【課題】高圧測定用の第１の振動方向と低圧測定用の第２の振動方向とを使い分けることで測定可能な圧力範囲を広げている真空計において、測定する気体の圧力によって振動方向を切り替える際の測定不能な時間の発生を無くすとともに、振動方向を切り替える回路が必要ないようにした真空計を提供する。
【解決手段】真空計の機構部分を成す構造体は、錘1、梁2および振動体固定部3からなる振動体4、振動体4を第1の振動方向に加振する加振電極5および6、振動体4を第2の振動方向に加振する加振電極7および8、振動体4の第1の振動方向の振動を検出するための振動検出電極9および10、振動体4の第2の振動方向の振動を検出するための振動検出電極11および12から構成される。 （もっと読む）

圧力センサ（５６）は、プロセス圧力に結合するように構成されている充填管（９３）を含む。センサ（９８）は、充填管（９３）に結合され、充填管（９３）中の流体の圧力を該充填管（９３）の物理的特性の変化の関数として測定するように構成されている。回路（７４）は、充填管（９３）の物理的特性の変化に基づいて圧力を測定するように設けられている。
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【課題】 加熱手段を備えた圧力センサにおいて、加熱制御のために高分解能でかつ時間比例周期を短くできる時間比例制御を実現する。
【解決手段】 圧力を検出する受圧部１と、受圧部１を加熱するヒータ２と、受圧部１の温度を検出する温度センサ３と、この温度センサ３で検出された温度が設定温度となるようにヒータ２の加熱量を制御するコントローラ５とを備える。コントローラ５は、検出温度と設定温度との差に応じた制御出力を演算出力ビット信号に変換し、該演算出力ビット信号を上位ビット信号と下位ビット信号とに分割し、下位ビット信号を第１矩形波信号と比較して、下位ビット信号が第１矩形波信号より大きいときに上位ビット信号に１を加算する。そして、演算出力ビット信号を第２矩形波信号と比較して、該演算出力ビット信号が第２矩形波信号より大きいときは１、演算出力ビット信号が第２矩形波信号以下であるときは０として、演算出力ビット信号を１ビット信号に変換し、ヒータ２の加熱量を制御する制御出力として生成する。 （もっと読む）

２２００バールよりも大きな圧力領域のためにも信頼性良く使用される高圧センサの簡単でかつ廉価な製造を可能にする、高圧センサのための構築コンセプトを提案する。このような高圧センサ（３）は、圧力検出のためのセンサエレメント（１）と、該センサエレメント（１）を測定システムに結合するための接続部材（２）とを備えている。センサエレメント（１）のベースボディ（１０）には、ダイヤフラム（１１）が形成され、接続部材（２）のベースボディ（２０）には圧力通路（２１）が形成される。センサエレメント（１）は、ダイヤフラム（１１）が圧力通路（２１）を介して測定圧によって負荷可能になるように接続部材（２）に組み付けられる。本発明によれば、まずセンサエレメント（１）のベースボディ（１０）を接続部材（２）のベースボディ（２０）に組み付け、この場合、両ベースボディ（１０，２０）の組付け面の間に全面にわたる結合部（３１）を形成し、その後にはじめて、接続部材（２）に圧力通路（２１）を形成し、センサエレメント（１）のダイヤフラム（１１）を露出させる。
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【課題】 圧力の作用により振動する振動部の厚さを、様々な厚さに高精度に制御することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧力センサ１において、シリコン基板４上に、ＢＯＸ層５を介して、活性層６を積層した構造のＳＯＩ基板２を形成する。ＳＯＩ基板２には、その厚さ方向一方側から他方側へ向かう方向にシリコン基板４およびＢＯＸ層５を一括して貫通する貫通孔８を形成する。これにより、活性層６における貫通孔８との対向部分に、ダイヤフラム９を形成する。ダイヤフラム９の上層部には、ダイヤフラム９とともに振動可能な可動電極１０を形成する。一方、封止基板３に、周辺部１５の裏面よりも上面側へ一段低く形成された凹部１６を形成する。凹部１６の底面には、固定電極１７を形成する。そして、固定電極１７と可動電極１０とが対向する姿勢で、封止基板３とＳＯＩ基板２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】気密空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、且つ、ガストラップ機能による大型化を回避すること可能な静電容量型半導体物理量センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ領域のキャビティ１７ｃが加速度センサ領域のキャビティ１７ｂ，ｄと連通し、キャビティ１７ｃとキャビティ１７ｂ，１７ｄとでキャビティが構成される。これにより、圧力センサ単体におけるキャビティの容積に比べて非常に大きな容積のキャビティを確保し、ガラス基板とシリコン基板との間の密閉した空間内にガスが発生しても比較的大きな容積のキャビティにガスを拡散させることができるので、ガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。またゲッター室などを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】微小な容量値の差を精度よく検出することができる検出回路を提供する。
【解決手段】センサの第１の容量と第２の容量との容量値の差を検出する検出回路は、該第１の容量に応じた周波数の第１の発振信号を生成する第１の発振器と、該第２の容量に応じた周波数の第２の発振信号を生成する第２の発振器と、該第１の発振器に結合され、該第１の発振信号に応じた第１のカウント値を出力する第１のカウンタと、該第２の発振器に結合され、該第２の発振信号に応じた第２のカウント値を出力する第２のカウンタと、該第１のカウンタと該第２のカウンタとに結合され、該第１のカウント値と該第２のカウント値とに基づいて該容量値の差を示す信号を出力する演算回路を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させることなく溶着等の不具合が発生することを防止する。
【解決手段】同電位配線８によって貫通孔配線６と貫通孔配線７とを電気的に接続することにより可動電極４と固定電極５を同電位にして陽極接合を行った後、半導体ウェハ１から圧力センサを切り出す際に同電位配線８を切断することにより可動電極４と固定電極５を切り離す。これにより、陽極接合を行う際に印加電圧によって可動電極４と固定電極５との間に静電吸引力が発生することにより、溶着等の不具合が発生することを防止できる。また同電位配線８は半導体ウェハ１から圧力センサを切り出す際に切断されるので、特別な装置や工程を利用せずに製造コストを増加させることなく同電位配線８を切断することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム割れを防止し、耐久性に優れたダイヤフラム型センサを得る。
【解決手段】シリコン基板にダイヤフラムを形成するキャビティを設け、該シリコン基板のキャビティ側にベース基板を接合してなるダイヤフラム型センサにおいて、ダイヤフラム部に直交するキャビティの中心軸を想定したとき、この中心軸に関し、シリコン基板とベース基板の断面形状を回転非対称とする。 （もっと読む）

