【課題】低コストのマイクロ電気機械システムセンサを提供する。
【解決手段】マイクロ電気機械システムセンサ２０は、基板２１、基板２１に位置するマイクロ電気機械システム部品エリア２７、薄膜層２９、接着層２２、および、複数のＳｉ貫通電極２６を備える。基板２１は、第一表面２１１および第二表面２１２、ならびにマイクロ電気機械システム部品エリア２７を有する。薄膜層２９は、マイクロ電気機械システム部品エリア２７に被さってチャンバを密閉することによって密閉空間を形成する。キャップ２４は、接着層２２によってマイクロ電気機械システム部品エリア２７に固着する。複数のＳｉ貫通電極２６は、第二表面２１２まで伸びるようにマイクロ電気機械システム部品エリア２７に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】センサが高温となるように構成される圧力センサ装置において、センサと回路部とを接続する構造体の耐熱性、機械的強度、電磁シールド性を高める。
【解決手段】外部から導入されるガスの圧力を検出するセンサ３０と、センサ３０を加熱するヒータと、センサ３０及びヒータを収容するパッケージ１０と、センサ３０で検出した検出出力に基づいてガスの圧力を表す出力信号を発生する回路部７０と、回路部７０を収容する回路収容部７１と、を備える圧力センサ装置１である。パッケージ１０と回路収容部７１とを別々の筐体で構成するとともに接続構造体９０を介して離隔配置する。接続構造体９０は、パッケージ１０内のセンサ３０と回路収容部７１内の回路部７０とを接続する電極リードピン４１と、電極リードピン４１の外周を覆う絶縁パイプ８１と、絶縁パイプ８１の外周を覆うコイルばね８２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被測定圧力の変化を静電容量の変化として検出するダイアフラム構造を備えた圧力センサにおいて、圧力センサのパッケージにリードピンを気密封止するハーメチックシール部に作用する応力を大幅に低減する。
【解決手段】筒状のハウジング１２及びハウジング１２の端部に接合される板状のカバー１３を有するパッケージ１０と、パッケージ１０の内部に形成される基準真空室１０Ｂと圧力導入部１０Ａとを隔絶する圧力検出用のセンサチップ３０と、センサチップ３０に電気的に接続されるとともにカバー１３の挿通孔１３ａを介してパッケージ１０の外部に露出するリードピン４１と、挿通孔１３ａとリードピン４１との間を気密的に封止する封着用ガラスで構成されるハーメチックシール部４３・６０と、を備える圧力センサ１０であって、カバー１３の内側面に凹部１３ｂを形成することにより応力吸収用の薄肉部１３ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】特定周波数帯の圧力を検出することが可能な圧力検知素子を提供する。
【解決手段】圧力検知素子１は、貫通孔１１から気体を導入して基板表面に形成された流路１２に導き、流路１２を介して圧力を検出する圧力センサ部３０まで気体を導くものである。この圧力検知素子１の圧力センサ部３０は、気体の圧力に応じて変位するダイアフラム１３と、当該ダイアフラム１３の変位により一対の電極３１間の距離が増減する空間部２１と、電極３１間の距離の増減に応じた信号を出力するセンサ部３１とを有している。また、流路１２の長さｌ及び流路径ｄとにより、検出対象となる周波数域が設定されている。 （もっと読む）

【課題】特定周波数帯の圧力を検出することが可能な圧力検知装置を提供する。
【解決手段】圧力検知装置１は、流体の圧力に応じて変位するダイアフラム１１ａを有し、当該ダイアフラム１１ａの変位に基づいて信号を出力する圧力センサ１０と、圧力センサ１０の周囲を覆って空間部２５を形成するパッケージ２０と、を備え、パッケージ２０は、ダイアフラム１１ａの下部に流体を導入する導入孔２３ａと、導入孔２３ａよりも小径とされダイアフラム１１ａの上部に流体を導入する小孔２３ｂとが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 圧力検出装置用パッケージの圧力の測定範囲を拡げる。
【解決手段】 基部１１および基部１１の上部に位置する枠状部１２を有する絶縁基体１と、枠状部１２の内側であって、基部１１の上面に設けられた第１電極層３と、第１電極層３の上面との間に気密封止された空間を形成するように枠状部１２上に接合された、内面が上方に反っているダイヤフラム２と、ダイヤフラム２の内面であって平面視して第１電極層３と重なる領域に設けられた第２電極層４とを備えている圧力検出装置用パッケージ１０である。撓むことのできる範囲を拡げることが可能になるので、圧力の測定範囲を拡げることができる。 （もっと読む）

