【課題】容量性負荷に対して階段状の高電圧パルスを与えることができ、段数や各段の電圧変化量、各段の時間幅を様々に変更することが可能な回路を提供する。
【解決手段】駆動回路１Ａは、階段波及び矩形波の何れかを出力端１１から選択的に出力して容量性負荷５２を駆動する回路であって、定電圧ＶＨを供給する高電圧電源４１と、出力端１１と高電圧電源４１との間に直列接続されたＦＥＴ２１と、出力側コイルがＦＥＴ２１のゲートに接続された変圧器２２と、変圧器２２の入力側コイルに容量素子２３を介して接続された入力端１２ａと、定電圧ＶＨより低い定電圧ＶＬを供給する高電圧電源４２と、出力端１１と高電圧電源４２との間に直列接続されたＦＥＴ３１と、出力側コイルがＦＥＴ３１のゲートに接続された変圧器３２と、変圧器３２の入力側コイルに容量素子３３を介して接続された入力端１２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】高スループットで高品質のレーザ加工をすることができて装置の小型化が可能であるレーザ加工装置等を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザ光源１０、位相変調型の空間光変調器２０、駆動部２１、制御部２２、結像光学系３０を備える。結像光学系３０はテレセントリック光学系を含む。駆動部２１に含まれる記憶部２１Ａは、複数の基本加工パターンそれぞれに対応する複数の基本ホログラムを記憶するとともに、フレネルレンズパターンに相当する集光用ホログラムを記憶する。制御部２２は、記憶部２１Ａにより記憶された複数の基本ホログラムのうちから選択した２以上の基本ホログラムを並列配置し、その並列配置した各基本ホログラムに集光用ホログラムを重畳して全体ホログラムを構成し、その構成した全体ホログラムを空間光変調器２０に呈示させる。 （もっと読む）

