【課題】構造が簡素であり、交換が容易であり、温度の影響が避けられる筒内圧センサを提供する。
【解決手段】ピストン１２が収容されたシリンダ１３の外殻であるシリンダライナ１４の外側に冷却水流路１５を隔ててシリンダブロック１６を有するエンジン１１に取り付けられてシリンダ１３内の気圧である筒内圧を検出する筒内圧センサ１であって、シリンダブロック１６の外側からシリンダブロック１６を貫通してシリンダライナ１４に当接され、筒内圧によって変位するプッシュロッド２と、シリンダブロック１６の外側でプッシュロッド１４の変位を検出する変位センサとを備えた。 （もっと読む）

（ａ）共通電極と（ｂ）中心電極およびリング電極を含む電極構造体とを含むダイアフラムであって、（ｉ）ダイアフラムの両側の圧力が同一であるときのゼロ位置と（ｉｉ）ダイアフラムに対して測定可能な最大圧力差が与えられたときの最大の差動位置との間で移動可能なダイアフラムと、ダイアフラムが電極構造体に対して拘束され、共通電極が、中心電極およびリング電極から間隔を置かれ、マノメータのアライメント軸に対して中心電極およびリング電極と軸方向に位置合わせされるようにダイアフラムを支持するように配置された支持構造体とを備える改善された容量型マノメータであって、電極構造体が、ダイアフラムに対して、アライメント軸のまわりに角度間隔を置いて配置された少なくとも３つのクランプ位置で固定され、それぞれの適切な平面内に定義された角度がダイアフラムの拘束点を含み、ゼロ位置におけるダイアフラムの平面に対するそれぞれのクランプ位置の点が、電極ディスクの支持高さの変化を低減し、ダイアフラムと電極構造体の間に、より小さな間隙おとび改善された安定性を与えるように６０°と９０°の間にある改善された容量型マノメータ。複数のタブを含むスペーサリングと、アライメント軸のまわりに複数の等角度間隔で配置されたクランプ位置を定義するように、また、スペーサによって誘起される偶発的な半径方向せん断力、ならびに再現性および安定性に悪影響を与える恐れがある後続の考えられるスティックスリップの条件の可能性を解消するように、電極構造体を、スペーサリングに対してタブのそれぞれの位置でクランプするように構成されたクランプとを含むことにより、さらなる改善がもたらされる。 （もっと読む）

【課題】静電容量圧力センサーのためのバッフルを提供する。
【解決手段】バッフル３０が、小さな容量を有するように、静電容量圧力センサー１０の近傍に配置される。このバッフルは高縦横比の径方向通路４４を創り出し、ダイアフラム１６に到達する前の分子の移動を創り出す。この通路は、汚染物がダイアフラムに到達する前に、バッフルまたはハウジング１２に付着することを推進する。センサーは更に、導入部１４とバッフルの間に粒子のトラップ２８を含む。 （もっと読む）

本明細書には、デバイスに印加される圧力を検出する方法及びデバイスが説明されている。一実施形態において、前記デバイスは、第一の層と、前記第一の層の下部に位置する第二の層とを備える。前記第一の層及び前記第二の層はキャビティを形成する。前記デバイスは、前記キャビティ内に配置された複数のディスプレイ素子をさらに備える。前記デバイスは、前記第一の層及び前記第二の層の間の相対的な運動を測定するように構成されたセンサをさらに備える。他の一実施形態において、前記デバイスは音波を検出しうる。
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【課題】高い感度を有する小型の圧力センサーを提供すること。
【解決手段】容器と、この容器の一部をなし、外部からの圧力により撓むように構成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムと隙間を介して対向するように当該ダイヤフラムに固定されると共にその一面側及び他面側に励振電極が形成され、当該ダイヤフラムの撓みに応じて応力が発生する圧電振動子と、この圧電振動子の励振電極と隙間を介して対向するようにダイヤフラムに設けられ、当該励振電極との間で、圧電振動子に対して直列に接続されるコンデンサを形成するために補助電極と、を備えるように圧力センサーを構成する。このような構成により、ダイヤフラムに加わる応力の変化分に対する圧電振動子の発振周波数の変化分を大きくすることができるので、圧力センサーの感度を高めることができる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイス（１００）が集積回路チップ（１０１）と、リードフレームベースのプラスチック成形本体（１２０）を含むパッケージとを有し、パッケージは本体の厚み（１２１）を通る開口（１２２）を備える。可動フォイル部品（１３０）が本体（１２０）に固定され、開口（１２２）を少なくとも部分的に横切って延びうる。チップ（１０１）は、フォイルを横切って拡がるようにリード（１１０）にフリップ実装され、フォイル（１３０）からギャップにより隔てられうる。リードは、予め製造された個別部品のリードフレーム上にあってもよく、或いは犠牲キャリア上に金属を堆積し、その金属層をパターニングするプロセスフローによって製造されてもよい。その結果のリードフレームは平坦であってもよく、或いは積層型のパッケージ・オン・パッケージデバイスに有用なオフセット構造を有してもよい。
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【課題】 占有面積の縮小、容量の増大、ブラウンノイズの低減及び可動部の質量の増大等の二律背反の要請をバランスよく満足して検出精度を向上することができるＭＥＭＳセンサー及びその製造方法並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサー１０は、固定部２０と、弾性変形部３０と、弾性変形部を介して固定部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部４０と、固定部に第１の方向Ａに沿って配列固定され、第１の方向と直交する第２の方向Ｂに沿って突出する複数の固定電極部５０と、可動錘部より第２の方向に沿って突出形成されて、複数の固定電極部５０にそれぞれ対向して配置され、第１の方向に沿って配列された複数の可動電極部６０とを有する。可動錘部４０は、複数の可動電極部と同一の層に形成され、複数の可動電極部を連結する連結部４２と、複数の可動電極部及び連結部とは異なる層に形成され、連結部に接続された付加錘部４６とを含む。 （もっと読む）

