【課題】
基板表面に垂直な磁場をセンシングすることができ、且つその材料及びプロセスがそれを、基板表面に平行な磁場をセンシングする磁気抵抗センシング部材と同一チップ中に整合し易くさせる磁気抵抗センシング部材を提供する。
【解決手段】
本発明が提示する磁気抵抗センシング部材は、水平磁気抵抗層のストリップと、導電部と、第１磁場センシング層と、を含む。該水平磁気抵抗層は、基板表面上方に位置し、その延伸方向に沿って第１側及び該第１側と相対する第２側を有する。該導電部は、該水平磁気抵抗層の上方又は下方に位置し、それと電気結合し、該水平磁気抵抗層及び該導電部は、少なくとも１つの電流経路を構成する。第１磁場センシング層は、該基板表面に平行でなく、該水平磁気抵抗層の該第１側箇所において、該水平磁気抵抗層と磁性結合する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ素子の設置環境が高温環境下であってもＴＭＲ素子の絶縁破壊を防ぎ、さらにはノイズの影響を受け難く、高いＳ／Ｎ比を得ることができる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 トンネル磁気抵抗素子２と、該トンネル磁気抵抗素子２の両端子に一端が接続された一対のリード線３と、一対のリード線３の他端に接続されトンネル磁気抵抗素子２を電圧駆動または電流駆動して抵抗変化を検出する駆動検出回路４とを備え、該駆動検出回路４が、一対のリード線３の他端に接続された一対の出力端子４ａ間に少なくとも一対のダイオード６ａを互いに逆向きにして並列または直列に接続して構成された保護回路６を有している。 （もっと読む）

【課題】外部磁場が半導体チャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗を利用したスピン伝導素子１は、スピンを半導体チャンネルに注入するための第一強磁性体１２Ａと、スピンを半導体チャンネルから抽出するための第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びる半導体チャンネル７と、第二強磁性体１２Ｂ、及びあるいは、半導体チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、第二強磁性体１２Ｂ、及びあるいは、半導体チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高い信号出力を有するスピン蓄積型磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 第１の電極層の一端上に、第１の絶縁層を介して積層された第１の強磁性体層と、第１の電極層の他端上に、第１の絶縁層よりも大きな接合面積を持つ第２の絶縁層を介して積層された第２の強磁性体層と、第１の強磁性体層に接続されている検出電極と、第２の強磁性体層に接続されている第２の電極層とを備え、第１の電極層の幅l_bが、第１の絶縁層から第２の絶縁層方向に向かうにつれ大きくなり、かつ第１の絶縁層と第２の絶縁層の間で一定の幅を持つ部分l_aを備えている。 （もっと読む）

【課題】 特に固定磁性層をセルフピン止め型とした構成において、Ｔａ保護層の膜厚を適正化し、従来に比べて安定して優れた軟磁気特性を得ることが可能な磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサ、並びに磁気検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態の磁気検出素子１は、固定磁性層３とフリー磁性層５とが非磁性材料層４を介して積層された積層膜を備え、前記固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、前記第１磁性層３ａと前記第２磁性層３ｃとが反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、前記積層膜の最上層は、Ｔａからなる保護層６であり、前記保護層６の成膜時における成膜時膜厚は５５Å以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部磁界の影響の程度を評価してオフセット値の採否を決定する。
【解決手段】機器１は、内部磁界Ｂｉを発生させる部品と、３次元磁気センサ６０と、ＣＰＵ１０とを備える。ＣＰＵ１０は、３次元磁気センサ６０から順次出力される複数の磁気データｑ_ｉで示される座標の分布の３次元的な広がりの程度を示す分散評価値を算出し、複数の磁気データｑ_ｉで示される座標が内部磁界Ｂｉの成分を示す座標を中心点とする球面Ｓの近傍に確率的に分布すると仮定して、球面Ｓの中心点ｘ_０を算出し、複数の磁気データｑ_ｉで示される座標が、球面Ｓ_２を歪ませた形状の立体ＳＤの表面近傍に確率的に分布すると仮定して算出される立体ＳＤと球面Ｓ_２との形状の相違の程度を示す歪評価値ｇ_Ｄ（Ｅ）が、歪許容値δ_０以下である場合に、中心点ｘ_０を３次元磁気センサ６０のオフセットとして採用する。 （もっと読む）

