【構成】 ガスセンサは、妨害ガスを除去するフィルタと、フィルタで処理済みのガス中の検出対象のガス成分を検出するセンサ本体とを備えている。フィルタは、ゼオライトと活性アルミナの質量比で9:1〜1:4の混合物である。
【効果】 このフィルタは、シリコーンガスの除去能力が高く、炭化水素等を吸着しない。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】構成や製造工程を簡素化しつつ保護ゲル部が感湿膜に付着するのをより効果的に抑制することのできる湿度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度センサ１０は、基板２０の一面２０ａにおいて対向配置された一対の検出電極３１ａ，３１ｂと感湿膜３６を有する湿度検出部３０と、一面２０ａにおいて湿度検出部３０と離れて形成され、ボンディングワイヤ１１５が接続された状態で保護ゲル５０に覆われるパッド４０と、一面２０ａにおいて湿度検出部３０とパッド４０の間に形成され、パッド４０側から湿度検出部３０側への保護ゲル５０の流動を抑制するダム部６０と、を備える。ダム部６０は、検出電極３１ａ，３１ｂと同一材料を用いて一面２０ａに形成されたダミー配線６１と、感湿膜３６と同一材料を用いて形成され、ダミー配線６１の少なくとも一部を覆うダム用感湿膜６２を有する。 （もっと読む）

【構成】
シリコン基板表面の絶縁膜にヒータを備えるガス検知部が設けられ、ガス検知部の周囲で絶縁膜の底部に空洞が設けられ、シリコン基板がハウジングに収容されている。ハウジングに有機溶媒の吸着剤と有機溶媒の酸化触媒とが、ハウジングの外側から内側へ吸着剤、酸化触媒の順に設けられ、被検出雰囲気を吸着剤と酸化触媒とを介してガス検知部へ導くようにされている。
【効果】 有機溶媒による被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極６は、基体１５の主面１７に形成されるチタン層６２と、チタン層６２の上面に形成されるプラチナ層６１とからなる２層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体１５の厚み方向に沿って見たときに、検出電極６は、プラチナ層６１の幅方向Ｔにおける両側の縁端６３よりも外向きにチタン層６２が突出してなる突出部６５を、少なくとも１カ所以上に有する。突出部６５がプラチナ層６１の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 （もっと読む）

【構成】
MEMSガスセンサは、シリコン基板に設けた絶縁膜に、SnO2膜とヒータ膜とを設けると共に、SnO2へ到達するガスを処理するフィルタと備えている。電源によりヒータ膜に電力を供給し、SnO2膜を間欠的にかつパルス的に可燃性ガスの検出温度へ加熱し、可燃性ガスを検出すると共に、100〜200℃の被毒ガスの除去温度へSnO2膜を間欠的に加熱する。
【効果】 フィルタを通過した被毒ガスによる被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子膜を用いた小型かつ安価なガスセンサであって、特に、湿度変化に対する安定性が高く、アンモニアやアルコール等のにおい成分の選択的な検出が可能で、車載用として好適なガスセンサを提供する。
【解決手段】基板１０上に設けられた一対の電極１２ａ，１２ｂおよび１３ａ，１３ｂの間に、導電性高分子膜２０が形成されてなり、導電性高分子膜２０にガス成分が付着した際の抵抗値変化を測定して、該ガス成分の濃度を検出するガスセンサであって、導電性高分子膜２０が、ガス成分の付着により抵抗値が変化するアニオン性高分子感ガス膜３２と、アニオン性高分子感ガス膜３２の電荷を打ち消すカチオン性高分子膜３１との、第１の交互積層膜４１を有してなるガスセンサ１００とする。 （もっと読む）

【課題】検知感度を低下させることなく、簡素な構造からなるガス検知素子を提供する。
【解決手段】被検知ガスの濃度に応じた検知信号を出力するガス検知素子５０は、絶縁基板１の一方の面に形成された検出電極２と、絶縁基板１の一方の面に検出電極２と離間して形成される加熱部３と、検出電極２と加熱部３とを含む絶縁基板１の一方の面を覆うように設けられる感応部４と、を備える。 （もっと読む）

【構成】
ガスセンサは、半導体チップと、通気性のあるセラミックもしくはガラスのパッケージとから成る。半導体チップは、半導体チップの一面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜と半導体チップとを貫通するキャビティと、絶縁膜に設けられた感ガス部と、感ガス部に接続されたパッド、とを備えている。パッケージは、半導体チップのパッドとバンプを介してフリップチップ接続されたパッドと、パッケージのパッドからパッケージの他の面まで引き出された配線、とを備えている。
【効果】 雰囲気は感ガス部側から半導体チップ内を貫通でき、チップをフリップチップ接続するとパッケージに組み付けることができ、パッケージ以外のカバーが不要である。 （もっと読む）

【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体１０は、薄膜メンブレン２０と、薄膜メンブレン２０を保持する保持基板３０とを備える。保持基板３０は、薄膜メンブレン２０の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン２０の周縁部の内側である内側部の少なくとも１箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙３１を有する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】化学センサを具備する半導体装置の製造コストを低減し、あるいは、複数の測定原理によって精度の高い検出をする。
【解決手段】半導体装置は、第１のセンサ素子及び第２のセンサ素子を具備し、第１のセンサ素子は、第１の導電層と、第１の導電層上に形成された第１の感応膜とを有し、第２のセンサ素子は、第１の導電層とは異なる第２の導電層と、第２の導電層上に形成された第２の感応膜とを有する。センサ素子の製造方法は、センサ素子のうち導電層を半導体基板に又は半導体基板上に形成する工程（ａ）と、感応膜を構成する成分を含む液体を導電層上にインクジェット装置によって吐出して、感応膜を形成する工程（ｂ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 （もっと読む）

【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 （もっと読む）

【構成】 Si基板の空洞を架橋するように脚により支持された架橋部に、下層の第１層パターンと上層の第２層パターンとから成るヒータパターンを設ける。第１層パターンと第２層パターンとの間に中間絶縁膜が有り、第１層パターンと第２層パターンは、中間絶縁膜が無い部分で、電気的に直列に接続されている。第１層パターンの一端と第２層パターンの一端とが、Si基板上で第１及び第２のパッドに接続されている。
【効果】 ヒータ抵抗を約２倍にできる。 （もっと読む）

【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 （もっと読む）

【課題】高感度・高安定で高選択性を有し、さらに低消費電力なガスセンサを提供する。
【解決手段】雰囲気ガスを検出するガスセンサは、ヘテロ構造層２０と、２次元電子ガス層３０と、センサ部４０と、検出部５０とからなる。２次元電子ガス層３０は、ヘテロ構造層２０の界面に設けられる。センサ部４０は、ヘテロ構造層２０上に形成されるものであり、半導体ナノワイヤを有するものである。検出部５０は、２次元電子ガス層３０の抵抗値を用いて雰囲気ガスを検出するものである。 （もっと読む）