【課題】光センサ、光センサを含む光センサ装置、及びこれを含むディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光センサ、光センサ装置及びこれを含むディスプレイ装置に係り、基板と、基板上に備わって、酸化物を含む第１受光層と、第１受光層に接合され、有機物を含む第２受光層と、第１受光層及び第２受光層にそれぞれ接続する第１電極及び第２電極とを含む光センサ、これを含む光センサ装置及びディスプレイ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】入射光量に応じた高精度のデジタル値を出力することができる光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、フォトダイオードＰＤ、積分回路１０、比較回路２０、電荷注入回路３０、計数回路４０、保持回路５０、増幅回路６０、ＡＤ変換回路７０および基準値生成回路８０を備える。積分回路１０，比較回路２０，電荷注入回路３０および計数回路４０は、ＡＤ変換機能を有する。増幅回路６０は、保持回路５０から出力された電圧値をＫ倍（ただし、Ｋ＞１）にした電圧値をＡＤ変換回路７０へ出力する。ＡＤ変換回路７０は、比較回路２０における基準値Ｖ_ref2のＫ倍の電圧値を最大入力電圧値とし、増幅回路６０から出力された電圧値を入力して、この入力電圧値に対応するデジタル値を出力する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子は、Ｎ型のＩｎＡｓからなる半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ１Ｓｂ_１−Ｘ１を含むバッファ層２，３，４と、バッファ層２，３，４上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ２Ｓｂ_１−Ｘ２からなる光吸収層５と、光吸収層５上に形成されたＩｎＰＳｂからなるキャップ層６とを備えている。組成比Ｘ１は、組成比Ｘ２よりも大きく、組成比Ｘ１は、半導体基板１から光吸収層５に近づくに従って段階的に減少しており、キャップ層６の表面から光吸収層５内にＰ型不純物が添加されてなる。なお、半導体基板１としてＩｎＳｂを用いた場合には、組成比の関係は逆となる。 （もっと読む）

【課題】物体の有無の状態が変化していないにもかかわらず、物体有り状態と物体無し状態とが交互に繰り返される誤検知が起こることなく、省線化を可能としているパルス変調型光検出装置及びこれを備える電子機器を提供する。
【解決手段】パルス変調型光検出回路２は、ショートが回復し、バイアス電流が復帰した場合に、物体の有無を示す常に同一の状態パルス信号を初期パルス信号として出力し、受光素子が受光したパルス光の有無の変化を検知することにより、上記物体の有無の判定を開始する、信号処理回路１７、電流源回路１８及び受光信号／電圧検知回路４０を有するものである。 （もっと読む）

【課題】受光箇所によって撮像感度が異なるといった不具合を解消して安定した撮像を得ることができる赤外線撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に光吸収層１０およびシリコン層２０を積層して得た撮像デバイスチップ４０の厚さ分布を測定し、所望の厚さを超えている箇所が認められたら、その箇所のシリコン層２０の表面を研磨して厚さを減じる。この後、シリコン層２０の表面に多数のレンズ５０を有するレンズユニット５１を積層して撮像素子１を得る。レンズ５０の表面から光吸収層１０までの距離が一定となり、安定した撮像が得られる。 （もっと読む）

【課題】外光の明るさを検出する光検出回路において、アナログ信号ラインにスイッチを挿入することなく検出レンジを切り換えることにより、スイッチングノイズやスイッチのオン抵抗の影響を排除しつつ、周囲照度の変化を広い範囲において検出する。
【解決手段】この光検出回路は、光電変換素子１１と、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第１の増幅手段１２〜１３と、制御信号が第１の状態であるときに、第１の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第１の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第２の状態であるときに、第１の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第２の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成する第２の増幅手段２１〜２５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】光電センサ本体を構築する電子回路部品の電源投入時における動作不安定状態での誤検出を確実に防止して、受光部での受光量の微小な変化を信頼性良く検出し得る簡易な構成の光電センサ装置を提供する。
【解決手段】投光部および受光部と、上記受光部による受光量の変化を検出してセンサ出力を得る判定部とを備えた光電センサ本体に、更に上記光電センサ本体に設けられて該光電センサ本体の内部温度を検出し、該内部温度が予め設定された温度条件を満たしている場合にだけ前記判定部からのセンサ出力を許可する出力制御部を設ける。 （もっと読む）

