半導体ウエハ検査システムやフォトマスク検査システムなどの検査システムに使用するレーザ照射器を提供する。照射器の利得媒体は光ファイバを備え、増幅と、ビームスプリッティングと、周波数および／または帯域幅の変換と、ピーク出力低下と、Ｑスイッチまたはモード同期となどを用いることができる。ドープファイバ、格子、飽和性吸収体、レーザダイオードを含む構成を開示して、照射を向上させる。
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本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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【課題】 偏光を使用した欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 表面を検査する装置は、調整可能な偏光を有する照射ビームで表面を照射するように適応される照射光学系を備えている。この装置は、更に、配向を有する各分析器に各々関連され、表面上の照射エリアから分析器を経て受け取った光に応答して信号を発生するように適応される少なくとも１つの検出器を備え、少なくとも１つの検出器の１つは、照射エリアからの散乱光を受け取るように適応される。又、この装置は、照射エリアを照射するように照射光学系を向け、それにより少なくとも１つの検出器に発生される較正信号に応答して、調整可能な偏光、及び各検出器の各分析器の配向を設定するように適応されるコントローラも備えている。 （もっと読む）

【課題】 ガントリー部の移動に伴う揺れが少ないガントリー型ＸＹステージを提供する。
【解決手段】 架台４上に９個の除振マウント５を設け、その上に石定盤６を設ける。そして、石定盤６上に１対のガイドベース７を設け、その上に、石定盤６に対してＹ方向に移動可能にＣＦＲＰからなる１対の支柱１２を設ける。また、１対の支柱１２間には、ＣＦＲＰからなるビーム１４を張架する。更に、ビーム１４に対してＸ方向に移動可能に移動ベース１８を設け、移動ベース１８にレーザ光学ユニット２０を搭載する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のパターンの検査を精度よく行うことができるテンプレートヒストグラムを生成する。
【解決手段】パターン検査装置のテンプレートヒストグラム取得部５２では、準備された複数の参照画像のそれぞれから検査領域の画素値の参照ヒストグラムが生成される。続いて、各画素値における複数の参照ヒストグラムの複数の頻度に対して所定の演算が行われ、各画素値に対応するとともに複数の頻度の最小値以上最大値以下の１つの頻度が求められることにより、検査領域に対する１つのテンプレートヒストグラムが取得される。半導体基板のパターンの検査において、テンプレートヒストグラムは被検査画像中の検査領域における画素値のヒストグラムと比較され、これにより、半導体基板上のパターンの検査が精度よく行われる。 （もっと読む）

【課題】 結晶膜の特性低下を確実に判定するとともに、処理タクトの低減を図ることができる結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 縞本数算出工程において、レーザー走査方向の濃度値の分布を求めることなく筋状の濃度変化だけを計測して縞本数を算出し、縞本数が「１」未満になったとき始めて濃度値算出工程にて、レーザー走査方向の濃度値の分布を求める。 （もっと読む）

【課題】 基板整列方法及び装置、これを用いた基板のパターン検査方法及び装置が開示される。
【解決手段】 基板整列方法によると、半導体工程が行われた基板上の整列マークから新しいマークイメージを獲得する。新しいマークイメージを工程前の整列マークから予め設定された基準イメージと比較する。比較結果によって、整列マークが基準イメージ又は新しいマークイメージに相応するように基板を整列する。従って、基準イメージを後続整列工程に選択的に使用することができるので、整列時間が大幅短縮される。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりと効率を改善する材料の暗視野検査照明装置を提供する。
【解決手段】 単一光源から光が幾つかの照明アーム間で分割され、各々がマルチモードファイババンドルにより光源からウェハ位置まで光を導く。共通の照明領域の周囲にアームが配置されているので、幾つかの方向からアームが照明される。各アームに関して、ファイババンドルから出射する光は回転プリズムに入射し、プリズムの底辺で反射し、プリズムの出射面上の発散円筒状面により１方向に発散される。アナモルフィックミラーで光が反射して、ウェハの照明領域に伝播する。ビームは非対称フットプリントを有しているので、法入射角を見たとき、ほぼ円形のウェハ領域を照明する。縦方向の前側焦点面にファイババンドルがある。両方向の後側焦点面に照明領域がある。 （もっと読む）

