【課題】表面に緩やかな凹凸があった場合や欠陥とは言えない浅い傷などがあった場合重欠陥であるクラック状欠陥と区別できない問題を解決し、傷や付着物の性状を判定するとともに、さらに欠陥の程度を評価する表面欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】移動する検査対象物の鏡面状表面を拡散光によって照明する拡散光照明手段と検査対象物の鏡面状表面の画像を撮像するテレセントリック光学系とリニアセンサアレイで構成された撮像手段と設け拡散光照明を検査対象物への入射角度が広角である第１の拡散光照明手段と照射方向が狭い第２の拡散光照明手段とから構成しさらに第１の拡散光照明手段および第２の拡散光照明手段を用いて得られる撮像データを比較して欠陥を評価する欠陥評価手段を設けて構成した。 （もっと読む）

この発明は、検査する基板を支持するガイド支台に対して少なくとも２つの方向に相対移動可能である検査ヘッドを備えている検査装置に関する。ガイド支台は、少なくとも部分的に互いに重なり合うように前後して被着、特に印刷された少なくとも２つの層を備えた基板を支持する。検査ヘッドは照明装置と検出装置から成り、それによって基板から反射された電磁線を捕捉して判定装置に伝送し、それによって所与の基板（３０）の不良を検知することができる。検査ヘッド（１２）は必要に応じて錐形状に拡幅したトンネル（２４）を備えていてその内周上に多数の発光素子が取り付けられており、検出装置（１４）は基板（３０）上で３０μｍ未満の解像度で捕捉を行う光学系を有するデジタルカメラ（１８）を備え、駆動装置によって撮影サイクル中におけるガイド支台（３２）と検査ヘッド（１２）との間の相対動作を制御し、それによって互いに連続しているあるいは重複している個別画像を１つの基板（３０）の全体画像に合成することができる。 （もっと読む）

【課題】 瞳距離の短いときも検査条件を切り換えて基板を検査することができる基板検査装置を提供する。
【解決手段】 光源１０とウエハ５との間に配置される光学アダプタ２０，３０を切替えることによって検査を行う基板検査装置において、水平方向位置切換駆動部４０によって光学アダプタ２０，３０を水平方向へ移動させて検査に使用する光学アダプタ３０を光軸上へ移動させ、その後、垂直方向駆動部５０によって光学アダプタ３０を光軸方向へ移動させる。このとき、現在使用されていない光学アダプタ２０の下降はストッパ６０によって制限される。その結果、光学アダプタ２０とプローブカード７０との干渉が防止される。 （もっと読む）

時分割および積分（ＴＤＩ）センサを通して電荷を伝播するための方法および装置が提供されている。この方法および装置は、ＴＤＩセンサとともに試験片の検査に使用でき、ＴＤＩセンサは、ＴＤＩセンサのゲート間において蓄積された電荷を前進させるべく動作する。この設計は、ゲート間において蓄積された電荷を前進する波形のための、複合、正弦曲線、またはそのほかの成形された波形等の実質的に非方形波形の電圧波形の形状をコントロールすることを包含する。電圧波形の形状をコントロールすることは、実質的に些細な正味の電圧変動を提供するべく隣接ゲート内において異なる電圧位相で作用する。
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【課題】偏光条件に対するイメージセンサのチャンネル依存性を低減し検査感度の向上を図る。
【解決手段】偏光ビームスプリッタ１５に対する入射照明光の方向と偏光ビームスプリッタ上に投影されるイメージセンサ2000の視野の長手方向を概ね平行方向にする。 （もっと読む）

【課題】
比較検査の性能向上のためには位置合せの精度向上。
【解決手段】
代表画素領域における代表注目画素の位置ずれ量を算出するときに、統計処理領域（投票対象領域）である代表画素領域の周辺に切り出される周辺画素領域群における各周辺注目画素の位置ずれ量を統計処理する（投票処理して集計する）ことによって得られる頻度の高い位置ずれ量を利用することで、位置合せの正解率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で同一の観察対象物を複数の方向から適正な照明状態で観察可能とする。
【解決手段】 同一観察対象物Ｗを、同一平面Ｐ_０または互いに平行な平面に沿う光路長の異なる複数方向から観察する装置であって、一の光路上の焦点位置の像と、他の光路上の焦点位置の像とを同一の撮像手段３に結像させる結像光学系４と、平面Ｐ_０に交差する方向に沿って観察対象物Ｗに照明光Ｌを照射する照明装置２とを備える多方向観察装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 チップ比較検査の検査時間（スループット）を早くする。
【解決手段】 検査対象チップは、チップ４０１からチップ４０７までの１行の７チップであり、そのうちの１つのチップ４０１を基準チップとして定義する。Ｘ−Ｙステージにより、基準チップＡ４０１からチップＧ４０７までを順次スキャンする。この間、画像比較部により、基準チップＡ４０１とその他のチップＢ４０１からＧ４０７までとの差画像Ｂ−Ａ４０８から差画像Ｇ−Ａ４１３までのデータを、順次、求めることができる。ここで、どの差画像データにおいても共通の位置に同様の形状で検出された欠陥は、基準チップＡ４０１の欠陥（チップ左下端の欠陥）と判断できる。 （もっと読む）