【課題】磁界検出感度に優れた磁気センサ、及び磁気センサ用パターンを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、パターン２２の抵抗変化率が大きくなる第１領域２１ｄ、及び抵抗変化率が第１領域２１ｄよりも小さくなる第２領域２１ｅを有する矩形のパターン形成領域２１を備える。パターン２２は、矩形の二辺２１ａ、２１ａに対して所定の傾斜角θをもって平行に配置された複数の直線部分２２ａ、及び隣接する直線部分２２ａの長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分２２ｂを有する。パターン２２は、第１領域２１ｄと、第２領域２１ｅの一部とにわたって設けられており、第２領域２１ｅの一部には、抵抗変化率が低下しない程度にパターン２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】３軸の磁気センサためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】ある実施形態では、単一の基板上１２０に形成された３軸磁気センサであって、センサが、単一の基板上に形成された磁気抵抗センサ１１５または磁気誘導センサのうちの少なくとも１つからなる面内の２軸磁気センサと、単一の基板上に形成されたホール効果センサ１１６からなる面外の磁気センサとを有する。面内の２軸磁気センサが、基板の平面に対して平行な第１の面の磁界を測定し、面外の磁気センサが、第１の面に対して直交する軸に沿って磁界を測定する。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】強磁場を使用して、シールド層に覆われた磁性膜の磁歪を測定可能な磁歪測定装置を提供する。
【解決手段】湾曲手段１３が、磁性膜を有する板体１を湾曲可能に支持するよう構成されている。湾曲手段１３は、支持する板体１の周縁部を、板体１の一方の表面側で支持する周縁支持手段２４と、板体１の中心部を、板体１の他方の表面側で支持する中心支持手段２５とを有している。湾曲手段１３は、周縁支持手段２４が板体１を所定の力で押すよう構成されている。磁場発生手段１２が、複数の電磁石２１と、湾曲手段１３により支持された板体１の両面側に、各電磁石２１のうち１または複数の電磁石２１の芯に接続して伸びる磁路延長部材２２とを有している。磁場発生手段１２は、磁路延長部材２２の先端２２ａが板体１の両面側で、板体１との間に隙間をあけて板体１を挟んで対向するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 センサは、浮上面に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックである。センサ内の電流がスタックと少なくとも１つの電極との間の第１の多層絶縁構造によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層３と、半導体層３上に第１トンネル障壁層５Ａを介して設けられた第１強磁性層１と、半導体層３上に、第１強磁性層１から離間し、且つ、第２トンネル障壁層５Ｂを介して設けられた第２強磁性層２と、を備え、半導体層３は、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第１強磁性層１から離れる方向へ広がる第１領域Ｒ１と、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第２強磁性層２に向かう方向に延びており、第１領域Ｒ１の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第２領域Ｒ１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価ができる磁気センサを提供すること
【解決手段】 磁気センサ１０は、外径１２５μｍの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材１１の外周面に磁気抵抗薄膜１２を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜１２の軸方向両端に導体膜１３を成膜して形成される。導体膜が電極部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】 分極率を向上可能なスピン素子、及びこれを用いた磁気センサ及びスピンＦＥＴを提供する。
【解決手段】
このスピン素子は、単結晶のＳｉからなる半導体層３と、半導体層３の表面上に形成された第１トンネル絶縁層Ｔ１と、第１トンネル絶縁層Ｔ１上に形成された第１強磁性金属層１とを備えている。半導体層３と第１トンネル絶縁層Ｔ１との間の界面におけるダングリングボンドの面密度が３×１０^１４／ｃｍ^２以下である。この際の分極率は、著しく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、信頼性の高い自己診断可能な電子回路及び磁界検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 検出回路２１と、検出回路からの検出信号を増幅させるオペアンプ２３と、検出回路と前記オペアンプとの間に接続されたマルチプレクサ２２と、オペアンプからの検出信号を演算処理するマイクロプロセッサ２４と、を有する。そして、高電圧の第１の診断信号と低電圧の第２の診断信号を夫々生成するための診断回路２５を有する。診断回路２５はマルチプレクサ２２に接続され、マルチプレクサ２２により選択された各診断信号３２，３３がオペアンプ２３を介してマイクロプロセッサ２４に入力可能とされている。マイクロプロセッサ２４では、第１の診断信号及び第２の診断信号に基づいて、電子回路が正常に機能しているか否かを診断可能とされている。 （もっと読む）

【課題】体格の増大が抑制された回転角センサを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定された固定層（１５）と、被検出体の生成する外部磁界の向きに応じて磁化方向が変化する自由層（１３）との間に、非磁性の中間層（１４）が挟まれた磁気抵抗効果素子（１０）を有し、該磁気抵抗効果素子（１０）の抵抗値変化に基づいて、被検出体の回転角を検出する回転角センサであって、固定層（１５）と自由層（１３）との対向方向に直交する平面に沿う面積が、固定層（１５）よりも自由層（１３）の方が大きく、固定層（１５）の全てと、自由層（１３）の一部とが、中間層（１４）を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器、トランジスタ、コンデンサなどのような他の構成要素の内の１つ又はそれ以上を、磁気センサーと同じチップの一部として有する単一チップ設計、特に、チップ上に配置されているセット／リセットドライバー回路を有する設計を提供する。
【解決手段】磁気感知装置と、それを作成する方法及び使用する方法とが開示されている。感知装置は、１つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための１つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御するためのドライバー回路を有する半導体回路と、を有している。磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、単一のパッケージ内に配置されており、及び／又は単一のチップ上にモノリシックに形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気センサによって生体情報を得るにあたって、コストやスペースを削減する。
【解決手段】磁気センサ（３２）には、特に液化ガスによる冷却を行わず、常温域で微弱な磁気計測が可能なＴＭＲ素子などを用い、かつその磁気センサ（３２）を生体２上に複数設ける一方、前記磁気センサ（３２）上を覆うように被覆部材４を設けて、磁気センサおよび被測定部を外部磁場からシールドする。したがって、従来の生体内の微弱電流の測定装置であるＳＱＵＩＤのような液化ガスによる冷却が不要になり、また部屋全体を磁気シールドする必要もなく、コストやスペースを大幅に削減することができるとともに、メンテナンスも格段に楽になる。さらにまた、前記ＳＱＵＩＤで必要な断熱部材が不要になり、センサと生体との距離を近付け、該ＳＱＵＩＤで見られるような位置ずれの発生を抑え、また磁場の交差も最小限に抑えられるので、位置分解能を向上することもできる。 （もっと読む）