【課題】静電気に起因する表示むらが発生し難く、且つ白表示が白らしく表示がなされ見栄えがよい液晶装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、第１基板としての素子基板１０と、第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とにより挟持された液晶層５０と、素子基板１０の液晶層５０側に設けられた第１電極としての共通電極１３および第２電極としての画素電極１５と、対向基板２０の液晶層５０側に設けられた少なくとも３色の着色層を有するカラーフィルター２２および静電遮蔽層としてのシールド電極２３とを備え、シールド電極２３は、少なくとも１色の着色層に対応して設けられた開口部を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、平面ベタで形成されたコモン電極と層間絶縁膜との剥離を防止する。
【解決手段】有機パッシベーション膜１０９の上に平面ベタでコモン電極１１０が形成され、コモン電極１１０の上に層間絶縁膜１１１が形成され、層間絶縁膜１１１の上に櫛歯状の画素電極１１２が形成されている。画素電極１１２は有機パッシベーション膜１０９および無機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホール１３０を介してソース電極１０７と接続する。層間絶縁膜１１１は有機パッシベーション膜１０９の上面部にのみ形成されているので、有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１１１との熱膨張係数の差に起因するストレスが過大になること防止することが出来、層間絶縁膜１１１とコモン電極１１０と間の剥離を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置２は、第１基板１６に設けられた第１配向膜６０と、第２基板１８に設けられた第２配向膜４８と、第１配向膜６０と第２配向膜４８との間に挟持された液晶層４０と、第１基板１６に設けられ、液晶層４０に電界を印加して液晶層４０を調光駆動するための第１電極３６及び第２電極３８と、電界が発生する第１電極３６及び第２電極３８の各界面に設けられた第１絶縁膜９２と、第１基板１６に設けられ、画素スイッチング素子３４の表面を被覆する第２絶縁膜５８と、を含み、第１電極３６は、第２電極３８と同一の材料で構成され、第２配向膜４８は、第１配向膜６０よりも比抵抗が高い材料で構成され、第１配向膜６０は、第１絶縁膜９２よりも比抵抗が高い材料で構成され、第１絶縁膜９２は、第２絶縁膜５８よりも比抵抗が低い材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】表示領域の全サブ画素に跨って形成される共通電極の抵抗を低くした液晶表示パ
ネルを提供すること。
【解決手段】液晶表示パネル１０Ａのアレイ基板ＡＲ側には、表示領域にマトリクス状に
配置された複数の走査線１２、信号線１４、層間樹脂膜、下電極、電極間絶縁膜、スリッ
ト状開口２５Ａが形成された上電極２３が形成され、上電極２３は表示領域の全面に跨っ
て形成されていると共に、表示領域の周辺部でコモン引き回し配線と電気的に接続されて
共通電極として作動し、表示領域には、走査線１２に平行にコモン線１３Ａが形成され、
上電極２３はコンタクトホール２４Ａを経てコモン線１３Ａに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第１の酸化物半導体層の第１の領域及び第２の酸化物半導体層の第１の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成された対向電極ＣＴと、前記対向電極と絶縁膜を介して設けられ、且つ透明導電膜で形成される平面状の画素電極ＰＸを有し、前記各画素領域には、前記ドレイン信号線ＤＬと前記ゲート信号線に接続された薄膜トランジスタが形成され、且つ、前記対向電極に電気信号を供給する対向電圧信号線が形成され、前記対向電極は、前記画素電極と前記ドレイン信号線に対して液晶層側に形成され、且つ、前記画素電極と前記ドレイン信号線に重畳する位置に形成されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】高開口率化及び高精細化に対応した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１２と、走査線を覆って形成した絶縁膜２１と、各走査線１２に交差する交差部１３Ｄを有する複数の信号線１３と、走査線と信号線とに隣接して配設した画素電極と、半導体層、ゲート絶縁膜、前記走査線に接続したゲート電極と、ドレイン電極１４ｂ及びソース電極１４ａの何れかで信号線に接続された一方の電極と、画素電極に接続されたドレイン電極及びソース電極の他方の電極と、ドレイン電極及びソース電極が信号線に沿う方向に直線状に配置された複数の薄膜トランジスタ１４と、第１の重ね合わせ部１７ａが交差部１３Ｄ上に重なり第２の重ね合わせ部１７ｃが一方の電極上に重なり一方の電極と信号線とを接続する複数の中継電極１７と、を具備し、中継電極の第１の重ね合せ部は走査線１２の幅方向の両側端部１２ｂ、１２ｃに対応する絶縁膜２１の段差部１３Ｅ，１３Ｄを覆う長さを有する。 （もっと読む）