【課題】静電容量型のセンサ素子の静電容量の変化を検出する静電容量検出回路であって、連続的且つ微小な容量変化をも精度良く検出を可能であり、更に、小型で安価な静電容量検出回路を実現する。
【解決手段】センサ駆動回路１２０で静電容量型のセンサ素子１０に駆動電圧を印加し、
センサ素子の静電容量の変化を連続時間型Ｃ−Ｖ変換回路１１０で電圧信号に変換し、該変換で得た電圧信号から同期検波回路１３０によって信号成分を検出し、更に、平滑回路１４０によって同期検波回路１３０の出力信号を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を精度良く検出することができ、信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 上面が可撓領域１ｅである内部空間１ａを有するとともに、電子部品を搭載するための凹部１ｈを有する絶縁基体１と、凹部１ａの底面に形成された複数の電極用導体層２と、内部空間１ａの上面および下面に電極用導体層２の少なくとも１つに接続された、上側電極３および下側電極４と、絶縁基体１の側面または下面に形成された複数の外部電極５とを備え、凹部１ａの側壁部の外側面に、凹部１ａの底面の周囲に対応する部位に設けられた溝６を備えた圧力検出装置用基体である。絶縁基体１の凹部１ａの周囲の側壁部が外部回路基板から引っ張られた場合でも、溝６よりも下の側壁部が変形して、溝６よりも上の絶縁基体１が変形することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を精度良く検出することができ、信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 互いに平行に対向する上面および下面がある内部空間１ａを有し、表面に複数の電極用導体層２を有する絶縁基体１と、内部空間１ａの上面および下面にそれぞれ電極用導体層２の少なくとも１つに電気的に接続されて形成された、互いに対向する上側電極３および下側電極４とを備え、上面および下面の少なくとも一方が、可撓領域１ｅである圧力検出装置用基体であって、可撓領域１ｅの中央部に対応する絶縁層５の表面に、上側電極３および下側電極４とは電気的に独立な、絶縁層５で被覆されていない上側電極３または下側電極４との接触を検知するための検知用電極６を備えた圧力検出装置用基体である。上側電極３または下側電極４と検知用電極６とが短絡することで、ダイアフラムが対向する面に接触したことを検知できる。 （もっと読む）

【課題】気密室の内圧のばらつきを抑制しながらも、小型化が可能な気密構造体の製造方法および気密構造体を提供することにある。
【解決手段】気密構造体の製造方法は、シリコン基板により形成され且つ厚み方向の一面側に凹部１ａが形成された第１の基板１と、ガラス基板からなり且つ一表面２ｃに固着ベース３が形成された第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に形成され且つ内部が気密に保たれた気密室Ｃとを備える気密構造体の製造方法であり、第２の基板２に排気孔２ａを形成し固着ベース３に貫通孔３ａを形成した後に、第２の基板２が第１の基板１の前記一面側を覆う形で第２の基板２と第１の基板１における凹部１ａの外周部とを減圧下の真空中で陽極接合により接合し、その後、第２の基板２の排気孔２ａおよび貫通孔３ａを封止するための封止用部材４を真空中で固着ベース３に固着する。 （もっと読む）

【課題】低コストのダイヤフラム式マノメータを提供する。
【解決手段】マノメータは、上表面及び上表面よりも高く伸張する側壁を有するモノリシック基部１０２と、基部の上表面によって支持される複数の導電性素子１１２と、基部の側壁と接続され、基部の上表面に対して導電性素子の上部に位置するダイヤフラム１０８と、ダイヤフラムの上部から基部を覆うカバー１０４とを含む。また、基部と接続するガラス被膜１１０と、導電性素子と接続され、圧力の変化に応じて動くダイヤフラムに反応する導電性素子の間の寄生容量結合における変化を感知するよう構成される電子回路を備えている。 （もっと読む）