【課題】光電センサ本体における受光量の変化に応じて、その受光量に対する閾値を簡易に更新することのできる光電センサ装置を提供する。
【解決手段】所定の条件下において受光部にて検出される受光量を基準光量として求める基準光量取得手段と、この基準光量取得手段にて求められた基準光量に対する比率として前記閾値を規定する比率情報を初期設定する閾値設定手段と、初期設定された比率情報を記憶する記憶手段と、トリガ信号を受けて前記基準光量取得手段を起動し、新たに求められた基準光量に前記記憶手段に記憶した比率情報を乗じて閾値を決定する閾値更新手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、気体のモニタリングを高感度で遂行することができる、気体モニタリング装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、気体モニタリング装置は、波長３μｍ以下の少なくとも１つの波長の光を受光して、気体中のガス成分等を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽光等の強い外乱光が入射しても、識別しようとする赤外線変調光を安定して受光する光電変換回路を得ること。
【解決手段】フォトダイオードにかかる電圧を光の入射強度に関係なく一定となるようにし、フォトダイオードに入射する赤外線変調光の強度に応じた電流源となる回路と、投光手段から発せられる赤外線変調光の周波数と同じ周波数の共振周波数を有するＬＣ並列共振負荷とで光電変換回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】強光を受光することで出力電流が低下した際に生じる実際の光強度とのばらつきを補正して出力することのできる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子に照射される入射光量に応じた第１の電流を流すための回路を具備する光電流出力回路と、透過率ａ（０＜ａ＜１）の遮光膜で遮光された補正用光電変換素子を具備し、補正用光電変換素子に照射される入射光量に応じた光電流を１／ａ倍にした第２の電流を流すための回路を具備する光電流補正回路と、第２の光電流と第１の電流との差に応じた第３の電流を１／（１−ａ）倍にした第４の電流を流すための回路を具備する光電流加算回路と、第１の電流及び第４の電流の和に応じた電流を増幅して出力する回路を具備する増幅回路と、とを有する。 （もっと読む）

【課題】検出部への光量が低減することがなく、測定の感度の低下を回避し、高精度の測定ができる積分球及び測光装置を提供する。
【解決手段】測定対象光源１００の特性を測定する測光装置１に使用される積分球２であって、測定対象光源１００からの光が入射する入射部開口２２と、積分球２の内壁面２１で拡散された拡散光が検出部３へと出射する検出部開口２３とを有する積分球２において、フッ素樹脂の固体ブロックを使用して、内部が球面状の中空とされる積分球ブロック２を作製し、積分球ブロック２の外周囲は、２０入射開口２２及び検出部開口２３を除いて反射板５で囲包する。 （もっと読む）

【課題】露光部分または露光ビームに関するパラメータを検出するために使用されるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システム２００は、基板ステージ１０６および計量ステージ１１６を有する。基板ステージ１０６は、リソグラフィシステム２００の露光部分からの露光ビームを受け取るために基板１１２を位置決めするように構成される。計量システムは、露光システムまたは露光ビームのパラメータを検出するように構成されたセンサシステムを自身上に有する。一例では、システムはリソグラフィシステム内にあり、これはさらに照明システム２１２、パターニングデバイス２１４、および投影システム２１６を有する。パターニングデバイス２１４は、照明システム２１２からの放射線のビームにパターンを形成する。露光部分内に配置された投影システム２１６は、パターン形成したビームを基板１１２またはセンサシステムに投影する。 （もっと読む）

