【課題】ニオブ酸リチウム（ＬＮ）またはタンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶からなり、より結晶性に優れた電気光学用途向け単結晶薄膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、立方晶炭化ケイ素層３および酸化マグネシウム単結晶層４を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層４の上に、ＬＮまたはＬＴからなる薄膜５をエピタキシャル成長させることにより、ＬＮまたはＬＴからなる単結晶薄膜６を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 強磁性を示し、可視光に透明で紫外線を吸収するZnO又はTiO₂系磁性粉末微粒子を、簡便かつ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 ZnO系化合物又はTiO₂系化合物と、Fe,V,Cr,Mn,Co及びNiの群から選ばれる１種以上の遷移元素との混合物を、ボールミル内で１００〜７００回転／分、かつ３０〜１２０分間処理する工程を有する粒径５〜２０ｎｍの磁性粉末微粒子の製造方法であって、遷移元素記ZnO系化合物又はTiO₂系化合物中のZn又はTiの１〜５０原子％を置換する割合で混合されている。 （もっと読む）

【課題】高い電気光学効果を有する導波路層を形成できる導波路デバイス作製方法および前記導波路デバイス作製方法で作製される導波路デバイスの提供。
【解決手段】電極を有する第１の基板上に光を所定の方向に導く導波路層を形成する導波路層形成工程と、前記導波路層形成工程で形成された導波路層に電場を印加して分極配向処理を施す分極配向工程と、前記分極配向処理工程で分極配向処理された導波路層を第２の基板に貼り合わせる基板貼合せ工程と、前記分極配向処理工程で分極配向処理された導波路層から第１の基板を除去する基板除去工程とを有する導波路デバイス作製方法、前記導波路デバイス作製方法で作製された導波路デバイス。 （もっと読む）

【課題】 消費電量を低減し、損失を抑制可能な熱光学光変調器および光回路を提供すること。
【解決手段】 石英系材料からなるコア３と、コア３上に形成された、コア３よりも屈折率が高く、コア３よりも屈折率温度係数が大きい材料からなるコア４と、コア３とコア４とを接続するスポットサイズ変換器としてのテーパー部５と、コア４に温度を加えるようにクラッド２上に形成されたヒータ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸リチウムはドライエッチング加工が困難であり、ニオブ酸リチウム基板上に簡便にリッジ型光導波路を作製する方法は確立されていなかった。本発明では上記問題点を鑑見て、ニオブ酸リチウムを薄膜化して作製したリッジ型導波路を有する光学素子を生産性良く作製する方法を提案する。
【解決手段】基板５上に光導波路に対応する開口部７を有する第１の金属膜６を形成し、更にニオブ酸リチウム薄膜８・９をスパッタリング法で形成する。次に、第１の金属膜６上に形成された部分の薄膜９のみを溶液エッチングにより選択的に取り除き、前記電気光学効果を有する材料からなるリッジ構造４からなる光導波路を形成する。その後、光導波路上に緩衝膜と第２の金属膜を形成して光学素子６を製造する。エッチング溶液としてはフッ酸溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＲｏＨＳ指令の規制外となるＰｂ含有量が０．１ｗｔ％未満の磁性ガーネットを提供すること。
【解決手段】本発明の磁性ガーネット（磁気光学ガーネット厚膜単結晶）は、組成式（Ｒ，Ｂｉ）_３（Ｆｅ，Ｍ）_５Ｏ_１２（但し、Ｒは重希土類元素及びＹのうちから選ばれた１種以上を示し、ＭはＡｌ，Ｇａから選ばれた１種以上を示し、且つ含有量として零を含む）で表わされると共に、ＰｂＯ，Ｂｉ_２Ｏ_３，Ｂ_２Ｏ_３を融剤として用いるＬＰＥ法により得られるものにおいて、融剤にあってのＰｂ，Ｂｉに関する金属イオン比Ｐｂ／（Ｐｂ＋Ｂｉ）が０．１５未満（但し、零は含まず）であり、且つ酸素濃度５％以下（但し、零は含まず）の条件下でＰｂ含有量が０．１ｗｔ％未満として得られたものである。 （もっと読む）

本発明によれば、多孔性シリコン、シリカ、又はアルミナ基板の孔に屈折率ｎが電圧依存性を有する材料を堆積させる方法であって、堆積される前記材料の前駆体物質を前駆体溶液として設けること、前駆体溶液の液滴の微細ミストを形成すること、及び、前記液滴を前記多孔性基板に付着させること、を含む方法が提供される。本発明は初めて、充填率が少なくとも６０％である多孔性シリコン、シリカ、及びアルミナ基板を提供するものである。１００％近い充填率が実現可能である。上部電極及び下部電極が設けられると、充填された多孔性シリコン、シリカ、及びアルミナウェーハを電圧依存性を有するフォトニックデバイスとして使用することができる。例えばランダムアクセスメモリ等のマイクロ電子デバイスの製造において使用するべく、シリコン基板表面の溝を内張りするために、同じ方法を用いることができる。
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【課題】本発明の課題はスイッチ、変調器、スプリッタ、合成器等のような光デバイス及び光電デバイスの基板上での密度を増やすことである。
【解決手段】コンパクトな光デバイス及びその製造方法が開示される。光デバイスは支持層（例えば基板）の表面に垂直な向きに形成され、平坦な構造ではなく３次元構造を有する。光デバイスはいくつもの積み上げ層なしに支持層に高密度に形成可能である。ポリマ光学層のキュアプロファイルの範疇に処理温度を維持することが容易に達成される。 （もっと読む）

