【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、面積測定方法および面積測定プログラムに関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定してその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線で囲まれた内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ラフネスを考慮したサンプリングによる異種計測装置間のキャリブレーション方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ装置を用いて被計測対象のＣＤ平均寸法及びラフネスを計測するＣＤ−ＳＥＭ計測過程と、該ＣＤ−ＳＥＭ計測過程において計測されるラフネスを統計処理してキャリブレーションに必要な断面計測点数を算出する断面計測点数算出過程と、該断面計測点数算出過程で算出された断面計測点数を満たすように前記被計測対象に対して断面計測装置を用いて断面計測を実施し、該実施された断面計測結果において指定された断面計測高さのＣＤ平均寸法を算出する断面計測過程と、前記ＣＤ−ＳＥＭ計測過程で計測された前記被計測対象のＣＤ平均寸法と前記断面計測過程において算出された被計測対象の断面計測高さのＣＤ平均寸法との差であるキャリブレーション補正値を算出する補正値算出過程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体検査において、設計データと撮影した半導体デバイスの画像を利用して、ＳＥＭ画像に含まれたノイズとパターンを精度よく分離する方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料への電子ビームの照射に基づいて得られる画像から、前記試料上に形成されたパターンを細線化した画像を形成する際に、前記パターンを形成する線分の方向ごとに、予め登録された前記パターンのホワイトバンドの輝度分布情報を用いたピーク位置の検出を行い、当該検出によって、前記パターンの細線部分を抽出し、当該抽出に基づいて前記細線化されたパターンを表した画像を形成する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プローブや試料を破損させるおそれがなく、すばやくプローブ先端を試料に接触させることができるプローブ付き顕微鏡を提供する。
【解決手段】プローブが試料方向に接近している最中に、顕微鏡から得られる画像を認識して、認識領域内のプローブ面積を計算することによってプローブから試料までの距離を計算する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 試料表面へ電子ビームを直接照射することなく、試料表面の凹凸を観察する。
【解決手段】 電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を検出することによって試料表面の状態を観察する電子線装置を用いた試料観察方法において、試料の上に誘電体材料を載せ、試料と誘電体材料とを接触させることにより接触帯電を起こさせ、接触帯電に起因して誘電体材料表面に誘起される表面電位のコントラストを二次電子を用いた像によって観察することにより、試料表面の凹凸を観察する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置における倍率校正を精度良く行うために校正位置の特定が容易な校正用標準部材及びそれを用いた電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料４、５が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板１に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム１１を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン３を有し、該線状パターン３の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では極めて困難であった、感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】感光体試料１７に対して、荷電粒子ビームを照射する照射手段２と、該照射によって得られる荷電粒子の信号を検出する検出手段５と、感光体試料１７の電荷分布の状態を測定する測定手段としての画像処理手段５１と、感光体試料１７に複数の潜像パターンを形成するための露光手段３と、露光手段３の光源の発光を制御する発光制御手段としてのＬＤ駆動部２１及び制御手段２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ−ＳＥＭによるレジストパターンの測定において、画像中の測定対象パターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）を自動的に判定して正しく測定すると共に、レジストのシュリンク量を補正した真のレジストパターン寸法を測定することを可能にするレジストパターン測定方法及びレジストパターン測定装置を提供する。
【解決手段】２枚のレジストパターン画像を取得し、各レジストパターン画像においてレジストパターンの内側寸法と外側寸法を測定し、測定値の比較によってレジストパターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）のどちらであるかを判定するとともに、測定値の差分からレジストのシュリンク量を算出する。このシュリンク量により、レジストパターンのＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅを正しく判別した上でシュリンクを考慮した真の寸法を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機感光体表面にパラフィンを主体とする保護剤を塗布したときの、保護剤被覆率の測定方法、及び測定した被覆率に基づいて保護剤塗布装置の合否を判定する保護剤塗布装置の判定方法を提供する。
