【課題】測定対象または検査対象となる光源の配光特性を瞬時に測定または判定することで、生産ラインにおける光源を高速に検査することができるとともに、経時変化する光源の放射強度を正確に測定することができる配光特性測定装置、配光特性検査装置、配光特性測定プログラム、配光特性測定方法および配光特性検査方法を提供する。
【解決手段】配光特性測定装置１００は、光源１０を覆うように半球状に形成され当該半球の頂点が光源１０の中心軸と一致するように配置される半球状拡散板３０と、光源１０から照射され半球状拡散板３０を透過した光を撮像する撮像装置５０と、Ｘ軸垂直光強度およびＹ軸垂直光強度を抽出する垂直光強度抽出手段６１と、Ｘ軸垂直光強度およびＹ軸垂直光強度をＸ軸断面放射強度およびＹ軸断面放射強度に変換する放射強度算出手段６３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】温度追従性及び温度補償性に優れた温度センサを提案する。
【解決手段】温度センサは、熱源の温度に対応した電気信号を出力する検知用感温素子３１と、検知用感温素子３１から引き出される複数のリード配線４１，４２とを備える。複数のリード配線４１，４２は、相互に熱結合する程度に密集する密集部分４０を有する。密集部分４０は、複数のリード配線４１，４２，４３，４４に共通のサーマルグランドとして機能し、各リード配線の熱的条件のばらつきを低減する。これにより、各リード配線の熱的条件は均一化され、温度補償性能が最適化される。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ信号の環境温度に対する変化を補正して、高精度に測定温度を定量することが可能な赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ装置から得られる赤外線センサ信号に、環境温度Ｔ_AMBに基づいたオフセット補正量を加算又は減算する第１補正工程を有し、オフセット補正量がＴ_AMBの３次及び／又は２次の項を含む関数で表される。また、第１補正工程の後に、環境温度Ｔ_AMBに基づいた補正係数Ｂを乗算する第２補正工程を有する。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ装置の出力の個体差ばらつきを簡易に補正し、赤外線エネルギー量から測定温度を簡易かつ高精度に定量することが可能な赤外線センサ信号の補正方法及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ装置から得られる赤外線センサ信号に赤外線センサ装置固有の補正係数Ａを乗算する第１補正工程を有し、補正係数Ａは、赤外線センサ装置を用いて所定のセンサ温度Ｔ_AMBXにおいて所定の温度Ｔ_OBJXの対象物を測定したときに得られる信号Ｓ_IRXを所定の値にするための係数である。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに別々に接続された複数対の導電性の配線膜４と、第１の感熱素子３Ａに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた受光領域５Ａと、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜６と、を備え、赤外線反射膜６が、受光領域５Ａの周囲も覆って形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置からの出力は赤外線検出素子の温度変化により出力データがドリフトしてしまう。
【解決手段】検出エリアの熱変動に対して最も影響を受けにくい２次元に配列された赤外線検出素子１０２の４辺からのデータを補正用データとし、補正用データのフレーム間差分データでドリフト補正を行い、補正が成功すれば赤外線撮像装置２００からのデータを校正データ取得直後と同じ値に維持するが、変動した場合補正異常としてシャッタ１０１を閉じ校正データを再取得、校正を行うことで温度ドリフトを補正したデータを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 赤外線を効率的に吸収して高精度に検出可能であると共に複数点測定では簡単な温度検出回路で構成可能な赤外線センサおよび温度センサ装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に設けられた感熱素子３と、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され感熱素子３に接続された一対の金属配線膜４と、を備え、金属配線膜４が、感熱素子３の周囲に該感熱素子３を囲うように配されている。また、温度センサ装置として、基板と、該基板に実装された一つの基準感熱素子と、基板に実装された複数の上記赤外線センサ１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】画素部の温度補正をより正確に行うことのできる非冷却赤外線イメージセンサを提供する。
