【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】 一の試料片が削り出される試料基板の加工と、試料片保持具に保持された他の試料片の加工とを連続して行うことにより、これらの加工を効率的に行うことができる試料加工装置を提供する。
【解決手段】 試料加工装置１は、試料室２と、試料室２に接続されたイオンビーム照射手段４と、試料室２内に配置されたステージ１７と、ステージ１７を移動するための移動機構１０とを備え、ステージ１７には、試料基板支持手段８及び試料片保持手段６が着脱可能に載置でき、移動機構１０によってステージ１７を移動させることにより、ステージ１７上の試料基板支持手段８に支持された試料基板７又は試料片保持手段６に保持された試料片５をイオンビーム照射手段４の光軸上に位置させることができ、イオンビーム照射手段４からイオンビームを試料基板７又は試料片５に照射することにより、試料基板７又は試料片５の加工を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 立体的な試料を断面加工し、観察するための新たな方法の提供を課題とする。
【解決手段】 集束イオンビーム加工観察装置で立体的な試料を断面加工し、得られた断面を観察する方法において、試料直上に試料表面を保護するためのマスクとして前記装置内に設けられた可動式プローブを用い、該可動式プローブを試料の０．５〜５μｍ上方に配置して断面加工することを特徴とする試料の断面加工方法である。前記可動式プローブは、その先端を予め所望の断面加工の形状にして使用する。 （もっと読む）

【課題】試料ホルダを運搬中に微小試料片Ｓの破損を回避すること。
【解決手段】微小試料台１０は、全てシリコン製であり、基部１１、固定部１２及びガード部１３を有する。微小試料片Ｓは、固定部１２の頂部に立てて固定される。微小試料台１０は、基部１１の上面１１Ａに２本の固定部１２と３本のガード部１３が交互に突設された一体化構造である。ガード部１３の厚さは固定部１２よりも厚く、ガード部１３の高さ（Ｚ方向の長さ）は固定部１２よりも高く作製する。 （もっと読む）

【課題】観察したい平面領域を広範囲にわたって観察することが可能な平面観察試料を得ることができる試料作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】エネルギービームを照射することで、被観察平面を含む薄膜領域３１を有する平面観察試料３０を作製する試料作製方法であって、原試料から被観察平面を含む微小試料片２０を摘出する微小試料片摘出工程と、該微小試料片２０に、エネルギービーム照射方向に対する被観察平面の傾きの有無を現出させるマーカ手段を形成するマーカ手段形成工程と、前記マーカ手段に基づいて被観察平面をエネルギービームの照射方向に一致させる平行合わせ工程と、被観察平面を照射方向に一致させた状態で、エネルギービームを照射して被観察平面を含む薄膜領域３１を加工する薄膜加工工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 装置のコストアップが生じることなく探針の交換作業を効率的に行う。
【解決手段】 試料室２内において、第１の探針６の先端部をメタルデポジションによりダミー部材１１に固着し、イオンビーム１ｂの照射により第１の探針６を切断して先端側部分６ｂと基端側部分６ａとに分離し、ダミー部材１１を移動させて当該先端側部分６ｂを移動し、保持部材１３に固定された第２の探針１２を当該基端側部分６ａにメタルデポジションにより固着し、イオンビーム１ｂの照射により第２の探針１２と保持部材１３とを分離し、その後保持部材１３を第２の探針１２から移動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみを摘出、搬
送、固定が可能で、特にマイクロマニピュレーションにおけるプローブ先端位置決めを容
易にすることで自動化に適した試料作製装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム加工と、試料片の搬送技術さらには試料片の試料片ホルダへの
固定技術を用いる。特に、搬送用プローブの流入電流をイオンビーム走査と同期させてデ
ータ化することで、プローブ先端位置の同定を容易にする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＥＭ観察機能を備えないＦＩＢ装置でも、欠陥部分やコンタクトホールの中心位置を検出することが効率よく、実行できる試料断面作製方法を提供するものである。
【解決手段】 試料断面領域近傍に集束イオンビーム１を走査照射してエッチング加工しながら、集束イオンビーム１を照射することにより発生する二次電子２を検出する。検出した二次電子信号から加工終点検出機構１６で加工終点を検出して、エッチング加工を終了する。 （もっと読む）

