【課題】 高精度のマスタ画像を作成して正確にパターン検査を行うパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】 ステップＳ５１では、被検査物に形成されるパターンの設計データを用いて比較用画像を作成する。ステップＳ５２では、被検査物を撮像して得られる画像を用いて仮マスタ画像を作成する。ステップＳ５３では、仮マスタ画像と比較用画像との相違点を抽出する。ステップＳ５４では、相違点を表示する。ステップＳ５７では、ユーザの操作に応じて、表示した相違点について仮マスタ画像を修正する。ステップＳ５９では、修正された仮マスタ画像をマスタ画像として登録する。そして、登録されたマスタ画像とオブジェクト画像とを比較して、被検査物のパターン形状を検査する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】
他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの欠陥検査感度を正確に調整する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に回路パターンとともに所定寸法の作り込み欠陥からなる欠陥検査用パターンを形成し、該回路パターンの欠陥検査に先立って該欠陥検査用パターンを検出し、その検出結果に基づいて検査感度の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】
微細なパターンを高い分解能で検出する欠陥検査方法、その装置及び半導体基板を高歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】
Ｘｅランプ３、楕円鏡４、マスク５とからなる輪帯状の照明を形成するランプハウス２４は、輪帯状の照明光を、ＸＹＺステージ２上に載置された微細パターンを形成したウエハ（被検査対象物）１を、コリメータレンズ６、光量調整用フイルタ１４及びコンデンサレンズ７を介して、円又は楕円偏光変換素子により円又は楕円偏光させて、対物レンズ９を介して照明し、その反射光をハーフミラー８ａ、８ｂ、ズームレンズ１３を介し、反射光の画像をイメージセンサ１２ａにより検出する。ステージＸＹＺを移動させ、センサ１２ａにより走査し画像信号を得る。この画像出力をＡ／Ｄ変換器１５ａにより変換して基準画像と比較して不一致を欠陥として検出するものである。 （もっと読む）

【課題】短い時間で波長選択を行うことができ、検査の時間を短縮できる表面検査装置を提供する。
【解決手段】互いに異なる波長の光を射出する複数の発光ダイオード１，２，３と、複数の発光ダイオード１，２，３からの光を合成して、被検物体４に照射する合成光学系８と、被検物体４からの光を集光して被検物体像を撮像する受光光学系１３と、それぞれの発光ダイオード１，２，３に対して、点灯／消灯の制御を行うことにより、合成光学系８から照射される光の波長を切り替える制御手段１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する
【解決手段】
同一パターンとなるように形成されたパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、切替え可能な複数の異なる検出系と異なる検出系の像を同時に取得可能な複数台のセンサとそれに応じた画像比較部とを備えて構成した。
また，画像の特徴量から統計的なはずれ値を欠陥候補として検出する手段を備えて構成し，ウェハ内の膜厚の違いに起因して画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面の異常を検出するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】高い処理能力の表面検査システムであり、高い検出感度を持つものについて記述されている。得られたデータは、リアルタイムで５０ＭＨｚ以下のレートで処理されることにより、データ処理のコストを減少させる。異常は隣接する繰り返しパターンを比較することにより検出されて検証され、そして表面の高さはモニタされており、そして、近接する繰り返しパターンとの間の位置ずれ誤差を減少させるために機械的に修正される。近接する情報を用いた局所的なしきい値は異常の存在の検出と検証のために用いられる。照明と収集システムが結合されたものの点分布関数のサンプルされたものが異常の検出および検証のために利用される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のアライメントにおける、線列パターンを用いたテンプレートマッチングにおいて、より精度よく線列パターンの位置検出を行う。
【解決手段】
相関法を用いたテンプレートマッチングにより、線列パターンを含む領域の画像を得る。当該画像から投影波形を求め、投影波形から線列パターンの位置を求める。例えば、線列パターンを含む画像について、線方向に投影した投影波形を取得し、投影波形の微分処理によりエッジを求め、最外位置にある両側のエッジのペアの中点を線列パターンの位置とする。 （もっと読む）

