【目的】本発明は、面積測定方法および面積測定プログラムに関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定してその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線で囲まれた内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体検査において、設計データと撮影した半導体デバイスの画像を利用して、ＳＥＭ画像に含まれたノイズとパターンを精度よく分離する方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料への電子ビームの照射に基づいて得られる画像から、前記試料上に形成されたパターンを細線化した画像を形成する際に、前記パターンを形成する線分の方向ごとに、予め登録された前記パターンのホワイトバンドの輝度分布情報を用いたピーク位置の検出を行い、当該検出によって、前記パターンの細線部分を抽出し、当該抽出に基づいて前記細線化されたパターンを表した画像を形成する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置における倍率校正を精度良く行うために校正位置の特定が容易な校正用標準部材及びそれを用いた電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料４、５が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板１に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム１１を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン３を有し、該線状パターン３の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】ベッド位置決め時の操作者の入力の煩雑さを解消しつつ、ベッド位置決めの精度維持を容易とし、ベッド位置決め時間の短縮化を可能とする。
【解決手段】
治療計画時に計算点をＣＴ画像上にて設定し、設定した計算点の三次元座標値をＤＲＲ画像内に設定する。ベッド位置決め装置１１５はＤＲＲ画像を画像サーバ１０９から読込んだ時点でＤＲＲ画像内に設定されている計算点座標値を読み取り、モニタ１１６にＤＲＲ画像と共に表示するとともに、位置決め装置１１５にＤＲ画像データが読込まれると、モニタ１１６上にＤＲ画像を表示するとともにＤＲＲ画像上に設定されている計算点をＤＲ画像にも設定する。 （もっと読む）

【課題】測定位置を特定するためのパターンマッチングにおいて、大きさが変動することを想定したテンプレートの登録を簡便に行う処理及び、測定に十分な位置精度が得られ、なおかつ処理が高速なパターンマッチング処理を実現する。
【解決手段】測定位置を指定した際に測定位置そのものとは異なる位置決め用のテンプレートの大きさと位置を自動的に算出する手段を有し、算出したテンプレートの大きさと位置を表示する。また、分割された複数のテンプレートの全て、あるいはいくつかを用いて、パターンマッチングを行い、元の位置関係と相似であるものを抽出する構造マッチングを行う手段を有する。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 リムとタイヤの組付け状態を、タイヤの一周に渡り短時間で連続的に測定できる、リム組付けタイヤの組付け状態測定方法を提供する。
【解決手段】 タイヤ内部構造測定装置１０に、リム３０にタイヤ５６を組み付けたリム組付けタイヤ１２を回転可能に支持し、リム組付けタイヤ１２を、押圧負荷のない無負荷状態で回転させ、Ｘ線照射装置２０からＸ線をリム３０の接線方向に照射し、Ｘ線検知装置２２により、リム３０とタイヤ５６との組付部のＸ線透過情報を所定のタイミングで取り込み、取り込んだＸ線透過情報に基づいて、画像形成処理部２８で接線方向透過画像を形成し、得られた接線方向透過画像を用いて、リム３０とタイヤ５６の特定部位の位置情報を得る。 （もっと読む）

【課題】高炉の炉内状況の推測は温度計測に依存しているのが現状で、耐火レンガの損耗を推定するのに利用された宇宙線ミュオンを用いて炉内状況の推定を行う。
【解決手段】宇宙線ミュオンを計測する計測装置により高炉を透過して飛来する高炉透過の宇宙線ミュオン強度と、該高炉透過の宇宙線ミュオンの飛来方向の判別情報と、高炉を非透過の非透過宇宙線ミュオン強度とを一定時間蓄積し、該実測による蓄積データに基づいて、高炉の状態を密度として炉底透過の宇宙線ミュオン強度と非透過宇宙線ミュオン強度との強度比で表し、特定箇所における強度比より当該箇所に存在する炉内充填物の密度を求め、該密度より炉内を構成する充填物を推定する。 （もっと読む）

【課題】計測対象物の画像データに基づいて当該計測対象物の測定を行うに当たり、自動的に最適なエッジ抽出法が適用される構成を提供することを目的とする。
【解決手段】画像データに、当該画像の撮像に係る所定の撮像条件データを添付しておき、当該画像データに基づいて前記計測対象物の計測を行うために計測対象物の輪郭に対応するエッジを抽出する際、当該画像データに添付された撮像条件データに基づいて当該画像データについて適用するエッジ抽出方法を決定するようにした。 （もっと読む）

