本発明は、サンプル（３）を観察して、サンプル（３）から取り出される一部が存在している目標位置を選択するために使用される観察ユニットと、サンプル（３）を収容する試料ステージ（４）とを備えるサンプル操作デバイスに関する。この種のサンプル操作デバイスにおいては、観察ユニットを基準として空間的に移動可能な操作ツール（６）であって、サンプル（３）から一部を取り出すために使用される操作先端部（７）を有する操作ツール（６）と、操作ツール（６）の移動を制御するために使用される制御ユニット（１４）と、制御ユニット（１４）に接続され、操作先端部（７）の実際の位置を決定して、操作先端部（７）の所定の位置への特定の移動を行うことができるようにするために使用される光学位置測定ユニット（８、１０）とが設けられている。
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【課題】FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。
【解決手段】試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 （もっと読む）

【課題】 側面に微小試料片を確実に固定することができる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全てシリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。微小試料片Ｓは、微小試料台１０の第４段１４〜５４のいずれかに固定されるが、固定する位置としては、次の３通りがある。第１は、第４段５４を例として示す上面（頂面）に立設する場合であり、第２は、第４段４４を例として示す側面Ｐに設置する場合であり、第３は、第４段２４を例として示す側面Ｑに設置する場合である。第４段１４〜５４の側面Ｐ，Ｑには平滑化処理が施されているので、微小試料片Ｓを確実に固定できる。 （もっと読む）

【課題】 被処理物のエッチング量を長期的に安定して計測できるエッチング量計測装置、エッチング装置及びエッチング量計測方法を提供する。
【解決手段】 エッチング量計測装置５０は、イオンビーム２６を用いて基板２２をエッチングする際に、基板２２のエッチング量を計測する。エッチング量計測装置５０は、イオンビーム２６の一部２６ａを導入するための導入口５８ａが形成されたチャンバ５８と、チャンバ５８内に収容されイオンビーム２６の一部２６ａによってエッチングされる被処理部材６０と、被処理部材６０から発生する物質６４を受けると共に、受けた物質６４の質量を検出する質量検出素子７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 切削刃による切り込み時の衝撃による剥離による破壊や紛失を無くし、簡易で、より確実な切削を行うこと。
【解決手段】 ウェハ試料１０の裏面と、片側の面に溝が形成された第１の補助板１１の溝の形成されてない側の面とを、切削刃８の衝撃に耐えうる接着強度で接着して一体化し、この一体化された第１の補助板１１の溝が形成されている面を、第２の補助板１２の溝が形成された面とワックス１５で固定し、その後、切削刃８により切り出してウェハ試料片３０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみを摘出、搬送、固定が可能で、特にマイクロマニピュレーションにおけるプローブ先端位置決めを容易にすることで自動化に適した試料作製装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム加工と、試料片の搬送技術さらには試料片の試料片ホルダへの固定技術を用いる。特に、搬送用プローブの流入電流をイオンビーム走査と同期させてデータ化することで、プローブ先端位置の同定を容易にする。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面近傍欠陥を容易に解析できる試料作製方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 （もっと読む）

【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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【課題】 観察に適した良好な試料を簡単に作製できる試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 試料セット部９は試料貼付け面１０を有している。遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９の上に配置されており、遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９に固定されている。遮蔽材ガイド部１２は遮蔽材ガイド面１３を有している。試料貼付け面１０は遮蔽材ガイド面１３より所定量Ｄ＝４０μｍだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面１０が遮蔽材ガイド面１３より４０μｍだけ下がった位置に形成されているため、厚さ１００μｍの試料７を試料貼付け面１０に取り付けると、図２（ｄ）に示すように、試料７が遮蔽材ガイド面１３より６０μｍだけ前に出た状態となる。そして、厚さ２０μｍ程度の遮蔽材１６が遮蔽材ガイド面１３にセットされる。 （もっと読む）

