分の先端が前記一対の辺のうちの他方側に位置しており、各延長部分は前記導出部分の前記基端と先端との間にそれぞれ存在している、
ことを特徴とする請求項２に記載の電気化学デバイス。
【請求項４】
少なくとも前記端子の導出部分の先端を除く部分を覆う熱容量体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気化学デバイス。
【請求項５】
前記熱容量体は、前記端子の導出部分の先端を除く部分と前記フィルムパッケージとを覆っている、
ことを特徴とする請求項４に記載の電気化学デバイス。
【請求項６】
前記熱容量体を覆う断熱体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項５に記載の電気化学デバイス。
【請求項７】
前記熱放出部位は、前記フィルムパッケージと非接触に配置され、且つ、前記端子の導出部分の先端と基端との間に接触する熱伝導体である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
【請求項８】
前記フィルムパッケージは略矩形状に形成されており、前記端子は、その導出部分の基端が前記フィルムパッケージの互いに対向する一対の辺のうちの一方側に位置すると共に前記導出部分の先端が前記フィルムパッケージの互いに対向する一対の辺のうちの前記一方側に位置しており、前記熱伝導体は、前記導出部分の前記基端と前記先端との間に接触している、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学デバイス。
【請求項９】
少なくとも前記端子の導出部分の先端を除く部分と前記熱伝導体とを覆う熱容量体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項７または８に記載の電気化学デバイス。
【請求項１０】
前記熱容量体は、前記端子の導出部分の先端を除く部分と前記熱伝導体と前記フィルムパッケージとを覆っている、
ことを特徴とする請求項９に記載の電気化学デバイス。
【請求項１１】
前記熱容量体を覆う断熱体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の電気化学デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか１項に記載の電気化学デバイスにおける前記端子の導出部分の先端を、回路基板のランドに半田を介して接続して成る、
ことを特徴とする電気化学デバイスの実装構造。
【請求項１】
フィルムパッケージと、該フィルムパッケージ内に基端側が封入されるとともに先端側に前記フィルムパッケージから導出された導出部分を有する少なくとも一対の端子と、を備えた電気化学デバイスにおいて、
前記端子は、前記先端側から基端側に向けて伝導する熱を放出する熱放出部位を前記導出部分に備えている、
ことを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項２】
前記熱放出部位は、前記フィルムパッケージと非接触に配置され、且つ、前記導出部分の先端と基端との間に存する延長部分である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
【請求項３】
前記フィルムパッケージは略矩形状に形成されており、前記端子は、その導出部分の基端が前記フィルムパッケージの互いに対向する一対の辺のうちの一方側に位置すると共に前記導出部分の先端が前記一対の辺のうちの他方側に位置しており、各延長部分は前記導出部分の前記基端と先端との間にそれぞれ存在している、
ことを特徴とする請求項２に記載の電気化学デバイス。
【請求項４】
少なくとも前記端子の導出部分の先端を除く部分を覆う熱容量体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気化学デバイス。
【請求項５】
前記熱容量体は、前記端子の導出部分の先端を除く部分と前記フィルムパッケージとを覆っている、
ことを特徴とする請求項４に記載の電気化学デバイス。
【請求項６】
前記熱容量体を覆う断熱体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項５に記載の電気化学デバイス。
【請求項７】
前記熱放出部位は、前記フィルムパッケージと非接触に配置され、且つ、前記端子の導出部分の先端と基端との間に接触する熱伝導体である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学デバイス。
【請求項８】
前記フィルムパッケージは略矩形状に形成されており、前記端子は、その導出部分の基端が前記フィルムパッケージの互いに対向する一対の辺のうちの一方側に位置すると共に前記導出部分の先端が前記フィルムパッケージの互いに対向する一対の辺のうちの前記一方側に位置しており、前記熱伝導体は、前記導出部分の前記基端と前記先端との間に接触している、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学デバイス。
【請求項９】
少なくとも前記端子の導出部分の先端を除く部分と前記熱伝導体とを覆う熱容量体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項７または８に記載の電気化学デバイス。
【請求項１０】
前記熱容量体は、前記端子の導出部分の先端を除く部分と前記熱伝導体と前記フィルムパッケージとを覆っている、
ことを特徴とする請求項９に記載の電気化学デバイス。
【請求項１１】
前記熱容量体を覆う断熱体をさらに備えている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の電気化学デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか１項に記載の電気化学デバイスにおける前記端子の導出部分の先端を、回路基板のランドに半田を介して接続して成る、
ことを特徴とする電気化学デバイスの実装構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−１８８１９５（Ｐ２００９−１８８１９５Ａ）
【公開日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６６１１（Ｐ２００８−２６６１１）
【出願日】平成２０年２月６日（２００８．２．６）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月６日（２００８．２．６）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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