【課題】
グレインやモホロジーの誤検出や干渉光強度ムラの影響を低減して、様々なプロセスにおけるターゲット欠陥を安定に検出できるパターン欠陥検出方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】
複数波長を出力する照明手段３および４から射出された光を、ビームスプリッタ６で反射しウェハ１に照射する。ウェハ１からの回折光は対物レンズ８で集光され、光変調ユニット７、１１、１３を通して、光検出部１７にてイメージセンサに結像し、信号処理部１８にて欠陥を検出する。ここで、光変調ユニットは複数の光学部品を選択的に用いて対象欠陥に最適化する。 （もっと読む）

【課題】特に搬送途中のウェハ上の異物を実時間で検出できるウェハの異物検査方法、および半導体製造工程の量産ラインにおいて、大量の不良を未然に防ぎ、歩留りを維持させるための異物検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造工程の量産ラインにおいて、異物検査装置を小型にし、半導体製造ラインの処理装置の入出力口あるいは処理装置間の搬送系に載置する。また、屈折率変化型のレンズアレイ、空間フィルタ、パターン情報除去回路により、製品ウェハ１１１上の繰り返しパターン部上の異物を検出し、搬送途中のウェハ上異物検査を可能にした。さらに、半導体製造工程の量産ラインにおいて簡便な異物モニタ１０１だけで異物をモニタリングすることにより、生産ラインを軽量化して製造コストの低減を可能にした。 （もっと読む）

【課題】前方散乱光と後方散乱光のどちらか一方を他方に比べてより効率よく選ぶこと。
【解決手段】被検査体に対面する対物レンズと、この対物レンズを通じて被検査体に照明光の光束を照射する光源と、光源と対物レンズとの光路に置かれ、かつ照明光の光軸を中心として光透過領域と光不透過領域を点対称に設けた照明側空間フィルタと、対物レンズで集められた被検査体からの反射集光を受光するイメージセンサーと、対物レンズと前記イメージセンサーとの光路に置かれ、かつ回折・散乱光を含む反射光から前方散乱光または後方散乱光を選ぶ受光側空間フィルタを備え、受光側空間フィルタは、反射光の光軸を中心として光透過領域と光不透過領域を点対称に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 照明方法、照明形状及び試料の投影像の空間フィルタを、外観検査中に動的に変更することが可能な外観検査装置及びその試料の投影像の投影方法を提供する。
【解決手段】 外観検査装置の照明光学系１２、１３及び撮像光学系２１、２２を、対物レンズ３の瞳位置８との共役点にミラーアレイデバイス１５、２５を配置した反射光学系として構成し、ミラーアレイデバイス１５、２５を試料２上の対物レンズ３の視野位置に応じて制御する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ・マスクが、小さくなり続ける構造および大きくなり続ける結像システムの結像側ＮＡにもかかわらず、大きい倍率を有する検査顕微鏡の助けにより欠陥を検査することが可能であり、スキャナシステムの実像が、現れるベクトル効果のエミュレーションによって作り出すことができる特に大口径スキャナシステムのエミュレーションによって、誤差を試験することのできる試験顕微鏡用光学結像システム
【解決手段】本発明の大口径スキャナシステムのエミュレーションのための結像システムは、結像光学系、検出器および評価ユニットから成り、少なくとも１つの偏光効果のある光学構成要素が結像光路内に結像放射のさまざまな偏光成分ｘ、ｙ、ｚを選び出すために選択に応じて配置されており、強度減衰機能を有する光学構成要素が結像光路内へ持ち込み可能であり、マスクおよび／または試料の像がさまざまに偏光した放射成分について検出器により撮像され、評価ユニットへさらに処理するためにさらに導かれる。 （もっと読む）

