エンドレス・ベルト及び関連するベルト駆動システムの磨耗もしくは変則的動作を、非接触センサーによって監視することができ、ベルト駆動システムの状態を判断し、ベルト及びシステムの不具合の初期段階を検知する装置及び方法。１もしくは複数の独立した検出部を特徴とするセンサーユニットが、ベルトに隣接、もしくは近接して設置されており、それによって、ベルト稼動の同時に起こる複数の正常モードを監視する。本センサーは、収集した信号を処理し、構造的な損傷を検知することで、タイミング駆動装置全体における正常性を連続的に判断できる。収集されたデータは、センサーに統合されたマイクロコントローラによって処理される。エンドレスベルトの磨耗もしくは変則的動作を監視する本装置及び本方法は、非接触コンデンサ配列を使用している。その非接触コンデンサ配列は、一つもしくは複数の検出部から構成されており、検出部は、ベルトに隣接もしくは近接して設置され、ベルトが呈する静電容量効果及び圧電効果に連動した動的な電気容量変化を特に感知するように構成された電子回路に接続している。また、本装置は、ベルトが関連部品の変則的動作によって影響を受けているかどうかを検知することで、ベルトの関連駆動部品の監視も可能である。本センサーは、ベルト駆動装置の通常稼動中に、ベルトを連続的に監視する。本センサーは、工場用、工業用及び自動車用用途で現在使用されている、繊維コード耐荷重性コアを有するポリマーマトリクスを特徴とするベルトの検知に特に適合する。

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【課題】はんだ接合部に対する加速寿命の信頼性評価を、変曲点を超えた後に予測することで、簡易な方法で、迅速かつ高精度で行う。
【解決手段】接合評価装置は、はんだ接合部８に対して加熱と冷却とを繰り返し行う冷却部１２及び加熱部１３と、熱供給中のはんだ接合部８の抵抗値を所定周期で測定する測定回路部１１及び測定部２２と、抵抗値が測定される毎に得られた抵抗値から抵抗変化率及び抵抗変化率の変化速度を算出する演算部２３と、算出された抵抗変化率の変化速度から該抵抗変化率の速変化度が低下を開始する変曲点に達したか否かを判断する判断部２４と、変曲点に達した後に、抵抗変化率と抵抗変化率の変化速度から求める予測抵抗変化率が基準閾値に達するまでの期間を演算する評価部２５と、演算から得られた期間の情報を報知する報知部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 軸受内への水の浸入や、軸受内の潤滑剤の含水率などの軸受内状況を、簡易な構成により、精度良く検出することができるセンサ付き車輪用軸受装置受を提供する。
【解決手段】 このセンサ付き車輪用軸受装置は、内周に複列の転走面３を有する外方部材１と、前記各転走面３に対向する転走面４を外周に有する内方部材２と、これら対向する転走面３，４の間に介在した複列の転動体５と、前記外方部材１と内方部材２間の軸受空間の端部を密封するシール７，８とを備える。前記シール７の軸受空間側の面となる内側面には、検出用の電極パターン１３，１４を全周に設け、この電極パターン１３，１４に検出回路１５を接続する。検出回路１５は、前記電極パターン１３，１４の出力から検出される抵抗値または誘電率の変化を計測することにより、例えば軸受空間内への水の浸入を検出する。 （もっと読む）

【課題】 導電性コーティング皮膜の欠陥および経年変化により生ずる剥離、クラック、気孔、酸化物、腐食生成物などの欠陥を精度良く、現場で簡便に計測できる方法と装置を提供する。
【解決手段】 溶射、めっき、拡散浸透処理などの表面処理方法によって形成される導電性コーティング皮膜中に発生する気孔、クラック、介在物などの欠陥検出方法であって、被検査皮膜表面（３）上の２地点（Ａ−Ｄ）間に所定の微小電流を流した状態で、前記２地点の内側に位置した別の２地点（Ｂ−Ｃ）間の電気抵抗を測定し、予め同条件で測定した正常皮膜の電気抵抗値と比較する。プローブ（１１）は、各触針（Ａ〜Ｄ）を所定の距離間隔に支持する支持構造と、各触針（Ａ〜Ｄ）を被検査皮膜表面（３）に所定の接圧にて接触させる接圧調節手段（１５，１６）を備える。 （もっと読む）

