【課題】バイオマス中のエネルギーの高効率回収を達成しつつ、吹き込みに適した微粉形態に容易に加工でき、利用による化石燃料からの二酸化炭素排出を低減することができる半乾留バイオマス微粉炭材の製造方法および半乾留バイオマス微粉炭材の使用方法を提供する。
【解決手段】バイオマスを不活性雰囲気下の２５０〜６００℃の温度で半乾留し、半乾留したバイオマスを粉砕して微粉炭材とする。また、半乾留したバイオマスを、縦型製錬炉の補助燃料用微粉炭製造設備を用いて石炭と共に粉砕してもよい。粉砕された微粉炭材は、縦型製錬炉の補助燃料として使用される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく拡散不純物のない、高品質かつ高均質なＳｉバルク多結晶インゴットを高歩留まりで製造できる、Ｓｉバルク多結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液２を入れたルツボ１内において、ルツボ１の上部から冷媒をＳｉ融液２の表面に近づける、または冷媒をＳｉ融液２中に挿入することにより、Ｓi融液２の上面を局所的に冷却して、Ｓｉ融液２の表面近傍にデンドライト結晶３を生成させ、その後適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、デンドライト結晶３の下面を新たな成長面として上部から下部へＳｉバルク結晶を成長させる。デンドライト結晶を融液上部に発現させ、デンドライト結晶の下面を新たな成長面として結晶成長を行うため、Ｓｉバルク多結晶の面方位を、特定の面方位に限定できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ流のガス温度が低く、消費電力が小さいプラズマ発生装置およびプラズマ発生方法を提供する。
【解決手段】プラズマトーチ１１は、互いに間隔を開けて設けられた第１電極２１と第２電極２３と、第１電極２１と第２電極２３との間に設けられた誘電体２２とを有する。第１電極２１は、円筒状を成し、接地される。第１電極２１は、中心軸に沿って厚みを貫通して設けられた複数のスリット２１ａを有する。円筒状の誘電体２２を第１電極２１の内面に沿って設ける。第２電極２３を誘電体２２の内部に設ける。空気供給部は、第１電極２１と第２電極２３との間に空気を供給する。電源は、誘電体バリア放電を発生させて空気供給部から供給された空気をプラズマ化可能に、第１電極２１と第２電極２３との間に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 細胞に対する悪影響の恐れがなく、簡単なシステムで実施可能な遺伝子発現制御方法を提供する。
【解決手段】 細胞内の目的遺伝子の転写を調節することで前記目的遺伝子の発現を制御する遺伝子発現制御方法であって、前記目的遺伝子Ｇの上流に、プロモーター配列Ｐを配置し、前記プロモーター配列Ｐの上流に、５’−ＴＧＡＣＧＴ−３’の結合配列を含む応答配列Ｂを配置し、前記細胞内において、ＡＵＲＥＯ１タンパク質を存在させ、前記ＡＵＲＥＯ１タンパク質は、青色光の照射下では、前記結合配列に結合し、青色光の非照射下では、前記結合配列から遊離し、前記青色光の照射または非照射によるＡＵＲＥＯ１タンパク質の前記結合配列への結合または遊離により、前記プロモーター配列Ｐの活性または不活性を調節することで、前記目的遺伝子Ｇの転写を調節することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れたバルク形成能を有するＴｉ−Ｃｕ−Ｚｒ−Ｐｄ金属ガラス合金を提供する。
【解決手段】式：Ｔｉ_{１００−ａ−ｂ−ｃ}Ｃｕ_ａＺｒ_ｂＰｄ_ｃ［式中のａ、ｂ、ｃは原子％で、ａは３０乃至５０原子％、ｂは０．５乃至２０原子％、ｃは０．５乃至２０原子％である］で示される組成を有する。また、式：｛（Ｔｉ_{１−ａ−ｂ}Ｚｒ_ａＮｂ_ｂ）_０．５（Ｃｕ_{１−ｃ−ｄ}Ｐｄ_ｃＡｇ_ｄ）_０．５｝_{１００−ｘ}Ｓｉ_ｘ［式中のａ、ｂ、ｃ、ｄは原子比で、ａは０．００５乃至０．２、ｂは０．００５乃至０．１、ｃは０．００５乃至０．２、ｄは０．００５乃至０．１であり、ｘは原子％で、０．５乃至１０原子％である］で示される組成を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物のドーピングが抑制されたＺｎＯ系薄膜及び半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型不純物を含むＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が５×１０⁶個／ｃｍ²以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。 （もっと読む）

【課題】膵臓等の所定の臓器から生きた状態の膵島等の細胞をより高い確率で分離して取り出すことが可能となる臓器の保存方法を提供すること。
【解決手段】膵臓１内の細胞を酸素化するための保存液を膵臓１の膵管１ａに注入する工程を備える臓器の保存方法によって膵臓１を保存する。この保存方法では、摘出してから所定時間経過した後であっても、膵臓１内の細胞の酸素分圧の低下を抑制することが可能になり、膵臓１から生きた状態の膵島をより高い確率で分離して取り出すことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域の界面を保護しながら薄膜トランジスタを製造する半導体製造方法を提供すること。
【解決手段】コプレーナ型の薄膜トランジスタを製造する半導体製造方法であって、ガラス基板Ｓ上にチャネル領域となる微結晶膜１０を形成し、微結晶膜１０に犠牲シリコン酸化膜２０を形成し、微結晶膜１０の界面が犠牲シリコン酸化膜２０にて保護された状態にてソース領域および前記ドレイン領域となるドープドシリコン膜３０を積層する。ドープドシリコン膜３０上にフォトレジスト膜Ｒを塗布して平坦化し、所定の条件下、犠牲シリコン酸化膜２０が露出した状態にて微結晶膜１０とドープドシリコン膜３０とが概ね同一平面上になるまでエッチングする。 （もっと読む）

【課題】砒素含有溶液から製造されて砒素の溶出濃度が非常に低い砒酸鉄粉末を提供する。
【解決手段】砒酸鉄粉末は、砒酸鉄二水塩の粉末であり、斜方晶系の結晶構造を有し、室温、常圧における格子定数がａ＝０．８９５０〜０．８９５６ｎｍ、ｂ＝１．０３２１〜１．０３２６ｎｍ、ｃ＝１．００４２〜１．００５０ｎｍである。この砒酸鉄粉末は、砒素含有溶液に２価の鉄イオンを加えて、溶液中の鉄に対する砒素のモル比（Ｆｅ／Ａｓ）を１以上にし、酸化剤を加えて撹拌しながら７０℃以上に昇温させて反応させた後、固液分離して固形分を洗浄することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】装置の消費電力が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】この液晶表示装置１００は、液晶４６を含む画素４０を備え、画素４０は、複数のトランジスタ４１ａ〜４１ｃと、複数のトランジスタ４１ａ〜４１ｃに接続される信号記憶容量４２ａ〜４２ｃと、信号記憶容量４２ａ〜４２ｃに接続される複数のトランジスタ４３ａ〜４３ｃと、複数のトランジスタ４３ａ〜４３ｃのそれぞれに接続される信号記憶容量４４ａ〜４４ｃと、信号記憶容量４４ａ〜４４ｃに接続される複数のトランジスタ４５ａ〜４５ｃと、複数のトランジスタ４５ａ〜４５ｃに接続される表示画素容量４７とを含む。 （もっと読む）