【課題】精度を維持したままで小型化することを可能とした絶対圧を検出する静電容量式圧力センサを提供することである。
【解決手段】提案する静電容量式圧力センサ４は、絶対圧を検出する圧力センサであり、静電容量検出手段、寄生容量検出手段、を有する。そして、寄生容量検出のための、ダイアフラム４５と同電位である導電性の部材の窪みの平坦部６４に対する固定電極６１の形状を、静電容量検出手段のダイアフラム４５に対する固定電極５８の円形または略円形の形状に相補的に嵌合する形状とした。 （もっと読む）

【課題】気密空間の気密性を損なうことなく電気信号を取り出す。
【解決手段】圧力センサ１の電極取り出し構造は、シリコン基板２のシリコン基板３との接合面から気密空間４内において露出している表面に向かって延在する高濃度不純物拡散領域６，８と、シリコン基板３のシリコン基板２との接合面から気密空間４内において露出している表面に向かって延在する高濃度不純物拡散領域５，７と、シリコン基板２の外表面側から高濃度不純物拡散領域７に到達する深さまで形成された貫通孔９ａと、シリコン基板２の外表面側から高濃度不純物拡散領域８に到達する深さまで形成された貫通孔９ｂと、貫通孔９ａ，９ｂの側面及び底部に形成された金属薄膜１０ａ，１０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】金属キャップで覆う必要が無く、ＭＥＭＳ構造が破壊されず、ＭＥＭＳ構造が露出している。
【解決手段】基板４１上にダイボンドされたＭＥＭＳチップ４２と電子回路チップ４３とを１次モールド樹脂４６で１次モールドし、さらに導電性の２次モールド樹脂４７で２次モールドしている。こうして、高価な金属キャップで覆う必要を無くして、コストアップを抑制する。また、基板実装品を１次モールド用のトランスファー金型内に配置した際には、上記トランスファー金型の突起が緩衝材４５の上面に当接する。こうして、上記トランスファー金型がＭＥＭＳ可動部(振動板)に直接当接しないようして、ＭＥＭＳ構造の破壊を防止する。また、ＭＥＭＳチップ４２のＭＥＭＳ可動部(振動板)が開口部４８および開口部５０を介して、外部に露出している。こうして、上記ＭＥＭＳ可動部がモールド樹脂によって覆われないようにし、確実に動作させる。 （もっと読む）

