【課題】音源を識別することなく、音の特徴に応じたオブジェクトを表示することができる携帯型表示装置及び表示制御プログラムを提供する。
【解決手段】表示部と、マイクロフォンと、このマイクロフォンに入力された音の周波数成分から最大音圧の周波数ｆ_maxを決定する音処理部と、複数の帯域に分割された音の周波数の各帯域に割り付けられた互いに異なるオブジェクトを記憶するオブジェクト記憶部と、音処理部により決定された最大音圧の周波数ｆ_maxを含む帯域Ｂ_maxに割り付けられたオブジェクトをオブジェクト記憶部から読み出して前記表示部に表示させる表示制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新規光増感剤を提供する。
【解決手段】例えば、１分子中に下記式のいずれか１つの構造を有する光増感剤。
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【課題】単核系金属錯体を有効成分とする新規酸化触媒を提供する
【解決手段】一般式（１）で表される単核系金属錯体を有効成分とする。なお、一般式（Ｉ）中のＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子及び炭素数１〜３の炭化水素基から選択されるいずれかであり、Ｍは、平面四配位型の配位構造を形成する金属原子であり、Ｘはハロゲン原子である。
【化１】
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【課題】ベンゼンからのフェノールへの一段階反応において、過酸化水素存在下での加熱によっても、二核銅錯体が分解し難い酸化触媒を提供する。
【解決手段】１，１−ビス（Ｎ−メチルベンズイミダゾリル）−エタン（Me3bbim）を配位子とした、式Ｉで表される二核銅錯体を有効成分とする。
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【課題】デバイス特性に優れたＨＥＭＴ構造またはＭＩＳ（ＭＯＳ）型ＨＥＭＴ構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群を有する半導体積層構造において、バッファー層３と第１の半導体層４とをＭＯＣＶＤ法で形成し、第２の半導体層６をＭＢＥ法で形成する。 （もっと読む）

【課題】発光スペクトル幅が広く発光強度が強い発光体を提供する。
【解決手段】植物体ＲＨを準備する。この植物体ＲＨを、酸素を含むガス中で熱処理することにより、植物体ＲＨを原料とする発光体を生成する。これにより、発光スペクトル幅が広く、かつ、発光強度が強い発光体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】可視光から赤外光までの広い範囲で光を吸収し、極薄い薄膜においても、光吸収効率が高くなる吸光係数の大きな新規光増感剤を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される構造を有する光増感剤。
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【課題】ＮＯを精度よく検出可能なＮＯセンサおよび該センサの構成要素として有用なＮＯ吸着材を提供する。
【解決手段】本発明によると、ＮＯを選択的に吸着するＮＯ吸着材が提供される。該吸着材は、ＦｅおよびＣｏから選択される中心金属原子と、これに配位して平面四配位型の配位構造を形成する配位子とを備える錯体を含む。その平面四配位構造は、アミド性窒素原子とアミン性窒素原子との二つの窒素原子；および、フェノール性酸素原子、チオール性硫黄原子、およびアルコール性酸素原子からなる群からそれぞれ独立に選択される二つの原子；が前記中心金属原子に配位して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ半導体素子のための高品質の酸化物からなる絶縁膜を提供する。
【解決手段】半導体積層構造を有する基板３の上に、酸化物を含む絶縁膜を形成する工程において、酸化物を構成する元素単体ないしは元素の化合物を半導体積層構造を有する基板３の上に付着させる際に、水素ガス中に高純度水を加熱ないしは冷却することにより水蒸気圧を精密制御して混入させることにより、元素単体ないしは元素の化合物を酸化させる酸素分圧を精密に制御して、酸化物の組成を精密制御し、もって半導体積層構造を有する基板３と物理化学的に整合する絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群からなるＨＥＭＴ構造の半導体素子の上に、ＡｌＮ−Ａｌ２Ｏ３の混晶からなる絶縁膜７を形成し、その上にゲート電極９を形成した。 （もっと読む）