【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】光ＤＱＰＳＫ受信機において、位相が制御される２つの制御変数が振動し続ける
ことを防止できるようにすると共に、位相制御の精度を向上できるようにする。
【解決手段】トラップ検出・脱出回路４０は、ＩブランチＳ［Ｉ］側の制御変更量算出回
路６１により求めた第１の位相制御量の変更量、及びＱブランチＳ［Ｑ］側の制御変更量
算出回路６５により求めた第２の位相制御量の変更量の符号が反転するか否かを判定し、
第１及び第２の位相制御量の変更量の符号が同時に反転した場合、位相制御器６０又は６
４の位相制御量の変更を一旦停止する。これにより、位相制御器６０，６４により位相が
制御される２つの制御変数が振動し続けることを防止できるようになる。 （もっと読む）

【課題】光位相の連続可変と高速制御が可能で、低損失で、部品点数を削減し、小型化でき、高価な光学部品を減らしてより一層の低コスト化を実現する。
【解決手段】入力光を、偏光方向が互いに直交する２つの直線偏光に偏光分離する偏光子１０と、その光路の異なる２つの直線偏光をそれぞれ偏光面が同一方向に回転する円偏光に変換する四分の一波長板１２と、２つの円偏光をそれぞれの偏光面を回転させながら透過させる可変ファラデー回転子１４と、透過した２つの円偏光の光路方向を変える集光用レンズ１６と、２つの円偏光を反射する反射鏡１８とを具備し、反射鏡は集光用レンズの焦点位置に設置されていて、集光用レンズと反射鏡の組み合わせによって、入力側から反射鏡に向かう往路光と反射された復路光の光路が入れ替わるようにし、偏光子を逆進して偏光合成された出力光の位相を、可変ファラデー回転子のファラデー回転角に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、自己保持機能を有し、切り替えによる素子の劣化がほとんど生じず、高速切り替えが可能な光制御素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 強磁性金属層と非磁性金属層とを交互に積層して構成される金属磁性人工格子を一部又は全部に用いて形成され、その金属の光学的性質とその形状とに応じた固有の振動数を持つ、表面プラズモンによる共鳴散乱を示す微小金属構造体を有する光制御素子。 （もっと読む）

