【課題】照明ムラがあっても欠陥の形状や外形寸法を正しく且つ高速に計測できるパターン検査方法を得る。
【解決手段】半導体回路等の本パターン検査方法は、検査対象の画像を微分処理して微分画像を作成する第１ステップＳ１と、微分画像と予め良品から作成しておいたマスク画像とを比較して差分画像を作成する第２ステップＳ２と、差分画像の輝度値が所定値を超えた場合に、その所定値を超えた輝度を有する画素を含む小領域を計算する第３ステップＳ３と、検査対象の画像から小領域において画像特徴量を計算する第４ステップＳ４と、画像特徴量の値から上記小領域の良否を判定する第５ステップＳ５とを備える。本パターン検査方法に於ける画像処理はパソコンを用いてソフトウエアによって処理可能である。 （もっと読む）

【課題】 試料の外観検査に使用された画像間の相違を表す情報を欠陥情報の他に報告することにより、従来の外観検査ではユーザが知り得なかった試料間の相違を示すことが可能な外観検査装置及び外観検査方法を提供する。
【解決手段】 外観検査装置を、試料３の表面を撮像する撮像手段４と、この撮像手段により得られた画像から試料３の欠陥を検出する欠陥検出手段５〜８と、さらに、撮像手段により撮像された画像における画素値の分布状態を示す分布情報を算出する分布情報算出手段１０と、欠陥検出手段により検出された欠陥情報の出力の他に、分布情報を出力するための分布情報出力手段２０と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】膜厚ムラの検査に要する時間を短縮する。
【解決手段】ムラ検査装置１は、基板９を保持するステージ２、基板９の膜９２が形成された上面９１に向けて線状光を出射する光出射部３、基板９からの反射光を受光する受光部４、ステージ２を移動する移動機構２１、受光した光の強度分布に基づいて膜厚ムラを検査する検査部７を備える。光出射部３は、互いに異なる波長帯の光を出射する第１光源要素および第２光源要素を備える。ムラ検査装置１では、制御部８により、受光部４にて受光される光の波長帯が同期制御部４３からの同期信号に同期して互いに異なる２つの波長帯の間で繰り返し切り替えられつつ膜９２からの反射光の強度分布が取得される。その結果、ラインセンサ４１の１回の走査により、２つの波長帯に対応する第１強調画像および第２強調画像を生成することができるため、膜厚ムラの検査に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＤＩセンサを用いて被検査物を撮像する際、センサの画素方向に被検査物が変動した場合であっても、画像ぼけや画像歪みを防止できる検査装置を提供すること。
【解決手段】照射光をフォトマスクＭに照射する照明光学系６２と、フォトマスクＭを蓄積方向に沿って移動させるステージ６４と、フォトマスクＭの透過像を電気信号に変換するＴＤＩセンサ６７と、ＴＤＩセンサ６７を画素方向に移動させるＴＤＩセンサステージ７２と、ステージ６４の画素方向変動量を検出する変動量検出センサ７０と、変動量検出センサ７０によって検出された画素方向変動量に基づいてＴＤＩセンサステージ７２の画素方向への駆動量を制御する検出器コントローラ７１と、画像データＤ１と参照データＤ２とを比較し、フォトマスクＭの欠陥を検出する比較回路４０部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 試料の表面を撮像して得られた撮像画像から試料の欠陥を検出する外観検査の際に、検査対象である試料の歩留を予測することが可能な歩留予測装置及び歩留予測方法を提供する。
【解決手段】 歩留予測装置を、外観検査に使用される撮像画像から得られる試料３に関する複数種の特徴量を、算出及び／又は取得する特徴量算出／取得手段２１と、各特徴量毎に特徴量に応じて予想歩留をそれぞれ算出する予想歩留算出手段２２と、試料３の歩留に対して各特徴量毎に予め定めた相関関係に基づいて重み付けを決定し、各予想歩留の重み付けを行って試料３の歩留を求める総合歩留算出手段２３と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象物の異なる場所で撮影した違うパターン上の欠陥の検出・分類に対応し、なおかつ自動分類結果の精度を向上させる。
【解決手段】 液晶表示装置や半導体ウェハ等の繰り返しパターンを持つ検査対象物１の欠陥を検出・自動分類する際、繰り返しパターンを予め複数の領域に分割し、被検査画像から検出された欠陥部位が上記繰り返しパターンのどの領域に属するによって異なった自動分類用データベース７１，７２，７３を作成しておく。そして、検出された欠陥が属する領域に応じて、異なるデータベースを使用して検査対象物１の欠陥の分類を行なう。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の外観検査方法において、迅速な電極表面の異状や細線パターンにおける微細欠陥の抽出、及び正確な良・不良の判定を可能にする。
【解決手段】 電極細線を備えた半導体装置の外観検査方法であって、前記電極細線の基準パターンより、細線化モデルを形成する工程と、被検査半導体装置における、電極細線領域の画像濃度データを取得する工程と、前記細線化モデルのパターンの略垂直方向に、所定の間隔で、前記画像濃度のプロファイルを形成する工程と、前記プロファイルに基づき、欠陥を抽出する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコンを固相結晶化した際に結晶化が充分進行したかどうかを簡単かつ確実に判定する。
【解決手段】 基板上の検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、 閾値（Ｔｈ） ＝ 最小値 ＋（最大値 − 最小値）× Ａ （ただし、Ａ＝０〜１） 前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。特に基板上の検査領域に固相結晶化によりアモルファス領域と多結晶領域が存在する場合において、固相結晶化の進行度を判定することができる。また、この判定結果をネットワークを通じて他の製造工程に反映させ、製品の品質を高いものにする。 （もっと読む）