【課題】粒子とゴースト粒子をするために、ゴースト粒子の放射線を実粒子の放射線から分解する検出器システムを提供する。
【解決手段】検出器システムが、自身の一部に入射する放射線の強度に対応する複数の検出器信号を出力する。あるいは、検出器システムが、自身に入射する放射線の強度に対応する検出器信号を出力する。複数の検出器信号は各々、ゴースト粒子から放射線が所定の閾値レベルより高いレベルを有さず、粒子から放射線を受け取ると、閾値レベルより高いほぼ同じレベルを表示する。さらには、検出器システムが、所定部分に入射する放射線に応答して第一検出器信号を生成する放射線検出デバイスと、粒子からではない放射線が検出器デバイスの所定部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリを有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便に高い検出感度を得ることができる検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる検査装置はレーザ光源１０１と、試料表面に光スポットを形成する対物レンズ１０２と、対物レンズ１０２から試料１０７に入射した光ビームのうち、試料表面で反射した反射光に基づく出力信号を出力する光検出器１１０と、試料１０７と光スポットとの相対的な位置を走査ラインに沿って走査するステージ１０８であって、前記光スポットが隣接する走査ラインの光スポットと重複した領域を照明するように走査するステージ１０８と、光検出器１１０からの出力信号に基づいて欠陥候補を検出する欠陥候補検出部２０２と、欠陥候補検出部２０２において検出された欠陥候補間の距離に基づいて欠陥か否かを判定する欠陥判定部２０８とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの処理における着工中の半導体ウエハの割れ、膜剥がれを回避する技術を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置Ａを構成する装置フロントエンドモジュール２０内に設けたプリアライナ４０の構成を利用して、半導体ウエハＷのエッジ検査を行う。回転させた半導体ウエハＷにレーザ光を照射して、半導体ウエハＷのノッチ部の検出を行いその方向性を揃えるプリアライナ処理と並行して、回転する半導体ウエハＷのエッジ側を、エッジ検査手段５０で検査し、処理ユニット１０での処理着工中のウエハ割れ、あるいは膜剥がれを起こす可能性の高い半導体ウエハＷを事前に選別して外し、処理着工中のウエハ割れ等の障害を未然に防止する。 （もっと読む）

【課題】 擬似欠陥を除外して高い検査感度で欠陥検査が可能な欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 欠陥検出手段２は、所定の検査感度で試料表面の欠陥検出を行い、擬似欠陥特定手段４は、欠陥検出により得られた欠陥情報から擬似欠陥を特定し、非検査領域設定手段５は、特定した擬似欠陥の検出箇所を非検査領域に設定する。そして、欠陥検出手段２は、設定された非検査領域を検査せずに欠陥検出を繰り返すので、検査感度を高められる。 （もっと読む）

【課題】効率良く欠陥検査データを活用する欠陥解析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に複数の半導体チップを形成した半導体装置を製造するにあたり、各工程での半導体基板の欠陥を検査および解析するために用いられ、欠陥検査装置１１０、画像取り込み装置１０、データ解析装置１３０及び電気特性測定装置１８０を備えて構成される。データ解析装置は、欠陥情報管理手段と、入力部及び出力部と、欠陥解析手段とを備えている。欠陥情報管理手段は、欠陥分布情報、基板観察情報及び電気特性情報を合成して欠陥情報とする。 （もっと読む）

