【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さとが異ならしめて形成され、ＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さよりも低く成る。 （もっと読む）

【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板に形成された光を導波するための少なくとも２本の光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路に高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備する光変調器において、バイアス電極は、バイアス用相互作用部の２本の光導波路の一方および他方の上方に形成された第１バイアス電極および第２バイアス電極と、第２バイアス電極の一部であって第１バイアス電極を間に挟んで当該第２バイアス電極の反対側に形成された側置電極とを含んでなり、第１バイアス電極、第２バイアス電極、及び側置電極は、第１バイアス電極から発せられた電気力線が第２バイアス電極および側置電極に結合するＣＰＷ構造を成している。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子と接続基板との電気的接続の不連続性を減少させ、電気特性の劣化を防止した光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と光導波路と制御電極とを有する光導波路素子と、制御電極と電気的に接続された配線を有する接続基板と、光導波路素子と接続基板とを筐体内に収容する光導波路素子モジュールにおいて、制御電極は、信号電極と接地電極とから構成され、接続基板は、信号線路と接地線路とが設けられ、接続基板の誘電率は、光導波路素子の基板の誘電率より低く、制御電極の端部における信号電極の幅Ｓ１は、光導波路素子側の信号線路の幅Ｓ２以下であって、制御電極の端部における接地電極の間隔Ｗ１が、接続基板の光導波路素子側の接地線路の間隔Ｗ２よりも大きく、制御電極は、端部から離れた部分に、接地電極の間隔がＷ２よりも小さい部分を有し、光導波路素子と接続基板とを繋ぐ接地用の配線を有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大の抑制、サイズの小型化、プロセスばらつきによる特性変動の抑制およびシステム構成の複雑化を回避可能とする電気光学変調器の提供。
【解決手段】信号光源１０１１から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部１０２１にて偏光方向を調整し、変調部１０３１は、ＥＯ効果により変調を与え、参照光源１０４１から出力され参照光源側偏光方向調整部１０２２で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と干渉した強度変調光を受光部１０５１に入力する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成により、光変調信号の平均強度を一定に保つように電界吸収型光変調器のバイアス電圧を正確に制御することができる非冷却光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１はレーザ光を出力する。電界吸収型光変調器２がレーザ光を吸収する光量は、電界吸収型光変調器２に印加される電圧により変化する。電界吸収型光変調器２がレーザ光を吸収した時に光吸収電流が発生する。モニタフォトダイオード４は、半導体レーザ１の背面光をモニタする。ＡＰＣ（Auto Power Control）回路５は、モニタフォトダイオード４の受光電流を、半導体レーザ１に供給するバイアス電流にフィードバックする。バイアス回路６は、電界吸収型光変調器２の光吸収電流の平均値を、電界吸収型光変調器２に印加するバイアス電圧にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、第１および第２の光導波路３ａ、３ｂからなる光導波路３と、基板上に形成されたバッファ層２と、バッファ層の上方に配置された中心導体４ａおよび中心導体を挟むよう配置される第１および第２の接地導体４ｂ、４ｃからなる接地導体により構成された進行波電極とを具備し、基板におけるバッファ層が形成される側の表面が平坦である光変調器において、第１の光導波路の上方に中心導体を、第２の光導波路の上方に第１の接地導体を有し、第１の接地導体が、第２の光導波路直上ではない位置に光導波路の光軸方向に延在する第１の位置を有し、第２の接地導体が、中心導体の中心線に対して第１の位置と対称となる位置に光導波路の光軸方向に延在する第２の位置を有し、第１の位置および第２の位置に導体が欠落した部位１１ａ、１１ｂを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、駆動回路、重畳器、コントローラを備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を光導波路に与える信号電極を備える。駆動回路は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に低周波信号を重畳する。コントローラは、変調器により生成される変調光信号から抽出される低周波信号の成分に基づいて、変調器の変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】変調電圧を大きくしなくても周波数特性の劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１からの光をマッハツェンダ型光変調器２が変調する。マッハツェンダ型光変調器２の出力光をマッハツェンダ型光変調器３が変調する。マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。マッハツェンダ型光変調器２の活性層１２のバンドギャップ波長が、マッハツェンダ型光変調器３の活性層１２のバンドギャップ波長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】制御回路による装置の複雑化や製造方法に依存した高コスト化を抑制し、低損失かつ温度に対する安定性の高い偏波インターリーブ機構を実現することができる偏波多重光変調器を提供する。
【解決手段】光変調信号を偏波多重し偏波多重信号光を出力する偏波多重光変調器と、前記偏波多重信号光を伝送する第一の光伝送路と、前記第一の光伝送路から出力される前記偏波多重信号光に含まれる各偏波ごとに等価光路長を異ならせて各偏波間の伝搬遅延時間差を調整する機能を有する着脱可能な偏波インターリーブ機構と、前記偏波インターリーブ機構から出力される前記偏波多重信号光を伝送する第二の光伝送路とにより構成した。 （もっと読む）

