【課題】パターンの検査装置において、パターンの上部の形状の検出と、下部の形状の検出を、同時に行なえるようにすること。
【解決手段】ＴＡＢテープ５に対して、配線パターンが形成されている側から斜めに照明光を照射する第１の照明手段１ａと、配線パターンが形成されている側とは反対側から斜めに照明光を照射する第２の照明手段１ｂと、配線パターンが形成されている側とは反対側から検査領域に対して直交して入射するように照明光を照射する第３の照明手段１ｃを設け、３方向から同時に照明して、配線パターンの画像を撮像手段１１で撮像する。このように照明することにより、１回の測定で、配線パターンの上部の形状と下部の形状を同時に検出することができ、上部の一部に欠けが生じているなどの欠陥を検出することができる。 （もっと読む）

本発明は、機械部品（１４）の非破壊検査のための自動化された方法に関し、画像センサ（２４）と、照明光源（２６）と、画像センサ（２４）、光源（２６）、および機械部品（１４）の相対的移動のための手段（１８、２２）とを含む、デジタル画像を取得するための機器（１０）を使用してデータベース内に記憶される基準画像と部品の表面の画像を比較するステップを含む。
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【課題】複雑な構造を有する軸物工具の表面における欠陥を検査することができる軸物工具表面の欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置が、軸物工具の表面を撮影した画像が入力され、該入力された画像を予め定められている画像サイズに分割する画像分割部と、画像分割部の分割した画像を入力データとして、予め学習されている第１のニューラルネットワークにより出力値を算出する第１のニューラルネットワーク処理部と、第１のニューラルネットワーク処理部の算出した出力値に基いて、軸物工具の表面に欠陥があるか否かを判定する欠陥有無判定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】作業性を向上させることができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】主制御装置１１０は、チップマップ上で任意の仮想チップが作業者によって指定されたとき、該仮想チップに対応する半導体チップを顕微鏡装置１０４の視野内に位置させるためのステージ１０１の位置情報を、半導体チップと仮想チップの位置関係が少なくとも３つ含まれている基準位置情報を参照して求め、該位置情報に応じてステージ駆動装置１０２を駆動制御するとともに、画像データからそれぞれ決定される半導体チップの外観品質を、チップマップにおける対応する仮想チップ上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】チップ部品をキャリアテープの各収納溝内に装填する前に、吸着ノズルにより吸着保持された状態のチップ部品の側面の状態を検査し、不良チップ部品を装填しないようにすること。
【解決手段】ビームスプリッター６２により半分の量が反射して上昇した同軸照明灯６１からの照明光を吸着装填ノズル３８により吸着保持された状態のチップ部品ＡＡの底面に照射してチップ部品ＡＡの底面からの反射像をビームスプリッター６２で反射させてズームレンズ６８を介して撮像すると共に、各傾斜面６６Ａにより半分の量が透過したドーム照明灯６５からの照明光を同じくチップ部品ＡＡの側面に均一に照射して、チップ部品ＡＡの側面からの反射像を傾斜面６６Ａで下方へ反射させてビームスプリッター６２で反射させてレンズ６８を介して撮像し、その画像に基づいて、認識処理装置が認識処理してチップ部品ＡＡの各側面の状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】検査部のテープ部分に所定の張力を付与することができ、またかかるテープ部分への振動の伝達を確実に阻止し、撮像性能を向上させる。
【解決手段】透過光式検査部Ｄにテープ１の厚さ方向に湾曲させる第１の張力付与装置４３と、テープの長手方向に張力を付与する第２の張力付与装置４４を配設する。第１の張力付与装置４３は、テープ１の下面を支持する一対の支持ローラ４６、４７と、テープ１を支持ローラ４６、４７に押し付ける一対の押圧ローラ４８、４９とで構成されている。第２の張力付与装置４４は、テープ１の側縁部をそれぞれ保持する一対のクランプ装置６０、６１と、クランプ装置６０、６１をテープ１の長手方向に移動させてテープ１に張力を付与するシリンダ６４を備えている。さらに、一対の吸着手段６６によってテープ１の下面を吸着保持する。 （もっと読む）

