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Fターム[2G046FB02]の内容

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【課題】運搬が容易で、牛や馬の呼気ガスに含まれる低濃度域の水素と高濃度域のメタンを共に検出することができる畜産用呼気検査装置を提供する。
【解決手段】畜産用呼気検査装置は、清浄空気と共に牛又は馬の呼気ガスが供給され、呼気ガス中のガス成分に応じて流動遅延を生じさせる部材を充填したガス分離カラムと、1〜100ppmの濃度範囲の水素、10〜4000ppmの濃度範囲のメタン及び10〜100ppmの濃度範囲の一酸化炭素に対して感度を有し、ガス分離カラムの排気側に設けられて、呼気ガスに含まれるH、CH、COのガス濃度に応じた出力を順次発生する半導体ガスセンサ30と、半導体ガスセンサ30の出力のピークおよびリテンションタイムをもとにH、CH、COのガス濃度をそれぞれ求める演算処理部33とを備える。 (もっと読む)


【課題】導電率のバラツキの低減し、安定した水素ガスの漏洩検知が可能である水素ガス検知センサを提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子に触媒粒子を分散担持して構成される検知膜を有する水素ガス検知センサの製造方法であって、金属酸化物を形成するための前駆体となる金属酸塩水溶液のイオン交換を行い、含水酸化物ゾルを得る工程S2と、当該含水酸化物ゾルに触媒を混合するために触媒前駆体である触媒金属の溶液及びアルコール(Cnn+1OH)系の有機溶媒を加えて均一に分散混合する工程S3と、該触媒混合された含水酸化物ゾルの混合溶液を絶縁性の基板に所定の膜厚に塗布する工程S4と、該含水酸化物ゾルの混合溶液が塗布された膜を焼結して検知膜を形成する焼結工程S5と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】熱圧着工程により金属酸化物の微細構造が速い応答速度と高感度センシングのためのガス拡散性及び比表面積が大幅に増加したナノロッド及び/又はナノグレイン構造を有し、多孔性の金属酸化物繊維とセンサ基板との接着性を増大し得る超高感度の金属酸化物ガスセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】センサ電極と、該センサ電極上に形成され、単結晶のナノロッドを含むナノ繊維のネットワーク構造を有する多孔性金属酸化物薄層とを金属酸化物ガスセンサが備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】常温においても、高感度で水素ガスを検知することができる白金複合酸化タングステン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】a)アルコール溶媒中の酸化タングステン前駆体を含む前駆体溶液を作製する工程と、b) 前記前駆体溶液に白金化合物を添加して、白金化合物含有前駆体溶液を形成する添加工程と、c) 前記白金化合物含有前駆体溶液を熟成させる熟成工程と、d) 熟成工程後に、前記白金化合物含有前駆体溶液を基材上へ塗布し、塗布層を形成する工程と、e) 前記塗布層を乾燥する工程と、f) 前記乾燥後の塗布層を焼成して、白金複合酸化タングステン膜を形成させる焼成工程、を含む、白金複合酸化タングステン膜の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】高い耐熱衝撃性と低い熱伝導率を有する基板を備え、低コストで製造できるガスセンサおよびそれを備えた自動車両を提供することにある。
【解決手段】本発明によるガスセンサは、ガスセンサ部12と、ガスセンサ部12を支持する基板11とを備えている。基板11は、コージェライトを主成分とするセラミックス基板であり、このセラミックス基板11は、ムライト相を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】触媒の耐被毒性を向上させ、基板加熱することなく,低消費電力で、高感度、高速応答性を有する水素ガス検知センサを提供する
【解決手段】水素ガスセンサであって、半導体基板1上に形成される一対の電極5a、5bと、一対の電極5a、5bを絶縁するゲート絶縁膜2を介して一対の電極5a、5b間上部に形成される水素ガスを検知するための検知膜8と、ゲート絶縁膜2と対向して半導体基板1の他面に形成される半導体基板1にバイアス電圧を与えるためのゲート電極7とを備え、検知膜8は、水素ガスを吸着してプロトン(H+)と電子(e)に解離する作用を有する触媒と当該作用で生じたプロトン(H+)と電子(e)との反応によって検知膜の電位が変化する金属酸化物からなり、前記触媒は、前記検知膜を構成する金属酸化物の粒子より径の小さい粒子を前記金属酸化物の粒子上に分散担持する粒子構造を有する。 (もっと読む)