【課題】水素雰囲気下で使用しても、水素脆化現象による圧力計の破壊がなく、１００ＭＰａ以上の高圧下でも測定が可能な水素圧力測定方法、及びそのためのセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスの静水圧を、水素ガス雰囲気に配置された誘電体単結晶材料からなるセンサの静電容量により測定することにより、１００ＭＰａ以上の高圧下でのガス圧の測定を可能とするものであり、好ましくは、該誘電体単結晶として、キュリー温度が室温以下であるものが用いられる。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を精度良く検出することができ、信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 上側電極３または下側電極４の少なくとも一方は、可撓領域１ｅと可撓領域１ｅの外側との境界線の内側に形成されるとともに可撓領域１ｅの外側にかけて複数の引出し部５で引き出されており、複数の引出し部５は、可撓領域１ｅと可撓領域１ｅの外側との境界線上において、それぞれ同じ幅で、かつ等間隔に配置されている圧力検出装置用基体である。加工硬化による上側電極３と下側電極４との距離の変化を低減するとともに、絶縁基体１が破損する可能性を低減することができ、外部の圧力を長期間にわたって精度良く検出することができる信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置となる。 （もっと読む）

【課題】液体の圧力を空気の圧力に変換して検出する構成を有効に活用することにより、液体の温度が高くても、当該液体の温度の影響を受けることなく、この液体の圧力を正しく検出するようにした圧力センサ及びこの圧力センサを利用した流量検出装置を提供する。
【解決手段】液圧室Ｌ１及び空圧室Ｒ１が、両ダイヤフラム２２、２４を介し互いに対向するように基台Ｈ１内に形成されている。ここで、液圧室Ｌ１内に流入する薬液の液圧がダイヤフラム２２に作用し、空圧室Ｒ１内に流入する空気の空圧がダイヤフラム２４に作用する。圧電変換ユニット５０が基台Ｈ１上に設けられて、上記液圧の変動に伴う両ダイヤフラム２２、２４の変位に応じて変動する上記空圧を薬液の液圧として検出する。 （もっと読む）

フィールドデバイスの静電容量式ゲージ圧センサは、プロセス媒体のゲージ圧を測定する。センサボディは第１および第２のチャンバを含んでいる。第２のチャンバは真空の圧力センサ用真空誘電体を形成する。大気基準ポートがセンサボディ内に形成され、第１チャンバを環境大気圧と平衡させる。センサのプロセス媒体入口はプロセス媒体供給源に接続される。第２のチャンバと媒体入口との間に、導電性かつ可撓性のダイアフラムを設ける。容量性プレートが第２のチャンバ内に配置され、ダイアフラムの撓みで静電容量が変化する。フィールドデバイスは、さらにプロセス媒体のゲージ圧を示すセンサ信号を発生するセンサ回路と、プロセス通信ループを介してセンサ信号に関連する情報を送信する送信回路とを含む。
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【課題】被測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造の圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサ１０において、圧力センサのセンサダイアフラム１１１の一面１１１ｂは被測定媒体を導入する圧力導入室側をなし、他面１１１ａはコンデンサ部を形成するコンデンサ室側をなし、センサダイアフラムはコンデンサ室側のダイアフラム固定部１６，１７との境界をなす周縁部１１１ｆから中央部１１１ｇに向って剛性が低くなっている。 （もっと読む）

【課題】被測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出する圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサ１０において、圧力センサのセンサダイアフラム１１６の一面１１６ｂは被測定媒体を導入する圧力導入室側をなし、他面１１６ａはコンデンサ部を形成するコンデンサ室側をなし、センサダイアフラム１１６の固定部にセンサダイアフラム１１６の温度分布を変える加熱手段２０１を設け、当該加熱手段によって加熱されたセンサダイアフラムの温度分布により、センサダイアフラムに異質な堆積物が堆積することに起因して当該センサダイアフラムの周辺部と中央部で発生する撓みを相殺する。 （もっと読む）

【課題】被測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出する圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサ１０において、圧力センサのセンサダイアフラム１１４の一面１１４ｂは被測定媒体を導入する圧力導入室側をなし、他面１１４ａはコンデンサ部を形成するコンデンサ室側をなし、コンデンサ室側のダイアフラム固定部１６，１７との境界をなすセンサダイアフラム１１４の周縁部１１４ｆとセンサダイアフラムの中央部１１４ｇとが異なる材料から成り、中央部１１４ｇの材料１１５は、周縁部１１４ｆの材料よりも剛性の低い材料としている。 （もっと読む）

【課題】１つの真空計でより広い範囲の気体の圧力測定ができるようにした真空計を提供する。
【解決手段】駆動用信号源10から出力された信号は駆動電圧調整回路11によって増幅もしくは減衰され、さらにその位相が反転回路12で反転され、反転回路12の出力および駆動電圧調整回路11の出力がそれぞれ加振電極5および6に印加される。振動体4が振動することによる振動体4と振動検出電極7および8との間の静電容量の変化を容量電圧変換回路13および14で電圧に変換し、容量電圧変換回路13および14の出力電圧を差分回路15で差分することで振動体の振幅に応じた最終的な出力電圧を得る。この出力電圧を駆動電圧調整回路11にフィードバックして振動体の振幅が振幅指令値として設定された一定値となるようにゲインを制御するとともに、気体の圧力領域に応じた振幅指令値の切り替えを行う。 （もっと読む）