【課題】試料の構成や膜種等によって測長誤差の生じることのない走査形電子顕微鏡の測長方法を提供する。
【解決手段】本発明の走査形電子顕微鏡による測長方法は、対物レンズから試料までの距離を検出するセンサの出力を用いて走査形電子顕微鏡を測定ポイントにオートフォーカスさせ、対物レンズの励磁電流を変化させながら試料から放出された試料信号の変化をモニターしてフォーカスずれに相当する対物レンズの励磁電流ΔIobjを検出する。そして、対物レンズの励磁電流ΔIobjを試料に入射する電子ビームの加速電圧ΔＶに換算し、試料に入射する電子ビームの加速電圧をΔＶだけ変更する。その後、測定ポイントの測長を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型電子線顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】計測対象物の画像データに基づいて当該計測対象物の測定を行うに当たり、自動的に最適なエッジ抽出法が適用される構成を提供することを目的とする。
【解決手段】画像データに、当該画像の撮像に係る所定の撮像条件データを添付しておき、当該画像データに基づいて前記計測対象物の計測を行うために計測対象物の輪郭に対応するエッジを抽出する際、当該画像データに添付された撮像条件データに基づいて当該画像データについて適用するエッジ抽出方法を決定するようにした。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡による観察面の直接観察では発見しにくい、平坦で特徴の少ない面内の極小領域に規則性を持って点在する試料であった場合に、アライメントを容易にする。
【解決手段】走査電子顕微鏡の試料室外もしくは試料室内に、走査電子顕微鏡の観察面に対して斜め方向に光を照射して反射光を検出する光学顕微鏡ユニット２４を設ける。アライメントの際には、複数ある観察対象部位から任意に選択した観察対象部位で、電子顕微鏡の観察面とは異なる端面を斜めから観察した光顕画像を撮影する。撮影した画像をテンプレートマッチングの手法を用いて解析し、実画像上における観察位置の座標情報を推定する。 （もっと読む）

【課題】画像から短時間で画像の特徴点を抽出することを目的とし、特に、磁気記録ヘッドのコアの画像等、輝度値の投影データが特徴的な画像から、短時間で正確に画像の特徴点を抽出することを目的とする。
【解決手段】画像を入力し、該入力画像の各画素の輝度値を所定方向に積算して投影データ曲線を作成し、該投影データ曲線を部分ごとに直線近似し、該近似直線の交点を変曲点として抽出することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
より微細な基準寸法を有する測長用標準部材およびその作製方法を含む電子ビーム測長技術を提供する。
【解決手段】
光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第１の回折格子の配列（１）よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第１の回折格子の配列（１）内の一部に、前記第１の回折格子とは異なる第２の回折格子の配列（２）を所定の周期で内在させた構成を有する。前記第１の回折格子および前記第２の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク（３）が配置されている。また、前記パターンは、最小ピッチ寸法が１００ｎｍ以下である配列パターンを含む。パターン作製法として、電子ビーム一括露光法を用いる。 （もっと読む）