【課題】センサー対数線及び安定性の問題により、金属酸化物類型のようなセンサーが拡がっていない点を改善する湿度センサーを提供する。
【解決手段】少なくとも二本の長方形電極は、各々基板上に形成され、各長方形電極には各第一端子及び第二端子がある。また、少なくとも一対の櫛形電極は、それぞれ少なくとも二つの長方形電極の一端と接触する。湿度センサー膜は、親水性のイオン性高分子化合物を具え、且つ少なくとも一対の櫛形電極上に形成する。製造方法に於いて、(a)少なくとも二つの長方形電極は各々第一端子及び第二端子を含む。(b)この基板上には少なくとも一対の相互関係はあるが、相互に接触しない櫛形電極を形成し、且つその櫛形電極は基板上の二つの長方形電極の第一端子と接触する。(c)この櫛形電極を湿度センサー材溶液中に浸し、湿度センサー膜を形成する。そのうち、湿度センサー材は親水性のイオン性高分子化合物を具える。 (もっと読む)


【課題】不良品率を低減しつつ、低濃度から高濃度までCOを高分解能で検知し、感度の長期安定性を向上させ、製造コストを抑制する。
【解決手段】薄膜状の支持膜10c,20cと、その外周部またはその両端部を支持するSi基板10a,20aと、支持膜10c,20cの上側に形成された薄膜ヒーター10e,20eと、薄膜ヒーター10e,20eを覆う電気絶縁膜10f,20fと、ドーパントを含むSnO薄膜によって電気絶縁膜10f,20f上に形成されたガス感知膜10g,20gと、ガス感知膜10g,20gの抵抗を測定する電極10h,20hと、選択燃焼層10k,20kとを有する半導体式薄膜ガスセンサチップ10,20が複数設けられたガス警報器において、半導体式薄膜ガスセンサチップ10と半導体式薄膜ガスセンサチップ20とでガス感知膜10g,20gの抵抗のガス依存性を異ならせた。 (もっと読む)


【課題】短時間にて簡易に形成してなる感応層を有するアンモニアガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサの製造にあたり、感応層40は、YSZ粉末及びWO3粉末を互いに別々に併行して作製した後、これらYSZ粉末及びWO3粉末を混合して混合物とし、この混合物からなるペーストを基板10の電極表面側部位に一対の電極20、30を介しスクリーン印刷して形成されている。 (もっと読む)


【課題】感応層の微細構造を最適化することにより高い選択性示すことができるガスセンサ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ガスセンサ素子1は、基板2の表面に形成された絶縁層3と該絶縁層3表面に形成された感応部4とを備え、感応部4は感応層41と電極42とを備え、感応層41は、酸化スズを主成分とし柱状の酸化スズ結晶集合体を主体とする下層411と下層411上に位置しRu、Rh、Pd、Ag、Os、Ir及びPtのうちの少なくとも1種含み、好ましくはPt及び/又はPdを主成分とする上層412とを備える。上記下層の層厚をx、上記上層の層厚をyとすると、11≦x/y≦63であることが好ましい。感応部4は、感応層41として無定形な酸化スズ結晶集合体を主体とする酸化スズを主成分とする層を備えても良い。 (もっと読む)


【課題】 ガスを検出する感度を高められ、しかも、長期間に亘ってガスを検出する感度を高く維持できるガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 攪拌中のアルカリ水溶液中に金属塩を滴下して酸化物前駆体が分散した水溶液を生成する。酸化物前駆体が分散した水溶液と貴金属コロイド溶液とを加えて酸化物前駆体と貴金属コロイドとがほぼ均等に分散された分散液を生成する。分散液の沈殿物を焼成して金属酸化物半導体材料を製造する。 (もっと読む)


【課題】簡単に信頼性のある0ガス空気を発生できる装置を提供する。
【解決手段】容器4の内部に通気性のある金属製仕切り8をセットし、その外側に吸着剤6を充填する。内側スペース10の空気を吸着剤6で浄化し、センサプローブ12を挿入し、0点校正用のクリーンエアとして用いる。吸着剤6は実施例では粒状活性炭を用いたが、その形態はシート状などでもよく任意である。また金属製仕切り8は、多数の小穴を設けた金属の筒に、吸着剤6の微粉が侵入するのを防止するための金網や、ポリテトラフルオラエチレン膜などの気体透過膜などを貼り付けたものとしても良い。 (もっと読む)


【構成】 ガス検出装置のEEPROMへの基準信号の書き込みを可能にし、ガス検出装置を調整槽にセットする。そして例えば65ppmのCOを注入し、0秒目、6秒目、69秒目のセンサの抵抗値の対数をEEPROMに書き込む。次いでCO濃度を200ppmに増加し、同様の手順を行う。さらにCO濃度を400ppmまで増加させる。
【効果】 EEPROMに簡単に基準信号を書き込むことができ、可変抵抗を調整する必要が無く、調整作業が簡単になる。 (もっと読む)