【解決手段】半導体基板２上の表面部分に配列された第１空洞部３ａが形成された第１領域に第１空洞部に対応して第１空洞部の上方に設けられた複数の画素セル１１と半導体基板上の第２領域に複数の画素セルの各行または各列に対応して設けられた参照画素セル２１とを有し、各参照画素セルは入射された赤外線を吸収する第２赤外線吸収膜の熱を検出して電気信号を生成し、第１感熱素子２１と同特性の第２感熱素子２２を含み、第１感熱素子接続する第１および第２配線を有する支持部１５と、第２感熱素子に接続する第３および第４配線を有する配線部２５とを更に備え、配線部の第３および第４配線は、第１および第２配線と同じ電気抵抗を有し、参照画素セルは半導体基板に接するように設けられ、配線部の下方の半導体基板の表面部分に第２空洞部３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルの抵抗のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにおけるｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４の基礎となるノンドープのポリシリコン層を形成した後、ｐ形不純物およびｎ形不純物それぞれを上記ポリシリコン層の互いに異なる所定部位にイオン注入してｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４を形成するようにし、ｐ形ポリシリコン層３５を形成するためのｐ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｐ形ポリシリコン層３５のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定し、かつ、ｎ形ポリシリコン層３４を形成するためのｎ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｎ形ポリシリコン層３４のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】非冷却赤外線センサに用いるためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システムおよび方法は、温度補償された性能アルゴリズムを含み、これを使用して温度補償された応答およびオフセット補正係数を提供し、これを赤外線センサのビデオ信号に与え、センサの温度変化によって起こるビデオ信号の変動を補正する。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに別々に接続された複数対の導電性の配線膜４と、第１の感熱素子３Ａに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線吸収膜５と、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜６と、を備え、赤外線吸収膜５が、酸化チタン膜である。 （もっと読む）

【課題】電流電圧変換部の出力への不要な低周波成分の影響を抑制しながらも、電流電圧変換部のＳＮ比を向上させることができる赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】電流電圧変換部３は、反転入力端に焦電素子２が接続された第１の演算増幅器３１を有している。演算増幅器３１の出力端−反転入力端間には、交流帰還用の容量素子としてのコンデンサＣ１が接続されている。演算増幅器３１の出力端−反転入力端間には、コンデンサＣ１と並列にリセットスイッチ３３が接続されている。リセットスイッチ３３は、制御部６からのリセット信号によってオンオフ制御され、オン時には、コンデンサに蓄積されている電荷を放電するための放電経路を形成する放電部として機能する。制御部６は、所定周波数以下の低周波成分を除去するように予め決められている周期でクロック信号を発生する発振器を有し、クロック信号に基づいてリセット信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比の向上を図れる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】第１のパッドＶout1〜Ｖout8の電位をＶout、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位をＶs、第３のパッドＶchの電位をＶwell、第４のパッドの電位ＶrefinをＶref、感温部（熱電変換部）３０の出力電圧をＶo、ウェル領域（チャネル形成用領域）４１とソース領域４４とで構成される第１の寄生ダイオードおよびウェル領域４１とドレイン領域４３とで構成される第２の寄生ダイオードのしきい値電圧をＶthとするとき、制御手段が、ｎＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、−Ｖth＜｛Ｖwell−（Ｖref＋Ｖｏ）｝＜Ｖthの関係を満たすように設定されたＶref、Ｖwellの条件で赤外線アレイセンサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】物体の温度の検出精度を向上することが可能な温度センサを提供する。
