半導体ウエハなどの試料を検査するための装置を提供する。装置は、深紫外線（ＤＵＶ）エネルギー源などのレーザエネルギー源と、光ファイバ配列とを備える。光ファイバ配列は、レーザエネルギー源から受け取ったエネルギーの周波数をブロード化し、周波数がブロード化された放射線とするのに使用される複数の光ファイバ構造により囲まれたコアを備える。周波数がブロード化された放射線を、試料を検査するための照明源として使用する。１つの観点では、装置は中心コアと、中心コアを概して囲む複数の構造とを備え、複数のファイバは、高圧ガスが充填された中空コアファイバ、テーパー光子ファイバ、および／またはクモの巣状光結晶ファイバを取り囲み、光エネルギーを受け取り、試料を検査するための周波数がブロード化された放射線を生成するように構成される。
（もっと読む）

【課題】半導体回路パターン形成工程において、レビュー装置による目視再検査を省略して、検出したパターン欠陥の詳細な解析を迅速化する。
【解決手段】高速のパターン欠陥検査装置に、欠陥の検出に同期して欠陥の画像的特徴量を計算する手段と、計算された特徴量によって欠陥をクラスタに分類する手段とを付加する。 （もっと読む）

【課題】 スループットの高い表面検査装置を提供する。
【解決手段】 光源５からの放出される照射光を集光レンズ部６により平行光とし、ハーフミラー１３により反射させて、対物レンズ２により被検査物１の被検査領域を落射照明する。被検査領域の像は、対物レンズ２を介して、ハーフミラー１３を透過し、カメラ８により撮像される。カメラ８としては、カラー映像が撮像可能なＣＣＤを撮像素子としたようなものが使用できる。この実施の形態においては、光源５として、輝度を調整しても、放出される光の分光スペクトルの変化が少なく、かつ、放出される光の分光スペクトルの時間変化が少ない発光ダイオードを用いている。 （もっと読む）

【課題】
最上層のパターン、特にホールパターンの検査を、高いＳ／Ｎ比で行うことができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】
照明光Ｌ１によって照明されたウエハ２からは回折光Ｌ２が生じ、受光光学系４に導かれて集光され、回折光Ｌ２によるウエハ２の像を本発明の撮像手段としての撮像素子５上に結像する。画像処理装置６は、撮像素子５で取り込んだ画像の画像処理を行って、欠陥を検出する。偏光板７は、照明光Ｌ１がＳ偏光でウエハ２を照明するし、かつその振動面とウエハ２のとの交線がウエハ２に形成された配線パターンと平行、又は直交するようにされ、偏光板８はウエハ２からの回折光のうちＰ偏光の直線偏光を取り出すように調整されている。こうすることでホールパターンの検査を、その下に存在する配線パターンと区別して検査することが可能になり、表層の欠陥をＳ／Ｎ比の良い状態で検査することができる。 （もっと読む）

検査される表面の潜在的異常の場所を囲む部分からの散乱した輻射を示すピクセル強度も、表面上のその潜在的異常の場所を含むパッチの中のピクセル強度を速やかに再調査するためにそのようなデータを利用できるように、格納される。照明ビームと検査される表面との間に回転運動が引き起こされる場合、検査される２つの異なる表面上の対応する位置に存するピクセルのピクセル強度を比較することによって信号対雑音比を改善することができ、この場合、その２つの異なる表面上の同じ相対的場所に存する対応するピクセルが照明されて、そこから散乱した輻射が同じ光学的条件の下で集められて検出される。
（もっと読む）

