【課題】製品を破壊することなく効率的に亀裂の存在を電気的に検知できるガスセンサのセンサ素子の検査方法を提供すること。
【解決手段】有底空間部２ａを有すると共に少なくとも一部に固体電解質体５を備えた筒状絶縁性センサ素子体２と、空間部２ａ側において固体電解質体５に接触して配設された基準ガス側電極３と、センサ素子体２の外部側において固体電解質体５に接触して配設された被測定ガス側電極４とを備えたセンサ素子１を有するガスセンサの固体電解質体５に発生する亀裂５ａを検出する検査法であって、空間部２ａ内及びセンサ素子体１の外側領域内の少なくとも一方に水とエタノールの混合液である検査液Ｄを注入し、両電極間３、４に５００Ｖの電圧Ｖを印加して両電極間３、４における固体電解質体５の絶縁抵抗値Ｒを測定し、その絶縁抵抗値Ｒによって良否を判定する。 （もっと読む）

非振動式接触電位差プローブおよび振動式接触電位差プローブを使用して、ウエハ表面の接触電位差を決定するための方法およびシステムが提供される。この方法およびシステムは、非振動式接触電位差センサを用いてウエハ表面を走査するステップと、得られたデータを積分およびスケーリングするステップと、積分およびスケーリングされたデータを振動式接触電位差センサを使用して行われた測定に整合させるために、データの個々のトラックにオフセットを適用するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】水中接合作業においてその接合部の遮水性能の品質確認ができ、工期の短縮、工費の節減が可能となり、かつ遮水性能に対して信頼性を高められる水中溶着部の品質確認方法を提供する。
【解決手段】水中溶着は、２枚の遮水シート１０，１１のうち、金属体１３のＵ字形の奥部側の端部からこれとは反対側の開口側の端部へ低速度で加熱コイル部１７を移行させることで行われる。水中溶着中、第１電極５０ａと第２電極５１ａとの間で形成された電気回路のインピーダンスを測定する。この測定値から２枚の遮水シート１０，１１の溶着部分の溶着状態の確認が行われる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】 電池に適した用途、使用方法を示し、再利用を容易とした電池の評価方法、及びその評価装置を提供すること。
【解決手段】 電池が使用される用途ごとに、該電池の各性能に対して付される重み係数を定め、前記電池から得られた前記各性能の測定結果を、前記重み係数で修正し、前記重み係数で修正された前記各性能の重み付き結果を各用途ごとに集計し、用途別評価値を算出し、前記電池を前記用途ごとに、前記用途別評価値に基づき評価することとして電池の評価方法を構成した。これより、電池を用途ごとに評価でき、最適な用途に電池を振り分けることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いて欠陥検査を行う際の検査精度の向上を図る。
【解決手段】欠陥検査装置１は、レーザ光５ａの照射位置とその照射順序との関係を示す座標テーブル６ａを設定する座標テーブル設定部６を有する。座標テーブル設定部６は、試料２０のある照射位置にレーザ光５ａを照射したときに生じる熱の分布を考慮し、その照射位置から所定距離離れた箇所に次の照射位置が設定されるように、座標テーブル６ａを設定する。欠陥検査装置１は、座標テーブル６ａを用い、レーザ光５ａを試料２０の所定位置に所定順序で照射し、照射によって生じる温度変化ΔＴに起因した信号を検出し、欠陥検査を行う。各照射位置に周囲温度の影響を抑えてレーザ光５ａを照射して信号を検出することができ、欠陥検査の精度向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】測定周波数１０ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯における誘電正接の良否を容易にかつ正確に判定できる誘電正接測定装置および誘電正接良否判定方法を提供する。
【解決手段】本発明の誘電正接測定装置は、数ＭＨｚ帯の周波数における試料の誘電正接を測定する第１測定部１１と、数ＧＨｚ帯の周波数における試料の誘電正接を測定する第２測定部１３と、第１測定部１１および第２測定部１３で測定された誘電正接の両方を表示する表示部１９とを具備する。このような誘電正接測定装置では、試料の数ＭＨｚ帯における誘電正接と数ＧＨｚ帯における誘電正接を、第１測定部１１、第２測定部１３でそれぞれ測定することができ、これらの誘電正接の両方が表示部１９にそれぞれ表示され、測定された数ＭＨｚ帯における誘電正接と数ＧＨｚ帯における誘電正接のうち高い方の誘電正接が５×１０^−４以下である場合には良品として判定できる。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤の電気的特性に基づき、導電性接着剤の接続品質を容易かつ適確に判断可能な接続品質検査装置の提供を目的とした。