【課題】装置の動作停止時における受光素子による電力の消費を抑制することができる光量測定装置を提供する。
【解決手段】受光した光量に応じた電気信号を出力するフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂとフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂに電力を供給する電力供給部５２との間に介在された、フォトダイオード６０Ａ，６０Ｂと電力供給部５２との接続及び切断を切り替えるＦＥＴ６２Ａが、ＣＰＵ４０及び駆動制御部６６によって、フォトダイオード６０Ａ，６０Ｂを動作状態にする場合はフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂと電力供給部５２とを接続し、フォトダイオード６０Ａ，６０Ｂを非動作状態にする場合はフォトダイオード６０Ａ，６０Ｂと電力供給部５２とを切断するように制御される。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ簡便なセンサ形状を有し、測定ガスの流量変化や温度変化などの外乱変化に対して安定して測定することができるようにした赤外線センサの製造方法及び赤外線センサを提供すること。
【解決手段】ウェハ１０を切り離して複数のセンサ素子１３を形成する第１のダイシング工程と、この第１のダイシング工程により切り離されたセンサ素子１３をリードフレーム１４に搭載し、ワイヤ１６とともに樹脂によりモールドされたセンサ素子１３とリードフレーム１４を個片化する第２のダイシング工程と、第１のダイシング工程の前段において、ンサ素子１３の受光面１３ａに光学フィルタ１２を形成するフィルタリング工程とを有し、センサ素子１３の受光面１３ａに光学フィルタ１２を直接一体的に形成する。 （もっと読む）

【課題】センサ装置に発生した異常について異常要因の特定を容易にできるようにする。
【解決手段】所定の検出動作を行う投光器１および受光器２と、投受光器１，２の作動状態や投受光器２が有する機能の設定状態を表示させる複数の表示灯３Ａ〜３Ｈとを備えている多光軸光電センサにおいて、想定される複数の異常要因について異常発生の有無を監視して診断する診断回路と、診断回路により異常ありと診断された異常要因に対応付けたいずれかの表示灯を本来の表示動作と異なる態様で表示動作させる制御回路とを有している。さらに、診断回路により異常ありと診断されたとき、異常の発生を報知する異常表示灯４Ａ，４Ｂをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】光センサと磁気センサの両方を用いる場合の省スペース化。
【解決手段】集積回路内に、磁気検出素子と、印加された磁界に応じて前記磁気検出素子で得られる電圧信号を取り出して磁気検出信号を得る磁気検出信号処理部と、を備える磁気センサ部と、光検出素子と、照射された光量に応じて該光検出素子で得られる電流信号を取り出して光検出信号を得る光検出信号処理部と、を備える光センサ部と、を設け、磁気検出素子と、光検出素子とは、共通の半導体基板に形成し、光磁気一体型センサとする。半導体基板のｐ導電型領域の上にｎ導電型領域を形成し、ｎ導電型領域を磁気検出素子として用い、かつｐ導電型領域とｎ導電型領域とのｐｎ接合を光検出素子として用いれば、単一のセンサ素子を光検出素子、磁気検出素子として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】光センサ手段の分光感度特性を波長に対して正又は負に傾斜させることで、被試験光の光パワーを正確に測ることのできる光パワーメータを提供する。
【解決手段】それぞれ感度波長領域が制限された異なる分光感度特性を有した光センサＳを複数個配列することにより構成された光センサ手段１１を備えた光パワーメータにおいて、光センサ手段からの信号に基づき光パワーを求める制御手段１０３は、（ａ）それぞれ異なる光センサの分光感度特性に対応して重み付けを行い、各光センサの分光感度特性が、所定範囲の波長領域において、近似的にＲａ（λ）＝ａλ＋ｂなる式で表される第１の光センサ手段Ａと、近似的にＲｂ（λ）＝ｃλ＋ｄなる式で表される第２の光センサ手段Ｂと、を求め、（ｂ）次いで、第１の光センサ手段Ａと、第２の光センサ手段Ｂのそれぞれの出力信号Ｓａ、Ｓｂから、被試験光の重心波長を求め、該重心波長から光パワーを演算する。 （もっと読む）

【課題】光センサの分光感度特性を波長に対して平坦にさせることで、被試験光の光パワーを正確に測ることのできる光パワーメータを提供する。
【解決手段】所定範囲の波長領域に感度特性を有する光センサ手段１１を備えた検出部１０と、検出部１０からの受光信号により光パワーを計算する測定部１００とを備えた光パワーメータにおいて、光センサ手段１１は、光学フィルタｆと受光素子ＰＤとを備え、それぞれ感度波長領域が制限された異なる分光感度特性を有した光センサＳを複数個配列することにより構成され、測定部１００は、それぞれ異なる光センサＳの分光感度特性Ｓ’（λ）に対応して重み付けを行い、各光センサＳの分光感度特性Ｓ（λ）を、所定範囲の波長領域において平坦な特性とする制御手段１０２を有している。 （もっと読む）

一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
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