【課題】 共通プラットフォーム上の多数の近接場走査型の分離技術を提供する、故障分離及び測定システムを提供する。
【解決手段】 システムは、デバイス又は材料の領域内に配置された内部回路構造体に電気的バイアスを供給するための特殊ホルダの使用を含む。システムは、更にマルチ・プローブ組立体を用いる。各プローブは、共通基準点周囲の支持構造体に取り付けられ、異なる測定又は故障分離ツールの構成要素である。組立体は、各プローブがデバイス又は材料上の同じ固定位置から測定値を取得することができるように、移動する。支持構造体及び／又はホルダの相対的位置決めは、領域内の多数の同一の固定位置からの測定を取得するために変更することができる。更に、システムは、それぞれの信号と関連する積層画像を提供するため、及び、デバイス又は材料内の故障位置を特徴付け、又は分離するためにそれらの画像を設計データと正確に位置合わせするために、プロセッサを用いる。 （もっと読む）

【課題】走査顕微鏡像の空間分解能を向上させる手段の提供
【解決手段】レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調レーザ光をＩＣチップ１１０に照射し、磁束計１２０からの磁場信号を受け変調周波数と同じ周波数成分の信号を抽出する検波器１３０と、前記検波された信号から磁場分布の像を表示する手段１４０と、を備え、前記変調信号の周波数が１００ｋＨｚよりも高い。 （もっと読む）

【課題】 母材の抵抗率が未知であっても鋼材の焼き入れ深さを簡単に精度良く測定することのできる焼き入れ深さ測定装置を提供する。
【解決手段】 焼き入れ処理した鋼材の表面の任意の２点間に電流を流す１対の通電電極針と、この通電に伴って前記鋼材に生じる電位分布の、互いに異なる部位間での電位差をそれぞれ検出する少なくとも３対の電位検出針と、上記各電位検出針によりそれぞれ検出された電位差、該電位差をそれぞれ検出した部位の情報（針の間隔）、および前記通電電極針間に流した電流に従って、前記鋼材に生じた電位分布を示す特性式に基づいて前記鋼材の焼き入れ深さを算出する演算手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサの検査方法において、シリコン基板上の絶縁膜の膜厚を非破壊で簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、２と、シリコン基板１上に形成された絶縁膜のシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜８と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０において、シリコン窒化膜８上に予め検査用を兼ねて設けたアルミ電極６と、シリコン基板１に導通するアルミ電極５bを備え、このアルミ電極５bとアルミ電極６の測定端子６aと間に容量計１１を接続して、シリコン基板１とアルミ電極６間の静電容量を測定する。この静電容量測定値から、シリコン基板１上の絶縁膜の膜厚を定量的に求めることができ、膜厚の良否を非破壊で容易に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路の不良箇所を精度よく特定できるようにする。
【解決手段】
表面に配線層が形成され半導体集積回路が構成されたシリコン基板を、以下の工程を備えて部分的に薄膜化する。
（Ａ）シリコン基板の配線層を残したままで機械的強度を維持できる範囲で裏面側を均一に薄膜化する工程、
（Ｂ）その後、前記シリコン基板の裏面側から不良箇所を特定する工程、
（Ｃ）前記シリコン基板を裏面側から加工して前記不良箇所を含む領域のシリコン基板を部分的にさらに薄膜化する工程、
（Ｄ）前記シリコン基板の裏面側から光を照射してそれによる干渉縞の生成により厚さを測定する工程を少なくとも含み、前記工程（Ｃ）で薄層化する部分のシリコン基板厚さを測定する工程。 （もっと読む）

