【課題】ＸＰＳ法を用いた化学状態分析において、内殻スペクトルのピーク形状が非対称であっても、表面の化学状態を定量的に評価できる導電性材料表面化学状態の定量的評価方法を提供する。
【解決手段】表面に官能基修飾処理が施されていない導電性材料について、ＸＰＳ法によって構造の異なる２種類以上の内殻スペクトルそれぞれをＸＹ座標に表示する第一工程と、第一工程においてＸＹ座標に表示された内殻スペクトル全ての内殻スペクトルに当て嵌まるように、それら内殻スペクトルをＸＹ座標の２以上の対称な関数に分解し、それら２以上の対称な関数の和によってＸＹ座標に表示された非対称なピーク関数を定義する第二工程と、測定対象の導電性材料について、非対称なピークを第二工程において定義された非対称なピーク関数を用いて分解し、そのピーク関数のＸＹ座標の面積の和を非対称なピーク面積として算出する第三工程とを含む導電性材料表面の定量的評価方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、１以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 （もっと読む）

【課題】 試料分析方法及び試料分析装置に関し、不安定な中間酸化物を含む酸化膜を表面に有するシリコンを主成分とする基板を酸素一次イオンにより精度良く分析する。
【解決手段】 シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に９０ｅＶ以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して前記中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理工程と、前記前処理工程の後に、二次イオン質量分析を行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】介在物を起点とする金属の破壊現象を解明するための介在物及び亀裂の３次元構造観察方法において、効率的で高精度な観察方法を提供する。
【解決手段】転動疲労を受けた部材の転動軌道直下において、転動体転がり方向Ｆに略平行な角度をなし、かつ転動面Ｐに略直角な角度をなす１次観察断面Ｐ１を切断・研磨して形成した後、この１次観察断面Ｐ１を観察して介在物３と亀裂４の位置を特定する１次観察工程と、更に収束イオンビームを用いて、前記転動体転がり方向Ｆに対して略直角な角度をなす２次観察断面Ｐ２を所定間隔で連続的に形成して、連続的な断層写真６を取得する２次観察工程と、前記断層写真６を３次元に再構築して３次元的な内部の介在物と亀裂の構造を評価する画像処理工程とを含む、介在物３及び亀裂４の３次元構造観察方法であって、前記２次観察断面Ｐ２を連続的に形成する所定間隔が０．０５〜０．５μｍ、前記収束イオンビームの加速電圧が２０〜３５ｋＶ、ビーム電流が０．５〜１０ｎＡの範囲であること。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。
【解決手段】微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。形成される均質な材料からなる薄膜は、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止し、また、微細加工端面の大気暴露を防止する、被覆膜として利用される。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に試料の薄片部を形成することができる加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の加工方法は、平坦化工程（ステップＳ１）および薄片部形成工程（ステップＳ２）を順に行うことで、試料１Ｂの薄片部１３を形成することができる。薄片部形成工程（ステップＳ２）では、試料の平坦面１１の下部に対して、集束イオンビーム装置から出力された集束イオンビームが平坦面１１に平行な方向に照射される。集束イオンビームの照射により試料がスパッタエッチングされて、平坦面１１に対向する対向面１２が形成される。これにより、平坦面１１と対向面１２とに挟まれた薄片部１３を有する試料１Ｂが作成される。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は水中の重金属イオンを検出する方法及び装置について開示したものである。
【解決手段】当該方法は、以下のステップを含むものである。（ａ）検出用材料を提供するステップ、上記検出用材料は親水層を備え、上記親水層の少なくとも一部は疎水層によって覆われ、上記疎水層は長鎖チオール、長鎖脂肪酸及びそれらの組み合わせから選択される長鎖化合物によって形成され、上記疎水層によって覆われた領域を検出区域とし、上記検出区域の表面と水との初期接触角は約１２０°以上であり、（ｂ）上記検出用材料の検出区域と検出対象水溶液とを接触させるステップ、（ｃ）検出対象水溶液と接触した後の上記検出用材料の検出区域の表面に疎水性―親水性変化が起きているかを判断するステップ、及び（ｄ）上記判断に基づき検出対象水溶液中において重金属イオンが存在するかを判断するステップ。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を試料表面に対して、所望の領域に広範囲の角度で照射可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線に沿う方向の位置、直交する方向の位置）や傾斜角度（イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線と直交する面に対する傾斜角度）を調整可能な電極を有する電極部２０４を、試料室２０３内に配置し、電極等により、曲げられたイオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面に照射するように構成する。イオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面の所望の領域に、試料表面に対して広範囲の角度で照射可能となる。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）研究に適した材料試料（ＴＥＭ「薄片」）、特にＨＲＴＥＭ薄片（ＨＲ＝高分解能）、その製造プロセス、及び当該プロセスを実行する装置。
【解決手段】ＴＥＭ薄片を製造するプロセスは、厚さを有する板状基板を支持体に取り付けるステップ（Ｓ１）と、第１ストリップ状凹部を基板の第１面に、支持体に対して第１角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ３）と、第２ストリップ状凹部を基板の第２面に、支持体に対して第２角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ５）であって、第１ストリップ状凹部第２ストリップ状凹部が、薄肉の重なり領域を形成するようにする。薄片は、厚肉のリム領域及び薄肉の中央領域を有し、第１ストリップ状凹部を薄片の第１の平坦面に、第２ストリップ状凹部を薄片の第２平坦面に有し、第１凹部及び第２凹部は、相互に鋭角又は直角を形成する。 （もっと読む）

