【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
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【課題】
半導体製造工程における材料、プロセス、露光光学系の特徴が現れる、微小パターンのラインエッジ形状の分析を非破壊検査により行い、定量的に分析し、製造工程の欠陥や観察装置の画像歪みを見出すパターンエッジ形状検査方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたパターンを荷電粒子線を用いた走査型顕微鏡により観察して（４１）得られる２次電子強度あるいは反射電子強度の２次元分布情報（４２）からパターン形状を検査する方法であって、２次元面内におけるパターンのエッジの位置を表すエッジ点の集合をしきい値法により検出する工程（４５）と、検出されたエッジ点の集合に対する近似線を得る工程（４８）と、エッジ点の集合と近似線との差を算出する（４９）ことにより、エッジラフネス形状と特性を求める工程とを具備し、しきい値法に用いるしきい値として、複数個の値を用いる。 （もっと読む）

【課題】プログラム可能な反射板アレイを使用して捕捉されたマイクロ波画像のバックグラウンドノイズを最少にするシステムを提供すること。
【解決手段】マイクロ波源と、マイクロ波受信器と、各アンテナ素子が、ターゲットにマイクロ波放射を反射し、前記ターゲットから反射されたマイクロ波照明を前記マイクロ波受信器の方に反射するように位相ずれをプログラムされた反射板アンテナアレイと、前記複数のアンテナ素子に第１の位相ずれと第２の位相ずれをプログラムすることができ、前記それぞれの複数のアンテナ素子の前記第１の位相ずれと前記第２の位相ずれが１８０度異なるプロセッサとを具備し、前記プロセッサが、さらに、前記第１のマイクロ波画像と前記第２のマイクロ波画像の組み合わせからノイズを最小にするように動作可能である、マイクロ波画像形成システム。
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【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ，前記パラメータを調整することにより，形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため，多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ，別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し，計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ高速な半田ボール接合不良検査方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡパッケージとプリント基板１０３との接合部の外観検査時に、当該プリント基板に塗布されるクリーム半田部に対して該ＢＧＡパッケージの半田ボール１０４により接合する際のプリント基板１０３との接合部分のＸ線検査方法において、３次元画像データを再構成して生成された３次元画像データよりＸ線透過率を利用して半田ボール部位の画像データを抽出し、その抽出した半田ボール部位における画像データの特徴量を抽出し、当該抽出した特徴量により半田ボール１０４とプリント基板１０３の接合状態の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 ナノオーダーでの生物現象を高時間分解能で計測する。
【解決手段】 反射型電子顕微鏡４は、バイオセル１２の表面に入射線１５を照射し、その反射散乱線２１の二次元強度分布である連続画像を撮影する。透過型電子顕微鏡５は、反射型電子顕微鏡５による撮影終了後に、静止したバイオセル１２の表面１２ａの三次元形状と、静止した生体試料１１の三次元形状を撮影する。解析装置は、反射型電子顕微鏡４及び透過型電子顕微鏡５の撮影した画像に基づいて、反射型電子顕微鏡４の撮影開始時刻から撮影終了時刻までの生体試料１１の変形及び運動を計算する。 （もっと読む）

【課題】 低加速電圧を用いた高精度な三次元解析を行える走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 二次電子検出器１２よりも電子源側に、４分割された変換電極２１ａ〜２１ｄが配置されている。変換電極２１ａは対物レンズの下面（試料側）より上方に配置されており、その変換電極２１ａに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、変換電極２１ａの近傍の二次電子検出器１２ａに捕集される。同様にして、変換電極２１ｂに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｂにより捕獲され、変換電極２１ｃに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｃにより捕獲され、変換電極２１ｄに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、二次電子検出器１２ｄに捕集される。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】デジタル画像上で測定を実施する。
【解決手段】 共通座標系内の第一の画像内の対応する構造上に第二の画像の構造を写像するために、第二画像に幾何学的変換を用いることにより、第一及び第二の画像を共通座標系内で表示する。初期値から出発して、費用関数の評価結果を考慮して幾何学的変換のパラメーターを更新する。測定は共通座標系内で行なわれる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

本発明は、ワークピース（９）に対して不動に位置決めされている第一座標系を固定すること、 ワークピース（９）の第一座標を、第一座標測定装置（３）を使用することにより測定すること、 ワークピース（９）の第二座標を、第二座標測定装置（５）を使用することにより測定すること、そして 第一座標と第二座標から、共通の座標組を、ワークピース（９）に不動に位置決めされた座標系に対する第一座標系においてあるいは第二座標系において作ることを特徴とするワークピース（９）の座標を確定するための方法に関する。特に多数のワークピース（９）の座標はワークピース（９）の製造工程および／または加工工程の最中および／または後に確定することができる。さらに本発明はワークピース（９）が両座標測定装置（３，５）を用いた測定の間に位置および／または姿勢が変化する場合にも関する。
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