【課題】気密空間の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制する。
【解決手段】固定電極６ｂはチタン（Ti），ジルコニウム(Zi)，アルミニウム(Al)等により形成されている。このような構成によれば、Ｓｉ基板１とガラス基板２とを接合する際にガスが発生した場合であっても固定電極６ｂがゲッター材として機能してガスを吸着することにより、ガラス基板２とダイヤフラム部５間の気密空間の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】放電が発生することを抑制可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】参照電極８ａ及び固定電極８ｂは、二酸化珪素(SiO₂)や窒化珪素(SiN)等の絶縁材料９内に埋設されている。このような構成によれば、Ｓｉ基板１とガラス基板４とを接合する際に固定電極８ｂとダイヤフラム部７間に電位差が発生することにより、放電が生じることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】気密空間の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制する。
【解決手段】ガラス基板２の気密空間１２と対向する面側には穴部７が形成されている。このような穴部７を形成して気密空間１２の体積を大きくすることにより、たとえ気密空間１２内でガスが発生したとしても、穴部７がない場合と比較してガスが気密空間１２の真空度又は内圧変化に与える影響を小さくすることができるので、Ｓｉ基板１とガラス基板２とを陽極接合する際に気密空間１２の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電流リークが発生することを抑制可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】金属膜１１とＳｉ基板３とを電気的に分離するように形成された気密空間１３内の絶縁膜１２は気密空間１３の側壁まで延伸している。従来の圧力センサでは、この絶縁膜１２は気密空間１３の側壁まで延伸していることはなく、ダイヤフラム部７表面上には絶縁膜１２は形成されていなかった。このため従来の圧力センサによれば、Ｓｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離が不十分であるために電流リークが発生することがあった。これに対し本実施形態では、上述の通り、気密空間１３の両側壁部まで絶縁膜１２を延伸させることによりＳｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離を長くしているので、電流リークが発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電流リークが発生することを抑制可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】金属膜１１とＳｉ基板３とを電気的に分離するように形成された気密空間１３内の絶縁膜１２は気密空間１３の側壁まで延伸している。従来の圧力センサでは、この絶縁膜１２は気密空間１３の側壁まで延伸していることはなく、ダイヤフラム部７表面上には絶縁膜１２は形成されていなかった。このため従来の圧力センサによれば、Ｓｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離が不十分であるために電流リークが発生することがあった。これに対し本実施形態では、上述の通り、気密空間１３の両側壁部まで絶縁膜１２を延伸させることによりＳｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離を長くしているので、電流リークが発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を感度良く検出することができる圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供することにある。
【解決手段】 内部空間１ａを有する焼結体から成る絶縁基体１と、内部空間１ａの上面および下面のそれぞれに設けられた互いに対向する上側電極３および下側電極４とを備え、上面および前記下面の少なくとも一方に、外部から圧力が加わることにより撓む可撓領域１ｅを有し、内部空間１ａから絶縁基体１の外部に通じた流体の通路５が形成されているとともに、面積が内部空間１ａの上面または下面の面積よりも小さい下側電極４または上側電極３は、その表面が焼結体から成る絶縁層６により被覆されている圧力検出装置用基体。通路が封止材で塞がれて内部空間が気密封止されることで圧力検出装置となる。作製工程による感度ばらつきが抑えられた、感度の高い圧力検出装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】一つの小型の真空センサを用いて広い範囲の圧力測定を行うことができ、且つ動作特性の良い小型で高感度の圧力測定を行うことができることを課題とする。
【解決手段】測定気体の圧力を測定する外部回路を、可動電極・固定電極間の静電容量と周囲電極・参照電極間の静電容量とを利用してサーボ制御用電圧を生成して低い圧力を検出するための第１回路部分と、サーボ電極と可動電極の間の静電容量を検出して高い圧力を検出するための第２回路部分と、圧力の範囲に応じて第１回路部分と第２回路部分を切り換える切換手段とによって構成した。 （もっと読む）

【課題】支持構造体４とダイアフラム３との溶接時における熱応力による歪みを可及的に小さくするとともに、支持構造体４とダイアフラム３間の剛性を大きくして、固定電極２及びダイアフラム３間の距離の変化を可及的に小さくして、圧力センサ１の出力を安定させる。
【解決手段】圧力により変位するダイアフラム３と固定電極２との間の静電容量の変化を検出して圧力を測定する静電容量型圧力センサ１であって、前記固定電極２と前記ダイアフラム３との対向面の距離を規定する凹部４１を有し、前記固定電極２の電極面が、前記凹部４１の底面４１１と略同一平面上に設けられ、前記ダイアフラム３が、前記凹部４１を覆うように前記凹部４１の開口周縁部４０１に設けられる一体成型された支持構造体４を具備する。 （もっと読む）