【課題】データの転送速度を向上させられる発信機および通信システムを提供する。
【解決手段】発信機としてＬＥＤ素子１０は、発光部１３０と、複数の変調部１２０とを備える。変調部１２０はそれぞれ変調用電極層１０６とモスアイ構造層１０５とを含み、それぞれ信号入力用電源１２１が接続される。変調用電極層１０６およびｎ側電極１０３に電圧を印加することによって、モスアイ構造層１０５の材料に変化する電界を生じさせ、その屈折率を変化させて発光部１３０からの光を変調する。複数の変調部１２０が、同一の発光部１３０から放射される光を、それぞれ異なる信号に基づいて変調する。 （もっと読む）

【課題】出力信号光とモニタ光との位相関係のずれであるバイアスシフトを抑制させる。
【解決手段】電気光学効果を有する基板９１と、基板９１の表層部に形成され、入力光を変調する干渉型光変調器を構成する変調用光導波路７と、基板９１の表層部に形成され、変調用光導波路７の下流側箇所を分岐して接続される出力光導波路５および変調用光導波路７での光変調動作をモニタするための光を導波するモニタ用光導波路６′と、をそなえ、反射部における反射面１３の幅と、モニタ用光導波路６′による光伝搬方向についての切り出し幅とを実質的に同等とする。 （もっと読む）

【課題】小型光変調器及びそれを含む光送信器を提供する。
【解決手段】光変調器は、変調されていない入力光信号を受信して、第１光信号と第２光信号とに分けて光導波路の第１及び第２経路にそれぞれ伝送する光入出力部と、第１及び第２経路のうち少なくとも１つに位置して、電気信号によって、第１経路に伝送される第１光信号及び第２経路に伝送される第２光信号のうち少なくとも１つの位相を変調して位相変調信号を出力する位相遷移器と、第１経路に伝送された信号及び第２経路に伝送された信号をそれぞれ同じ経路に反射させる反射型グレーティングカプラと、を含み、安定性の確保及び小型化が可能な効果がある。 （もっと読む）

【課題】伝搬損失が小さく、しかも、効率的に屈折率を変化させ得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成され、第１導電型の第１の不純物領域１６と、第１導電型の反対の第２導電型の第２の不純物領域１８と、第１の不純物領域と第２の不純物領域との間に形成されたストライプ状の光導波路１５とを有する半導体光導波路層１４と、第１の不純物領域と光導波路の一方の側壁の上部とを接続する第１導電型の第１の半導体層２６と、第２の不純物領域１８と光導波路の他方の側壁の上部とを接続する第２導電型の第２の半導体層２８とを有している。 （もっと読む）

【課題】 抑圧搬送波両側波帯変調の際に無線周波数波形の波形帯域幅を増加させるメカニズムを提供すること。
【解決手段】 本開示の様々な態様によれば、抑圧搬送波両側波帯変調の間に無線周波数波形の波形帯域幅を増加させる方法及び装置が開示される。光学変調器は、抑圧搬送波両側波帯変調（DSB-SC）モードにおいて動作させられ、複数の光学的な側波帯及び光学的な側波帯高調波を生成するように構成されている。光学フィルタを介して適当な光学高調波を適切に選択することによって、無線周波数波形を発生させる無線周波数（RF）回路を単純化すると同時に、超広帯域、抑圧搬送波単側波帯（SSB-SC）型の光学波形を合成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 光波形ごとに変調度が異なるようなアナログ信号変調に適用した場合でも、安定した光変調器バイアスの制御を実現することを目的としている。
【解決手段】 光送信機において、入力した送信データ系列に基づいてアナログ信号を生成するアナログ信号生成部と、前記アナログ信号に基づいて光を変調し、この変調した光信号を出力する光変調器と、前記光変調器に印加するバイアス電圧の制御を行うバイアス制御回路と、前記光信号に対応する変調度を示す変調度情報に基づいて前記バイアス電圧の制御に用いる制御パラメータを調整する調整回路と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、温度ドリフトについて改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器であって、温度ドリフトを抑圧するよう、バイアス電極が３．８μｍ以下の所定厚さで構成される。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光保護素子及び導波路型光保護回路に関し、導波路自体の屈折率変化の光強度依存性を用いることなく、簡単且つ小型の構成で高感度な光保護機能を実現する。
【解決手段】 入力導波路と、相変化材料膜が積層された導波路と、出力導波路とを直列に接続し、前記相変化材料膜の一部が結晶相とし、残りをアモルファス相とする。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、変調信号生成器、重畳器、およびバイアス制御器を備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を前記光導波路に与える信号電極とを備える。変調信号生成器は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に所定の周波数の信号を重畳する。バイアス制御器は、変調器により生成される変調光信号から抽出される所定の周波数成分の位相に基づいて、変調器の変調方向のバイアス電圧および変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光多値変調用の光変調器及び光変調方法を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射された信号光を分岐させる光分岐手段と、前記光分岐手段の出力側に接続され、前記電気信号に応じて信号光の位相を変調する少なくとも２つの位相変調手段と、分岐された信号光を合流させる光合流手段と、少なくとも２つの前記位相変調手段の全て、又は少なくとも２つの前記位相変調手段の内の１つを除いた残りの前記位相変調手段に接続され、少なくとも２つの前記位相変調手段から前記光合流手段を経て出力側に導かれる信号光の強度がそれぞれ異なるように調整する強度調整手段とを備えた。 （もっと読む）