【課題】試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料７を載置するステージ５と、試料７と対向して配置する光電子生成電極５２と、紫外光を照射する紫外光照射手段５３と、紫外光照射手段５３に紫外光を所定の時間照射させて試料７及び光電子生成電極５２から光電子を放出させ、光電子生成電極５２に試料７が放出する光電子のエネルギーと光電子生成電極５２が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、試料７の表面電位を０［Ｖ］にする制御手段２０とを有する。前記制御手段２０は、試料７の表面の電位を一定にした後、試料７の寸法測定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数のパターンが理想的に重ね合わせられている設計データを用いて、パターン画像に表れているパターン間のずれを評価する評価方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための本発明の一例として、上層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第１の距離を測定し、下層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第２の距離を測定し、前記第１の距離と第２の距離に基づいて、前記上層パターンと下層パターンの重ね合わせずれを検出する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された形状の欠陥を良好な効率で検出する欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次１次検査を行って当該複数の領域から２次検査を行う該領域を選択する第１の工程と、前記第１の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記２次検査を行って前記欠陥を検出する第２の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に使用される寸法は、ますます微細化されている。寸法が微細化され、導電膜配線のエッチング時における下地膜のエッチングにより、導電膜配線パターンの寸法測定が正確に行えないという問題がある。
【解決手段】本発明の寸法測定パターンは、導電膜配線の寸法測定点となる導電膜配線の両端部を含む領域における下地膜を、導電膜配線のエッチングガスに対しエッチングされない材料とする。そのため測長ＳＥＭにて観察した時の２次電子画像のコントラスト波形が配線幅にあたるピークのみを安定して得られ、正確に導電膜配線の寸法測定が実施できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程において、コンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を高速、かつ高精度に推定する。
【解決手段】検査用標準試料１のコンタクトホール７を被検査対象のコンタクトホールとほぼ同じ材質および構造により構成し、電子線を照射して検査用標準試料１の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の擬似欠陥部４におけるコンタクトホール７の電位コントラストとコンタクトホール７の底面に形成した擬似残存膜８の厚さまたは抵抗値との関係をあらかじめ取得しておく。その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線顕微装置において、任意倍率における幾何歪みを高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 周期構造を持つ標準試料を基準にした絶対歪みとして第1の倍率における幾何歪みを測定する。幾何歪み測定済の第1の倍率と、幾何歪み未測定の第２の倍率で微細構造試料を撮影する。第1の倍率の画像を第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成する。第2の倍率における幾何歪みを、伸縮画像を基準とした相対歪みとして測定する。第1の倍率における絶対歪みと第2の倍率における相対歪みから 、第2の倍率における絶対歪みを求める。以後、第2の倍率を第1の倍率に置き換えて相対歪み測定を繰り返すことにより、任意倍率における幾何歪みを測定し、補正する。 （もっと読む）

【課題】
収差補正器で使用する多数の電源のノイズの影響を低減し、安定した高分解能観察の可能な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
電子線を試料１８上に照射し、走査させるＳＥＭカラム１０１と、前記試料を載置する試料ステージ８０が格納される試料室と、前記電子線の走査により発生する２次電子を検出する検出器７３と、前記検出器の出力信号をＳＥＭ画像として表示する表示手段と、前記ＳＥＭカラム、前記試料室、前記表示手段を含む各構成部品を制御するための制御ユニット１０３とを備えた荷電粒子線装置において、前記ＳＥＭカラムは、一対の静電レンズ９１、９２と、前記一対の静電レンズの間に置かれた前記電子線の収差を補正する収差補正器１０とを有し、前記一対の加速電極に高電圧を印加して、前記収差補正器を通過する間の前記電子線を加速せしめる構成とする。 （もっと読む）

【課題】外観検査において、全体の欠陥捕捉率を高く維持しながら虚報を抑制することにより実質感度を向上する技術を提供することにある。
【解決手段】外観検査において、予備検査を行って、欠陥候補の検出と同時に少なくとも１ダイ分の画像情報（背景情報）を取得し、該取得した画像情報と検出された欠陥候補のダイ内座標位置情報を重ねて表示し、それらの情報（背景の類似と欠陥候補の密集状態）を基に虚報のグループを推定して非検査領域あるいは感度低下領域を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に半導体欠陥レビュー装置において、検索基準となる画像に対する類似画像を、簡単かつ高速に検索し、類似度順に出力する。
【解決手段】画像に付帯する情報、例えば、取得日時、取得条件、画像以外の情報を解析した結果、ユーザによるコメントなどを、テキスト情報として画像と対応させて保存する機能を有し、これら付帯情報のキーワード検索により類似画像候補を限定した後、画像の特徴量に基づき検索基準画像に対する類似度を算出し、類似度順に検索結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料
やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル
上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。
または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィ
ッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出
し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）