【課題】 薄膜太陽電池の透明電極膜基板の状態を定量的に精度よく検査でき、且つ、検査ライン上に基板を配置したままの状態で成膜状態などを目視できる透明電極膜基板の検査装置を提供する。
【解決手段】 検査ライン上に配置されたＴＣＯ基板Ａの表面を撮影する撮影装置２と、撮影装置２により取得された画像を処理することにより、ＴＣＯ基板Ａに存在する欠陥を検出し、ＴＣＯ基板Ａの検査を行う処理装置３と、撮影装置２により取得された画像を表示するモニタ４とを備え、撮影装置２は、フォーカス位置を変化させるフォーカス位置変更機構を備え、処理装置３は、撮影装置２により取得されたフォーカス位置の異なる複数の画像の中からフォーカスが最も合致しているフォーカス合致画像を抽出し、抽出したフォーカス合致画像を用いて、欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】検査の目的に応じてバンプを検査する。
【解決手段】第１光源３２ａ及び第２光源３２ｂが３０度の仰角に設定されるとともに、第３光源３３ａ及び第４光源３３ｂが４５度の仰角に設定される。第１光源３２ａ及び第２光源３２ｂによってワークが照射されバンプの影がワーク上に投影されると、ＣＣＤカメラ３１によってワークの表面が撮像されるとともに、バンプの影を含む画像信号が出力される。バンプの影のみが抽出された二値化画像信号が二値化画像が隣接するバンプに干渉しているか否かを判定し、二値化画像で干渉していると判定された場合、第３光源３３ａ及び第４光源３３ｂによってワークが照射されバンプの影がワーク上に投影される。 （もっと読む）

【課題】 設計データから高い近似度を持って参照データを高速で作成することができ、検査精度及び検査速度の向上をはかる。
【解決手段】 設計データから参照データを作成する際に、画素を分割したサブ画素単位で、多角形により表わされる図形データをライン方向に走査して求めた交点の座標で定義される走査リスト若しくはサブ画素単位のビットマップを生成し、試料の透過率や位相分布に応じた像強度分布を部分コヒーレント結像の物理モデルに基づいて計算する。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の検出精度が向上する閾値を決定できる外観検査装置を提供する。
【解決手段】 外観検査装置の制御部が実行する処理は、画像の入力を受けるステップ（Ｓ４１０）と、第１の閾値で２値化処理を実行するステップ（Ｓ４２０）と、対象領域を決定するステップ（Ｓ４３０）と、各領域に対応する第２の閾値を決定するステップ（Ｓ４４０）と、第２の閾値と第１の閾値との間を解析するステップ（Ｓ５００）と、第３の閾値を決定するステップ（Ｓ４６０）と、各領域において第３の閾値で２値化処理を実行するステップ（Ｓ４７０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体製品の製造の際に実施される処理の良否の評価を、作業員に負担を掛けることなく従来よりも正確かつ迅速に行う。
【解決手段】チャンバー内で基板に対して加工処理を実施するときの様子が撮影されるように予めカメラを設置しておき、基板に対して加工処理が実施されているときのチャンバー内の様子を撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく加工処理が実施されたときの画像を、モデル画像として予め記憶手段に記憶させておき（＃１）、半導体製品の製造中に、チャンバー内で基板に対して加工処理が実施されているときの様子を撮影し（＃３）、ステップ＃３で得られた画像と記憶手段に記憶されているモデル画像とに基づいて、半導体製品の製造中におけるチャンバー内で実施されている加工処理の良否を評価する（＃４）。 （もっと読む）

