【課題】荷電粒子線装置において、十分な光量の試料高さ検出用光を投光することができ、対物レンズと試料面との間に大きなワーキングディスタンスを必要としない光学系を利用した高さ検出装置及び高さ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料高さ検出用光学系において、１光源から投光された光束をコリメートレンズにて平行光に整えた後、同方向に集光性を持つ複数段のシリンドリカルレンズによってこの平行光を複数の光束に分配し、分配された各光束を複数の開口を持つスリットの各開口を通過させて試料面に投射するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、顕微鏡像の像分解能を客観的判断のもとに評価できる像評価方法の提供にある。
【解決手段】画像の部分領域の分解能を、前記画像全体或いは前記画像の一部領域に亘って求め、前記画像全体或いは前記一部領域に亘って平均化し、前記画像全体、或いは一部領域の分解能評価値とすることを特徴とする像評価方法を提供する。このような構成によれば、顕微鏡の像分解能の評価において、評価者の主観が入り込まないので、像分解能の評価値に対して高い精度と良い再現性を達成できる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測長対象のパターンのエッジを検出するエッジ検出方法およびエッジ検出装置に関し、測長対象領域から取得した画像について、複数方向に所定量だけずらしてその差分を算出してこれらを合成し、ずらした量の太さをもつ輪郭線を自動生成し、画像から迅速かつ精度良好にパターンの輪郭線を生成して自動計測することを目的とする。
【構成】 測長対象のパターンを含む画像を取得するステップと、取得した画像について、複数方向に所定量だけずらしてその差分をそれぞれ算出するステップと、算出した複数の差分画像を合成し、パターンの輪郭線を生成するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンの画像を取得する画像取得方法および画像取得装置に関し、パターンの測長精度を大幅に向上させることを目的とする。
【構成】 細く絞った電子線ビームで測長対象のパターンを走査したときに放出あるいは反射された電子を検出器で検出するステップと、測長対象のパターンを走査したときに検出された信号と、設計データ上で当該パターンが存在する領域よりも若干広いに範囲を持つマスクパターンとを演算し、パターンおよびその近傍の領域の信号を抽出およびそれ以外の領域の信号を抑圧するステップとを有し、抽出および抑止した信号をもとにパターンのエッジを抽出し、エッジをもとに当該パターンの寸法を測長する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置等の微少寸法（ＣＤ値）を計測するのに用いられる荷電粒子線装置において，試料への電子ビームのランディング角がばらつきことに起因するＣＤ値ばらつきを低減する方法，及び，装置間の電子ビームランディング角の差違に起因する機差を低減する方法を提供する。
【解決手段】
結晶異方性エッチングの技術により作製した各面のなす角が既知の多面体構造物が視野内に複数含まれるように配置した較正用サンプルを用い，各多面体構造物の画像上での幾何学的な変形をもとに，視野内の各位置のビームランディング角を算出し，視野内の各位置のビームランディング角が等しくするビーム制御パラメータを予め登録しておき，寸法計測を行う際は，計測対象パターンの視野内での位置に応じて，上記登録したビーム制御パラメータを適用することにより，等しいビームランディング角にて，計測用の画像を取得する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測長対象のパターンのエッジ位置を画像上で検出するエッジ位置検出方法およびエッジ検出装置に関し、ラインプロファイルのエッジ部分のノイズなどの影響を極力排した高精度かつ再現性良好なエッジ位置を決定してパターンの精密測長を実現することを目的とする。
【構成】 測長対象のパターンを横切る異なる場所の複数のラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルのエッジ付近の曲線からモデル曲線を生成するステップと、生成したモデル曲線と、複数のプロファイルとをそれぞれ重ねてその輝度の差をもとにフッティングポイントをそれぞれ算出するステップと、算出したフッティングポイントに、モデル曲線が所定閾値を横切る点の位置を加算した点をエッジ位置とそれぞれ算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属層を堆積させる方法および基板のトポグラフィカルフィーチャを３次元で測定するための方法の提供。
【解決手段】前駆体ガスは、直径約0.7mmのガス噴射システムの管状ノズル５０を用いてサンプル上方に導入される。約8×10¹⁷mol/cm²sのガス流が用いられる。図２に例示される実施形態においては、２つのノズル５０および６０が存在し、２種類の異なる前駆体ガス５５、６５が基板上方に導入される。対象となる領域を走査する走査電子顕微鏡の電子ビーム７０は、前駆体ガス５５、６５を活性化させるために用いられ、この結果、選択された領域４０の基板のトポグラフィカルフィーチャ上に金属層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】サンプルと基準点との間の距離を測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】検査されるサンプル（１２）と少なくとも基準点（１９，２１）との間の距離（Ｚ）を測定する方法は、信号をサンプル（１２）の第１の電位に変調し、一次粒子ビームをサンプル（１２）に供給し、二次粒子ビーム、および二次粒子ビームの粒子の第２の電位に変調信号を検出し、検出された変調信号を、基準信号と比較するという工程を有する。装置は、信号をサンプル（１２）の第１の電位に変調する変調ユニット（２２）と、サンプル（１２）に当たる一次粒子ビームを発生させるビーム発生器（２）と、二次粒子ビームの粒子と二次粒子ビームの粒子の第２の電位に変調された変調信号を検出する検出器（１９，２０，２１）と、検出された変調信号を基準信号と比較する評価ユニット（２５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】測定パターンの画像データを生成する。前記測定パターンは互いに対向する第１及び第２面を備える。前記画像データは前記第１及び前記第２面にそれぞれ対応する第１及び第２辺を備える。前記画像データを編集して前記第１及び第２辺の重畳長さを増加させる。前記編集された画像データ内の前記第１及び第２辺を横切る測定ウィンドウを設定する。前記測定ウィンドウ内の前記第１辺と前記第２辺との間の距離を測定する。 （もっと読む）