【目的】 装置を構成する各要素が起因となる物理的な誤差を補正し、検査画像と参照画像とをより高精度に一致させることを目的とする。
【構成】 Ｘ方向に１画素ずつ移動しながら所定の画素幅で被検査試料の光学画像を取得する画像データ取得部１５０と、取得された光学画像に対し、前記所定の方向に１画素ずつ移動しながら前記所定の画素幅以内の所定の画素幅で切り出す画素列を補正する補正回路１４０と、補正された画素列を順に並べて所定の領域の画像として切り出すエリア切出し回路２１５と、前記所定の領域の画像と参照画像とを比較する比較判定処理回路２１８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶ウェーハの無欠陥領域を目視により速やかに判定することができるシリコン単結晶ウェーハの品質評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面を密度５〜１０Ｅ１０atom/cm²のＦｅで汚染して、前記シリコンウェーハを熱処理炉内に投入し、９００℃〜１２００℃の温度で２時間以上保持する熱処理第１工程と、次に、５００℃〜７００℃の温度で２時間以上保持する熱処理第２工程とを有し、前記熱処理工程をいずれもドライ酸素雰囲気中で熱処理を行うことによりシリコン単結晶ウェーハの表面に汚染元素誘起欠陥を発生させ、シリコン単結晶の無欠陥領域を目視で判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面の異常を検出するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】表面の検査を高い感度で高い処理能力で行うシステムに焦点合わせさせられた光ビームを検査されるべき表面に全反射の角度で向ける。前記ビームと前記表面間に前記ビームが前記表面の全てを実質的にカバーし、通路で散乱させられた光が異常検出のために集められるような相対運動が惹起させられる。前記走査の通路はまっすぐな走査通路区分の複数のアレイから構成されている。前記焦点合わせされた光ビームは幅が５〜１５ミクロンの範囲で前記表面領域を照明し、このシステムは、１５０ｍｍ直径のウェーハ（６インチウェーハ）を毎時４０ウェーハ以上、２００ｍｍ直径のウェーハ（８インチウェーハ）を毎時２０ウェーハ以上、３００ｍｍ直径のウェーハ（１２インチウェーハ）を毎時１０ウェーハ以上の検査が可能である。 （もっと読む）

【課題】 欠陥検査において欠陥検出閾値及び欠陥検出フォーカス等のパラメータを高精度で且つ短時間に設定できるようにする。
【解決手段】 検査対象基板にエネルギービームを照射することによって、当該検査対象基板から反射されたエネルギービームをディジタル画像信号として取得し、取得されたディジタル画像信号の強度が閾値を超える場合に当該ディジタル画像信号を欠陥として検出する。閾値は、ディジタル画像信号に含まれるノイズ信号の最大強度に基づいて設定される。 （もっと読む）

【課題】 検査対象物の外観を高い精度で検査できる検査装置を提供すること。
【解決手段】 検査対象物に光を照射する有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置、光照射された検査対象物の光学像を撮像して、この光学像に対応する画像データを出力する撮像装置、および前記の画像データと参照データとの照合を行なう画像処理装置からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が、透明基板上に、透明陽電極層、金属フッ化フタロシアニンを含む正孔注入層、カルバゾール化合物を含む正孔輸送層、バンドギャップが３．５５ｅＶ以上の有機発光材料を含む発光層、そして陰電極層がこの順に積層された構成を有していることを特徴とする検査対象物の外観を検査する装置。 （もっと読む）