【解決手段】検査装置１は、接続部ＢＰおよび導電部ｓ２に対して接触したピンプローブ２０，２１間に電圧発生源１０により印加された印加電圧を掃引し、これにより発生する電流を電流測定計１１で測定することができる。検査装置１は、印加電圧の推移に対する測定電流の変動状態に基づいて、接続部ＢＰにおける接続品質の良否を判断することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単、経済的且つ積層体に負荷をかけない構成及び工程で、積層体の収縮率及び電流電圧特性を検出することができ、発電性能の良否を確実に判断することを可能にする。
【解決手段】積層体５０を焼成する前に、前記積層体５０の長さを測定する第１の工程と、前記積層体５０を焼成した後、前記積層体５０の長さを測定する第２の工程と、前記第１の工程による第１測定値及び前記第２の工程による第２測定値に基づいて、前記積層体５０の収縮率を算出する第３の工程と、算出された前記収縮率に基づいて、前記積層体５０の収縮率の良否を判断する第４の工程と、前記第１測定値及び前記第２測定値に基づいて、前記積層体５０のＳＮ比を算出する第５の工程と、算出された前記ＳＮ比に基づいて、前記積層体５０の電流電圧特性の良否を判断する第６の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する微細素子１０に電流を印加して微細素子の特性を評価する方法において、前記微細素子１０をレジスト１４により被覆する工程と、前記レジスト１４が被覆された微細素子１０に電流を印加し微細素子の特性を評価する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査にかかる時間を短縮することができるコイル検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るコイル検査装置は、被検査コイルＷが載置される検査槽１１と、検査槽１１内に貯留された導電性の検査液１２と、検査槽１１内に設けられた電極１３と、被検査コイルＷと電極１３との間に電圧を印加する電源１４と、被検査コイルＷと電極１３との間に流れる電流値を計測する電流計測器１５と、電流計測器１５で計測された電流値の整定値を予測する演算部２０を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の問題を解決する、シールの完全性を監視するための方法及び装置を提供することである。
【解決手段】フィルター要素１０がハウジング２０内に包囲され、ハウジング２０と接触してシールを形成する。シール材料には伝導性ガスケットが含まれる。伝導性材料は、その電気抵抗が材料の圧縮あるいは歪みの関数であることがよく知られていることから、その抵抗値を監視する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの欠陥位置を正確に検出することが可能な欠陥評価装置を提供する。
【解決手段】欠陥評価装置１０１は、半導体デバイス２１が載置され、半導体デバイス２１を傾斜させるために回動可能なステージ６と、半導体デバイス２１を撮影する撮影部７と、半導体デバイス２１から発する光または半導体デバイス２１に発生する電流に基づいて、半導体デバイス２１の欠陥位置を検出する欠陥位置検出部５とを備え、撮影部７の光軸がステージ６の回動中心を通る。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極を形成していない非電極面に電圧を印加する場合であっても、非電極面へ照射される赤外線、又は非電極面から放射される赤外線を用いて、半導体装置の欠陥部位を容易に判別できる半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査装置を提供すること。
【解決手段】赤外線を用いて半導体装置１０の欠陥部位を判別する半導体装置の検査方法において、半導体装置１０の電極を形成していない非電極面１０ａに透明電極２１ｂを当接する工程と、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに電圧を印加すると共に、透明電極２１ｂを介して半導体装置１０の非電極面１０ａに赤外線のスポット光３１を照射する工程と、赤外線のスポット光３１で半導体装置１０の非電極面１０ａを走査して、半導体装置１０の電流変化ΔＩを測定し、半導体装置１０の欠陥部位を判別する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による抵抗変化を含まずに半田バンプ接続部の微小な抵抗変化を高い分解能により正確に検出可能とする。