【課題】 照明光の分光特性が変化しても、被検物体の表面の欠陥を正確に検出できる検査装置を提供する。
【解決手段】 光源１１からの照明光を被検物体１０Ａに照射する照明手段１２〜１８と、照明光が照射された被検物体の像を形成する結像手段１７〜１９と、被検物体の像を複数の色成分に分解して各色成分ごとに撮像する撮像手段２０と、照明光を複数の色成分に分解して各色成分ごとに検知する検知手段２１〜２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 金属材料が劣化しやすい環境下でも長期的に安定した検出を行うことができる光ファイバセンサヘッドを提供する
【解決手段】 光ファイバセンサヘッド１は、光ファイバ１０と、光ファイバ１０の端部が挿入されるホルダ１４とを備え、ホルダ１４内には、光ファイバ１０の先端から照射された光を平行光に変換して出射するコリメータレンズ１９が設けられている。さらに、コリメータレンズ１９の光の出射方向前方においてプリズム２０が取り付けられており、このプリズム２０は、コリメータレンズ１９から出射された出射光が入射される入射面２０Ａと、入射面２０Ａから入射された光を内面で反射させるように、ホルダの外部において空気層に接する状態で配置された反射面２０Ｂと、反射面２０Ｂからの反射光を外部へと出射させる出射面２０Ｃとを備えている。そして、コリメータレンズ１９から出射される出射光は、プリズム２０の反射面２０Ｂにて全反射され出射面２０Ｃから検出領域に向けて出射される。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ表面を全体的に欠陥検査する。
【解決手段】 欠陥レビューＳＥＭを用いた欠陥検出に際し、製品ウェーハ２０の全面（Ｒ端面を除く。）にＸＹ座標系を設定し、製品ウェーハ２０表面を全体的に検査できるようにする。これにより、有効チップ領域外の領域についても欠陥検出が行える。また、その検査結果をそれが得られた位置の座標と関連付けて記憶することにより、検査結果を解析等に効率的に利用することができ、より高精度に不良原因を究明し、チップ２１ａの品質向上、歩留まり向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】試料上のパターンの方向に依存せず大きなＭＴＦ改善効果が得られ、改善効果の強弱をＭＴＦ改善効果の等方性を保ったままで切り換えられるようにする。
【解決手段】照明系と結像系の光路の分離に無偏光ビームスプリッタ２００を用い、偏光子１４とλ／４板１７を組み合わせて円偏光照明することで試料１上のパターンの方位によらないＭＴＦ特性を得る。無偏光ビームスプリッタ直後の結像系に部分偏光子２２を置き、高次回折光を最大の効率で取り込むと共に０次光の透過効率を調節して高域のＭＴＦを改善する。 （もっと読む）

【課題】検査領域に応じて欠陥を効率よく検出する。
【解決手段】欠陥検出装置１は、基板９を撮像して多階調の被検査画像を取得する撮像部３を備え、被検査画像の各画素値は欠陥検出部４３へと順次出力される。欠陥検出部４３では、被検査画像と参照画像とを比較することにより、予め定められた複数の検査領域に含まれる欠陥の領域を示す欠陥領域画像が生成され、欠陥領域画像メモリ４４に記憶される。コンピュータ５では、欠陥領域画像中の各欠陥の面積および重心位置が求められることにより、各欠陥が属する検査領域が特定され、欠陥の面積に関して検査領域毎に設定される欠陥判定条件に基づいて欠陥が限定される。検査領域に応じて異なる面積に関する欠陥判定条件を用いることにより、欠陥を効率よく検出することができる。 （もっと読む）

【課題】
大多数のヌイサンスの中に少数のDOIが紛れる状況で、DOIを効率良く抽出し確実に教示することによって、各種検査条件を最適化する検査条件出しを可能とする。
【解決手段】
半導体ウェハを検査し、検査で検出した欠陥の画像を画面に表示し、画像を表示された欠陥から任意の欠陥を選択可能な入力インターフェースを設け、ユーザによって教示された欠陥の検出性能が高くなるように検査条件を調整し、検査を行う。 （もっと読む）

パターン化及び非パターン化物体を光学的に検査するためのシステム及び方法。この方法は、物体から反射された光の偏光状態を決定するステップと、入射光の偏光状態を確立するステップと、反射光を偏光によりフィルタして、検出器により検出される光学信号を与えるステップとを備えている。
（もっと読む）