【課題】回路欠陥の検査と補修を精密にかつ速やかに実行できるようにする。
【解決手段】ベース101、該ベース101上に取り付けられた基板支持プラットフォーム200、少なくとも一つの接触プローブと第１駆動システムを具えて該第１駆動システムが少なくとも一つの接触プローブを駆動してガラス基板上に形成された回路に接触させて回路欠陥を検査する接触検査モジュール300、少なくとも一つの非接触センサと第２駆動システムを具えて該第２駆動システムが少なくとも一つの非接触センサを駆動して非接触方式で該回路欠陥を検査し、接触検査モジュール300と共同で回路欠陥の位置を決定するのに供される非接触検査モジュール400、レーザーヘッドと第３駆動システムを具えて該第３駆動システムが該レーザーヘッドを駆動して回路欠陥の位置に至らせて回路欠陥を補修させるレーザー補修モジュール500、を包含する回路欠陥検査補修装置とその方法。 （もっと読む）

細長い固体の被検製品（９）を試験するための装置は、測定部分電極（２３）と、その測定部分電極から電気的に絶縁されたガード電極（２４．１、２４．２）とを備えた測定コンデンサ（２）を含む。装置は、測定コンデンサ（２）内に交流電場を発生させる目的で、測定コンデンサ（２）に交流電圧を印加するための手段（４）をさらに有する。ガード電極（２４．１、２４．２）は、交流電圧に対して測定部分電極（２３）と同じポテンシャルに維持されるという点で、積極的なガード用に調整されている。積極的なガードのおかげで、同一の測定ヘッド（１）を用いて異なる厚さの被検製品（９）を検査することができる。信号対雑音が低減され、出力信号は被検製品（９）の横方向の位置とは大いに無関係となり、測定ヘッド（１）の幾何学寸法が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 ステージやチャックなどの表面に薄膜などの微細な異物が付着しているか否かを容易かつ確実に検査する。
【解決手段】 ステージやチャックなどの被検査物１の表面に試料２を接触・剥離させて、試料２の剥離帯電量の変化量を測定する。被検査物１の表面に付着物がない基準位置と、付着物がある検査位置では、試料２の表面電位が異なるため、両位置で測定した表面電位値を比較することによって、被検査物表面に付着物があるか否かを検査することができる。 （もっと読む）

サンプルの表面上の欠陥又は汚染を識別する方法及び装置に関する。本システムは、振動形の接触電位差（ｖＣＰＤ）と非振動形の接触電位差（ｎｖＣＰＤ）との両方を用いて、表面全体の仕事関数の変化を検出するように動作する。本システムは、サンプルの全体にわたって仕事関数の変動を映像化するために、非振動形の接触電位差（ｎｖＣＰＤ）センサを利用する。データは、サンプルの表面の全体にわたって仕事関数（又は形状もしくは表面の電圧）の変化を示すために微分形式である。ｖＣＰＤプローブは、サンプルの表面上の特定の点の絶対的なＣＰＤデータを測定するために使用される。振動形及び非振動形のＣＰＤ測定モードを組み合わせることにより、サンプル全体の均一性を迅速にイメージングし、１つ以上の点において絶対的な仕事関数を検出することが可能になる。
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本発明は、材料における変位、衝撃、応力、および/または歪みを検出できるカーボンナノチューブを含んだデバイス;このようなデバイスを製造する方法;カーボンナノチューブによって変位、衝撃、応力、および/または歪みを検知/検出/モニタリングするための方法;ならびにこのような方法とデバイスに対する種々の用途;に関する。本発明のデバイスと方法はいずれも、このような応力を検出して定量化するために、機械的に誘起されるカーボンナノチューブ内の電子的な乱れに依拠している。このような検出と定量化は、導電率/コンダクタンスおよび/または抵抗率/抵抗の検出/測定、熱伝導率の検出/測定、エレクトロルミネセンスの検出/測定、光ルミネセンスの検出/測定、ならびにこれらの組み合わせ(これらに限定されない)を含む方法に依拠することができる。このような手法はいずれも、このような特性が、機械的応力および/または機械的歪みに応答してどのように変化するか、ということの理解に依拠している。
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【課題】 実際の使用形態に近い半導体薄膜を面内方向で測定できると共に、簡単且つ低コストで正確に測定することができる、キャリア移動度測定用基板、測定装置及び測定方法を提供する。
【解決手段】 励起光を透過する基板１１と、基板１１上に形成されその一部に開口部１３を有する遮光層１２と、開口部１３に隣接して又はその開口部１３の一部を覆う第１電極１４と、遮光層１２上に形成され前記第１電極１４から所定の間隔で設けられた第２電極１５とを有するキャリア移動度測定用基板１０により、上記課題を解決する。このとき、遮光層１３が導電性を有する場合には、遮光層１３と電極１４，１５との電気的接触を防止するための絶縁層１６を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 微細な粉末の導電材料を含む広範囲の導電性複合材料の傷、欠損等を精度良く測定する損傷測定方法を提供することにある。
【解決手段】 損傷測定方法として、基準となる試料と被測定試料を直列に接続した直列回路を周波数可変の高周波電源に接続し、該電源の周波数を変えながら前記基準となる試料と前記被測定試料のアドミッタンス値および位相を測定し、その測定した両試料のアドミッタンス値の比Ａおよび位相差Ｂを求め、同じく基準となる試料同士を測定対象とした場合の両試料のアドミッタンス値の比Ｃおよび位相差Ｄを求め、前記アドミッタンス値の比Ａと前記アドミッタンス値の比Ｃの偏差を比較して被測定試料の良否を判断すると共に、前記位相差Ｂと前記位相差Ｄの偏差を比較して被測定試料の良否を判断する。 （もっと読む）

