【課題】ドリフトが生じやすい試料であっても、輪郭の明瞭さが安定した試料像を得ることができる画像形成方法及びその方法を用いる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】画像形成方法は、試料Ｓをラインスキャンによって撮像し、第１の画像データを得る第１の撮像工程と、第１の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第１の数値化工程と、第１の数値化工程で得られた第１の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ１から、明瞭さの閾値Ｍｓを設定する閾値設定工程と、試料Ｓをエリアスキャンによって撮像し、第２の画像データを得る第２の撮像工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第２の数値化工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ２が閾値Ｍｓを満たしているか判定する判定工程と、判定工程の結果に基づいて、画像を選択して記憶する記憶工程とを備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによって得られたパターン画像のボケを除去し、ＡＦＭなどの他の計測機で得られたパターンの高さ方向の情報と合わせ、試料表面のパターンの３次元形状を簡便にかつ精度良く計測する方法を提供する。
【解決手段】試料表面のパターンに収束させた電子ビームを照射して走査し、ＳＥＭ画像を取得し、前記ＳＥＭ画像から作成したＳＥＭ画像のコントラスト形状と、１次電子ビームの強度分布とから、デコンボリューション操作により前記パターンの２次電子の発生効率を算出し、予め走査型プローブ顕微鏡で前記パターンの形状を計測して得た深さ方向の情報を基に予測した前記パターンの２次電子の発生効率とを用い、前記各々の２次電子の発生効率を比較照合し、前記パターンの三次元形状を求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定対象の汚染を適切に防ぐことができ、また、測長処理にかかる時間を短縮することができる電子ビーム測長装置及び測長方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生する電子銃１６と、電子ビームを偏向する偏向器２６と、測長対象１２を載置可能なステージ１４部と、電子ビームに起因して飛散する電子を検出する検出器３６と、測長対象内の所定の測長部分が存在すべき設計位置を特定する設計位置情報を記憶する記憶部５０と、設計位置情報に基づいて、偏向器２６により所定の測長部分が存在すべき設計位置に電子ビームが照射されるように電子ビームを走査し、電子ビームが走査されている際に、検出器３６により逐次検出される電子の変化状況に基づいて、測長部分の長さを測る測長制御部５８とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】原子スケールで制御されて作製された３次元構造を持ち、その構造が大気中でも安定であり、かつＳＥＭやＳＴＭでも観察可能な導電性を持つ計測標準試料を提供すると共に、計測標準試料を使用した走査型顕微鏡（ＡＦＭ、ＳＴＭ、ＳＥＭ、ＳＬＭ等）の校正方法を提供する。
【解決手段】主表面｛１１１｝面又は｛１１１｝面から１０度以内のオフ角の単結晶ダイタモンド基板と、該単結晶ダイタモンド基板上に形成された１ステップ高さ；０．２０６ｎｍの原子的に平坦なテラス面をｎ段（ｎ≧１の整数）有する三角形島構造体とを備え、三角形島構造体のテラス面のステップ段差を高さの標準とするナノメートルスケール計測を行うための計測標準資料として利用する。 （もっと読む）

【課題】
試料像のふちにカーソルを正確に位置付けすることを可能として、２本のカーソル間の寸法を求めることができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
試料の画像を表示するディスプレイと、試料の画像上に寸法測定用のカーソルを重ねて表示させるコンピュータとを備え、該コンピュータは、カーソルをディスプレイへ表示された試料の画像の所望の位置へ移動させることによって、カーソル間の距離を演算し、ディスプレイへ表示させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レイヤ間の重ね合わせのずれ量を小さな面積のパターンで正確に測定することができる合わせずれ測定方法を得ること。
【解決手段】複数レイヤのパターンを積層して作製される半導体装置に対してレイヤ間の重ね合わせのずれ量を合わせずれ量として測定する合わせずれ測定方法において、上層側のレイヤＬｕで環状に形成された第１の環状パターンと第１の環状パターンと同心円上に配置されるよう下層側のレイヤＬｄで環状に形成された第２の環状パターンとの距離を測定するとともに、この測定結果を用いて合わせずれ量を算出する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターンと基準パターンとが著しく異なる場合であっても、適切なマッチングを行う。
【解決手段】プロセスパラメータの変動に応じてその形状が基準パターンから変化した変化パターン群を作成し、該変化パターン群における形状の変化量を算出し、算出された形状の変化量を基準パターンのエッジ点の情報に付加する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物の像を検出する画像検出部６、検出した画像を処理する画像処理部９１、被検査物をスキャンするビーム制御系９２およびステージ制御系９３を有するスキャン制御部を備えた画像検出部１０と、検出した画像から外観を検査する外観検査処理部２０とを備えた外観検査装置において、外観検査処理部１０が、取得した複数の像を重ね合わせ、像の各点（ｘ，ｙ）における代表的な値（代表値データμ(ｘ，ｙ)）を求める代表値データ作成処理機能２１２と、複数の像の各点（ｘ、ｙ）における許容範囲の値（ばらつきデータσ(ｘ，ｙ)）とを求めるばらつきデータ作成処理機能２１３と、代表的値データとばらつきデータとを元に、検査対象物の良否を判定する判定処理機能２１４を有する。 （もっと読む）

【課題】
CD-SEM画像からパターンのエッジを抽出する際にパターン上における高さ（基板からの距離を表す値）を指定してエッジ点を抽出する。あるいは、それを行って得られるLER値やLERのフーリエスペクトルを得る。
【解決手段】
あらかじめ同じサンプルをAFMとCD-SEMとで観察しておき(601)、AFM観察結果から、高さを指定して得られるLERの大きさやLERの自己相関距離あるいはスペクトルという指標を求め、さらにCD-SEM観察結果からは、エッジ点を検出する画像処理条件を指定して得られるこれらの指標を求め(602)、値が一致するときにその値を与える高さと画像処理条件とが対応していると判断し（603）、以降、AFM観察の代わりにCD-SEM画像からこの画像処理条件を用いてエッジ点を抽出する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによるマスクのホールパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行うことができる実用的に信頼性が高いパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】マスクの各ホールパターン寸法における回折光強度を測定するステップと、前記パターンをＳＥＭで測定し測長値を得るとともに、コーナーラウンディングの見積りを行うステップと、電磁場解析シミュレーションを行い、回折光強度のシミュレーション値を得るステップと、前記回折光強度測定とシミュレーションとから算出されたパターン寸法値と前記ＳＥＭ測長値とのオフセット量を補正値とし、前記コーナーラウンディングの見積もりからのオフセット量を補正値として決定するステップと、前記補正値を前記ＳＥＭで測定した他のパターン寸法値に適用するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
試料上の欠陥を，画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において，第１の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し，第２の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において，画像取得手段を用いて第１の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し，欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し，取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し，該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い，欠陥と識別された部位のみを第２の倍率で撮像するように装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、ＥＰの座標データと前記ＥＰを含む回路パターンの設計データを入力とし，前記ＥＰ座標データと設計データから，前記ＥＰ内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し，このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】
パターンの形状や試料特性に応じて，高速・高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】設計データや，設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより，画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し，画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに，設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより，類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、停止時のドリフトが小さいステージ機構およびそれを備えた電子顕微鏡装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明では、２以上の伸縮或いは揺動が可能な駆動素子を有し、当該２つの駆動素子の協働によりステージを移動させる試料ステージを提供する。２つの駆動素子の協働により、当該２つの駆動素子の動作を組合わせることによる種々の制御が可能となり、結果として、ステージの移動のみならず、停止時のドリフトの抑制が可能なステージ機構の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）