【課題】性状の異なるワークに対しても、実質的に一つの装置で、半導体パッケージ用多層配線基板の最上層配線パターンの高精度な画像を撮像すること。
【解決手段】半導体パッケージ用多層配線基板からなるワーク２１の最上層配線パターンを光学的に検出する装置であって、λ／４波長板２０と同屈折率光学板２６と偏光板２７とが交換可能に備えられ、ある性状のワークに対してはλ／４波長板２０を用い、偏光ビームスプリッタ１８によって導かれた直線偏光ｎを、λ／４波長板２０によって円偏光した後に照射し、別の性状のワークに対してはλ／４波長板２０の代わりに同屈折率光学板２６を用い、直線偏光ｎを同屈折率光学板２６を介した後に照射し、更に別の性状のワークに対してはλ／４波長板２０の代わりに偏光板２７を用い、直線偏光ｎを、偏光板２７によってベクトル分解した後に照射し、ワーク２１で反射してきた光を撮像する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いて移動する対象物上の所定領域の画像を精度よく取得する。
【解決手段】画像取得装置１は、対象物９を連続的に移動するコンベア２、および、コンベア２の上方に設けられたヘッド部３を備える。ヘッド部３は、フラッシュ光を出射するＬＥＤ３１、対象物９にフラッシュ光を導くとともに対象物９からの光が入射する顕微鏡３２、および、顕微鏡３２により所定の倍率で結像された対象物９の像を電気信号に変換する撮像デバイス３３を有する。画像取得装置１では、コンベア２により移動する対象物９に対してパルス幅が１０μ秒以下のフラッシュ光がＬＥＤ３１から出射され、対象物９上の検査領域の画像が取得される。これにより、ＬＥＤ３１を用いて移動する対象物９上の検査領域の画像を精度よく取得することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面におけるマクロ検査結果の正常あるいは異常判定は異物数を閾値としていたために、異物やチッピングそしてチャック痕を識別することが困難であった。
【解決手段】ウェーハ裏面を任意のエリアに分割して、チャック痕の対象となるエリア数Ｓ１の設定、Ｓ１における単位面積あたりの異物数ＰＳ１の規格値を設定することにより、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別を迅速に行うことが可能である。
また、チッピング判定エリアおよびチッピング判定エリア内における単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定することで、迅速に異物とチッピングを識別することが可能でるため、半導体装置の製造ロスを未然に防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いて移動する対象物上の所定領域の画像を精度よく取得する。
【解決手段】画像取得装置１は、対象物９を連続的に移動するコンベア２、および、コンベア２の上方に設けられたヘッド部３を備える。ヘッド部３は、フラッシュ光を出射するＬＥＤ３１、対象物９にフラッシュ光を導くとともに対象物９からの光が入射する顕微鏡３２、および、顕微鏡３２により所定の倍率で結像された対象物９の像を電気信号に変換する撮像デバイス３３を有する。画像取得装置１では、連続点灯時の許容電流を超える電流がＬＥＤ３１に入力されて、コンベア２により移動する対象物９に対してフラッシュ光が照射され、対象物９上の検査領域の画像が取得される。これにより、ＬＥＤ３１を用いて移動する対象物９上の検査領域の画像を精度よく取得することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハにおいて、その周縁部に発生する欠陥切欠き部分を精度よく検出することができるウェハの欠陥検出方法および装置を提供する。
【解決手段】 中心軸線２９からウェハの周縁部まで延びる周縁直線４０が、中心軸線２９まわりを角変位する場合の、周縁直線の距離変化に基づいて、ウェハの切欠き部分の幅Ｗと、深さＨとを算出する。注目する切欠き部分の幅と深さとの少なくとも１つが、ノッチ２２またはオリフラ２４に対して設定される幅と深さとの規定範囲外である場合に、その注目する切欠き部分を欠陥切欠き部分として検出する。このように切欠き部分の幅と深さとの両方に基づいて、切欠き部分が欠陥であるかを判断する。これによって、ウェハ２１に発生する欠陥切欠き部分をノッチ２２またはオリフラ２４と誤検出することを防ぎ、欠陥切欠き部分を精度よく検出することができる。 （もっと読む）