【課題】
より微細な基準寸法を有する測長用標準部材およびその作製方法を含む電子ビーム測長技術を提供する。
【解決手段】
光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第１の回折格子の配列（１）よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第１の回折格子の配列（１）内の一部に、前記第１の回折格子とは異なる第２の回折格子の配列（２）を所定の周期で内在させた構成を有する。前記第１の回折格子および前記第２の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク（３）が配置されている。また、前記パターンは、最小ピッチ寸法が１００ｎｍ以下である配列パターンを含む。パターン作製法として、電子ビーム一括露光法を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発錆部位の検出と共に、発錆部位の補修の要否を判定できる表面が被覆された円筒部材の錆検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、表面が外被部材２被覆された円筒部材（１）の錆検査方法として、外被部材２の上から円筒部材（１）の表面の発錆部位を検出し、その後、外被部材２の上から発錆部位における円筒部材（１）の減肉量を測定するようにしたのである。
このように、発錆部位を検出した後、発錆部位における円筒部材（１）の減肉量を測定することで、発錆部位の補修の要否を判断することができ、外被部材を不用意に撤去する無駄な作業を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】探索画像中にテンプレートと類似したパターンが存在する場合でも正確なマッチング位置を出力する、探索画像においてテンプレートマッチングを行う検査装置を提供する。
【解決手段】テンプレート選択画像からテンプレートを切出すテンプレート切出し手段と、前記テンプレート選択画像における前記テンプレートとの類似度の分布である周辺類似度分布情報を算出する周辺類似度算出手段と、前記探索画像における前記テンプレートとの類似度の分布である探索画像類似度分布情報を算出する探索画像類似度算出部と、前記周辺類似度分布と前記探索画像類似度分布情報との間の類似度分布間類似度情報を算出する類似度分布間類似度算出手段と、前記類似度分布間類似度に基づいてマッチング位置を決定するマッチング位置決定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】部品が両面に実装された基板を検査するための検査装置を提供する。
【解決手段】基板の検査装置が実行する処理は、片面のみに電子部品が実装された基板の第１の光学画像とＸ線透過画像との各位置確認マークを一致させて、電子部品の基準画像を生成するステップ（Ｓ８２０）と、両面に電子部品が実装された基板の第２の光学画像と第２のＸ線透過画像との入力を受けるステップ（Ｓ８３０）と、第１の光学画像と第２の光学画像とを比較して位置ずれ量を算出するステップ（Ｓ８４０）と、位置ずれ量を用いて第１の光学画像を補正して第３のＸ線透過画像を作成するステップ（Ｓ８５０）と、第２のＸ線透過画像から第３のＸ線透過画像を差し引いて第４のＸ線透過画像を導出するステップ（Ｓ８６０）と、第４のＸ線透過画像に基づいてはんだ付け部の合否を判定するステップ（Ｓ８７０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】外観検査において、全体の欠陥捕捉率を高く維持しながら虚報を抑制することにより実質感度を向上する技術を提供することにある。
【解決手段】外観検査において、予備検査を行って、欠陥候補の検出と同時に少なくとも１ダイ分の画像情報（背景情報）を取得し、該取得した画像情報と検出された欠陥候補のダイ内座標位置情報を重ねて表示し、それらの情報（背景の類似と欠陥候補の密集状態）を基に虚報のグループを推定して非検査領域あるいは感度低下領域を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タイヤの目視・自動判定の検出精度を向上することができるタイヤ検査方法を提供する。
【解決手段】ｙ１の位置に配置したＸ線源１１が、Ｘ線α１，α２をタイヤ１３のポイントＡ，Ｂにそれぞれ照射し、ポイントＡ，Ｂに対応するカメラ１２上の座標ｘ１，ｘ２を取得する。次いで、ｙ２の位置に配置したＸ線源１１が、Ｘ線α３，α４をタイヤ１３のポイントＡ，Ｂにそれぞれ照射し、ポイントＡ，Ｂに対応するカメラ１２上の座標ｘ３，ｘ４を取得する。次いで、Ｘ線α１，α３との交点及びＸ線α２，α４の交点を求めることによって、ポイントＡ，Ｂの座標を求める。次いで、ポイントＡ，Ｂの座標を用いて、ポイントＡ，Ｂ間の実際の距離ｔを求める。次いで、ポイントＡ，Ｂ間の画像上の距離を、ポイントＡ，Ｂ間の実際の距離ｔに変換する。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】外乱が現れているＸ線撮影画像においても、被測定物に生じている亀裂の位置やその深さを精度良く検出することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被測定物のＸ線撮影画像から注目部位を抽出する注目部位抽出部１１と、注目部位の輝度およびその近傍領域の輝度に基づいて、注目部位の特徴量を決定する特徴量決定部１２と、特徴量に応じて、注目部位の亀裂深さを決定する亀裂深さ決定部１３とを具備する検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン照合方法およびパターン照合装置に関し、平坦試料上で電子光学系の焦点深度を超えた歪みがある場合などに再フォーカス合わせによる電子光学系のパラメータの変化による影響を受けることなく平坦試料の全面に渡って高精度にパターンマッチングしてパターンの位置およびパターン測長を正確に行うことを目的とする。
【解決手段】フォーカスしたときの焦点位置Ｚ０を取得して記憶するステップと、フォーカスしたときの焦点位置Ｚ１を取得するステップと、焦点位置Ｚ０と焦点位置Ｚ１との差ΔＺをもとに、テーブルを参照して回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１を算出するステップと、回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１した設計データパターンを生成するステップと、生成した設計データパターンと、他の場所にフォーカスして取得した画像上のパターンとを照合し、パターンの位置および寸法のうちの必要なものを測長するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】スポットビーム型電子ビーム露光装置及び電子ビーム位置変動抑制方法に関し、各種の外乱に起因する電子ビームの位置変動をリアルタイムに抑制する。
【解決手段】電子源１から放出された広い断面積の電子ビームを一つの描画用電子ビーム３とそれを取り囲む四つの検出用電子ビーム４とに分ける五つの孔を配置したビーム制限絞り２と、四つの検出用電子ビーム４を四極子のレンズと双極子の偏向との重畳電場内に通過させる電場発生機構５と、描画用と検出用の双方電子ビームに作用するコンデンサレンズ６と、描画用電子ビーム３を照射面に集束させる対物レンズ８の主面付近の上下に検出エッジ及び検出器の組み合わせからなる電子ビーム検出機構９をｘ，ｙ方向に計四つ配置し、一方の方向から二つの検出信号を処理する検出信号処理回路１１を各々の方向に備え、各検出信号処理回路１１からの出力により描画用電子ビーム３を偏向させる偏向器７を備える。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）