【課題】プローブ交換時における装置の停止時間を短縮し、装置稼働率を向上させるマニピュレータを提供する。
【解決手段】真空チャンバにエアロック室を設け、このエアロック室を、本体の真空チャンバと真空ベローズで接続する。エアロック室にはプローブホルダを取り付け、本体に設けた移動機構によりエアロック室ごとプローブを移動する。エアロック室は排気ポートから真空排気を可能とし、エアロック室と真空チャンバの間を真空バルブで仕切る。プローブはエアロック室と真空チャンバの間を移動できるよう、第２の移動機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化した試料に電子線を照射して観察、特にX線検出による元素分析を、背景雑音を低減して高精度、高分解能で行える試料観察装置および試料観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】 薄膜試料の直後に孔部を有する軽元素材料からなる部材５６を配置して、電子線８で該試料２２の特定部位を観察する。
【効果】 本発明により、薄膜試料に電子線を照射して観察する際に、該試料以外の部分から発生するX線、および、該試料以外の箇所で散乱されて再び該試料に入射する電子線を低減できる。これにより高精度、高感度な２次電子像観察および元素分析が可能となり、一段と微細化が進むＬＳＩデバイス等の内部観察等を、高精度、高分解能で実施できる試料観察装置および試料観察方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置で特定された欠陥は、他の装置を用いて解析が行われる。他の装置での欠陥位置の特定は、ビットパターンがウエハ上に数百個配列されているような場合は手作業でカウントしなければならないため、非常に困難で欠陥位置の誤認識も招く。また欠陥位置の特定に時間がかかるので、欠陥の解析結果がでるまでに時間がかかる。つまり製造ラインへのフィードバックが遅れ、スループットを低下させている。
【解決手段】欠陥検査装置で検出された欠陥の周辺に、レジストを用いてマーキングを形成する。
【効果】欠陥検査装置で検出された欠陥を、解析装置で正確に簡便に特定することができるため、短時間で解析結果が得られる。そのため、製造ラインへのフィードバックが早くなり、歩留まりが向上し、コスト低減に繋がる。 （もっと読む）

【課題】
包埋材料に包埋する前の試料の状態を正確に分析することができる被検査物の断面分析方法を提供する。
【解決手段】
下記の（１）〜（３）の工程を含む被検査物の断面分析方法。
（１）試料表面に不活性層を形成する工程
（２）不活性層を形成した試料を包埋材料に包埋して被検査物を作製する工程
（３）被検査物を切断して断面を形成し、該断面を分析する工程 （もっと読む）

【課題】 ナノレベル構造組成評価用試料、その製造方法、及び、ナノレベル構造組成評価方法に関し、絶縁層が介在する多層薄膜構造の試料におけるチャージアップを防止するとともに、精度良く表面構造を評価する。
【解決手段】 凸状試料部２が少なくとも一部に絶縁層４が介在する多層薄膜構造３からなるナノレベル構造組成評価用試料の凸状試料部２の先端部から少なくとも絶縁層４を跨ぐ表面領域全面を、多層構造を構成する導電性物質５より蒸発電界の低い物質からなる導電性材料６により覆う。 （もっと読む）

【課題】 サイズの小さい試料１の微小部の特定箇所を選択して、その箇所の密着性評価を行なうことができる密着性評価方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 周囲部４と切り離された被測定部５を形成し、被測定部５に、支持部材であるμプローブ６を固定させ、固定させた支持部材であるμプローブ６を用いて被測定部５に引っ張り力を加えることで、被測定部５の密着性を評価する。また、被測定部５を切り離す工程は、粒子線を用いてなされる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、時間的な節約ができる、基板から微視的なサンプルを取り出すための代替方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、基板２から微視的なサンプル１を取り出すための方法を提供し、該方法は、サンプルが基板から切り出されるようにして、基板２がビーム４で照射される、切断処理を実行するステップと、サンプル１がプローブ３に付着される付着処理を実行するステップとを含み、切断処理と付着処理が互いに一時的にオーバーラップすることを特徴とする。
切断処理と付着処理を同時に実行することによって、これらの切断処理と付着処理が連続して実行される方法と比較すると、時間的な節約が実現される。 （もっと読む）

【課題】 電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ（ナノメートルオーダー）の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。
【解決手段】 マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 （もっと読む）

基板の特徴を測定する、または分析のために基板を準備する方法およびシステムが提供される。基板の特徴を測定する１つの方法は、電子ビームを使用して基板上のフィーチャの一部を除去し、フィーチャの残りの部分の断面プロファイルを暴露させることを含む。フィーチャは、フォトレジスト・フィーチャとすることが可能である。本方法は、断面プロファイルの特徴を測定することをも含む。分析のために基板を準備する方法は、電子ビームと組み合わせて化学エッチングを使用して、欠陥に近接する基板上の材料の一部を除去することを含む。欠陥は、表面下欠陥または部分的表面下欠陥である可能性がある。分析のために基板を準備する他の方法は、電子ビームや光ビームと組み合わせて化学エッチングを使用して、欠陥に近接する基板上の材料の一部を除去することを含む。
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