【課題】 ＥＯ効果の効率が高く、駆動電圧を低減することができる垂直積層型導波路デバイス及びそのポーリング方法、駆動方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、底部電極と、底部クラッド層と、底部コア層と、下部クラッド層と、中間電極と、上部クラッド層と、上部コア層と、最上部クラッド層と、上部電極とがこの順に積層してなり、前記底部クラッド層、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層、及び前記最上部クラッド層の屈折率がいずれも前記底部コア層及び前記上部コア層の屈折率以下であり、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚みが、前記底部コア層と前記上部コア層とが接触しないように設定されていることを特徴とする垂直積層型導波路デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 基板上で厚さが均一な強誘電体薄膜単結晶をエピタキシャル成長するＰｂＴｉＯ_３またはＰｂＺｒＴｉＯ_３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体原材料とアルカリ溶液と基板をオートクレーブ中に密封後、１００℃〜２００℃程度の温度に加熱し、水熱合成反応で基板上に強誘電体薄膜単結晶をエピタキシャル成長させる工程において、前記基板の支持固定方法が、オートクレーブ中の蓋側から伸びた支持具で、溶液中ほどで、基板の厚さ方向端面の一部または基板の薄膜単結晶成長面の対向面のいずれか、又は両方を支持固定することを特徴とするＰｂＴｉＯ_３またはＰｂＺｒＴｉＯ_３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ファラデー回転角の温度特性が従来に比べて一段と改良された、ホスト希土類元素にTbを用いたガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】LPE法によって、波長1.3μｍ帯域用のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を、格子定数12.465Å以上且つ12.480Å以下の 非磁性ガーネット結晶基板上に育成し、波長1.5μｍ帯域用のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶は、格子定数12.467Å以上且つ12.475Å以下の 非磁性ガーネット結晶基板上に育成することを特徴とする、ビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電気光学定数の高い電気光学薄膜素子を得る。
【解決手段】 Ｚカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも大きいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子、あるいはＸカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも小さいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子である。Ｚカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、＋０．１％以上、Ｘカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、−０．１％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるための磁性ガーネット単結晶膜形成用基板２を製造するための方法である。まず、液相エピタキシャル成長させるために用いるフラックスに対して不安定なガーネット系単結晶から成るベース基板１０を形成する。次に、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に、フラックスに対して安定なガーネット系単結晶薄膜から成るバッファ層１１を形成する。このベース基板１０にバッファ層１１を形成する際に、基板１０を積極的に加熱せずに、スパッタリングなどの薄膜形成法によりベース基板１０にバッファ層１１を形成する。
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結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネ磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるための磁性ガーネット単結晶膜形成用基板２である。この基板２は、液相エピタキシャル成長させるために用いるフラックスに対して不安定なガーネット系単結晶から成るベース基板１０と、ベース基板１０における結晶育成面１０ａに形成され、フラックスに対して安定なガーネット系単結晶薄膜から成るバッファ層１１ａと、ベース基板１０における結晶育成面と交差する前記ベース基板の側面１０ｂに少なくとも形成され、フラックスに対して安定な保護層１１ｂと、を有する。この基板を用いて、良質の磁性ガーネット単結晶膜を製造することができる。この磁性ガーネット単結晶膜は、光アイソレータ、光サーキュレータ、光磁気センサなどに用いられるファラデー素子などの光学素子として用いられる。
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【課題】 ほぼフラットな表面を有し連続的につながった磁性膜内に、単結晶の領域と非単結晶の領域とを明確に区画して２次元的に配置できるようにし、且つその磁性膜のエピタキシャル成長に際してメルトに悪影響を及ぼさないようにする。
【解決手段】 結晶性の良好なガーネット単結晶基板３０上に、熱処理により結晶性を悪化させた表面層（非単結晶化した鉄ガーネット膜３４）を部分的に形成し、それらの上に磁性膜（磁性ガーネット膜３８）をエピタキシャル成長させることにより、前記表面層上の部分とそれ以外の部分とで磁性膜の結晶構造、ひいては磁気特性が２次元的に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛（ＰＬＺＴ）の層を形成する方法等を提供する。
【解決手段】 ＰＬＺＴの層を形成する方法は、（ａ）材料の層を形成するために、鉛の原子、ランタンの原子、ジルコニウムの原子、チタンの原子、及び一つ以上のジオールの化合物を含む溶液で基体を被覆するステップ、（ｂ）第一の時間周期の間に室温より上の且つ４００℃以下の温度まで該材料の層を加熱するステップ、及び（ｃ）その後、続いて第二の時間周期の間に酸素が豊富な雰囲気で５００℃以上の温度まで該材料の層を加熱するステップを含む。 （もっと読む）

電気光学構造体は、水性エマルション又は溶剤型のセンサ材料、好ましくは溶剤型のポリマー分散液晶（ＰＤＬＣ）を、制御された溶剤蒸発の条件下で基板上にスピンコーティングすることによって構成される。特定のプロセスにおいて、ＰＤＬＣコーティングの均一性は、（１）半密閉チャンバ内でのスピンコーティング、（２）取付具を用いることによる矩形基板の円形基板への「変換」、（３）基板とスピンコーター上部カバーとの間の制御可能な間隔の形成、（４）制御可能な蒸発速度によって達成される。 （もっと読む）