【課題】 基板面内の光量分布のムラを低減し欠陥検出精度を向上した、基板の欠陥検出方法および欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 欠陥検出装置２０では、検出用の光２７を基板２５内において発散させるレンズ部２２と、前記検出用の光２７の導光領域を重複させる機能を有する光源部２１とを有し、レンズ部２２によって、検出用の光２７は基板２５内を発散した状態で進行させ、光源２８の配置位置によって導光領域を重複させて複数の検出用の光２７を重畳させることによって、光量の分布を均一にすることができ、光量の分布によって差異が生ずることを防いで、欠陥２６に起因して散乱する光を確実に検出し、欠陥２６を高精度に検出する。 （もっと読む）

【課題】 基板上のパターンの位置をより精度良く検出する技術を提供することにある。
【解決手段】
テンプレートマッチングのためのテンプレート画像を、アライメントマークの実画像で更新していく。アライメントマークの実画像は、サブピクセルシフトにより本来の位置からのズレを修正した後、テンプレート画像として登録する。 （もっと読む）

パターン比較検査装置を、検査領域内に含めるべきか否かを判定する被判定位置を被検査パターン上のいずれかから選択する被判定位置選択手段（４１）と、被判定位置の画像信号と、被判定位置から繰り返しピッチの整数倍離れた位置の画像信号とを比較する画像比較手段（４２）と、画像比較手段の比較結果が所定のしきい値内にあるとき、被判定位置を検査領域内に含めて検査領域を設定する検査領域設定手段（４３）とを備えて構成する。これにより、繰り返しパターン領域を有する被検査パターン内の、繰り返しパターンどうしを比較してパターン欠陥の有無を検査するパターン比較検査装置において、繰り返しパターン領域の範囲内において、検査領域を拡大することが可能となる。
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【課題】 欠陥検査装置におけるリサイズ処理を高い精度で実現することができ、欠陥検出感度の向上をはかる。
【解決手段】 被検査試料のパターン欠陥を検出するための欠陥検査装置において、試料１に光を照射する光源３と、試料１からの反射又は透過光を検出して測定パターンデータを取得する光電変換部１３と、設計データから複数の画素データを含む展開データを生成する展開回路１７と、展開データの各画素の近傍に存在する隣接図形間の距離に相当する量を求め、隣接図形間の距離に相当する量に基づいて画素毎に係数を求め、求めた係数に基づいて展開データにフィルタ処理を施すリサイズ回路１８と、フィルタ処理が施された展開データに基づいて基準パターンデータを生成する光学フィルタ回路１９と、測定パターンデータと基準パターンデータとを比較する比較回路７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】従来Cuデポジション法でしか評価できなかった微小なＤＳＯＤ等を簡便でかつ無駄なコストをかけることもなく、更に精度良く評価可能なシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を赤外散乱トモグラフ法により評価する方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウエーハにレーザー光を照射し、該シリコン単結晶ウエーハの内部に侵入した光を結晶欠陥で散乱させ、該散乱光を検出することにより、前記シリコン単結晶ウエーハ内部のＤＳＯＤ（Direct Surface Oxide Defect）及び該ＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 周波数の高いサンプリングにより、メモリの増加をさせることなく、連続性のデータを利用することで、塊状の異物や小さな異物の孤立検出を可能にする。また、スキャン方向の連続データを用いて、送り方向での位置情報から重なりを判定することで、送り方向の連続性の判断も可能にする。
【解決手段】 検出光を検査対象物の表面に照射するとともに、検査対象物の表面から反射した散乱光を受光し、その間に、検出光を螺旋状に走査させることにより、検査対象物の表面上の異物を検査する表面検査方法において、検出光を所定方向に走査させていくとき、異物の散乱信号がスレッショルド信号を越えたら、そこをスタート点として記憶し、その後、異物散乱信号がスレッショルド信号を下回ったら、そこをエンド点として記憶し、スタート点とエンド点との間で異物散乱信号が最も大きかったところをピーク値として記憶する表面検査方法。 （もっと読む）