【解決手段】マザーボード１０に実装されたＢＧＡパッケージ１２について、変形応力によるダメージを受け易い監視バンプ２０−１１と、変形応力によるダメージを受けにくい基準バンプ２０−１２を選択し、監視バンプ２０−１１に第１定電流源３０から一定電流を流すと共に、基準バンプ２０−１２に第２定電流源３２から同じ値の一定電流を流す。半田バンプ抵抗測定装置２８は、第１定電流源３０からの一定電流により監視バンプ２０−１１に発生する第１電圧から第２定電流源３２からの一定電流により基準バンプ２０−１２に発生する第２電圧を差し引いた差電圧を、監視バンプ２０−１１の抵抗変化を表す抵抗変動電圧として直流電圧計３４に表示する。
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【課題】検査液の状態変化に影響されることなく被検査ワークに発生した傷の大きさを判定するコイルの検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】既知の大きさの導電部分を有する基準電極と基準用外部電極との組み合わせからなる、少なくとも一つの基準電極対と、絶縁被覆された被検査ワーク２と対になり、検査電極対を構成する外部電極７−１と、少なくとも一つの基準電極対、検査電極対を設置し、導電性を備えた検査液が供給される検査槽１１と、基準電極対、及び検査電極対とへ電圧を印加する電源１３と、基準電極対、及び検査電極対それぞれの間に流れる電流を計測する電流計１２−１〜１２−３と、電流計が計測した、基準電極対を流れる電流値、既知の導電部分の大きさ、及び検査電極対を流れる電流値に基づいて、被検査ワーク２の傷の大きさを判定する判定部１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの故障を解析する際に、外部との端子接続を不要とし、サブミクロンの空間分解能で電流経路と欠陥の可視化を可能にすること。
【解決手段】ＬＳＩチップ１を光電流発生用レーザビーム２で固定照射する工程と、ＬＳＩチップ１の被観測領域を加熱用レーザビーム３で走査して照射する工程と、光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射によりＬＳＩチップ１で発生した電流変化をＳＱＵＩＤ磁束計４で検出する工程と、ＳＱＵＩＤ磁束計４で検出された電流変化に基づいてＬＳＩチップ１の故障を解析する工程と、を含む。光電流発生用レーザビーム２及び加熱用レーザビーム３の照射は、ＬＳＩチップ１の裏面側から行い、ＳＱＵＩＤ磁束計４による検出は、ＬＳＩチップ１の表面側で行う。ＬＳＩチップ１の故障の解析では、ＳＱＵＩＤ磁束計４から出力された信号を走査点に対応させる画像処理を行う。 （もっと読む）

【課題】長尺の超電導線材の損失を精度よく測定することのできる測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】超電導線材の損失の測定方法は、以下の工程を備えている。第１区間の超電導線材１に、周波数Ｆ₁および電流値Ｉ₁で電流を流し、電圧値Ｖ_1,1,1を得る。第ｎ区間（ｎは２≦ｎ≦Ｎを満たすすべての整数）の超電導線材１に、周波数Ｆ₁および電流値Ｉ₁で電流を流し、電圧値Ｖ_1,1,nを得る。電流値Ｉ₁と電圧値Ｖ_1,1,1とに基づいて、第１区間における電流値Ｉ₁に対応する損失Ｌ_1,1,1を計算する。電流値Ｉ₁と電圧値Ｖ_1,1,nとに基づいて、第ｎ区間における電流値Ｉ₁に対応する損失Ｌ_1,1,nを計算する。上記の電圧値を得る工程の各々において、定電流源６から超電導線材１に流す電流を一定の周波数および一定の電流値に設定した状態で一定時間保持した後で、電圧値Ｖ_1,1,1および電圧値Ｖ_1,1,nを得る。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面または半導体において欠陥または汚染を識別するために半導体表面を高速走査する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０５などの表面１０６を有する半導体を設けること、非振動式接触電位差センサ１０１を設けること、制御可能な強度または波長の分散を有する照射源１０９を設けること、非振動式接触電位差センサプローブ先端１０２の下または付近でウェーハの表面の制御された照射を提供するために照射源を用いること、制御された照射中にウェーハ表面を走査するために、非振動式接触電位差センサを用いること、ウェーハ表面にわたって接触電位差における変化を表すデータを生成すること、欠陥または汚染のパターン特徴を識別するためにそのデータを処理することを伴う。 （もっと読む）

【課題】半導体部分の表面状態を非破壊で評価できる半導体試料の評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２及び金属層３を有する半導体装置１の評価において、ケルビンプローブフォース顕微鏡（ＫＦＭ）の同一のカンチレバー６を使用して半導体層２の表面電位及び金属層３の表面電位を測定する。そして、これらの表面電位の電位差ΔＶを算出する。これにより、測定環境及びカンチレバーの状態などの影響を受けることなく、半導体層２の表面電位を安定して評価することができる。 （もっと読む）