【課題】出力信号の感度温度係数を低減することができる感度温特補正回路を提供する。
【解決手段】センサ部３０から物理量に応じた検出信号が入力されると共に可変抵抗Ｒ２を介して基準電圧が入力される第１オペアンプ１を有し、第１オペアンプ１に可変抵抗Ｒ２と抵抗温度係数の異なる帰還抵抗としての可変抵抗Ｒ１が接続されて構成される第１感度温特調整部１０と、第１感度温特調整部１０から出力された出力信号が入力される第２オペアンプ２を有し、第２オペアンプ２に接続される帰還抵抗Ｒ３と、第２オペアンプ２の入力端子に接続されると共に第１オペアンプ１の出力端子に接続され、第２オペアンプ２に接続された帰還抵抗Ｒ３と抵抗温度係数の異なる可変抵抗Ｒ４と、を有する第２感度温特調整部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を感度良く検出することができる圧力センサ用パッケージおよび圧力センサを提供することにある。また、圧力センサ用パッケージの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧力センサ用パッケージは、内部空間Ｓを有する絶縁構造体１と、内部空間Ｓの互いに対向する内壁面の上側及び下側のそれぞれに設けられた上側電極６及び下側電極５とを備え、内壁面の上側或いは下側の少なくとも一方が、外部からの圧力が印加された際に可撓する可撓領域を有する圧力センサ用パッケージであって、絶縁構造体１には、内部空間Ｓから絶縁構造体１の外表面まで延びる空隙部７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低コスト化かつ小型化を実現できる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧力センサ１は、内部に基準圧室８が形成されたシリコン基板２と、シリコン基板２の一部からなり、基準圧室８を区画するようにシリコン基板２の表層部に形成されたダイヤフラム９と、ダイヤフラム９の周囲を取り囲んでダイヤフラム９をシリコン基板２の他の残余部分１１から分離する分離絶縁層１０とを含んでいる。ダイヤフラム９には、基準圧室８に連通した貫通孔１２が形成されていて、貫通孔１２内には、充填体１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】振動式トランスデューサの製造工程を簡略化するとともに、簡易にセンサ性能の向上を図れるようにする。
【解決手段】振動子が形成された第１のシリコン基板の振動子形成面側に、絶縁膜を挟んで第２のシリコン基板を接合させる工程と、第２のシリコン基板を、振動子を覆うとともに、振動子の励振または振動周波数検出のための電極として機能するシェルに加工する工程と、シェル内を真空封止する工程とを含む振動式トランスデューサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧力基準室として気密性の高い密閉空間が形成された圧力センサを提供する。
【解決手段】基板の厚さ方向と直交する面に凹部が形成された支持部と、前記基板の厚さ方向に直交する方向に薄いダイヤフラムであって、端部が前記凹部の側壁および底部と結合し前記凹部を二分しているダイヤフラムと、二分されている前記凹部のうち一方の凹部を前記支持部と前記ダイヤフラムとともに密閉している蓋部であって、前記支持部および前記ダイヤフラムと直接結合している蓋部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 耐食性を有しながらも圧力の検出の性能を従来より向上することができる圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 圧力検出装置１０は、気体が接触する接ガス面２０ａが形成されて気体の圧力を検出する静電容量型の圧力センサモジュール２０を備えており、圧力センサモジュール２０は、接ガス面２０ａに施されたアモルファス金属の保護膜２５と、保護膜２５に覆われて気体の圧力に応じて変位するシリコンダイヤフラム２２ａとを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動片の小型化に伴う、電極や配線を形成する際の負担を軽減すること。
【解決手段】振動片１００は、基部１０と、基部１０から、第１方向（Ｘ軸方向）に延出し、平面視において第１方向に垂直な第２方向（Ｙ軸方向）に幅ｗを有し、且つ、第１方向および第２方向に垂直な第３方向（Ｚ軸方向）に厚みｔを有する振動腕２０と、振動腕２０の第３方向に垂直な第１面Ａおよび第１面Ａに対向する第２面Ｂに設けられ、第１方向に電極指を配列してなる第１櫛歯電極（第１電極４１ａ、第２電極４１ｂ）、第２櫛歯電極（第１電極４１ｃ、第２電極４１ｄ）と、を含み、両櫛歯電極によって生じる第１方向の電界（Ｅｘ１，Ｅｘ２）により、振動腕２０に第１方向の伸縮を生じさせて、振動腕２０を第３方向に振動させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを有する圧力センサであっても、狭い範囲の圧力値を高精度に知る。
【解決手段】圧力センサ１は、所定範囲の圧力を計測するセンサ素子１１とセンサマイコン１２を含む。センサマイコン１２は、センサ素子１１により計測可能な所定範囲の圧力のうち、圧力値として出力可能な範囲を設定するゼロ点設定部と、計測圧力値とゼロ点設定部により設定された出力可能な範囲に含まれる出力圧力値との対応テーブルを記憶するテーブル記憶部と、計測圧力値がゼロ点設定部により設定された出力可能な範囲である場合に、対応テーブルを参照して、計測圧力値を出力圧力値に変換する。 （もっと読む）

