【課題】予防保全により、信頼性を維持することが可能なガス検知技術を提供する。
【解決手段】フィルタパッケージ１１０に収容されたセンサ素子１０のヒータ層３への間欠的な通電による加熱および感知層７への通電による電気抵抗値Ｒの検出によって雰囲気のガスの濃度を検出するガス検知装置１００において、検出対象のガス以外の干渉ガスの有無を判別するガス種判定手段２３を設け、干渉ガスが検出された場合には、検出対象ガスの検出のための閾値Ｒ２よりも大きな閾値Ｒ１を電気抵抗値Ｒが下回った場合にフィルタパッケージ１１０の劣化と判断して警報を出力することで、ガス検知装置１００の予防保全を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【構成】 MEMSガスセンサを用いてガスを検出する。ガスセンサのヒータへの電力を、低レベルと、検出対象ガスの検出に適した高レベルと、０レベルとの間で変化させることにより、低レベルで被毒ガスを蒸発もしくは酸化し、高レベルで検出対象ガスを検出する。
【効果】 MEMSガスセンサの被毒を防止する。 （もっと読む）

【課題】 導電性変化の感度を向上させる電極デバイスを用いて、ガス成分を高感度に検知できるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサは、基板上に少なくとも２つの電極が対向している電極デバイスから構成され、該電極デバイスは、前記基板の表面を化学処理して親水性を調整した後、前記基板を収容する溶液中で導電性ポリマーの原料となるモノマーを金属粒子の存在下で化学重合させ、前記導電性ポリマーと前記金属粒子との複合体を前記電極間に形成させる工程を含んで作成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜ヒータのオンオフに伴いベースに働く熱応力を、緩和する。
【解決手段】半導体基板のキャビティ８に、中心に孔１１を備えかつ薄膜ヒータを有する絶縁膜７を配置する。孔１１から見た絶縁膜７の一端とその反対側の端部との間に、孔１１の周囲を取り巻きかつ折り返すように薄膜ヒータが配置され、薄膜ヒータの各部は互いに直列に接続されている。孔の一方で他方に比べて薄膜ヒータの配線１２が１本少なく、孔の一方に薄膜ヒータと同材質でかつヒータ電流が流れないダミーの配線１６，１７が１本設けられている。
【効果】薄膜ヒータのオンオフに伴う熱応力を緩和できる。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、４５０℃〜９００℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と４５０℃〜９００℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】 耐圧防爆構造を有し、操作性および作業性に優れたガス測定装置を提供すること。
【解決手段】 先端部にガス検知部を有する円筒型のプローブを具え、当該プローブの先端側部分が検知対象空間を区画する隔壁を介して挿入されて前記ガス検知部が当該検知対象空間内に位置されるよう当該隔壁に固定され、当該検知対象空間内における有機溶剤のガス、可燃性ガスまたは引火性ガスのガス濃度測定に用いられるガス測定装置において、プローブがその基端部に径方向外方に突出する板状のフランジ部を有しており、正面に表示部および操作部を有する耐圧防爆構造を有する端子箱が、その背面が前記フランジ部の基端側の面に対接された状態で、前記プローブに対して着脱可能に固定された構成とされる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】吸着燃焼式のガスセンサを用いたガス分析装置で、計測ガスのセンサ出力の微分波形においてノイズを低減するとともに、濃度の違いによるセンサ出力の微分波形に十分な差異がでるようにする。
【解決手段】吸着燃焼式のガスセンサのマイクロヒータを含むブリッジ回路に印加するブリッジ電圧を制御する。ガスセンサのマイクロヒータを４０ミリ秒間一定昇温制御する。予備燃焼工程でガスセンサの余分なガス成分、水分等を焼き飛ばす。１０秒間のガス吸着工程でガスセンサに計測ガスを吸着させる。サンプリング工程でセンサ出力を高速サンプリングする。予備燃焼工程、ガス吸着工程、サンプリング工程の１サイクルを４回繰り返し、センサ出力の４回分の値を同じサンプリングタイミングで積算する。積算した値で微分波形を求める。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電池駆動が可能で、水素と区別してメタンを選択的に検出でき、経時安定性の高いガスセンサを提供する。
【構成】 シリコン基板に設けた空洞上へ突き出した 支持層上に、ヒータ層と電極層とを設けて、ガス検出用の金属酸化物半導体膜で被覆する。金属酸化物半導体膜は、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｔとを含み、膜厚が５〜４０μｍの第１層と、酸化第２スズと、酸化第２スズ１００重量部当たり１〜６重量部のＰｄとを含み、膜厚が１５〜６０μｍで、前記第１層を被覆する第２層とからなり、第１層と第２層との膜厚の合計が２０〜８０μｍである。 （もっと読む）