【課題】特定ガスの濃度変化を良好に検出する上で、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検出電極との電気的な接続を図り、製造の際の手間を軽減できるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガス検知層4と絶縁被膜層3またはその上部に形成した検出電極6との間に密着層7を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層7を絶縁性酸化物から構成することで、ガス検知層4の特性に対し影響が生じない。そして、この密着層7の一部を、ガス検知層4を構成する物質の一部が貫通することで(図中点線で囲った部分)、ガス検知層4と検出電極6とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層4の電気的特性が検出される。 (もっと読む)


【課題】既存のMEMS構造を有するガスセンサは,ダイアフラム2上に,ヒーターパターン5,絶縁層,検出電極パターン,更にその上にガス感応層が重ねられた多層構造からなっているため素子温度のスイッチングで疲労が発生して破損してしまう欠点がある。本発明の目的はマイクロマシーニング技術を利用して大量生産が可能で,低消費電力の加熱手段,機械的特性,耐熱衝撃性及び耐久性などの特性に優れたガスセンサの構造を提供することにある。

【解決手段】シリコン基板とSiO2層及びSiNx層等からなるダイアフラム構造体(図1)において,該ダイアフラム部の一部を除去して形成される4本のブリッジ13を有するブリッジ構造体(図4)であって,該ブリッジ構造体中央の4本のブリッジで支えられたステージ14上に1対の電極とヒーターを同一平面上に形成し,電極部分の上部にはガス感応膜を形成したことを特徴とするガスセンサの構造を提供する。 (もっと読む)


【課題】
MEMS構造を有するガスセンサは,大量生産に向きコスト的にも低価格を実現できる可能性がある。しかし,車載を目的とする用途の様に機械的な特性,耐熱衝撃性,耐久性などの特性でまだ実用化の段階に達していない。上記用途の様に機械的な特性,耐熱衝撃性,耐久性が更に必要な場合に向けて先願特許 特願2005−325455は発明された。しかし、ブリッジ方向に発生する膨張収縮による応力を更に緩和する必要があった。
【解決手段】
シリコン基板とSiO2層及びSiNx層等からなるダイアフラム構造体において,該ダイアフラム部の一部を除去して形成される4本のブリッジを有するブリッジ構造体であって,相対する対をなすブリッジを平行な位置に配置する。 (もっと読む)


【目的】熱応力によってガス感知部や支持薄膜にクラックが発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【構成】少なくとも、中央に貫通孔有する基板1と、
この基板面上に形成され、少なくとも、薄膜ヒータ3と、薄膜ヒータ3を被覆する層間絶縁膜4と、その上に形成された金属電極5を有する酸化物半導体を主成分とするガス感知膜6からなる構成部品が、貫通孔11を覆う部分に形成された支持薄膜とからなる薄膜ガスセンサにおいて、支持薄膜には、貫通孔の縁部に沿ってC字形のスリット2sを形成し、構成部品を有する部分の支持薄膜(センサ部2cという)をC字形の開口部に当たる支持薄膜(腕部2b)によってのみ支持するようにする。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成にて電気絶縁層と感知層との応力変化による影響を回避し、マイクロクラックの発生を抑止するようにした薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層14と感知層15bとの間に部分安定化ジルコニア薄膜中間層などの安定化層16を設け、この安定化層16の変形により電気絶縁層14とガス感知層15bとの応力変化を吸収するような薄膜ガスセンサ1とした。また、他にも電気絶縁層と感知層との間に設けられた安定化層を密着結合させることにより、電気絶縁層とガス感知層との応力変化を回避する薄膜ガスセンサとした。 (もっと読む)


【課題】 リソグラフィ技術を用いることなく、また、大型化を招くことなく、検出感度の非常に高い半導体ガスセンサを容易かつ低コストに得られるようにする。
【解決手段】 基板1上に設けた一対の電極2,3間に金属酸化物半導体層4を形成し、この金属酸化物半導体層4中に、導電性微細粒子群9を一対の電極2,3間の全域に亘り連続コンタクトしないで、電極2,3間に少なくとも一つの微小ギャップgが形成されるような拡散状態に混在させてある。
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【課題】 車両の速度の変動時においても、触媒層の浄化性能の劣化判定を、劣化判定の信頼度を損なわずに行うことが可能な車載診断装置を提供する。
【解決手段】 ステップS110において、CPU301は、浄化率算出前期間中央浄化率が測定浄化率よりも小さいか否かを判断する。この処理において、CPU301は、ステップS108の処理において記憶された浄化率算出前期間中央浄化率と、ステップS101の処理において記憶された測定浄化率とを比較し、浄化率算出前期間中央浄化率が測定浄化率よりも小さいと判断した場合には、オゾン浄化触媒層105が正常であると判定して、本サブルーチンを終了する。また、CPU301は、浄化率算出前期間中央浄化率が測定浄化率よりも小さいと判断しなかった場合には、オゾン浄化触媒層105が異常であると判定して、ステップS112に処理を移す。 (もっと読む)


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