【課題】半導体素子を複数に形成した半導体基板を半導体素子ごとに分割して個々の半導体装置を形成する際の分割の品質を低下させることなく、加工タクトを向上させる。
【解決手段】半導体基板１を、機能要素が構築された複数の半導体素子２が桝目状に形成され、前記複数の半導体素子２を個々に分離している縦方向および横方向の分離線４上に、各半導体素子２の外周部に対応する部分を除いて連続した溝３が形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体に対して外部空間からの圧力や振動信号を直接受信できるように構成し、かつ、ＭＥＭＳ構造体と集積回路とを形成した半導体チップをバンプ電極でモジュール基板にフェイスダウン実装することにより、小型化を実現できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一方の面に集積回路が形成され、半導体基板１の他方の面にＭＥＭＳ構造体が形成されている。そして、集積回路上に形成されているバンプ電極ＢＰによって実装基板にフリップチップ接続する構造となっている。このとき、トランスデューサは外部空間に向いた状態で配置できる。このため、トランスデューサが外部空間と直接対話する機能を損なうことなく、半導体装置を小型化することができる。なお、集積回路とＭＥＭＳ構造体とは半導体基板１を貫通する貫通電極２０ａ、２０ｂにより電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】複数種類のセンサが集積された、比較的単純な構成で、かつ比較的コンパクトなセンサモジュールを提供する。
【解決手段】キャビティ１１を有する基体１２と、キャビティ１１内に収容されるセンサ素子３２を含む第１のセンサ部と、前記センサ素子の収容された空間を封止し且つ少なくとも一部が導電性を有する蓋体２２と、蓋体２２と対向した状態でキャビティ１１内に配置される固定電極２４とでダイアフラム圧力センサを構成する第２のセンサ部と、を備えたセンサモジュール１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高温用静電容量式静圧／動圧センサを提供する。
【解決手段】 本発明は、ガスタービン・エンジンで用いるような高温用途のための静電容量式圧力プロ−ブに関する。本発明の静電容量式プロ−ブ又は圧力センサ１０は、特に、圧力ポート３６を有する内部の検出チャンバー４２と、検出電極６２に隣接して位置する内部の基準チャンバー５２とを画定するセンサ・ハウジング２０を含む。基準チャンバー５２は、ヘインズ２３０アロイから作られた可撓性ダイヤフラム４４により検出チャンバー４２から分離され、検出チャンバー４２内に加えられる圧力に応じたダイヤフラム４４の撓みが、検出電極６２により検出される静電容量値の変化に対応する。 （もっと読む）

【課題】検出信号のデジタル信号への変換が容易で低コスト、省スペースを実現しつつ、検出安定性や検出精度に優れた、静電容量センサに代表される物理／化学量測定装置を提供する。
【解決手段】発振回路Ａ１として、コンデンサＣｃ及びインダクタＬｃを並列に接続してなるセンシング回路要素１１と、第１抵抗素子Ｒ１と、第２抵抗素子Ｒ２と、第３抵抗素子Ｒ３とをこの順に環状に直列接続し、前記センシング回路要素１１と第３抵抗素子Ｒ３との間の接続配線を回路コモンに接続し、前記第３抵抗素子Ｒ３と第２抵抗素子Ｒ２との間の接続配線を差動増幅器Ａ１の一方の入力端子に接続し、前記センシング回路要素１１と第１抵抗素子Ｒ１との間の接続配線を差動増幅器Ａ１の他方の入力端子に接続し、前記第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２との間の接続配線を差動増幅器Ａ１の出力端子に接続するようにした。 （もっと読む）