【課題】Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ検査方式及びＲｅｆ比較検査方式による欠陥検出を行う際に、最適となる検査条件を選定することが可能な検査条件設定方法を提供する。
【解決手段】欠陥検査システム１において、チューニングサーバ３０のＤｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ検査手段３１ａは、画像データの所定の領域間を比較し、比較結果に基づいて画像データから擬似欠陥を検出しない第１の閾値を算出する。閾値設定部３１は、第１の閾値の中から最小値となる第１の閾値を検出し、最小値となる第１の閾値対応する画像データを参照画像データとして選択する。Ｒｅｆ比較検査手段３１ｂは、選択された参照画像データと他の画像データとを比較し、比較結果に基づいて他の画像データごとに擬似欠陥を検出しない第２の閾値を算出する。そして、閾値設定部３１は、第２の閾値と参照画像データとに基づいて検査条件情報を設定する。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターンを形成し対象物を製作して行く製造工程で発生する異物等の欠陥を検出する際に、照明の形状を最適化することにより、検出感度およびスループットを向上する欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明では、照明範囲内の照明照度分布のうち照度が最小になる領域の照度が最大になるような照明を実現し、信号のＳ／Ｎを最大にすることにより、検出感度の向上およびスループットの向上を実現する。 （もっと読む）

【課題】 表面に位置する層を薄膜化した複数の層を有する半導体基板の表面の異物を検出できる半導体基板の検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面に向けてレーザ光を照射する照射部１から照射されるレーザ光Ｒによって生じる散乱光Ｓを受光部３で受光し、受光した散乱光に基づいて半導体基板５の表面の異物を検出するとき、照射部１は、Ｐ偏光板１１を介して波長が２９０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下のレーザ光Ｒを入射角θが５０度以上で照射する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象からの反射光もしくは回折光が検査対象のパターン密度に応じて変化する光学条件においても検出視野内でのイメージセンサの感度を均一にする。
【解決手段】 検査対象からの反射光もしくは回折光成分の分布を変更可能な複数の光学条件を任意に選択可能で、かつ、一次元もしくは二次元の光電変換イメージセンサを有し、検査対象を搭載したステージを走査するかもしくはイメージセンサを走査することにより光学的に画像を取得し、画像処理等により検査対象の欠陥等を検査する検査装置において、光学条件（照明光学系、検出光学系、走査方向等）毎に検査対象試料を撮像して取得したイメージセンサ検出視野内での光量分布とコントラストから、イメージセンサ出力補正データを生成し、イメージセンサ出力の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 被検査物体像が感じる光強度が正常部とあまり変わらない欠陥を検出することが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】 制御部１７にて被検物体像３ａが撮像され画像メモリ２ａへ転送される。ここで、同一箇所のリファレンス画像３ｂが画像メモリ２ｂへ転送され、フィルタリング処理部４に渡される。フィルタリング処理部４においては、画像メモリ２ａと画像メモリ２ｂ上の画像を、画素単位で、ＲＧＢの値から、Ｈ（色相）、Ｓ（彩度），Ｉ（明度）成分を求め、被検物体像６ａ、リファレンス画像６ｂを生成する。欠陥検出処理部７においては、欠陥判別条件ファイル８に設定されている検出諧調閾値を基に、空間要素に分解した被検物体像６ａとリファレンス画像６ｂの画素値単位に相違を求め、欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】 従来の有機物顕在化方法では、被検査物表面の異物を識別するためには、薄膜を堆積させる時間を多く必要とし、異物を識別させるための作業等が煩雑であった。また、被検査物表面の異物を識別する際には、被検査物を不活性ガスが封入された特別な環境下に置く必要があるため、異物の存在を容易に確認することができなかった。
【解決手段】 被検査物である基板１の表面に１次電子源７２からの電子線、およびイオン源７３からの不揮発性ガスイオンを照射し、電子線および不揮発性ガスイオンが照射された基板１から発生する２次電子を２次電子検出器７４により検出して、基板２表面に存在する有機物１４を識別する。また、基板１の表面に金属薄膜１９を成膜し、金属薄膜１９が成膜された基板１表面に光を照射して、光の干渉により生じる、有機物１４が存在している部分と存在していない部分とのコントラスト差を識別する。 （もっと読む）

同軸狭角暗視野撮像システムが提供される。本システムは、テレセントリック・レンズを使用して、対称同軸狭角暗視野照明で物体を照明する。この照明技術は、平面鏡面物体上の少ない特徴または欠陥を強調するのに特に適している。特に、同軸光源は光線をテレセントリック・レンズの方に向け、このテレセントリック・レンズが光線を実質的な平面鏡面物体の方に向け直す。光線はテレセントリック・レンズを通してカメラの方に逆に反射される。光線が物体の平面鏡面部分で反射される限りで、光線はテレセントリック絞りで遮られる。平面鏡面物体の欠陥または特徴で反射された光線は、絞りの開口を通ってカメラに進む。
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