【課題】ウェーブレット係数や輝度情報などを用いて、空間分解能以下のひび割れ幅を精度よく、しかも高い確証のもとに推定し、もって実際のひび割れ幅を特定することのできるひび割れ検出方法を提供すること。
【解決手段】ウェーブレット画像を作成する第一工程と、ひび割れ抽出画像を作成する第二工程と、該ひび割れ幅を目的変数とし、かつ、複数の説明変数から形成されるひび割れ幅の推定式を重回帰分析から規定し、該推定式に基づいてひび割れ幅を特定する第三工程と、からなるひび割れ検出方法である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウェハであっても欠陥を適切かつ明確に検出することができるシリコンウェハ欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】被検体７に赤外レーザー光線を照射する赤外レーザー光源１と、被検体７を透過した赤外レーザー光線を受光する開口部４を有し、その内部で赤外レーザー光を拡散させる中空の受光ユニット２と、受光ユニット２の空間部２ｂに検出部を露出し、被検体７を透過した赤外レーザー光の光量を検出する赤外光検出センサー３とを備え、赤外光検出センサー３は、被検体７を透過し、開口部４を通じて受光ユニット２内に入射され、受光ユニット２の内部で拡散された赤外レーザー光の光量を検出することで、検出結果を画像に変換した際に、多結晶シリコンウェハの結晶の粒界７ａの明暗模様が著しく軽減され、欠陥を明確に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】スラブに発生したブローホールや割れ等の表面欠陥を精度よく検出することのできるスラブ表面欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】スラブ６の幅方向に配列された複数のレーザ投光器７ａ，７ｂからスラブ６の表面にレーザ光８を照射して計測したスラブ表面の凹凸状態のデータからスラブ６に発生した表面欠陥を検出するスラブ表面欠陥検出方法であって、凹凸状態のデータが欠値となるスラブ表面のレーザ光非反射位置をレーザ光非反射位置抽出回路１１により抽出し、レーザ光非反射位置抽出回路１１により抽出されたレーザ光非反射位置がスラブ６の幅方向または長手方向に複数連続して存在するときに判定装置１２によりレーザ光非反射位置を表面欠陥の発生位置と判定する。 （もっと読む）

【課題】スラブに発生したノロ噛み等の表面欠陥を精度よく検出することのできるスラブ表面欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】スラブ表面にレーザ光８を照射してスラブの表面凹凸状態を計測すると共に、スラブ表面を撮像してスラブの表面輝度分布を取得し、表面凹凸状態と表面輝度分布とからスラブ表面に発生した表面欠陥を検出する方法において、スラブ表面の長手方向における凹凸変化率を凹凸変化率算出回路１１により算出すると共に、表面輝度分布の中で欠陥と判断されるスラブの低輝度表面部の位置と大きさを算出し、算出されたスラブの低輝度表面部の位置と凹凸変化率の絶対値が予め定めた閾値以上となった部分の位置とが一致したときに当該位置を欠陥位置と判定すると共に、欠陥位置と判定されたスラブの低輝度表面部の大きさを欠陥位置に発生した表面欠陥の大きさと判定する。 （もっと読む）

【課題】スラブに発生したノロ噛み等の表面欠陥を精度よく検出することのできるスラブの表面欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】スラブ６の表面にレーザ光８を照射してスラブ表面の凹凸状態を計測することでスラブ表面に発生した表面欠陥を検出する方法において、スラブ６の表面で反射したレーザ光をレーザ受光器９で受光し、レーザ受光器９から出力された信号を表面凹凸状態計測回路１０に供給する。表面凹凸状態計測回路１０から出力された信号を凹凸変化率算出回路１１に供給してスラブの長手方向における凹凸変化率を算出し、凹凸変化率算出回路１１で算出された凹凸変化率と予め定めた閾値とを判定装置１２で比較し、凹凸変化率の絶対値が閾値以上となった部位を表面欠陥と判定する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって被検査物の検査精度を改善できる上、製造コストの低減を図ること。
【解決手段】 導光板５のそれぞれの端面部５ｃに光源部８を配置すると共に、導光板５の上面部５ａに断面形状がほぼＶ形状などの凹部６を交差するようなパターンで配置してなり、凹部６の内面部分６ａにハーフミラー的な機能を付与した。 （もっと読む）