工業プロセス伝送器システム（１０）の充填管（７０）のための圧着システムは、カラー（７２）と、充填管（７０）と、圧着顎（７４）とを備える。カラー（７２）は、充填管（７０）を受容するための通路（９４、９６）と、通路（９４、９６）を囲む座（８０）とを備える。充填管（７０）は、カラー（７２）の通路（９４、９６）および座（８０）を通って延在する。圧着顎（７４）は、充填管（７０）を囲むように座（８０）内に位置付けられ、かつ充填管（７０）を圧着するように座（８０）内に挿入される。
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【課題】少なくとも１つの懸架膜を備えた素子を製造する方法である。
【解決手段】少なくとも１つの懸架膜を備えた素子を製造する方法であって、該方法は少なくとも、第１犠牲層および該第１犠牲層に堆積された第２層を貫通し、該第１犠牲層の少なくとも一部および第２層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、該トレンチの全体または一部に、少なくとも１種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも１種類の材料を充填し、該第１犠牲層の一部を、第２層に設けられた少なくとも１つの開口部を介してエッチング剤でエッチングする工程を含み、該第２層の一部は、懸架膜の少なくとも一部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ面積及び体積の縮小を可能とする構造、並びに当該センサ構造を実現するための製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３０と、半導体基板３０の表面又は内部に形成された第１の電極としての固定電極１と、半導体基板３０及び第１の電極としての固定電極１と離間しかつ対向して形成された振動可能な第２の電極を有する、半導体基板３０上に形成された構造体１３５と、半導体基板３０上に、構造体１３５と離間しかつ構造体１３５を覆って形成され、かつ第１の貫通孔としての貫通孔２１０を有する第１の封止部材としての封止部材１６０と、封止部材１６０上に、貫通孔２１０を塞ぎ、可動電極１３０と離間しかつ対向して形成された振動可能な第３の電極としての可動電極２２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等の半導体回路との一体化が容易であり、また、圧力検知の感度に優れる半導体圧力センサ及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１と、該第１基板２１上に積層される埋め込み絶縁膜３と、該埋め込み絶縁膜３上に積層される第２基板２２とを備え、該第２基板２２上に圧電膜４及び電極５が積層して形成されており、第２基板２２上において圧電膜４及び電極５が配置される領域に対応する第１基板２１の少なくとも一部が除去されてなり、電極５は、第２基板２２上に形成される下部電極５１と、該下部電極５１上に積層された圧電膜４上に形成される上部電極５２とからなり、該上部電極５２が、少なくとも２以上で設けられている。 （もっと読む）

【課題】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）の機械的強度を向上させ、歩留まり及び信頼性を向上させる。
【解決手段】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）において、従来では中空部であった部分に充填用材料を充填する。充填用材料としては、弾性を有する絶縁性材料を用いる。弾性を有する絶縁性材料は、例えばエラストマーが挙げられる。中空部が充填されることで、機械的強度が向上する。更には、作製工程中における構造体上部の反りを防止し、歩留まりが向上する。このようにして作製された微小電気機械式装置は、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】 環境温度の影響を受けにくく、センサ全体の温度を均一かつ一定に保つことが容易な静電容量型隔膜式圧力センサを提供すること。
【解決手段】 対向配置された固定電極とダイヤフラムを有し、ダイヤフラムが外力によって変形され、この変形に応じて変化する固定電極とダイヤフラムの間の静電容量によって圧力を求める静電容量型隔膜式圧力センサは、センサの本体を囲う外側ケースと、外側ケースの内面に配置されたヒータと、外側ケースの内部の温度を測定するための温度センサと、温度センサにより得た温度信号を所定値と比較し、比較結果に基づいてヒータを駆動するための駆動信号を出力する温度調整回路と、を有する。 （もっと読む）

プロセス流体圧力トランスミッタ（３００）は、プロセス流体圧力センサ（３０２）、測定回路（３０４）、コントローラ（３０８）、およびループ通信機（３１６）を含む。プロセス流体圧力センサ（３０２）は、プロセス流体圧力に伴って変動する電気的特性を有する。圧力センサ（３０２）は、プロセス流体圧力源に結合可能である。測定回路（３０４）は、プロセス流体圧力センサ（３０２）に結合し、およびプロセス流体圧力センサ（３０２）の電気的特性を示す信号を提供する。コントローラ（３０８）は測定回路（３０６）に結合し、および信号を受信し、および少なくとも信号の一部に基づいてプロセス流体圧力を算出する。コントローラはまた、プロセス流体圧力過渡現象を検出、および、プロセス流体圧力過渡現象に関する少なくとも１つの変数を保存するように構成される。ループ通信機（３１６）はコントローラ（３０８）に結合し、および、プロセス流体圧力に基づいてプロセス通信ループ（３１４）上に信号を提供するよう構成される。プロセス流体圧力トランスミッタ（３００）はまた、少なくとも１つの保存された変数に関する表示を提供するように構成される。
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【課題】集積化が容易で超低消費電力であり、小型化に適した可変容量計測装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＲ型Ａ／Ｄコンバータを応用し、電圧の代わりに電荷を計測する。初期段階の充電の動作が、ＳＡＲ型Ａ／Ｄコンバータとは異なり、容量型圧力センサだけ充電する。静電容量の変化を適格に検出するため、容量オフセットキャンセル回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】軽くて薄く、望ましい歩留まりを有するセンサを提供する。
【解決手段】２つのチャネルを有するキャリアと、キャリアの上に配置される静電容量検知素子と、カバーを含むセンサとが提供される。静電容量検知素子は、膜を有し、この膜とキャリアとの間に第１のチャンバが形成される。カバーは、キャリアの上に配置されて静電容量検知素子を覆う。膜とカバーとの間には第２のチャンバが形成される。第１のチャンバおよび第２のチャンバは、膜の両側に配置され、チャネルは、第１のチャンバおよび第２のチャンバとそれぞれ連通する。 （もっと読む）

