【課題】１個のＴＦＴを用い、基本的に電圧を測定することにより、基本的に電流を測定する場合に比べて検出精度を高めた、温度センサ及び温度検出方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ２と、このトランジスタ２に接続された容量素子３と、を含む温度センサ１である。トランジスタ２のオフ電流によって容量素子３に充電された電荷が放電した後、容量素子３に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】送電線路を用いるものであって、簡単な構造でありながら、送電線路の整合を取り易くして末端付近に至るまで適切に送電線路から無接触でもって電力を高い比率で伝送できる無接触電力伝送装置を提供する。
【解決手段】この無接触電力伝送装置１Ａは、交流電源２から末端に向けて送電する送電線路３を構成するものであって直線状に延伸する開放型の第１の線路３１と、直線状に延伸する電磁結合部分４１ａを有した第２の線路４１Ａを少なくとも有する受電体４Ａと、を備え、受電体４Ａの第２の線路４１Ａの電磁結合部分４１ａが第１の線路３１と延伸方向を一致するように重ねて配置されたときに隙間を有し、それらが電磁結合することによって、交流電源２の電力が第１の線路３１から第２の線路４１Ａに分配されて伝送される。 （もっと読む）

【課題】複数個の共振器がブロードサイド結合して成る共振器群が横方向に複数並列に設けられた帯域通過フィルタにおいて、スプリアス応答を大幅に低減したものを提供する。
【解決手段】この帯域通過フィルタ１Ｂは、複数個の共振器がブロードサイド結合して成る共振器群が横方向に複数並列に設けられ、この複数の共振器群は少なくとも入力側共振器群２と出力側共振器群３Ｂの２つを含んでおり、入力側共振器群２と結合する入力信号線路２０に高周波信号が入力され、出力側共振器群３Ｂと結合する出力信号線路３０に複数の共振器群２、３Ｂによりフィルタ処理を行った高周波信号を出力するものであって、前記複数の共振器群２、３Ｂのうち、入力側共振器群２と、入力側共振器群ではない少なくとも１つの共振器群（出力側共振器群３Ｂ）とは、スプリアスモードの共振周波数がずれるように構成してある。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さい、またはトランジスタの劣化を防止するよう形成された、有機トランジスタと無機トランジスタとを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置としてのＣＭＯＳ回路は、（ａ）基板１００と、（ｂ）有機半導体層１０６ａを含むｐ型有機トランジスタＰＴと、（ｃ）ｐ型有機トランジスタＰＴの上層に設けられた無機半導体層１２６ａを含むｎ型無機トランジスタＮＴと、を備える。さらに、ｎ型無機トランジスタＮＴのチャネル領域１２６は、ｐ型有機トランジスタＰＴのチャネル領域１０６と、平面視において少なくとも部分的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】 厚さ方向にはナノサイズであるが、面方向には十分な広がりの粒径をもった板状体の結晶体であって、紫外線の照射を受けて赤外光を発する蛍光体を提供し、それにより記録の偽造防止のためのセキュリティー印刷に適した顔料を提供して、技術の高度化の要請にこたえる。
【解決手段】 Ｋ₂Ｏ・Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂・ｘＨ₂Ｏの組成を有し、六角板状の結晶形態をもつ「リンデＱ」型ゼオライトを、その中のＫ^＋イオンとネオジムＮｄ^３＋イオンとのイオン交換を行なったのち、濾過、洗浄、乾燥をへて、２００℃以上の温度、とくに９００℃近辺の温度で焼成する。この焼成体は板状の蛍光体であって、３５４ｎｍの紫外光で励起すると、１０６３ｎｍの赤外光の蛍光を発する。 （もっと読む）

【課題】 電位窓の広い電極構造を提供する。
【解決手段】 プラスチックなどからなる基板１１上に、導電性ペーストや導電性インクを塗布、乾燥して所定形状の導電層２１を形成する。そして、当該導電層２１の一部領域を除く領域をマスキングして、パルスレーザーディポジション（ＰＬＤ）法などによって、前記導電層２１をグラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜、ダイヤモンド膜の何れかからなるカーボン膜１３でコーティングする。その後、マスクを除去し、導電層２１がカーボン膜１３でコーティングされた構造を有する１対の検出電極１０を構成する。そして、一対の検出電極１０,１０間に検出対象物質と反応する試薬層１５を形成して電気化学センサ１を作製する。 （もっと読む）

【課題】 被覆層の剥離が起こりにくく、高強度かつ耐久性に優れた炭素鋼材料の製造方法および前記の優れた特性を有する炭素鋼材料を提供する。
【解決手段】 炭素鋼材を表面処理した炭素鋼材料の製造方法であって、前記炭素鋼材表面に窒化物ないし窒素拡散層を形成する窒化処理工程と、前記窒化処理後の炭素鋼材をバナジウムを含む溶融塩浴に浸漬し、前記窒化物ないし窒素拡散層をバナジウム窒化物およびバナジウム炭化物を含む被覆層とする溶融塩処理工程とを含むことを特徴とする炭素鋼材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数個の共振器がインターディジタル配置でブロードサイド結合してなる共振器群が複数並列に設けられた帯域通過フィルタにおいて、スプリアス帯域を十分に低減した帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】この帯域通過フィルタ１は、互いに同数の複数個の共振器からなる入力側共振器群２、中間部共振器群３、出力側共振器群４を備え、高周波信号が入力される基端部２０ａと接地導体１Ａ’に接続される先端部２０ｂを有し、入力側共振器群２の最も下側の共振器にブロードサイド結合する入力信号線路２０と、フィルタ処理を行った高周波数信号を出力する基端部４０ａを有し、出力側共振器群４の最も下側の共振器にブロードサイド結合する出力信号線路４０と、を備えてなり、λ／４の共振モードに存在するスプリアス帯域を十分に低減する。 （もっと読む）

【課題】 被覆層の剥離が起こりにくく、高強度かつ耐久性に優れた炭素鋼材料の製造方法および前記の優れた特性を有する炭素鋼材料を提供する。
【解決手段】 炭素鋼材を表面処理した炭素鋼材料の製造方法であって、前記炭素鋼材表面から内部にわたって炭素を固溶ないし炭化物として析出させる浸炭処理工程と、前記浸炭処理後の炭素鋼材をバナジウムを含む溶融塩浴に浸漬し、前記炭化物層をバナジウム炭化物を含む被覆層とする溶融塩処理工程とを含むことを特徴とする炭素鋼材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 変換効率に優れた、太陽電池に好適に使用できるＣＩＧＳ薄膜等の化合物半導体薄膜を、非真空プロセスにより、容易に低コストで提供する。
【解決手段】 ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子と、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子とを含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布する工程と、前記基板に塗布した塗布剤中の化合物粒子を焼結させる加熱工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）