【課題】常用領域の検出感度の低下を抑制しつつ、ダイアグ領域を設けることのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】センシング部１０から出力された電気的信号に対して所定の増幅ゲインを乗算すると共に所定のオフセット値を加算して出力する第１処理部２２と、センシング部１０から出力された電気的信号に対して、第１処理部２２と異なる増幅ゲインを乗算すると共に第１処理部２２と異なるオフセット値を加算して出力する第２処理部２３と、を有する信号処理部２０と、信号処理部２０から出力された二つの電気的信号のうち出力電圧が大きい信号または出力電圧が小さい信号を選択して出力する選択部とを備える。そして、選択部３０から出力される電気的信号の圧力と出力電圧との出力特性が二直線で示されるようにし、二直線のうち傾きが大きい直線の検出領域を常用領域とすると共に傾きが小さい直線の検出領域をダイアグ領域とする。 （もっと読む）

【課題】 温度検出機能を備えた圧力検出用パッケージを小型化する。
【解決手段】 絶縁基体１と、絶縁基体１の上面に形成された静止側電極パターン１１と、絶縁基体１上に静止側電極パターン１１を囲むように設けられた枠状部２と、絶縁基体１および枠状部２との間に密閉空間を形成するように枠状部２上に設けられたダイヤフラム３と、ダイヤフラム３の下面に設けられた、静止側電極パターン１１との間に静電容量を形成する可動側電極パターン３１とを備えており、可動側電極パターン３１は温度の変化に応じて抵抗値が変化するものであり、可動側電極パターン３１に接続された、抵抗値を計測するための配線導体７をさらに備えており、可動側電極パターン３１における電流の流れる方向に垂直な断面の断面積が、配線導体７における電流の流れる方向に垂直な断面の断面積よりも小さい圧力検出用パッケージ１０である。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる、センサ装置を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、実装基板１２と、半導体圧力センサ１１と実装基板１２との間に挟まれたレジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄとを備え、半導体圧力センサ素子１１と実装基板１２がワイヤボンディングされる、圧力センサ装置であって、レジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、半導体圧力センサ素子１１の取り付け面１１ａ１とダイボンド樹脂１５によって接着される被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１を有し、被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１の総面積が、取り付け面１１ａ１の総面積よりも小さいことを特徴とする、センサ装置。 （もっと読む）

【課題】圧力だけでなく温度をも検出できる静電容量型圧力センサを得る。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサ１００は、第１の電極部４が形成されている基板１と、基板１の表面に絶縁体層２を介して形成されている第２の電極部７と、金属間接合によって形成されたボンディング層８を介して第２の電極部７に一部が接続され、圧力に応じて変形するダイアフラム部１０と、絶縁体層２の表面に形成されている少なくとも白金を含む材料からなる温度センサ部２２と、を備えている。 （もっと読む）