【課題】測定する圧力が小さい段階では速やかに撓み変形する一方で、高圧力の状態では徐々に撓むようにダイヤフラムを構成することによって圧力感度特性の直線性を向上させた圧力センサーを提供する。
【解決手段】基台３の面上に順次積層された下部電極膜４及び誘電体膜５と、誘電体膜と対向する位置に薄肉部１１を備えるとともに基台の面上に固定された検出片１０と、薄肉部の少なくとも一部に形成され且つ下部電極膜と対向する位置関係にある上部電極膜１３と、を備え、検出片の下面と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間Ｓを備えた圧力センサーにおいて、検出片の薄肉部の厚さは全面に亘って均一でない。 （もっと読む）

【課題】圧力導入口がフラックスで塞がるのを防ぐことができる、圧力センサ装置及び該装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、半導体圧力センサ素子１１に流体を導く圧力導入口１８の開口部１８Ｂ及びはんだ付け可能な端子１９が設けられた取り付け面１２Ｂを有する実装基板１２とを備える圧力センサ装置であって、開口部１８Ｂと端子１９との間に段部４１が設けられていることを特徴とする、圧力センサ装置。該圧力センサ装置と、開口部１８Ｂに連通する圧力導入口２２が設けられた被取り付け面２１Ａを有し、該圧力センサ装置が端子１９で被取り付け面２１Ａにはんだ付けされた回路基板２１とを備え、開口部１８Ａ及び段部４１が、圧力導入口２２の投影範囲内に位置する、電子機器。 （もっと読む）

【課題】配線構造によって安定した圧力測定が可能な静電容量圧力センサを提供すること。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る静電容量圧力センサは、第１絶縁層１ａ〜第３絶縁層１ｃを有する基板１と、基板１との間に基準チャンバ８が形成されるように、基板１と向き合うように配置されたダイアフラム２と、基板１上に設けられ、ダイアフラム２と対向した第１の電極６と、ダイアフラム２上でかつ第１の電極６と対向して設けられた第２の電極５と、第１の電極６に接続され、該第１の電極６と外部とを電気的接続するための配線４２と、第２の電極５に接続され、該第２の電極５と外部とを電気的接続するための第２の配線４２とを備える。上記配線４２は、第１絶縁層１ａを基板１の基準チャンバ８側から基板１の該基準チャンバ８と反対側に向かって貫通するとともに、各絶縁層間で屈曲されている。 （もっと読む）

【課題】圧力検出用部品において、枠状部に求められる寸法精度を低減する。
【解決手段】
圧力検出用部品１０は、絶縁基体１と、絶縁基体１上に設けられた枠状部２と、絶縁基体１との間に密閉空間１３を形成するように枠状部上に設けられたダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の絶縁基体１と対向する側の面に相互に離間させて設けられた、静電容量形成用の第１の電極パターン４１および第２の電極パターン４２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。検知素子４４は、基準素子３６及び基準素子３６に形成された複数の開口３８のうちの一つを介して外部環境４８に露出される。検知素子４４は、環境４８からの圧力刺激５４に応答して、基準素子３６に対して可動である。製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】高温の用途における静電容量式圧力プローブまたはセンサを提供する。
【解決手段】静電容量式圧力センサ１００はプローブ筐体の内部検出チャンバ３０内に配設され、かつ、その中央部分上に形成される第１の電極５２を有する、サファイヤダイアフラム４２を含む。ダイアフラム４２の中央部分および第１の電極５２は、内部検出チャンバ３０内で、かつ圧力センサ１００によって、遭遇する圧力変動に反応して撓むように適合および構成される。その上に形成される第２の電極５４を有するサファイヤ基板４６は、サファイヤ積層を形成し、その間に基準チャンバ８０を画定するように、その周辺を中心として、サファイヤダイアフラム４２に融合される。サファイヤダイアフラム４２のサファイヤ基板４６への融合前に、全ての接触表面は、結合積層を形成し、融合に必要な温度を低下させるように、化学処理され、プラズマ励起を用いて準備される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】固定電極や封止ガラスなどの集合体であるセンサ本体の熱膨張率及びフランジ部などの固定用部材の熱膨張率により生じる熱応力によって、ダイアフラムが変形することを防止する。
【解決手段】固定電極２１が固定されたセンサ本体２と、センサ本体２との間で密閉空間を形成するダイアフラム構造体３と、ダイアフラム構造体３の受圧部を囲むように接合されて受圧部に流体を導く固定用部材４とを備え、ダイアフラム構造体３が、平板状のダイアフラム本体３１と、ダイアフラム本体３１の周縁部両側に設けられた熱膨張率が既知である第１のリング部材３２及び第２のリング部材３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造が比較的容易である頑丈な密封流体圧力感知装置を提供する。
【解決手段】支持構造１２ａと当該支持構造に取り付けられたダイアフラム１２ｂを有する圧力感知変換器１２を含み、ダイアフラムは、流体接触面を有する。ハウジング１６は、底壁と当該底壁から上方に延在するハウジング側壁１６ｆによって規定された変換器受け取り空洞を有する。底壁には、流体圧力受け取り窪みが形成され。流体圧力ポート１６ｃは、流体圧力受け取り窪みに連通するようにハウジング内に形成される。ダイアフラムは、支持構造と流体圧力受け取り窪みとの間に位置決めされ、支持構造の側壁の周囲のシール１８の材料は、圧力感知変換器をハウジング内に固定し、かつ密閉シールを提供する。 （もっと読む）