【課題】電池駆動形ガスセンサとして使用しても、その特性が大きく変動しないガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層上に一対の電極を形成し、その上に半導体薄膜からなるガス感知層を形成し、さらにその最表面に選択燃焼層を形成した薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知層７と選択燃焼層８との間に触媒拡散防止層９を設けることにより、高湿度環境下においても選択燃焼層８の貴金属触媒がガス感知層７まで拡散しないようにすることで、センサ特性が大きく変化しないようにする。 （もっと読む）

【課題】複数のニオイ成分をニオイ成分の沸点が上昇する順にリアルタイムに測定し分析することが可能なニオイ分析装置を提供する
【解決手段】試料セル１６と、試料セル１６に収納された試料の温度を制御する試料温度制御部１３と、試料から発生する複数のニオイ成分を蓄えて保温する保温容器１２と、複数のニオイ成分の揮散を幇助する揮散幇助ガスを供給するガス供給ユニット１４と、複数のニオイ成分を検知するニオイセンサ１１１a，１１１b，・・・１１１eとを備える。 （もっと読む）

【課題】低濃度側の検出範囲の拡大を図ったガスセンサを提供する。
【解決手段】圧力センサ６が、ガスセンサ２を収容するセンサ室５の圧力を検出する。吸気ポンプ７が、センサ室５に雰囲気を流入してセンサ室５を加圧する。バルブ８が、弁開してセンサ室５内の雰囲気を流出してセンサ室５を減圧する。ＣＰＵ９１が、圧力センサ６により検出された圧力に基づいてセンサ室５の圧力が雰囲気圧よりも高い値になるように吸気ポンプ７及びバルブ８を制御する。 （もっと読む）

ＮＯ_ｘ貯蔵材料が、担体、即ち、担体上に含浸されたカリウム塩を包含し、その担体上に含浸されたカリウムが、白金族金属と共に促進され、及び、ＮＯ_ｘ貯蔵材料は、ＮＯ_ｘ貯蔵材料上のＮＯ_ｘ充填の量に基づき変化する電気特性を有する。直接のＮＯ_ｘ測定の装置は、ＮＯ_ｘ貯蔵材料で被覆されたセンサーを含む。ＮＯ_ｘ含有ガスのＮＯ_ｘフラックスを決定する方法は、ガスをその装置に曝し、且つ、装置により生成された信号を、ＮＯ_ｘフラックスの信号見本に転化することを含む。 （もっと読む）

【課題】 感度および応答速度を向上させることができる、検知対象ガスを電気抵抗の変化によって検知するガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性の基材と、前記基材上に配置されたプラス側電極およびマイナス側電極と、前記プラス側電極および前記マイナス側電極と電気的に接続するように配置されたガス感応部とを備え、前記ガス感応部は、表面が金属酸化物層で覆われている金属粒子を含んでいることを特徴とするガスセンサ。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの化学化合物を検出するためのデバイスであって、このデバイスが、いくつかのグラフェン層を有する少なくとも１つのカーボンナノチューブを含み、そこに化学化合物と反応できる基Ｇ_１またはこうした基Ｇ_１の前駆体を保持する少なくとも１つの分子がグラフトされている、デバイスに関する。本発明はまた、こうしたデバイスの使用およびこうしたデバイスの調製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ガス感応層の温度を正確に算出するようにして、ガス感応層に最適なヒータ駆動を行うようにした薄膜ガスセンサを提供することにある。
【解決手段】ヒータ層３により加熱された感知電極層５１１、検出部５１１ａおよび測温抵抗体５１１ｂの温度に応じた抵抗値の変化を電圧の変化に変換して検出し、さらにこの電圧の変化に基づいてヒータ層３の温度の高低を判別し、この高低に基づいてヒータ層３の温度制御を行う薄膜ガスセンサとした。 （もっと読む）

【目的】感ガス素子の各電極ピンや補償素子の各電極ピンを外部基板へ直接半田付け可能とし、機器に実装する際の自由度を高めることを目的とする。
【構成】電極ピン４ａ、５ａのマウントベース２から外部へ突出した部分には、半田付け可能な材料からなる外部接続端子１０が取り付けられている。この外部接続端子１０は筒状に形成されており、各電極ピン４ａ、５ａのそれぞれが筒状の外部接続端子１０の空洞内に挿通され取り付けられている。各電極ピン４ａ、５ａと外部接続端子１０との固定はレーザー溶接法によって各々を接合固定するのが好ましい。尚、この外部接続端子１０は、ニッケル、銅、又はニッケルと銅の合金の何れかから選択された材料で形成されたものである。 （もっと読む）