【課題】圧力が掛かった際に柔軟に変形して電極間距離が変化する静電容量型圧力センサを提供することである。
【解決手段】電極３，４間に誘電体２を備え、前記誘電体２の一部又は全部を、膨張又は収縮が可能な気泡構造体９とした。静電容量型圧力センサ１に圧力が作用すると、誘電体２の気泡構造体９が収縮又は膨張し、電極３，４間の距離が変化して静電容量が変化する。静電容量と圧力の大きさとは予め関連付けられており、静電容量が変化することをもって圧力を検出する。 （もっと読む）

圧力トランスミッタ（１０）が提供される。圧力トランスミッタ（１０）は、それぞれ可撓性ダイヤフラム（７０，７２）を有する一対のプロセス流体圧力ポート（１４，１６）を含む圧力センサ（６０）を含む。第１可変コンデンサは、圧力センサ（６０）内に配置され、プロセス流体ポート（１４，１６）間の差圧によって変動する静電容量値を有する。第２可変コンデンサは、圧力センサ（６０）内に配置され、管路の圧力によって変動する静電容量値を有する。
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【課題】現在使用されているものよりも高い帯域幅を有する、感度の高い圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイアフラム１０２を包含し、ダイアフラムは剛性の外側部分と、ダイアフラムの第１の側と第２の側との間の圧力差に応じて変位する変位可能な内側部分とを有し、ダイアフラムに近接して配置されており、ダイアフラムの内側部分の変位をセンシングするセンサ１０４を包含し、センサと接続されており、ダイアフラムの変位から圧力差を求める監視制御システム１０６を包含する。 （もっと読む）

【課題】 ダイアフラムを高圧雰囲気においても長期間にわたって正常かつ安定に作動させることが可能なセンサ用パッケージおよびこれを用いたセンサを提供すること。
【解決手段】 基板１と、前記基板１上に配置されるダイアフラム９と、前記基板１と前記ダイアフラム９との間に介在し、両者の間隔を規定するセラミック製スペーサ２と、を備えたセンサ用パッケージであって、前記スペーサ２は、前記ダイアフラム９側の方が前記基板１側よりも横幅の広いセラミック層の積層体により形成されてなることを特徴とする。
好ましくは、前記スペーサ２は、前記基板１から前記ダイアフラム９にかけて、連続して横幅が広くなるようにセラミックが積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 遠心力の影響を低減し、外部の圧力を感度良く検出することができる圧力センサを提供することにある。また、圧力センサを用いた圧力検出装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧力センサは、基体１と、基体１の主面とは所定の距離を隔てて形成される第１のダイアフラム２と、第１のダイアフラム２上に所定の距離を隔てて形成される第２のダイアフラム３と、第１のダイアフラム２ならびに第２のダイアフラム３を支持する支持部４（４ａ，４ｂ）と、基体１および第１のダイアフラム２ならびに支持部４ａにより形成される第１の空間Ｓ１と、第１のダイアフラム２および第２のダイアフラム３ならびに支持部４ｂにより形成される第２の空間Ｓ２とを含んでいる。 （もっと読む）

差圧センサ（２１４、３３８、５１８、６３８）が差圧送信機（２００、３００、４００、５００、６００、７００）内に配置され、第１および第２のセンサ入力部を有する。第１の隔離ダイヤフラム（２３０、３３０）は第１のプロセス流体導入部（２１０、３１０）に近接して配置され、第１の充填流体体積部分（３３４）を通じて第１のセンサ入力部に機能可能に接続される。第２の隔離ダイヤフラム（２３２、３３２）は第２のプロセス流体導入部（２１２、３１２）に近接して配置され、第２の充填流体体積部分（３３６）を通じて第２のセンサ入力部に機能可能に接続される。測定回路（２１８）が差圧センサに機能可能に接続され、該差圧センサの電気的パラメータを測定し、該測定されたパラメータを提供するように構成される。第３の流体体積部分（３５４）が実質的に差圧センサをとり囲む。第３の流体体積部分（３５４）は差圧センサに圧縮力を及ぼす。
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