【課題】キャピラリー・アレイ・シートの貫通孔のゲル欠陥を確実に検出することができるキャピラリー・アレイ・シートの検査装置及び検査方法を提供すること。
【解決手段】本発明のキャピラリー・アレイ・シート検査装置８は、光源１０と、キャピラリー・アレイ・シート１を固定するキャピラリー・アレイ・シート保持手段と、光源とキャピラリー・アレイ・シート保持手段に保持されるキャピラリー・アレイ・シートとの間の所定位置に配置されたＭＴＦ測定用格子１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄと、ＭＴＦ測定用格子の格子方向を変化させる格子方向変更手段１４と、キャピラリー・アレイ・シートによって結像されたＭＴＦ測定用格子の像を撮像するための撮像手段２２と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハと撮像部の位置を自動調整する。
【解決手段】Ｚステージ１１は、上部水平面の高さを変更することができる。θステージ１２は、ウエハホルダ１３に吸着保持されたウエハ３１を所定の回転速度で回転させる。Ａｐｅｘ撮像部１４、上ベベル撮像部１５、下ベベル撮像部１６は、ウエハ３１の端部を撮像し、図中αで示される端部側面の観察用画像を取得する。ラインＣＣＤ１７は、ウエハ３１の厚みよりも充分広い幅を有するように縦方向に並べられた、少なくとも１列のＣＣＤにより構成され、ウエハ３１の位置や状態の検出のために、ウエハ３１の側面を撮像し、撮像データを、後述するコントローラに供給する。ウエハ３１にそりや歪みが生じていた場合、撮像位置におけるウエハ３１の位置は変動する。検査装置１は、ラインＣＣＤ１７による撮像データを基に、ウエハ３１とＡｐｅｘ撮像部１４との相対位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】様々な欠陥を含む可能性がある検査対象であっても、高精度の検査を実現する。
【解決手段】画像検査装置は、検査対象を撮影するＣＣＤカメラ３と、検査対象を撮影して得られた検査画像に存在するパターンの輪郭を抽出する輪郭抽出部４０３と、輪郭抽出部４０３によって得られた２値化画像においてパターンの輪郭を表す画素のうち、連結した画素の集まりを１つの連結成分とみなし、同一の連結成分の各画素に同一のラベルを与えることにより、連結した輪郭を抽出するラベリング処理部４０４と、ラベリング処理部４０４で抽出された連結した輪郭の数を数える計測部４０５と、計測部４０５で得られた輪郭の数と予め良品と判定された検査画像から求めた連結した輪郭の数とを比較して、検査対象の良否判定を行う判定部４０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高精度の検査を実現する。
【解決手段】画像検査装置は、予め良品と判定された検査対象の正常画像を基準画像として採用する基準画像作成部４０２と、基準画像の各画素の輝度値に予め設定された上限閾値を加算して上限閾値画像を作成すると共に、基準画像の各画素の輝度値に予め設定された下限閾値を加算して下限閾値画像を作成する閾値画像作成部４０４と、検査対象を撮影するＣＣＤカメラ３と、検査対象を撮影して得られた検査画像と上限閾値画像および下限閾値画像とを画素毎に比較して検査対象の良否判定を行う検査手段（位置合わせ部４０６、膨張収縮処理部４０７、欠陥箇所抽出部４０８、判定部４０９）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ライン内での基板の欠陥の検査をより迅速に行う。
【解決手段】複数の基板を順番に移動しながら、投光系及び受光系を有する光学系を基板移動方向と直交する方向へ移動して、投光系からの基板移動方向と直交する方向に所定の幅を有する検査光により走査される基板の走査領域を基板毎に変更し、投光系から基板移動方向と直交する方向に所定の幅を有する検査光を基板へ照射し、検査光が基板の欠陥により反射又は散乱された光を受光系により受光し、受光系が受光した光の強度から、走査領域の基板の欠陥を検出する。検出した走査領域の基板の欠陥のデータを、走査領域毎に記憶し、基板毎に、新たに検出した走査領域の基板の欠陥のデータにより、記憶された同じ走査領域の基板の欠陥のデータを更新して、複数の走査領域の基板の欠陥のデータから、基板１枚分の欠陥のデータを作成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながら、多様な半導体基板に対応して、高い精度でマイクロクラック等を検出することができる赤外線検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に赤外線を照射して透過した光を検出する赤外線検査装置であって、異なる波長の光を射出する複数種類の赤外線ＬＥＤを、切り替え点灯可能に備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】小形でかつ制御の容易な高精度の光ファイバ検査装置を提供する。
【解決手段】光ファイバ検査装置１０は、光導入部１２と画像取得部１４と画像処理部１６とを備える。光導入部１２は、光源１８と、光源１８が発する光Ｌを実質的に閉じ込めることができる遮蔽室２０とを備える。遮蔽室２０は、閉じ込めた光Ｌを、光ファイバＦの一部分Ｆ１の全周から光ファイバＦに導入する。画像取得部１６は、遮蔽室２０の外部にある光ファイバＦの他部分Ｆ２の側方に遮蔽室２０から独立して配置される１つ又は複数のカメラ２２を備える。カメラ２２は、遮蔽室２０で導入された光Ｌの一部を放射する光ファイバＦの他部分Ｆ２の側面を、予め定めた画角Ｖで複数の方向から撮像して、他部分Ｆ２の全周に渡る画像を表わす複数の側面画像Ｉを取得する。画像処理部１６は、カメラ２２が取得した複数の側面画像Ｉを個々に処理して、各々の側面画像Ｉにおける欠点Ｄを検出する。 （もっと読む）

多数の溝（２０）を画成するハニカム構造体（１２）を備えたセラミック・フィルター体（１０）の欠陥（ＤＥＦ１〜ＤＥＦ６）を検出するためのシステム（５０）及び方法の開示である。栓体（３０）により選択溝の端部（２２、２４）が封止される。この方法において、光学的に連絡できるようハニカム構造体の第１及び第２端部（１６、１８）にそれぞれ動作可能に配された第１光源ユニット（５２）及び第１検出器ユニット（６２）が使用される。多数の溝を通して、第１光源ユニットから第１検出器ユニットに光ビーム（ＬＢ）が送出される。特定の栓体の欠陥により対応する光ビームの検出可能部分（ＬＢＤ）が検出される。多数の検出器素子（６４）を用いて検出可能光ビーム部分を検出することにより、位置及び強度変化の情報が得られ、その情報により欠陥の正確な位置及び種類を推定できる。対向端部（１６、１８）に配された光源ユニット（５２、５２’）及び対向端部（１８、１６）に配された検出器ユニット（６２、６２’）により、セラミック・フィルター体の両端において欠陥の同時測定が可能な“両端型”システムが構成される。非填塞セラミック・フィルター体の欠陥（ＤＥＦ４、ＤＥＦ５）を測定するためのシステム及び方法も開示されている。
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