【課題】
ウェハ上の大多数を占める，レビューしていない欠陥の情報を有効活用するため，欠陥分類方法において、レビューしていない欠陥に対してレビューした欠陥と同じ定義の欠陥クラスを付与すること。
【解決手段】欠陥検出時の検査装置の欠陥に関する欠陥データとレビュー済み欠陥のレビュー装置のADCで与えられた欠陥クラスを用いて，レビューしていない欠陥に対して同じ定義の欠陥クラスを付与する。
【効果】全欠陥にADCで定義した，詳細な欠陥クラスが与えられることで，欠陥の発生原因を推定する上でより詳しい解析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高精度な欠陥候補の種別の判定を容易に行う。
【解決手段】パターン検査装置の演算部５０は、被検査画像と参照画像とを比較して被検査画像中の欠陥候補領域を示す２値の欠陥候補画像を生成する欠陥候補画像生成部５１１を有し、被検査画像マスク部５２１により欠陥候補画像を用いて被検査画像がマスクされる。特徴抽出部５３１ではマスク後の被検査画像から自己相関特徴量が求められ、判定部５４に出力される。判定部５４は自己相関特徴量が入力されることにより判定結果を出力する判定器５４１、および、学習により判定器５４１を構築する判定器構築部５４２を有する。これにより、幾何学的特徴量や濃淡を示す特徴量に比べて特徴付けが困難となる自己相関特徴量を利用した高精度な欠陥候補の種別の判定が容易に実現される。 （もっと読む）

【課題】
パターンの微細化の微細化に対応した高感度欠陥検査方法とその装置を提供する。
【解決手段】
対物レンズと試料の間を液で満たして、実効ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を大きくすることにより、光学系の解像度を向上する。さらに、対物レンズと試料の間を透明膜に近い屈折率の液体で浸すことにより、試料表面に透明な層間絶縁膜が形成されている場合においても液と絶縁膜界面での振幅分割を抑制し、薄膜干渉による明るさむらを低減する。これらの技術により、欠陥検査感度を向上する。 （もっと読む）

【課題】
SOIウェハ表面にレーザビームを集光・照明し，発生する散乱光から表面の異物・欠陥を検出する検査装置において，SOIウェハのBOX層，SOI層の膜厚変化の影響を受けず，またBOX層に存在する異物・欠陥を検出せずに，最表面に存在する異物・欠陥のみの検出を可能とする。
【解決手段】
Siへの浸透深度が10ｎｍ以下となる波長のレーザを照明光として用い，集光したレーザビームを照射し，発生する散乱光を検出することにより，薄膜干渉の影響を受けずに，SOIウェハの最表面に存在する異物・欠陥のみ検出できるようにした。 （もっと読む）

検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
（もっと読む）

【課題】対象物上の欠陥を高精度かつ効率よく検出する。
【解決手段】欠陥検出装置では、被検査画像および参照画像のデータが撮像部３から演算部５０に入力され、差分画像生成部５２にて差分画像が生成されるとともに、領域画像生成部５１では差分画像よりも疑欠陥の情報および欠陥形状の情報が低減された画像として、欠陥を包含する欠陥包含領域を示す画像が生成される。第１評価部５３では、差分画像の欠陥包含領域に対応する領域中の欠陥候補の真虚が仮評価される。第２評価部５４では第１評価部５３による仮評価の結果に応じて欠陥候補から求められる特徴量の種類が特定され、欠陥候補の特徴量が求められるとともにこの特徴量に基づいて欠陥候補の真虚が評価される。これにより、基板９上の欠陥を高精度かつ効率よく検出することができる。 （もっと読む）

【課題】
高感度で欠陥検出をすることができる欠陥検出装置及び欠陥検出方法ならびにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる欠陥検出装置は、光源１と、光源１からの光ビームを集光して試料４に入射させる対物レンズ３と、試料表面からの反射光を受光し、出力信号を出力する検出器６と、光ビームと反射光とを分離するビームスプリッタ２と、光ビームを走査する走査手段と、ビームスプリッタと光検出器との間の光路中に配置され、試料における光ビームの走査方向と対応する方向の片側半分の光路を遮光する遮光板７とを備え、欠陥判定を行うための基準となる欠陥箇所における出力信号に基づく基準信号と、試料上を走査したときの出力信号に基づく検出信号との相関値に基づいて欠陥か否かを判定するものである。 （もっと読む）

【課題】 設計データから高い近似度を持って参照データを高速で作成することができ、検査精度及び検査速度の向上をはかる。
【解決手段】 設計データから参照データを作成する際に、画素を分割したサブ画素単位で、多角形により表わされる図形データをライン方向に走査して求めた交点の座標で定義される走査リスト若しくはサブ画素単位のビットマップを生成し、試料の透過率や位相分布に応じた像強度分布を部分コヒーレント結像の物理モデルに基づいて計算する。 （もっと読む）