【課題】 検出系の構成の簡略化及び異物の検出精度を向上する。
【解決手段】 光源１０１からの照明光で被検体２の被検面２ａを検出系７で検出し、光源１０１とは波長の異なる光源１０２からの照明光で被検面２ａを検出系７で検出して、それぞれの検出結果を比較して、異物の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】 被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

広帯域のウェーハ検査用の全反射光学システムが提供されている。ウェーハを検査するよう構成されている一つのシステムは、光学サブシステムを含んでいる。この光学サブシステムの全ての導光部品は、実質的に視準された空間内にしか配置されていない一つまたはそれ以上の回折光学部品を除き、反射光学部品である。回折光学部品（複数も可）は、例えば、照明瞳および集光瞳を分離するのに使用できる回折ビームスプリッター要素を含んでいてよい。この光学サブシステムはまた、実質的に視準された空間内に配置されている一つまたはそれ以上の反射光学部品を含んでいてよい。この光学サブシステムは、２０ｎｍより大きい周波帯に亘るウェーハの検査用に構成されている。いくつかの実施形態では、この光学サブシステムは、２００ｎｍより小さく、かつ、２００ｎｍより大きい波長でのウェーハの検査用に構成されている。
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【目的】 アライメントに要する時間を短縮し、全体の検査時間を短縮する方法および検査装置を提供することを目的とする。
【構成】 Ｙ方向に仮想分割されたフォトマスク１０１の複数の検査ストライプの各検査ストライプごとに、前記Ｙ方向と直行するＸ方向に向かって複数のエリアを設定するエリア切り出し回路２１５と、各検査ストライプごとにＸ方向に移動しながらフォトマスク１０１の光学画像を取得するセンサ回路１０６等と、エリアごとに、光学画像と、比較対象となる参照画像との位置合わせを行なう位置合わせ回路２１６と、位置合わせされた前記光学画像と参照画像との比較を行なう比較判定処理回路２１８と、を備え、前記エリア切り出し回路２１５において、既に以前に位置合わせされた検査ストライプでの各エリアにおける光学画像と参照画像との位置ずれ量に基づいて、次回の検査ストライプにおける各エリアを設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
薄膜デバイスを対象とした自動欠陥分類機能を有する外観検査装置において、欠陥分類の条件だしを行うための欠陥種教示を短時間で実現する。
【解決手段】
本発明は、光学式あるいは電子式欠陥検出手段により取得される検査画像に基づいて、比較検査により欠陥を検出すると同時にその欠陥の特徴量を算出し、分類条件設定手段に予め設定した分類条件に従って欠陥分類を行う外観検査方法及び装置であって、前記分類条件設定手段は、予め欠陥検出手段より得られる多数の欠陥に亘る欠陥の特徴量を収集し、該収集された多数の欠陥に亘る欠陥特徴量分布に基づいて欠陥のサンプリングを行い、サンプリング欠陥のレビュー結果に基づいて欠陥分類条件を設定する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 目視検査時に欠陥情報を表示し、オペレータの判定のばらつきを少なくするマクロ画像表示システムを提供する。
【解決手段】 生産ラインの製造装置で製造された基板は、自動マクロ検査装置１０３で自動的に検査され、欠陥に関する基板情報データと、画像データとが作成される。これらデータは、目視マクロ検査装置１００の基板ごとに複数取り込まれ、データ処理部４０８にて、基板ごとの欠陥位置に基づいて欠陥の重なり合いが計算される。この計算結果は、画面表示されると共に、必要に応じて他のコンピュータ装置に出力される。 （もっと読む）

【課題】
基板上の異物を検査する方法において、特に基板からの散乱光ノイズを低減して微小な異物を検出する。
【解決手段】
照明光学系の入射角度を小さくし、検出分解能の高い検出光学系および検出画素の小さい検出器により検出領域を充分に小さくするようにした。
照明光学系の入射角度を大きくすることにより、光が回折する際の位相差を小さくできるので、基板からの散乱光を低減できる。また、これにより、鏡面ウエハ上に付着した微粒子（微小な異物）の検出が可能になる。 （もっと読む）