【課題】天板自体の強度を高くでき、温度上昇に対する耐久性を向上させ、ガスの供給圧力を高めて多量のガスを供給することが可能な天板構造を提供する。
【解決手段】内部が真空引き可能になされたプラズマ処理装置の処理容器３４の天井における開口部に設けられた天板本体７４を有する天板構造において、前記天板本体は、前記天板本体の平面方向に沿って形成された複数のガス通路１０２と、前記ガス通路に連通されて前記処理容器内を臨む前記天板本体の平面側に向けて開口されたガス噴出孔１０４とを備えて一体化されている。これにより、温度上昇に対する耐久性を向上させ、ガスの供給圧力を高めて多量のガスを供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】金属ガラス表面が生態組織と類似のネットワークを形成してHApとの接着が強固であり、更にHApとの接合が界面構成物の根状酸化物により強固に結合された生体活性化材料を提供する。
【解決手段】内部の金属ガラスが人骨と同様の弾性率と高い強度とを有するポーラスである。生体親和性を持つ生体セラミックスまたはそれを誘導する材料から成る表面材料が、金属ガラスとの間に中間層を介在させて、金属ガラス表面に析出している。 （もっと読む）

【課題】液晶の物性値を高精度に測定することが出来る方法と装置を提供する。
【解決手段】液晶の配向分布に捻れがない液晶セルを用いて、入射角の少なくとも１水準が波長の２水準以上に分かれ、かつ波長の少なくとも１水準が入射角の３水準以上に分かれるように、入射角と波長とを相違させた少なくとも計４つの条件で、前記液晶セルの光学特性を測定し、測定値とシミュレーション計算値とのフィッティングから液晶の常光屈折率ｎ_ｏの波長依存性および異常光屈折率ｎ_ｅの波長依存性を決定する。 （もっと読む）

【課題】実パターン上のチャージアップをリアルタイムに測定し、更に、自己整合バイアスのウェハ内面分布を測定する。
【解決手段】ウェハ表面の異なる箇所に複数のセンサ５０を貼着し、プラズマチャンバ内のステージ上に載置する。ＲＦバイアスを印加し、プラズマチャンバ内にプラズマ３２を発生させてウェハをプラズマ３２に曝す。ウェハをプラズマ３２に曝すと、電子遮蔽効果によって各センサ５０内のコンタクトホール５６の底に、チャージアップが発生する。即ち、コンタクトホールパターン表面とコンタクトホール５６の底との間に電荷の偏りができる。そのため、上部電極５５と下部電極５３に異なる電位が発生する。この時、上部電極５５及び下部電極５３の両方又は一方の電位を測定し、あるいは、上部電極５５及び下部電極５３間の電位差Δを測定し、モニタリングする。 （もっと読む）

【課題】製造時における半導体素子へのプラズマダメージの影響を小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数のシンチレータ結晶の配列精度と検出精度とが良好なシンチレータアレイを簡単に製造できるアレイ製造方法を提供する。
【解決手段】複数のシンチレータ結晶１１０を二次元状に配列してから、間隙に充填した混合液を凝固させるので、複数のシンチレータ結晶１１０の位置精度が良好である。また、外側面に反射材を塗布したり反射テープを貼着した複数のシンチレータ結晶１１０をアレイ状に配列するような必要がなく、複数のシンチレータ結晶１１０を収納容器に圧入するような必要もなく、大型のシンチレータ結晶１１０を切削してシンチレータアレイ１００を形成するような必要もない。 （もっと読む）

【課題】光触媒機能を保持しつつ、ガラスを母材としたチタニア結晶を含有する光触媒材料を、従来のコーティング技術を用いることなく作製し、可視光領域の吸収を大幅に改善した透明結晶化ガラス及びそれを用いた光触媒部材を提供する。
【解決手段】本発明の結晶化ガラスは、ＴｉＯ_２ ５〜２５モル％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ３〜１５モル％、Ｂ_２Ｏ_３ ４５〜７５モル％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜２０モル％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ２〜１５モル％、ＳｎＯ ０．３〜１．８モル％を含有し、且つチタニア結晶が析出したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が容易で、且つ発光特性を損なわないＺｎＯ系の半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）を主成分とする半導体層２を備え、半導体層２に含まれる不純物としてのマンガン（Ｍｎ）の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】電圧源３５によって負のバイアス電圧−３０Ｖをモニタ対象物４０に印加すると共に、ＲＦバイアス電圧をプラズマ処理装置３０に印加し、モニタ対象物４０に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ３２から発生した紫外光ＵＶにより、分離した２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２上のＳｉＯ２膜４３に、正孔ｈと電子ｅのペアが発生する。ポリＳｉ電極４２−１，４２−２に負のバイアス電圧−３０Ｖを印加することで、２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間の間隙にトラップされた正孔ｈを誘導電流として電流計３６によりリアルタイムで計測できる。この誘導電流を紫外光ＵＶによるＳｉＯ２膜４３へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の垂直配向性を維持したまま、磁性結晶粒の結晶粒径の微細化と高密度化を両立させることで、高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、裏打ち層と、配向制御層と、磁気記録層と、保護層とを少なくとも備える垂直磁気記録媒体であって、前記配向制御層は、前記基板側からシード層と、第１中間層と、第２中間層とを含む３層以上から構成され、前記第１中間層を構成する結晶粒は、前記シード層を構成する結晶粒上にそれぞれエピタキシャル成長され、前記第２中間層を構成する結晶粒は、前記第１中間層を構成する結晶粒上にそれぞれエピタキシャル成長されるとともに、前記第２中間層を構成する結晶粒は、前記第１中間層を構成する結晶粒に比べ微細化されている垂直磁気記録媒体を提供する。 （もっと読む）