【課題】 基板１１上の絶縁性薄膜１２の微小欠陥１８を、確実且つ簡便に検出することのできる絶縁性薄膜の欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 導電性を有する基板１１の上に形成された絶縁性薄膜１２の欠陥を検出する方法であって、絶縁性薄膜１２の表面に導電性溶液１４を配し、導電性溶液１４と基板１１との間の電気抵抗を測定する。導電性溶液１４は微少欠陥１８内に容易に侵入する。微少欠陥１８が存在すると電気抵抗が低く表れるので、微少欠陥１８を検知できる。しかも検査後は、導電性溶液１４の除去が容易であるから、基板１１や絶縁性薄膜１２への悪影響の虞も殆どない。 （もっと読む）

半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度を測定するために、半導体材料の基材を有するこの半導体ウエハに第１の値の電流を流す。半導体ウエハに対して光パルスを照射すると、この光パルスに応答して半導体ウエハ中に発生する電子正孔対によって前記電流が第２の値へと増大する。光パルスの照射の終了後、前記電流の前記第２の値から前記第１の値へ向かう変化速度を測定する。この変化速度の関数として、前記半導体ウエハ中の欠陥および／又は不純物の密度が測定される。
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【課題】被検体の良否を確実に判定することができるようにする。
【解決手段】被検体の所定の面と対向させて配設された第１の電極と、被検体のシール部分と対向させて配設された第２の電極と、第１、第２の電極間に交流の電圧を印加する電圧印加処理手段と、電圧の印加に伴い、第１、第２の電極のうちのいずれか一方において変化する電気的変量に基づいて、シール状態を検出するシール状態検出処理手段とを有する。この場合、被検体の所定の面と第１の電極とを対向させ、被検体のシール部分と第２の電極とを対向させるだけで、シール部分のシール状態を検査することができる。被検体の良否の判定が検査員の熟練度に依存しないので、被検体の良否を確実に判定することができる。 （もっと読む）

セラミック部品に取り付けられた組込み導電回路を有するセラミック装甲システム。この導電回路は、システムに設けられたコンタクトにおいて、使用者によって利用されうる。セラミック部品内で発生するクラックなどの損傷が、回路を形成している導電物質に広がり、これにより導電回路中に断線が発生するように、回路は配置されている。抵抗計などの電気プローブを使用して、導電回路の抵抗が測定されて、これが、その後予想値と照合される。この結果は、セラミック装甲部品が使用可能な状態にあるかどうかを検出するために使用される。 （もっと読む）