【課題】従来必要であった各工程に合わせたデータ変換を不要とし、また保有データを一括管理して、各工程に利用することが有効なデータを保有データから容易に選択することができ、また、形成パターンの形状に時間変動があった場合にも、時系列データをもとに撮像レシピの修正を行い、安定な計測が可能な撮像レシピを生成することができる半導体製造技術を提供する。
【解決手段】測長ＳＥＭを用いた半導体パターンの形状評価装置において、データベース３０１に記憶された多種データを一括管理するために、多種データ間の座標系を対応付けし、多種データの一部あるいは全てを任意に選択し、選択されたデータを利用して測長ＳＥＭにおいて半導体パターンを観察するための撮像レシピを生成する。また、前記多種データを時系列で管理し、パターン形状の変動があった場合に撮像レシピを修正する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる測長校正を高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】一次元回折格子を貼り合せウェーハに配置させることにより実測ウェーハと同じ高さでの高精度校正や装置間校正が可能となる。かつ表面シリコン層に一定電圧を加える構成とすることにより二次電子信号強度が大きく取れ微弱電子ビームでも良好な二次電子信号像が得られる。さらに一次元回折格子をウェーハ内の複数箇所に設置させることにより大口径ウェーハにおける面内位置毎の校正が保証される。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光用のフォトレジスト等、低Ｓ／Ｎの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置（測長ＳＥＭ装置）において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形（あるいは画像）の部分波形（あるいは部分画像）を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形（あるいは画像）と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】機差の発生要因を簡便に推定し、この推定結果を元に走査電子顕微鏡装置を較正することで、複数台の装置間における計測寸法差を低減させ、より高精度な配線パターンの寸法管理を可能とする機差管理装置を提供することにある。
【解決手段】走査電子顕微鏡装置において、装置間での機差や経時変化による機差を管理するシステム及びその方法であって、標準ウエハを撮像して得られる２次電子画像データを基に装置間や経時変化による機差を計測し、ほぼ同時に各種装置状態を示す指標値を計測する計測手段１０、３０１ａ、３０１ｂ；１８、３０１ａと、該計測手段によって計測された前記機差と前記各種装置状態を示す指標値との関係を分析して機差発生要因を推定する機差要因分析部３０１ｃ、３０１ｅと、該機差要因分析部で推定された機差発生要因を表示して出力する出力手段３０２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微調整からレビューまでを完全に自動化で行なえる走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】座標補正後の補正精度を算出し、ベクトル３９を用いて表示する機能、得られた情報から座標補正後異物／欠陥を自動検出する際の探索時の倍率を自動で決定する機能、また探索倍率と測定条件から異物／欠陥の出現率とかかる時間を算出する機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】 ２つの画像のパターンマッチングの成功率および精度を向上させ、しかも、測長などの検査作業の効率を低下させない画像処理装置、画像処理方法および走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 走査型顕微鏡１０は、第１の画像と第２の画像とのパターンマッチングを行なう画像処理装置４を含んで構成される。画像処理装置４は、第１の画像に基づき塗り分け画像を生成する塗り分け画像生成部４１と、塗り分け画像を平滑処理して重心分布画像を生成する重心分布画像生成部４２と、第２の画像に基づき輪郭線線分群を生成する輪郭線線分群生成部４３と、重心分布画像と前記輪郭線線分群とに基づきマッチングスコアを算出するマッチングスコア算出部４４と、前記マッチングスコアが最大になる位置を検出する最大スコア位置検出部４５とを含む。 （もっと読む）

【課題】試料の材質に依存することなく試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料から放出される電子を検出する検出手段と、前記電子ビーム照射手段に前記試料から二次電子が放出する電圧よりも低い加速電圧で電子ビームを照射させ、前記検出手段からの信号に基づき前記試料の表面が一定の電位になったと判定したときに前記電子ビームの照射を停止させる制御手段とを有する。前記制御手段は、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の表面全体に照射させてもよいし、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の測定部位を中心とした所定の範囲に照射させてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）