【課題】
部品点数の増加を抑えて小型に形成可能なパルス幅拡張装置を提供する。
【解決手段】
入射したパルスレーザを分割する偏光ビームスプリッター１と、印加された電圧に応じて入射したパルスレーザを偏光する電気光学素子２ａ，２ｂと、前記電気光学素子に電圧を印加するとともにその電圧を制御することで、前記電気光学素子に入射したパルスレーザの偏光を制御する偏光制御手段３と、前記電気光学素子を通過したパルスレーザを反射し、前記偏光ビームスプリッターに入射させる複数のミラー４ａ，４ｂ，４ｃを備え、パルスレーザを再度前記電気光学素子に入射させる光路を形成する光路形成手段４と、を含んで構成され、前記偏光ビームスプリッターにより分割されたパルスレーザを、前記光路を周回させて位相をずらし、この位相のずれたパルスレーザを重ね合わせることでパルス幅を拡張するものである。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】熱光学素子における温度分布を抑制し、光学収差の小さい光学位相調整素子、及びそれを用いた復調器の提供。
【解決手段】本発明に係る光学位相調整素子は、入力される光信号に対する屈折率が温度に依存して変化する熱光学素子と、前記熱光学素子の一端側に接するとともに前記熱光学素子が所望の温度となるよう温度変化する温度変化部と、前記温度変化部に対して前記熱光学素子と反対側に配置されるとともに前記温度変化部の温度とは異なる温度で熱平衡状態となる放熱部と、前記温度変化部と前記放熱部の間にそれぞれ接して配置されるとともに前記放熱部より大きい熱抵抗を有する温度緩衝部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子を用いた光変調素子の光変調度を向上することを目的とする。
【解決手段】磁化固定層１１と、非磁性中間層１２と、磁化自由層１３とをこの順で積層したスピン注入型磁化反転素子構造と、このスピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２，３とを備え、当該一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより磁化自由層１３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子１０において、一対の電極２，３のうち、磁化固定層１１側に設けられた電極である下部電極３は、少なくとも上層部がＡｇからなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子内において基本波を折り返す構造を有する光波長変換装置において、高出力の波長変換波を得る。
【解決手段】基本波10を入射させる入射端面15ａとそれに対面する出射端面15ｂとを有し、基本波10を波長変換波14に変換する光波長変換素子15と、出射端面15ｂから出射した基本波10および波長変換波14を、前者は反射させ後者は透過させる第１の反射部材17と、第１の反射部材17で反射して光波長変換素子15を伝搬し入射端面15ａから出射した基本波10および同じく入射端面15ａから出射した波長変換波14を、前者は透過させ後者は反射させる第２の反射部材18と、第１の反射部材17に到達する前に素子15内を伝搬する波長変換波14の位相と、第２の反射部材18で反射して折り返し素子15内を伝搬する波長変換波14の位相とを互いに揃える位相調整手段20とから光波長変換装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を用いた波長選択スイッチにおいて、所望の位相シフト関数を再現すること。
【解決手段】本実施例の波長選択スイッチでは、入射信号光及び回折信号光と空間位相変調器であるＬＣＯＳとの位置関係は、ＬＣＯＳのピクセル面の直交する２方向のうちの一方の方向は、ＬＣＯＳへ入射する入力信号光の波長分散方向に一致するように配置され、他方の方向のみが回折信号光の回折方向となっている。この場合、チャネル帯域は、線分散と無関係となるため、帯域の制限から決まるスポットサイズの上限は制限されないことになる。一方で式（２０）で表されるスポットサイズの下限は、スポットサイズに対して位相変調関数が粗すぎて、空間位相変調器上に集光されたガウシアンビームが高い周波数成分をもった変調関数を感じてしまうことに起因しており、線分散とは無関係に生じるため本実施例においても適用される。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４ととを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を１つの受光素子５に向けて集光する集光手段（３１，３２）と、該受光素子５が受光する該２つの放射光の光量比を調整する光量比調整手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素ピッチがサブミクロン程度となるまで精細度を上げることができ、かつ、光の波長が、電極の波長−透過率特性に制限されない空間光位相変調器に関する。
【解決手段】本発明の空間光位相変調器は、複数の画素構成素子を備え、前記複数の画素構成素子の各々は、電気光学効果を有する電気光学材料と、該電気光学材料上に互いに対向するように配置された２つの電極とを備え、複数の画素構成素子の各々は、所定の間隔で配置され、電気光学材料内を透過する光の光軸は、２つの電極の間に存在し、電気光学材料の誘電率は、画素構成素子と隣接する画素構成素子との間の間隙中の誘電率よりも高く、複数の画素構成素子の各々の重心が、光の光軸と垂直な同一平面上にあるように、複数の画素構成素子を配置する。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４と、該基板の端部に該光ファイバと接続するための補強用キャピラリ３とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を、１つの受光素子５に向けて反射する反射手段（３１，３２）を該補強用キャピラリに設け、該反射手段で反射された２つの放射光が互いに交差するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮する。
【解決手段】一定方向に一定速度で搬送される被露光体４の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に平行に並んだ複数のレーザビームに強度変調を与えて射出するパターンジェネレータ６と、パターンジェネレータ６から射出した複数のレーザビームを被露光体４上に一定間隔に並べて集光するｆθレンズ７と、ｆθレンズ７を射出した複数のレーザビームを被露光体４の搬送方向と交差する方向に回折させて、互いに隣接するレーザビームの間の領域を同時に往復走査する音響光学素子８と、を備え、音響光学素子８は、レーザビームの回折方向の軸が光軸を中心に被露光体４の搬送方向と直交する方向に対して一定角度だけ回転した状態に配設され、音響光学素子４の光射出側には、複数のレーザビームの０次回折光を遮断する遮光マスク２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】出力信号光とモニタ光との位相関係のずれであるバイアスシフトを抑制させる。
【解決手段】電気光学効果を有する基板９１と、基板９１の表層部に形成され、入力光を変調する干渉型光変調器を構成する変調用光導波路７と、基板９１の表層部に形成され、変調用光導波路７の下流側箇所を分岐して接続される出力光導波路５および変調用光導波路７での光変調動作をモニタするための光を導波するモニタ用光導波路６′と、をそなえ、反射部における反射面１３の幅と、モニタ用光導波路６′による光伝搬方向についての切り出し幅とを実質的に同等とする。 （もっと読む）