【課題】、マスク上の欠陥とそれがウェハに及ぼす影響、修正による改善の程度まで推定可能な欠陥推定装置と欠陥推定方法を提供する。欠陥判定処理を容易にし、マスク上の欠陥とウェハ像への波及を推定可能な検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】マスク検査結果２０５のうち、欠陥箇所のマスク採取データは、模擬修正回路３００に送られて模擬修正が行われる。模擬修正されたマスク採取データは、マスク検査結果２０５に戻された後、対応する箇所の参照画像とともにウェハ転写シミュレータ４００に送られる。ウェハ転写シミュレータ４００で推定されたウェハ転写像は比較回路３０１に送られ、比較回路３０１で欠陥と判定されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったウェハ転写像とが、転写像検査結果２０６として保存される。マスク検査結果２０５と転写像検査結果２０６はレビュー装置５００に送られる。 （もっと読む）

【課題】焼結鍛造体の粒界空孔部と粒界酸化部とからなる未焼結部の全体に対する比率、すなわち未焼結部面積率を正確に演算・測定すること。
【解決手段】測定ワーク（Ｓ１）の焼結鍛造体から走査型電子顕微鏡で撮像・取得される（Ｓ２）焼結鍛造面の画像を、二次電子像及び反射電子組成像によって表示する。そして、二次電子像及び反射電子組成像のそれぞれから、粒界空孔部と粒界酸化部とを判別する。これらは未焼結部である。このようにして判別された未焼結部を黒色に、その他の部分、即ち焼結部を白色にする（Ｓ３）。さらに、画像処理（Ｓ４）によって、黒色部分の面積が取得画像の面積を占める割合を演算する（Ｓ５）。この演算結果が、当該焼結鍛造体の未焼結部の面積率を指す。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを放出中であっても高真空を維持可能な小型荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の電子光学系の差動排気の上流に非蒸発ゲッター
ポンプを配し，下流に必要最小限のイオンポンプ配して，両者を併用することにより達成
される。さらに，取り外し可能なコイルを電子銃部に実装することにより，別の課題を解
決する。
【効果】カラム内の真空度を１０^−８Ｐａ台の高真空で維持できる小型荷電粒子線装置，例えば，小型の走査型電子顕微鏡，複数のカラムを有する荷電粒子ビーム装置を得ることができる。さらに，半導体の電気特性を直接計測するプローバ装置の探針の位置をモニタする小型ＳＥＭカラムを容易に内蔵できる。その他にも，半導体素子検査用のミラープロジェクション方式の電子線検査装置の電子線照射カラムの小型化が可能となる。 （もっと読む）

本発明は、α相およびβ相を有する２相タイプのチタニウム合金を検査する方法に関する。方法は、
ａ）合金から作られた部分の試料を切断するステップと、
ｂ）試料のエッジ（５０）の近傍に位置する試料の切断面の領域（４）を調製するステップであって、領域（４）が観察されることができるようにするために、エッジ（５０）が部分の外面（１）と共通であるステップと、
ｃ）５０００倍よりも大きな倍率で領域（４）のα相を観察するステップと、
ｄ）試料のエッジ（５０）に隣接する第１のゾーン（１１）のα相に粒状性があるかないかを決定するステップと、
ｅ）隣接するゾーン（１１）のα相に粒状性がないことが認められるが、隣接するゾーン（１１）の外側のα相に粒状性（２２）がある場合、合金が気体で汚染されたと結論付けるステップと
を含む。
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【課題】電子顕微鏡における試料の検査方法を提供する。
【解決手段】試料キャリア500は、パッド505,508と接続する電極504,507を有する。領域A上に試料は設けられる。前記試料を前記試料キャリア上に設けた後、前記試料上に伝導性パターンが堆積される。それにより前記試料の特定部分に電圧又は電流を印加することが可能となる。前記試料上への前記パターンの堆積は、たとえばビーム誘起堆積又はインクジェットプリントによって行われて良い。前記試料内での電子部品-たとえばレジスタ、キャパシタ、インダクタ、及びFETのような能動素子-の構成についても教示する。 （もっと読む）

【課題】一次イオンとしてセシウムを使用した場合に、最適な分析条件を判断できる二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置を提供する。
【解決手段】入射角が０度、加速エネルギーが２５０ｅＶの条件でセシウムイオンを第１の試料に照射し、第１の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。次に、入射角が０度、加速エネルギーが１ｋｅＶの条件でセシウムイオンを第２の試料に照射し、第２の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。その後、２つの不純物元素の分布のピーク値のシフト方向を調べ、その結果に応じて予め設定された分析条件から特定の分析条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】材料の二次電子放出特性についての正確な評価を容易に行うことが可能な評価方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中に設置された材料にイオンビームを照射した際に発生する二次電子スペクトルを用いた材料の評価方法であって、被測定試料および基準試料のそれぞれにイオンビームを照射することにより放出される二次電子を測定することにより得られた各電子スペクトルに基づき、電子スペクトルの各々を所定の二次電子エネルギーの範囲で積分して、被測定試料積分強度および基準試料積分強度を測定する積分強度測定工程と、被測定試料積分強度の基準試料積分強度に対する相対比を求める積分強度相対比算出工程と、相対比により被測定試料における二次電子放出性能を評価する評価工程とを有している材料の評価方法。 （もっと読む）

【課題】窒素濃度の高精度な分析を可能にする金属材料の窒素濃度分析方法および窒素濃度分析装置を提供する。
【解決手段】窒素濃度分析装置１０は、収容室１１、一次イオン照射装置１２、中和電子照射装置１３、連通管１４、飛行室１５および二次イオン検出装置１６を有する。収容室１１には、金属試料１７が収容される。金属試料１７の表面には、炭素系物質が付着している。一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。これにより、金属試料１７からシアン化物イオンが放出される。金属試料１７から放出されたシアン化物イオンは、二次イオン検出装置１６において二次イオンとして検出される。 （もっと読む）