【課題】許容過負荷を超えるオーバー圧がかかっても精度低下を生じることがなく、かつ、測定する流体の滞留を少なくできる圧力検出装置を提供すること。
【解決手段】一面に受圧面１Ｃが形成されるケース１の内部に取付孔１Ａが形成され、このケース１の取付孔１Ａに基板２０が固定され、この基板２０にダイアフラム２１が対向配置され、このダイアフラム２１と基板２０とにダイアフラム２１の変位を検出する変位検出部２２が設けられ、ダイアフラム２１の基板２０と対向する面とは反対側の面に密接して隔膜２３が設けられるとともに、この隔膜２３の外周部２３Ａがケース１の凹部１Ｄに固定される。隔膜２３はケース１の受圧面１Ｃと面一になるよう配置され、かつ、外周部２３Ａとダイアフラム２１に接する中央部２３Ｂとの間に応力を吸収する応力吸収部２３Ｃが設けられる。 （もっと読む）

【課題】受圧膜を簡易な作業で適切に固定することができる睡眠指標測定装置用の圧力検出装置を提供する。
【解決手段】第１筐体部２０の内周面にはネジ溝が形成される。支持部５０の外周面にはネジ溝５６が形成される。ネジ溝とネジ溝５６との噛合で第１筐体部２０と支持部５０とが相互に固定される。受圧膜３０は、第１筐体部２０が形成する第１流体室Ｒ1と支持部５０が形成する第２流体室Ｒ2とを仕切るように第１筐体部２０と支持部５０との間に挟持され、第１流体室Ｒ1内の圧力変化を第２流体室Ｒ2に伝達する。圧力検出体６０は、第２流体室Ｒ2内の圧力に応じた検出信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型圧力センサを小径化する。
【解決手段】ダイアフラムが接合される本体部２１と、本体部２１に形成された電極固定孔２１１に挿入される固定電極２２と、小径部２３ａ及び大径部２３ｃを有するガード電極２３と、ガード電極２３の大径部２３ｃ及び固定電極２２を連結する第１封止ガラス２４と、ガード電極２３の小径部２３ａ及び本体部２１を連結する第２封止ガラス２５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】１つの真空計で測定が不連続になること無く、広い範囲の圧力を測定可能な真空計を提供する。
【解決手段】振動体と、振動体を静電力により駆動する加振電極部と、振動体を加振する駆動信号を生成する駆動信号生成部とを有し、駆動信号を加振電極部に印加して振動体を共振状態に保持し、振動体の振動特性から雰囲気の圧力を測定する圧力測定部を備えてなり、前記振動体を共通の雰囲気内に複数個備え、各振動体により測定可能な圧力範囲をそれぞれ異ならせ，かつ，前記圧力範囲を一部オーバーラップさせて構成し、各振動体に対応させて前記圧力測定部を複数個設け、各圧力測定部の圧力測定信号同士を組合せて演算する演算部を有する演算処理ユニットを備え、常時各圧力測定部による各圧力測定を行なうとともに、演算部による組合せ演算値に基づく演算処理ユニットの出力信号を真空計の圧力測定信号とする。 （もっと読む）

【課題】利用可能な様式で再現性よく製造され得る、単純な構造体を有するキャパシタンスダイアフラムゲージを提供する。
【解決手段】圧力を測定するためのキャパシタンスダイアフラムゲージ１００は、シム１２２または他の隆起外周部分を介して本体構造体１１０に設置された、低いヒステリシス特徴を有するフラッシュダイアフラム１２０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】リード線における応力の発生を低減可能な電子デバイスおよび電子デバイスの実装方法の提供。
【解決手段】油圧ハウジング３に取り付けられたフレーム４には、回路基板５が油圧ハウジング３と対向するように取り付けられている。油圧ハウジング３に形成された油圧管路３１内の液圧を検出するように、油圧ハウジング３に取り付けられた圧力センサ２のセンサ本体２１からは、３本のリード線２２が突出している。リード線２２の先端は、回路基板５のスルーホール５２に挿通された後、はんだ付けされている。各々のリード線２２は、センサ本体２１に接続された延出部２２１、回路基板５にはんだ付けされた取付部２２３、および延出部２２１と取付部２２３との間に配置されるとともに、巻回されたコイル部２２２を備えている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を単一のシリコン基板上に製造することが可能で、これにより製品の小型化と大量生産による製造コストの低減が可能となる。
【解決手段】複合型圧力計の製造方法は、静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を含む複合型圧力計の製造方法であって、エッチングにより、シリコン基板の第一面側に第一溝部と第二溝部を形成する溝形成工程と、シリコン基板の第一面側で第一溝部と第二溝部を覆うように、シリコン基板にガラス基板を接合する接合工程と、を含む。 （もっと読む）