【課題】極紫外線（ＥＵＶ）光マスク・ブランクにおける欠陥の有無を判定する。
【解決手段】マスク・ブランクの層における異常によって散乱又は拡散された入射ＥＵＶ光を測定、正規化、閾値との比較を行うことにより欠陥の存在の有無及びその場所を判定する。正規化は画素についての光強度値を周囲画素から成る１つ以上のリングについての光強度値の平均によって除算することによって行う。欠陥は、画素についての該正規化強度値が画素閾値よりも大きいか否かを考慮して判定する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に透明絶縁膜が形成された時点で透明絶縁膜の欠陥に対して適切な修正方法を決定し、生産効率の向上及び製造コストの削減を実現する。
【解決手段】 本発明の透明絶縁膜修正装置は、カメラ１により、干渉レンズ３と対物レンズ６とをレンズ切り替え器５により切り替えて撮像された基板３１の画像に基づいて制御コンピュータ７により、欠陥の種別、及び、当該欠陥の基板３１上の配線パターンに対する位置を用いて、修正方法決定手段１６により修正方法を決定する。これにより、適切な方法を用いて、レーザ制御部１１、インクジェット吐出制御基板１３によって、各欠陥を修正できるから、生産効率の向上及び製造コストの削減を実現することができる。 （もっと読む）

強い光、弱い光、及び蛍光の光の用途における、要素の光学検査中の検査速度を最適化する方法。自動収束メカニズムと、高速度ＣＣＤカメラと高開口数（ＮＡ）光学部品とを組み合わせたときに、優れた信号対ノイズ比、解像度、及び検査の速度性能を達成する、蛍光及び非蛍光用途に対して最適化された方法が記載される。
（もっと読む）

【課題】 本発明は観察対象である試料を照明する照明手段と、この試料上のパターンの特定の空間周波数成分を除去する空間フィルタとを簡単な構成で実現する顕微鏡装置及びその照明方法を提供する。
【解決手段】 顕微鏡装置の光源４０を、対物レンズ３の瞳面８又はこの瞳面と共役な平面２３上に設け、これらの面上にこの光源４０を支持するための支持手段４０を空間フィルタとして使用する。 （もっと読む）

【課題】 検出感度の低下を抑制し、表面の異物検出感度を向上させることができる基板表面の異物検出方法、及びこの検出方法に用いる基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 レーザ光により基板表面の異物を検出する方法であって、基板は散乱光を減少させる処理を施した半導体基板を用いる。
半導体基板表面の異物検出に用いるための基板の表面処理方法であって、散乱光を減少させるために、基板表面１１ａを等方的に酸化させる工程と、酸化によって形成された酸化膜１２を等方的にエッチング除去する工程とによって表面処理する。 （もっと読む）

オブジェクトを検査するためのシステムが開示される。このようなシステムは、ａ）放射源を有し、検査されるべきオブジェクトを照射するための照射系と、ｂ）照射されたオブジェクトをイメージセンサ上に結像させる対物レンズと、ｃ）検査されるべきオブジェクトから来る放射を、検出可能な信号に変換するためのイメージセンサと、を有する。上記放射源は、Ａ）少なくとも一つのカソードと、Ｂ）少なくとも一つのアノードと、Ｃ）（複数の）カソードと（複数の）アノードとの中間に位置付けされ、実質的に電気絶縁される、一つ又は複数のプレートであり、各プレートが、少なくとも一つの孔を有すると共に、放電が広がり得る連続的な放電路が、カソードとアノードとの間に生成されるように配置される、一つ又は複数のプレートと、を有する。
（もっと読む）