【課題】 全ての欠陥種を検出できる最適の欠陥検査レシピを作成者の熟練度に依存することなく作成する方法を提供する。
【解決手段】 模擬正常パターンに対して高さ方向での変化と平面形状での変化とを有する模擬欠陥パターンＤＦ１〜ＤＦ３を備える模擬欠陥ウェーハ１を用いて暫定検査レシピを作成し、模擬欠陥ウェーハ１について欠陥検査を行ない、検出された欠陥データと、予め得られた模擬欠陥ウェーハ１の模擬欠陥データとを照合して欠陥検出感度を定量化し、所望の欠陥検出率が得られるまでレシピパラメータを変更して暫定検査レシピを作成する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象表面にある緩やかな凹凸があった場合や欠陥とは言えない浅い傷や加工プロセス途上の表面荒さや、洗浄液残り等があった場合、照明によってはこれらの陰影が現われ、重欠陥であるクラック状欠陥と区別できないという問題がある。本発明は、検査対象表面にある緩やかな凹凸があった場合や、プロセス途上で生じた軽微なスクラッチやチッピングや面荒れ又はピット等微細な欠陥とは言えない浅い傷が陰影として現われず、本来の重欠陥であるクラック状欠陥だけが陰影として現われる照明手段を備える表面欠陥装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の表面欠陥検出方法および表面欠陥検出装置は、検査対象物表面への入射角度が広角かつ均一な拡散光照明手段で照明し、テレセントリック光学系の撮像手段により撮像することにより、緩やかや凹凸や欠陥とは言えない微小な傷が陰影となって現われてないために、欠陥と誤認することがなく、欠陥検査の信頼性を高める効果を有する。 （もっと読む）

【課題】
表面検査装置に於いて充分な照射光強度、検査精度を維持し、更にスループットの向上を図る。
【解決手段】
基板５表面にレーザ光線２を照射し、該レーザ光線による散乱反射光を検出して異物を検出する表面検査装置に於いて、光源部１２が複数の発光源を有し、１つの結像レンズを有すると共に各発光源に対応して設けられ該発光源からのレーザ光線を前記結像レンズに入射する光学部材を有し、前記発光源から結像レンズに入射する光軸を前記結像レンズの光軸に対して傾斜する様にし、前記各発光源からのレーザ光線の照射点を互いに走査方向に対して交差する方向にずらす様な光束として基板表面に照射し、走査ピッチを大きくした照射光学系を具備した。
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【課題】 被処理体の表面において異物と微小欠陥を適切に弁別することができる被処理体表面検査装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ表面検査装置１０は、ウエハＷの表面の検査箇所に、ｓ偏光及びｐ偏光のレーザ光を照射するレーザ光照射器１１，１２と、照射されたレーザ光に起因する散乱光を検出する散乱光検出器１３，１４と、演算部１６とを備え、レーザ光照射器１１，１２はそれぞれ照射角α_１，α_２を自在に変化可能に構成され、２つの散乱光検出器１３，１４は、検出された散乱光に応じて信号を演算部１６へ送信し、演算部１６は、散乱光検出器１３，１４から送信された信号に応じて散乱光の発生要因がパーティクルであるかピンホールであるかを弁別する。 （もっと読む）

【課題】 正確に検査を行うことができる検査装置、検査方法及びそれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる検査装置は光源１１と、光源１１から入射した入射光を集光してペリクル２２に入射させる対物レンズ１６であって、入射光が対物レンズ１６の半分の領域である第１の領域１６ａに入射するよう、入射光の光軸からずれて配置された対物レンズ１６と、ペリクル２２の表面で散乱して反射された散乱光であって、対物レンズ１６の第１の領域１６ａを通過した散乱光を、共焦点光学系を介して検出する光検出器３２と、ペリクル２２の表面で反射され、対物レンズ１６の第１の領域１６ａと異なる第２の領域１６ｂに入射した反射光を検出して、ペリクルの表面に焦点を合わせる自動焦点合わせ機構とを備える。 （もっと読む）

表面に対して斜めのビュー角度に沿って表面のエリアを像形成するための装置は、ビュー角度に向けられた光学軸に沿ってエリアから光学放射を収集することによりエリアの初期傾斜像を形成するように適応された無限焦点光学リレー(192)を備えている。傾斜補正ユニット(194)が、初期像の傾斜を補正するように結合されて、実質的に無歪の中間像を形成する。中間像を像検出器に収束するために拡大モジュール(198)が結合される。
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サンプルを検査する装置は、サンプルの表面のエリアに光学放射を向けるように適応された放射ソースと、複数の像センサとを備えている。各像センサは、上記エリアから異なる各々の角度範囲へ散乱された放射を受け取って、上記エリアの各像を形成するように構成される。像プロセッサは、各像の少なくとも１つを処理して表面上の欠陥を検出するように適応される。
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