【課題】
異物欠陥検査装置で、光検出器としてＣＣＤセンサを用いる場合、光電変換により内部に発生した信号電荷を電圧に変換して読み出す際に電気的なノイズが発生し、微小な異物や欠陥からの反射散乱光を検出して得られる微弱な検出信号が電気的なノイズに埋もれてしまい、より微小な異物や欠陥を検出する上で障害となっていた。
【解決手段】
光検出器として電子増倍型ＣＣＤセンサを用い、光電変換によって生じた電子を増倍した後に読み出すことにより、電気的なノイズに対して入力光による信号が相対的に大きくなるようにして、従来のＣＣＤと比較してより微弱な光を検出することを可能にし、従来と比べて、より微小な異物や欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 欠陥と疑わしき部分のみの画素サイズを小さくすることによって、検査時間の増大を招くことなく、検査精度の向上をはかる。
【解決手段】 被検査試料のパターン欠陥を検査する試料検査装置において、被測定試料のパターンに対応した所定の画素サイズの測定パターンデータを測定パターンデータ生成部１３〜１６により生成し、設計パターンに基づいて参照パターンデータ生成部２３，２４により参照パターンデータを生成し、測定パターンデータと参照パターンデータとを比較判定部２５により比較し、これらの差がしきい値を超えたら欠陥と判定し、欠陥と判定された場合、又は欠陥と誤検出され易いパターンと判定された場合に、該パターン部分について画素のサイズをより小さくした測定パターンデータを再生成し、再生成した測定パターンデータと参照パターンデータとを比較判定する。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、かつ、精度良く短時間で簡便にウェーハ表面の結晶欠陥を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成するための熱処理を行った後、前記シリコンウェーハをアルゴンを含む雰囲気で熱処理して前記シリコンウェーハ表面に酸化膜ホールを形成し、該酸化膜ホールを検出することによって、前記シリコンウェーハ表面に存在する結晶欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】 対物レンズの鏡筒に設けた純水供給流路及び純水回収流路の内壁に熱を加えたり又は薬液を流したりすること無く、直接紫外線を照射してＵＶ殺菌を行うこと。
【解決手段】 明視野観察時には、ハーフミラー７は、液浸対物レンズ８の光軸（Ｌ１）位置にあり、照明光源２の紫外光の略半分はウエハＷに落射させる。殺菌時には、反射ミラー３０を、液浸対物レンズ８の光軸（Ｌ１）位置に移動させる。照明光源２の紫外光は、反射ミラー３０の丸穴３０ａのため、中央部の紫外光は、液浸対物レンズ８の方向に行かない。一方、その周辺部のミラー面３０ｂで反射された紫外光は、純水供給・回収流路２１，２２の中心軸（Ｌ２）に沿って進み、カバーガラス２５を介して、純水供給・回収流路２１，２２に入射して、この内部の純水ＰＷを殺菌する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、研磨または研削された絶縁膜の表面に発生したスクラッチや異物に対してほぼ同じ光束で落射照明と斜方照明とを行い、該落射照明時と斜方照明時との間において浅いスクラッチと異物とから発生する散乱光強度の変化を検出することによって浅いスクラッチと異物とを弁別し、さらに、前記落射照明時における散乱光の指向性を検出することによって線状スクラッチと異物とを弁別することを特徴とする表面検査方法およびその装置である。 （もっと読む）

【課題】 ２画像の対応部分のグレイレベル差を検出し、この分布に基づき閾値を自動設定し、これら閾値とグレイレベル差とを比較し、グレイレベル差が閾値より大きい場合に欠陥であると判定する画像欠陥検査方法及び装置において、グレイレベル差の分布が通常の分布と異なる場合、閾値を補正することにより、疑似欠陥の発生を抑えつつ高い検出感度を実現すること可能とする。
【解決手段】 グレイレベル差の累積頻度を算出し（Ｓ３）、グレイレベル差が分布すると仮定した所定の分布で、累積頻度がグレイレベル差に対してリニアな関係になるように累積頻度を変換して変換累積頻度を算出し（Ｓ４）、変換累積頻度の近似曲線を導出し（Ｓ１１）、この近似曲線のグレイレベル差についての２次微分値を算出し（Ｓ１２）、この２次微分値に応じて閾値を補正する（Ｓ１３）。 （もっと読む）