【解決手段】制御手段は、ＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶon、ＭＯＳトランジスタ４をオフ状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶoffとし、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、第４のパッドＶrefinの電位（Ｖref）と第３のパッドＶchの電位（Ｖwell）との電位差に起因して第４のパッドＶrefin−感温部（熱電変換部）３０−ソース領域４４−ウェル領域（チャネル形成用領域）４１−第３のパッドＶchを通る経路で流れるリーク電流が、Ａ／Ｄ変換回路における入力値の分解能を感温部３０の抵抗値と増幅回路の増幅率との積により除した値以下となるように予め設定されたＶwell、Ｖrefの条件で赤外線センサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】十分な測定精度を確保しつつ、測定作業が簡素化され、構成が簡単でコスト低減をはかることが可能な、赤外線センサを用いた温度測定装置およびその補正方法を提供する。
【解決手段】測定対象の温度をＴｂ、赤外線センサ部１の出力（該出力に対応する赤外線センサ出力測定部３による測定出力）をＶ、赤外線センサ部１の出力に関するオフセットをｃ、温度係数をｂ、赤外線センサ部１（赤外線センサ部１自体）の温度をＴｒ、温度の演算式における冪指数をαとするとき、Ｔｂ＝｛（Ｖ−ｃ）／ｂ＋Ｔｒα｝^1/αなる演算によって測定対象の温度Ｔｂを算出する。この場合、温度測定装置１０には、冪指数α、温度係数ｂ、および、オフセットｃの各定数を予め保持しておく。該各定数は、赤外線センサ部の出力の実測値と予測値との差を２乗してデータ取得回数Ｎ分の和をとった、ばらつきを表す既定の関数の値を最小とする条件を充足するものとして各算出される。 （もっと読む）

【課題】ＡＰＤを用いる光強度測定方法において、ＡＰＤの暗電流の影響が大きい極めて小さな入力光強度を精度よく測定する。
【解決手段】この光強度測定方法は、ＡＰＤ１１が受けた入力光の強度を測定する方法であって、複数の周囲温度下でのＡＰＤ１１の暗電流量を測定する第１ステップと、入力光をＡＰＤ１１に入射させ、ＡＰＤ１１の出力電流量を測定する第２ステップと、第２ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る第３ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサチップの水分を低減することが可能な赤外線センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上記一表面側に、サーモパイル３０ａが埋設された薄膜構造部たる熱型赤外線検出部３が形成されるとともに、半導体基板１の上記一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成された赤外線センサチップ１００と、赤外線センサチップ１００が収納されたパッケージ１０３とを備え、熱型赤外線検出部３においてＳｉＯ_２系材料により形成された部位の露出表面がＣＨ_３基を含む有機材料により疎水化処理されている。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＳセンサ、光電子管等に代えて、フォトＩＣ等、半導体素子等の光センサを用いた場合に、火炎が発する光の検出に関して、安定した性能を確保することが可能な火炎センサ、火炎検出装置、及び燃焼装置を提供すること。
【解決手段】バーナが発する火炎を検出する火炎センサ４２であって、前記火炎が発する光を検出する光センサ４３と、前記光センサ４３の検出部４３Ｃ側に配置され前記火炎が発する光を集光するレンズ４４と、前記レンズ４４の光軸方向において、前記レンズ４４と前記光センサ４３の間に配置され、前記レンズ４４を通過した光を前記光センサ４３側に反射するように構成された反射部４６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外乱赤外線をより適切に遮断することができ、画像劣化を抑制することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面には、空洞部１ａの開口を覆うように面状に遮蔽膜７及び反射膜８が形成されている。即ち、遮蔽膜７は、半導体基板１における光学系１５０と対向する面に、機械的でかつ熱的に接続されている。反射膜８は、遮蔽膜７の表面の全体を覆うように形成されている。撮像画素開口１０１ａは、遮蔽膜７及び反射膜８に空けられている。遮蔽膜７及び反射膜８は、撮像画素開口１０１ａで、光学系通過赤外線１５２のみを空洞部１ａ内の温度検出部５へ通す。遮蔽膜７及び反射膜８は、これらの面全体における撮像画素開口１０１ａ以外の箇所で、外乱赤外線を遮断・反射する。 （もっと読む）

【課題】検出感度及び応答性が高く、製造が容易で、表面実装可能な小型の熱センサを提供する。
【解決手段】熱センサ１０１は、熱センサ本体となる負特性（ＮＴＣ）サーミスタセラミックスで構成されるセラミック素体１０、熱検知用内部電極１，２、空洞部５、温度補償用内部電極６，７、外部電極３，４及び温度補償用外部電極８を備えている。セラミック素体１０内の、熱検知用内部電極１，２が形成された熱検知部と、温度補償用内部電極６，７が形成された温度補償部との間に空洞部５が形成されている。熱検知部と温度補償部との対向距離は空洞部５の中央部で小さく周辺部で大きく、且つ周辺部が温度補償部方向に延在するように空洞部５が形成されている。 （もっと読む）