【課題】フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。
【解決手段】半導体パターンを撮影した画像からパターンの輪郭データ０１０７を抽出する手段と、前記半導体の設計データ０１０２から、パターンの方向に関するデータを生成する手段と、前記輪郭データからパターンの方向のデータを求め、前記輪郭データのパターン位置に対応する前記設計データから生成したパターンの方向に関するデータとの比較により、パターンの欠陥を検出する手段を備えた評価方法、及び検査システムを構築する。 （もっと読む）

【課題】ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出する。
【解決手段】パターン検査方は、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて予め座標データで登録した領域、又は予め登録したパターンと一致するパターンをマスクして欠陥を検出し、この検出した欠陥を表示するようにした。又本発明によるパターン検査方法においては、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて欠陥を検出し、この検出した欠陥のうち登録した特徴に一致する欠陥の表示非表示を切替えるか他と識別可能なように表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドのリード素子の素子形状を評価する素子評価方法及び装置に関し、同一の評価試料によってリード幅、コア幅及び素子高さを評価しうる素子評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料よりなる第１の部分と第２の材料よりなる第２の部分とが積層された第１の領域に電子線を入射し、第１及び第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第１の電子線強度を測定し、第１の材料よりなる第２の領域に電子線を入射し、第１の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第２の電子線強度を測定し、第２の材料よりなる第３の領域に電子線を入射し、第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第３の電子線強度を測定し、第１の電子線強度と第１の部分の厚さとの関係を、第２の電子線強度と評価試料の厚さとの関係及び第３の電子線強度と評価試料の厚さとの関係から算出することにより、第１の領域の第１の部分の厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズがあるパターン画像から算出されるパターンの寸法やエッジの凹凸（エッジラフネス）を算出する際に、より真の値に近い値を得る。
【解決手段】画像内のエッジ近傍を表す帯状領域のうち、幅が狭い部分・広い部分でのエッジ位置の画像処理パラメータ依存性、あるいは、エッジ点がラインの外側にある部分・内側にある部分でのエッジ点位置の画像処理パラメータ依存性を算出し、計測値が真の値に十分近くなる画像処理条件を算出するか、あるいは、真の値を推定する。 （もっと読む）

【課題】ライン・スペース判定方法およびライン・スペース判定装置に関し、ラインとスペースの幅がほぼ同一でしかも明るさ・コントラストが同じような場合であっても画像上でいずれかラインでありいずれがスペースであるかを自動判定し、測長対象のラインあるいはスペースを間違いなく判定して測長する。
【解決手段】ラインとスペースとが混在する領域の画像を取得するステップと、ラインとスペースとが混在する領域を一方向に走査してラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルのラインとスペースの境界を表す部分のピークを検出し、ピークと隣接する他のピークとの間の領域のラインプロファイルの傾きを算出するステップと、算出したピークとピークとの間の領域の傾きの大小をもとに、スペースおよびラインを判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク及びウェハー上に形成された測定対象パターンの測定領域を設定し、測定領域の測定位置を自動的に特定し、パターン計測できるパターン計測装置及びパターン計測方法を提供することを目的とする。
【解決手段】計測機能を有する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等のパターン観察・計測手段１０と、パターン描画データより測定対象パターンの設計図形パターンを取り出す描画データ抽出・変換手段２０と、測定対象パターンに設計図形パターンの形状を合わせ込むパターン形状合わせ込み手段３０と、測定対象パターンの測定領域を設定する測定領域設定手段４０と、測定対象パターンの前記測定領域内のパターン計測を行うパターン計測手段５０と、計測データを処理して、最適のパターン計測値を判定する判定手段６０と、装置全体の制御をつかさどる制御手段７０と、から構成されているパターン計測装置である。 （もっと読む）

【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域（レプリカ領域等）を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成用入力ファイルに対して最適化を行って得られた値を自動でレシピ作成用入力ファイルに反映することにより、最適値・変更値の入力ファイルへの反映の時間を短縮するレシピ作成装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明では、一旦作成したオフラインレシピを編集した場合に変更した値を自動でレシピ作成用入力ファイルに反映することにより、マニュアルで変更点をレシピ作成用入力ファイルに反映して最適化する煩を回避し、処理時間の短縮を図っている。また、走査型電子顕微鏡のレシピから自動でオフラインレシピやレシピ作成用ファイルを逆に作成する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】入力画像の画像幅が変化しても、高い精度にて欠陥検出処理を行うことができる画像処理装置を備えた外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、入力画像を、各々、入力画像の画像幅と同一の画像幅を有し、且つ、所定の画像長さを有する、複数の画像ブロックに分割する。この画像ブロックを、隣接する２つの繰返しパターン毎に比較し、両者の差から欠陥を検出する。画像処理装置は、入力画像の画像幅と画像ブロックの画像長さに関するデータを有しており、入力画像の画像幅が変化しても、画像ブロックの各々を格納することができる画像メモリを有する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、１枚のＳＥＭ画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Ｓｈｉｆｔ_ｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙを算出し、スキャン画像毎のＳｈｉｆｔ_ｘの差分δｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙの差分δｘを算出し、上記差分δｘ又はδｙが閾値を超える場合に、ＳＥＭ画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、面積測定方法および面積測定プログラムに関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定してその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線で囲まれた内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特定の部分の寸法を高精度かつ高速に測定する。
【解決手段】
繰り返し構造からなる第１のパターンと、第１のパターンの上に繰り返し構造を跨いで形成された線状の第２のパターンと、を有する半導体装置の寸法測定に用いられる寸法測定装置である。寸法測定装置は、第１のパターンの形状に関する情報を取得する形状情報取得手段と、第２のパターンの顕微鏡による観察結果から、第２のパターンを構成する各部分の幅値を取得する幅値取得手段と、形状情報取得手段で取得した前記第１のパターンの形状に対応するように、第２のパターン上に複数の解析領域を設定する解析領域設定手段と、設定された解析領域ごとに、幅値取得手段で取得した幅値の中から、解析領域に含まれる部分の幅値を抽出し、抽出した幅値を用いて、第２のパターンの第１のパターンと重なる部分における寸法を決定する寸法決定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ラフネスを考慮したサンプリングによる異種計測装置間のキャリブレーション方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ装置を用いて被計測対象のＣＤ平均寸法及びラフネスを計測するＣＤ−ＳＥＭ計測過程と、該ＣＤ−ＳＥＭ計測過程において計測されるラフネスを統計処理してキャリブレーションに必要な断面計測点数を算出する断面計測点数算出過程と、該断面計測点数算出過程で算出された断面計測点数を満たすように前記被計測対象に対して断面計測装置を用いて断面計測を実施し、該実施された断面計測結果において指定された断面計測高さのＣＤ平均寸法を算出する断面計測過程と、前記ＣＤ−ＳＥＭ計測過程で計測された前記被計測対象のＣＤ平均寸法と前記断面計測過程において算出された被計測対象の断面計測高さのＣＤ平均寸法との差であるキャリブレーション補正値を算出する補正値算出過程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体検査において、設計データと撮影した半導体デバイスの画像を利用して、ＳＥＭ画像に含まれたノイズとパターンを精度よく分離する方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料への電子ビームの照射に基づいて得られる画像から、前記試料上に形成されたパターンを細線化した画像を形成する際に、前記パターンを形成する線分の方向ごとに、予め登録された前記パターンのホワイトバンドの輝度分布情報を用いたピーク位置の検出を行い、当該検出によって、前記パターンの細線部分を抽出し、当該抽出に基づいて前記細線化されたパターンを表した画像を形成する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）