【課題】高速な波長掃引ができ、かつ安定なレーザ発振を得ることができる波長可変レーザ光源を提供する。
【解決手段】波長可変レーザ光源の一実施態様は、レーザ発振する波長に対し利得を有するレーザ媒質と、前記レーザ媒質の出力側の光軸上に設けられた可変焦点レンズ手段と、前記可変焦点レンズ手段の出力側の光軸上に設けられた第１のミラーと、前記第１のミラーと対向した位置に設けられ、前記レーザ媒質を含む共振器を構成する第２のミラーとを備えた。前記可変焦点レンズ手段は、前記電気光学材料を透過した光の焦点距離を可変することができ、前記焦点距離が波長依存性を有することにより、前記レーザ媒質を含む共振器においてレーザ発振する光の波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的変調システムを提供すること。
【解決手段】光学的変調システムであって、メタマテリアル構造であって、メタマテリアル構造は、作動波長の入力光学的信号を受信し、処理するように構成されており、メタマテリアル構造は、メタマテリアル構造に適用された外部の刺激に反応して、作動波長の光学的信号に関して、透過状態と非透過状態を変化する、メタマテリアル構造と、外部の刺激源であって、外部の刺激源は、メタマテリアル構造に連結されており、外部の刺激源は、メタマテリアル構造に選択された刺激パルスを適用することにより、透過状態と非透過状態にメタマテリアル構造を変化させるように構成されている、外部の刺激源とを含み、光学的変調システムは、メタマテリアル構造に適用された選択されたパルスに対応して変調する変調された光学的信号を出力するために、入力光学的信号を処理する、光学的変調システム。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる進行波電極とを有し、前記進行波電極が、前記高周波電気信号を印加することにより前記光の位相を変調するための相互作用部と、外部回路から前記相互作用部に前記高周波電気信号を印加するための入力用フィードスルー部を具備する光変調器において、前記基板は、前記入力用フィードスルー部の下方における少なくとも一部の部位の厚みが当該部位を除く他の部位の厚みよりも薄く形成された薄厚部を備える。これにより、基板の共振周波数により決定される周波数ディップを所望の周波数よりも高い周波数領域にシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】波長分散やフィルタ狭窄化によって劣化した差動位相変調信号を良好に復調できる光受信機を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による受信機は、多値の差動位相変調された光信号を分岐する光スプリッタと、分岐された光信号間に第１の遅延量の遅延を付与する、長さの異なる導波路から構成された第１の遅延部と、第１の遅延量の遅延が付与された光信号を結合する、分岐比可変の可変カプラと、可変カプラから出力される光信号間に第２の遅延量の遅延を付与する、長さの異なる導波路から構成された第２の遅延部と、第２の遅延量の遅延が付与された光信号を干渉させる干渉カプラとを備える。このような回路構成により、伝送路の波長分散量やフィルタによる信号狭窄化量に応じて、帯域可変の干渉回路を実現し、良好な復調特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】有機導波路を作製する際に高温・高圧印加下で作製せざるを得ないプロセスの困難性と、配向緩和によるＥＯ効果消失の問題とを同時に解決すること。
【解決手段】電気光学効果を呈する有機材料が添加されたポリマーを硬化して構成される長尺状のコアと、前記コアの周囲に積層されたクラッドとを備えた有機導波路であって、前記有機導波路は、前記コアが硬化した後に当該コアの長手方向に延伸されていることを特徴とする有機導波路。好ましくは、前記ポリマーは、熱硬化特性またはＵＶ硬化特性を有する樹脂である。また、入力光を２つの分岐部分で分波し、一方の光波にのみ位相シフトを与え、位相シフトを与えない他方の光波と合波させ、入力光に変調が加わった出力光を得るマッハツェンダ変調器において、前記２つの分岐部分のうち、位相シフトを与えるコアとして上記有機導波路を使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】
低駆動電圧化及び小型化が可能な光制御素子を提供することであり、特に、低コストな駆動系部品の使用による低コスト化が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、同じ共振周波数を有する少なくとも２つの共振型電極３１，３２と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極４１，４２とを備え、各共振型電極３１，３２の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、該給電電極は、１本の入力配線部４０を複数に分岐した分岐配線部４１，４２を有し、各共振型電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ干渉計のバイアス制御電圧が誤ったバイアス点に収束することなく、また信号品質の劣化を抑制することを目的とする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉計の光透過特性が所望の値となるようにバイアス制御電圧を算出する光透過特性制御手段と、前記算出されたバイアス制御電圧を固定する固定手段と、前記バイアス制御電圧を固定した状態で、受信した光信号の分散を補償する分散補償量を決定する分散補償量決定手段とを備え、前記分散補償量が決定された後に、前記固定されたバイアス制御電圧を可変にして、同期検波手段の出力に基づきバイアス制御電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】
低駆動電圧で安定動作することが可能な光制御素子を提供することであり、特に、２つの共振型電極を用いて、両電極間のクロストーク（結合）が発生しても安定動作が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極は、同じ共振周波数を有する少なくとも共振型電極３１，３２と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極４１，４２とを備え、各共振型電極の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、各共振型電極には、該給電電極により同相の制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、使用波長帯域が広い光リミッタ回路および光受信回路を提供すること。
【解決手段】本回路は、入力導波路１０７、吸収係数を高くした半導体導波路１０８、出力導波路１０９からなり、入力パワが数百ｍＷ以上になる場合、後段の光回路を保護するための光ヒューズ機能を有する光リミッタである。半導体は、温度上昇によってバンドギャップ波長が長波長にシフトするので、特定の波長において、温度上昇と共に吸収係数がさらに増大する。即ち、ある程度の吸収係数を持つ半導体導波路は、それ自身で光リミッタ特性を有する。この回路では、温度上昇が１００℃以上になるので、過大な入力で導波路が溶融し、光ヒューズとしても機能する。 （もっと読む）

【課題】アライン又はインターリーブドいずれの送信方式でも、偏波多重信号に含まれる各偏波の位相差を精度よく調整する光送信器を提供する。
【解決手段】第１変調器１１は、第１信号の位相調整を行う。第２変調器１２は、第２信号の位相調整を行う。合成部１３は、第１変調器１１から出力された信号と第２変調器１２から出力された信号とを合波し多重信号を生成して送信する。位相差データ生成部１４は、多重信号を基に、第１変調器１１から出力された信号と第２変調器１２から出力された信号との位相差に対応した位相差データを生成する。制御部１５は、位相差データに基づいて第１変調器１１及び第２変調器１２における位相調整の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】入力信号光パワーのダイナミックレンジを拡大した光波長変換装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体光増幅器と第２の半導体光増幅器からなる２つの半導体光増幅器が光導波路上に並列に配置されてなるマッハシェンダ干渉計を１つ以上搭載し、前記マッハシェンダ干渉計毎に、信号光を入射するために一端が前記マッハシェンダ干渉計に接続された透明導波路上に、信号光パワーの増幅及び減衰を行う第３の半導体光増幅器、および前記第３の半導体光増幅器よりも前記マッハシェンダ干渉計側に、信号光を透過させかつ前記第３の半導体光増幅器が増幅する他の光波長帯域の自然放出光を除去する光波長フィルタ素子を配置した光波長変換装置。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】横幅方向の小型化を図ることができると共に、波長精度及び光出力精度を向上させることができる半導体光変調素子及び光半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路５を備える導波路型光変調器４において、導波路型光変調器４の光出射側の端面における光導波路５の有する光伝搬の有効範囲、すなわち、半導体光導波路構造を伝搬する光の基本モードが分布する領域の外の領域を、光導波路５を中心に横方向に対称に斜めに加工した。 （もっと読む）