【解決手段】保護剤が塗布された有機感光体表面を四酸化ルテニウム水溶液の飽和蒸気に暴露した後、該有機感光体表面に加速電圧０．３〜１ｋＶの電子線を照射して反射電子像あるいは二次電子像を取得し、ついで該反射電子像あるいは二次電子像を黒部と白部からなる二値化画像に変換し、該二値化画像全体に占める黒部の面積の割合を前記有機感光体表面における保護剤の被覆率として算出する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射した際に得られる２次電子像のコントラストが大きく、互いに直交する２種類の直線形状突起物集合体及びこれを用いた走査型電子顕微鏡用寸法校正試料を提供することにある。
【解決手段】
（１００）面単結晶シリコン基板の結晶面を利用して、直線パターンの上面を形成し、上面に対して鋭角の角度を有する側壁を（１１１）面で形成し、＜０１１＞軸に平行または垂直に直線形状突起構造体を形成する。突起構造体の上面に平行な断面は上面から底部に向かって横幅が小さくなる逆テーパ構造とする。
【効果】
本発明によって、互いに直交する２種類の直線形状突起物の境界から得られる２次電子像のコントラストを大きくし、縦方向横方向の２方向で寸法校正を精度良く行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡便に、また試料の損傷を抑えながら最適な観察条件を見出して試料観察を可能にする試料観察条件設定方法及び装置、並びに試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明による試料観察条件設定は、電子線装置によって、基準となる観察条件の下、試料の所定の評価箇所におけるプロファイルを取得し、処理部が、上記取得されたプロファイルが所定の設定範囲内にあるか否かを判定し、この判定結果に基づいて、試料観察に用いる最適な観察条件を設定することによって実現される。より具体的には、まずあらかじめ条件検討可能な箇所を登録した後、該当する場所に移動し低倍率で電子線照射（以下プレドーズ）を行い、試料表面を帯電させた後、観察倍率に拡大して対象箇所の二次電子情報を得る。その後プレドーズを行いながら随時二次電子情報を得、その情報からパターン底部が観察・測定可能な状態であるかまた試料の破壊が発生しないかを逐次判断し、最適な観察条件を見出すものである。 （もっと読む）

【課題】試料の線幅、欠陥などを精密に測定、検査することができる、荷電粒子ビーム装置のマッチング方法の提供。
【解決手段】電子顕微鏡によるＳＥＭ画像と、試料の設計データとをパターンマッチングさせ、線幅などの測定、欠陥の検査などを行う荷電粒子ビーム装置によるマッチング方法において、校正用マーク又はそれの付された試料をステージ上に設置し、高さを変えて複数のＳＥＭ画像を取得し、当該ＳＥＭ画像の位置歪みと、設計上の位置歪みデータとをマッチングし、高さを変化させたときの校正用補正データを作成する第１ステップと、フォーカスをかけて検査用ＳＥＭ画像を取得する第２ステップと、フォーカスの高さ値より、前記第１ステップの校正用補正データを用いて、検査用ＳＥＭ画像の位置歪みを補正する第３ステップと、当該位置歪み補正を行ったＳＥＭ画像と、設計データとのマッチングを行い、試料の測長または検査を行う第４ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡で、試料の測長により得られた寸法をより精密に校正する。
【解決手段】 互いの間隔を空けて並んだ複数の校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…を備え、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…は、並んでいる方向の幅寸法が互いに異なり、各寸法が予め定められた寸法になっている校正用標準材４０を用いる。走査電子顕微鏡の画像処理装置には、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅寸法の公証値を記憶しておき、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅を実測し、各実測値と対応公証値との差を求め、各差と実測値との関係を校正関数として記憶し、これを用いて試料の実測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】例えば外径が数十ｎｍ以下の繊維状物質の長さを、短時間で簡便かつ精度よく測定可能な繊維状物質の測長用試料の作成方法及び測長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る繊維状物質の測長用試料の作成方法は、繊維状物質を揮発性溶媒中に分散させた分散液を作成する分散液作成工程と、導電性基板１上に前記分散液による液滴２を形成する液滴形成工程と、前記導電性基板１上に形成した液滴２を乾燥させて、中央部に比べて周辺部に残留する繊維状物質の密度が高くなるような残留痕２ａを形成させる残留痕形成工程とを有する。
また、本発明に係る測長方法は、上記測長用試料の作成方法で作成した測長用試料における残留痕２ａの中で、繊維状物質の１本毎の長さが観察できる特定の領域に、０．１〜３ｋＶの加速電圧で加速された電子ビームを照射して、そこからの２次電子像を観察することで繊維状物質の１本毎の長さを測定する測長工程を有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームを高磁場によって細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査し、放出された２次電子を検出して試料の寸法の測長を行う寸法測長装置に関し、試料のパターンなどを高精度に測長することを目的とする。
【構成】電子線ビームを高磁場で細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査する磁界型対物レンズおよび偏向系と、磁界型対物レンズの高磁場による、試料から放出された２次電子の２次電子軌道の絞り込みが行われる場所に配置し、かつ２次電子を遮断しない可及的に小さな直径を持つ２段以上のオリフィスと、２段以上のオリフィスを、回転しながら通過した２次電子を加速する正の電圧を印加あるいは正の電圧を印加した電極を設けると共に加速された２次電子を衝突させて検出・増幅する２次電子検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）