【課題】微細な試料を無用に変質させることなく高精度に微細部位の断面の分析が可能な微細部位解析装置を提供する。
【解決手段】試料を断面加工して解析する微細部位解析装置は、試料台１と集束イオンビーム装置２と回転機構３と電子ビーム装置４と補正部５と分析装置６とからなる。集束イオンビーム装置２は、試料が置かれた試料台に向かって斜め方向の視線を有するよう配置され、試料台に対して斜め方向にターゲットを切断する。回転機構３は、ターゲットを中心に試料台を着眼位置中心回転させる。電子ビーム装置４は、切断するターゲットを探索すると共に回転中のターゲットを観察する。補正部５は、電子ビーム装置により観察されるターゲットの位置を補正する。分析装置６は、集束イオンビーム装置からターゲットの断面に照射される集束イオンビームにより放出される二次イオンを分析する。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】プローブの先端に発生させたポンプによる吸引力で容易に試料の採取が行うことができるマイクロマニピュレータを提供する。
【解決手段】マイクロマニピュレータのプローブ７は、直径１０μｍ程度の注射針のような中空構造を有しており、先端１５には、軸に対して６０°の斜面をなして開口１６が設けられている。このように斜面とすることで、先端１５の面積が広がり、薄片試料２を安定に保持できるようにする。また、この開口１６の縁において、開口１６がなす楕円面の長軸を挟んだ線対称な位置にそれぞれ切り欠き１７が設けられ、吸引した空気を逃がすことが可能な構造になっている。これにより、吸引力が強くなり過ぎて吸着した薄片試料３を破壊するような事態を予防する。 （もっと読む）

【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源１からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第１の試料ステージ１３に載置された試料１１に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片３０３を載置する第２の試料ステージ２４が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第２の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 構成の簡単化、費用の低減化、試料作製時間の短縮化及び目的の試料観察に応じた試料の作製を実現する。
【解決手段】 イオン銃１２、イオン銃１２から放出されたイオンビームの照射を受ける試料素材１１、試料素材１１上にイオンビーム非照射面１１ｂとその周囲にイオンビーム照射面１１ｃ，１１ｄを形成するために試料素材１１上に配置された遮蔽板８を備え、イオン銃１２と遮蔽板８との間に、イオンビーム断面径可変器３０、イオンビーム断面形状可変器４０、試料素材１１へのイオンビームの入射角をコントロールするための第１偏向レンズ５０と第２偏向レンズ６０を配置した。 （もっと読む）

【課題】分析領域にダメージを与えることなく分析可能な試料をつくることができる、分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料１１の形成方法は、まず、クラック１４や異物１５のある分析領域２１の周囲に、収束イオンビーム加工装置２３によって亀裂防止溝２２を形成する。次に、分析領域２１の近傍に形成された、クラック１４や異物１５を分析する際に邪魔となる障壁１２に応力を加えて除去する。このとき、障壁１２と繋がっていた基板１３の一部分１３ａから分析領域２１に亀裂３１が伝わったとしても、分析領域２１の周囲に形成した亀裂防止溝２２によって、分析領域２１に亀裂３１が進行することを抑えることができる。これにより、クラック１４や異物１５の状態を、障壁１２を除去する前の状態に維持することができ、クラック１４を観察したり異物１５の元素を特定したりすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、試料台２を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ３と、試料Ｓに対して集束イオンビームＩ１、Ｉ２を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２は、互いの集束イオンビームＩ１、Ｉ２の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている （もっと読む）

【課題】加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。
【解決手段】仕上げ加工に使用するイオンビームのエネルギーを低くすると共に、試料への入射角度を試料形状に合わせて最適化し、ＳＴＥＭ像の着目する要素の変化をモニタして加工の終了時点を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細試料の確実・容易なピックアップ法に関する。
【解決手段】本発明は、デポジション用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射して形成されるビームアシスト堆積膜により微細試料とマニピュレータを保持し、エッチング用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射してビームアシスト堆積膜を除去することにより微細試料とマニピュレータを分離することに関する。例えば、マニピュレータプローブと微細試料との接続を炭素を主な成分とするビームアシストデポジション膜で接続し、キャリアへの固定後にプローブと微細試料を分離する際、水を主成分とするアシストガスを用いたビームアシストエッチングにより、前記アシストデポジション膜を選択的にエッチングする、荷電粒子ビーム装置における微細試料のピックアップ方法である。 （もっと読む）

【課題】薄片化加工の過程で発生する歪みを除去し、かつ薄片化部分が安定して固定された状態で仕上げ加工を行うことができるＦＩＢ加工方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ照射により試料の薄片化加工を行うＦＩＢ加工方法において、ＦＩＢ照射により薄片化部分を形成し、試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してＦＩＢ照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】短時間で試料から微小片試料を切り出すことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明によると、Ｖ溝の所望の深さから、実験式を用いて、加工時間が最小となるようにＶ溝の深さの設定値とＶ溝の幅の設定値を計算する。こうして求めた設定値によって、集束イオンビームによってＶ溝加工を行う。Ｖ溝加工のみから、試料表面より微小片を切り出す。試料表面に対して傾斜したイオンビームを用いる。 （もっと読む）