【課題】入射光を複数の光線に分配しつつ、各光線の強度を可変とした光分配装置を提供すること。
【解決手段】液晶パネル１０１１に対して平行となるように第１の反射偏光板１０２１と第２の反射偏光板１０３１とを配設する。さらに、液晶パネル１０１１と平行に向かい合うように、第１の反射鏡１０５と第２の反射鏡１０６１とを配設する。第１の反射偏光板１０２１及び第２の反射偏光板１０３１は、入射光の偏光成分光のうちで偏光面が反射軸と平行な第１の偏光成分光を反射し、偏光面が反射軸と直交している第２の偏光成分光を透過する。液晶パネル１０１１に発生する電界の大きさを変化させて液晶パネル１０１１に入射した偏光成分光を０°から９０°の間で旋光させることにより、２種の強度の光を射出させる。 （もっと読む）

【課題】要素部材の加工精度に起因する歩留まりの低下を抑制しながらも、高精度に光の射出方向を制御可能な光路切替装置を提供すること。
【解決手段】液晶パネル１０１に対して平行となるように第１の反射偏光板１０２と第２の反射偏光板１０３とを配設する。さらに、スペーサガラス１０４ａを介して液晶パネル１０１と平行に向かい合うように、第１の反射鏡１０５と第２の反射鏡１０６とを配設する。第１の反射偏光板１０２及び第２の反射偏光板１０３は、入射光の偏光成分光のうちで偏光面が反射軸と平行な第１の偏光成分光を反射し、偏光面が反射軸と直交している第２の偏光成分光を透過する。液晶パネル１０１に発生する電界の大きさを切り替えることにより、入射光の射出光路を出力１と出力２の間で切り替える。 （もっと読む）

【課題】細線状に形成された磁性体からなる磁性細線を用いて、簡易な構造で、かつ開口率を向上させた空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器１０は、細線方向に単位長さＬbで区切られた領域を画素として所定数の画素を細線方向に連続して設けられた磁性細線１を、複数並設して画素アレイを形成し、データ書込部５０および走査電流源８をさらに備える。磁性細線１は画素を設けられた領域である画素領域１ｐｘの外に細線方向に区切られた書込領域１ｗが設けられており、データ書込部５０が書込領域１ｗを所定の画素における磁化方向に変化させて形成した磁区は、走査電流源８が磁性細線１に細線方向に直流パルス電流を供給することにより、当該磁区を区切る磁壁と共に細線方向に沿って移動して、前記所定の画素に到達する。 （もっと読む）

【課題】変調部の材料として半導体が用いられた場合でも変調部から出力される光信号のパワーの低下を抑制すること。
【解決手段】光変調装置は、入力信号を用いて入力光を変調する変調部を備える。また、光変調装置は、変調部により入力光が変調されて得られた信号光の位相を入力電流に応じて補償する補償部を備える。また、光変調装置は、補償部により補償された信号光と変調部へ入力される入力信号との位相差を検出する検出部を備える。また、光変調装置は、検出部により検出された位相差に基づいて補償部へ入力される入力電流を調整する調整部を備える。 （もっと読む）

【課題】 高出力のパルスレーザ光を生成することが可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】 レーザ装置１ではチャネル増幅器１４において、レーザ装置１Ａではスラブ型固体レーザ装置４４において、連続光であるレーザ光Ｌ_１のそれぞれを増幅する。このため、パルスレーザ光を増幅する場合に比べて、増幅率を高く設定できる。そのように増幅されたレーザ光Ｌ_２のそれぞれを回折格子１６の集光位置Ｐ_１で合波して合波光Ｌ_３を生成する際に、集光位置Ｐ_１において合波光Ｌ_３の出力のピークが（同じパルス時間波形が）所定の時間間隔で繰り返し現れるように、レーザ光Ｌ_１のそれぞれの位相を制御する。これにより、回折格子１６の集光位置Ｐ_１において、増幅された複数のレーザ光Ｌ_２によりパルスレーザ光が生成される。よって、このレーザ装置１によれば、高出力のパルスレーザ光を生成することが可能となる。 （もっと読む）