【課題】 １つ以上の空間光変調器（ＳＬＭ）（１０８、１１２、１２２、２１２、２２０、２３０、３１２、３３２、３２０）を用いて検査システム（１００、２００、３００）内の光学ビームの位相および／または振幅を変える方法および装置を提供する。
【解決手段】 ある実施形態において、光学ビームで試料を光学的に検査する装置が開示される。この装置は、入射光学ビームを前記試料上に導くことによって、前記入射光学ビームの少なくとも第１部分が前記試料（１１８）から出力ビームとして導かれるビーム発生器（１０２および２０２）、および前記出力ビームの少なくとも一部を受け取るよう配置される検出器（１２６、２３４、３３６）を含む。この検出器はまた、前記出力ビームに基づいて出力信号を発生するよう動作可能である。この装置はさらに前記出力ビームを前記検出器に導く１つ以上の結像光学系（２２４、２２８、２２６、２３２）、および前記出力ビームまたは前記入射ビームのいずれかの光路内に配置される第１プログラム可能な空間光変調器（ＳＬＭ）を含む。このＳＬＭは、前記入射ビームまたは前記出力ビームの位相または振幅プロファイルを調節するよう構成される。この装置は、前記入射ビームまたは前記出力ビームの前記位相または振幅プロファイルを変えるよう前記第１ＳＬＭを構成するよう動作可能な制御システム（１２８、２３６、３３８）も有する。例えば、ＳＬＭは、異なる検査モードを達成するために入射ビームの照射プロファイルを変えるよう構成されえる。他の例では、ＳＬＭは、前記出力ビームの前記位相および／または振幅プロファイルを変えることによって、前記結像光学系によって作られる収差を実質的になくすよう構成されえる。他の実施形態において、装置は、前記入射ビームおよび前記出力ビームの両方の位相および／または振幅プロファイルを変えるよう構成可能である２つ以上のＳＬＭを含みえる。
（もっと読む）

【課題】 受光可能散乱角度範囲を調整する手段を設けることによって、被測定物の性状に合った適切な測定を可能にする測定器を提供すること。
【解決手段】 レーザー１から被測定面Ｗに光が照射されると、散乱光が生じる。同一散乱角度θの散乱光束Ｓは、対物レンズ３によって位置Ｆ´に集光される。位置Ｆ´と略同位置には散乱角度制限絞り５が設けられており、集光位置Ｆ´が開口部５２の内部に位置している場合に限り、散乱光束Ｓは散乱角度制限絞り５を通過される。集光位置Ｆ´は散乱角度θのみによって決定されるため、散乱角度制限絞り５は、それを通過されて受光素子８で受光される散乱光の受光可能散乱角度範囲を規定する。受光可能散乱角度範囲は、開口部５２の形状の調整によって自由に調整できる。そのため、被測定物の性状に最も合った受光可能散乱角度範囲を設定し、測定を精度良くできる。 （もっと読む）

半導体ウエハ検査システムやフォトマスク検査システムなどの検査システムに使用するレーザ照射器を提供する。照射器の利得媒体は光ファイバを備え、増幅と、ビームスプリッティングと、周波数および／または帯域幅の変換と、ピーク出力低下と、Ｑスイッチまたはモード同期となどを用いることができる。ドープファイバ、格子、飽和性吸収体、レーザダイオードを含む構成を開示して、照射を向上させる。
（もっと読む）

【課題】 統計的推論関数を用いた基板パターンの検査方法を提供する。
【解決手段】 複数の基準用基板上に形成された各基準パターンに対応する光信号データと各基準パターンに関するパターン特性データをそれぞれ保存して光信号群及びパターン特性群を生成し、光信号群とパターン特性群との統計的推論関数を生成する。検査対象パターンが形成された検査用基板上に検査光を照射して、検査対象パターンから反射される検査用光信号データを生成する。検査用光信号データと統計的推論関数を用いて検査対象パターンに関するパターン特性値を推論し、推論されたパターン特性値が許容誤差の範囲に含まれるか否か検査する。誤差範囲から外れるパターンに関する光信号データ及び実測パターン特性データは光信号群及びパターン特性群として保存され、統計的推論関数を更新する。
【効果】 低費用で迅速にパターンを検査する。 （もっと読む）