【課題】横方向電界で液晶分子を回転させる方式を用いた場合、液晶は電極に対して基板から離れた方向に配置される。つまり、基板側に生じる電界は液晶分子の回転に寄与しない。そのため、電界の利用率が低下する。また、電気抵抗が低い結晶型ＩＴＯを用いた場合、ドライエッチングでは残渣が残り、ウェットエッチングでは寸法精度が出せないという課題がある。
【解決手段】電極間に位置する誘電体をエッチングして逆テーパー状に窪ませることで、電界強度が強い電極間に液晶が入る領域を設けた。窪ませた部分の液晶分子も電界により回転するため電界の利用率を向上させることができる。また、逆テーパー状に誘電体が形成されているため、スパッター法等で結晶型ＩＴＯ膜を形成した場合、自己整合的にＩＴＯ膜が分離されるため、ＩＴＯをエッチングすることなく所望のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】新しい積層構造、デザインを有するＦＦＳモード液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるＦＦＳモード液晶表示装置は、透明共通電極と、透明共通電極と接続される構造で形成された導電性反射構造物と、その上部に多数のスリットを有するスリットタイプよりなる透明画素電極とを備え、透明共通電極は、データラインとゲートラインの上部を含む領域に形成され、各単位画素領域が互いに連結される構造を有する。 （もっと読む）

【課題】加熱効率を向上させること、或いは基板間導通材部近傍のギャップ不良を防ぎ、歩留り及び信頼性の向上を可能とすることなど、対向電極用及びヒータ層用の基板間導通材に同一の導電材料を用いることによる問題点の発生を防止でき、低温でも動作可能なヒータ層による加熱機構付きの液晶表示装置を得る。
【解決手段】本発明の液晶表示装置においては、スイッチング素子、及び外部接続端子を備えたスイッチング素子基板と、対向電極、ヒータ層、及びヒータ層−対向電極間に形成された絶縁層を備えた対向基板と、ヒータ層―スイッチング素子基板間の導通をとる基板間導通材及び対向電極−スイッチング素子基板間の導通をとる基板間導通材とを備え、これら基板間導通材は互いに異なる導電材料により形成されるものである。 （もっと読む）

導電フィルム又は装置多層電極は、基板、及び透明又は半透明な介在層によって分離された２つの透明又は半透明な導電層を有する。介在層は、導電フィルム又は電極を組み込んだ装置の特定の層間で生ずる界面反射を低減させるために第１の導電層と第２の導電層との間に導電経路を有する。
（もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続された構造を備えた表示装置において、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ現像液中での腐食が生じ難く、Ａｌ系合金膜の腐食を有効に防止することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、酸化物透明導電膜上にＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、Ａｌ合金膜を加熱する第３の工程と、を包含し、Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．１〜４原子％、Ｌａを０．１〜２原子％含有するＡｌ−Ｃｏ−Ｌａ合金などであり、第２の工程における基板温度と第３の工程における加熱温度の関係について、（１）基板を加熱しないときは、加熱温度の下限を２００〜２５０℃に設定し、（２）基板温度を１００℃以上２５０℃以下に加熱するときは、加熱温度の下限を１００〜２００℃に設定する。 （もっと読む）

【課題】表示媒体作製により生じた膜厚ムラによる影響に起因する表示媒体に画像を記録するときのばらつきを抑制すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る電子ペーパ２００は、液晶層２５０と透明電極２６０とに挟まれて設けられる中間層２８０であって、液晶層２５０より誘電率の低い中間層２８０が存在する領域と、中間層２８０が存在しない領域とを有することによって、液晶層２５０に発生する電界の強度は、中間層２８０に対応する領域とそれ以外の領域とで異なるものとなる。したがって、透明電極２２０、２６０間に特定の電圧が印加されると、領域によって液晶層２５０の配向状態が異なるものとなり、中間階調の制御が容易になる。 （もっと読む）

【課題】視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、視野角制御用サブ画素
の液晶層以外の誘電体を増加させて、ＴＶ特性の急峻を緩和し、できるだけ表示用サブ画
素のＴＶ特性に近似させることにより、階調表示を容易にさせ、コスト面を向上させた液
晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】液晶層ＬＣを挟持して対向配置された第１基板ＡＲ及び第２基板をＣＦ有し
、１画素毎に表示用サブ画素１４Ａと視野角制御用サブ画素１５Ａが隣接配置され、視野
角制御用サブ画素１５Ａには一対の電極２５、３０Ａと、前記一対の電極２５、３０Ａ間
に液晶層ＬＣを挟む一対の配向膜２７、３４が形成されている液晶表示パネル１０Ａであ
って、視野角制御用サブ画素１５Ａには一対の電極２５、３０Ａ間に液晶層ＬＣ及び配向
膜２７、３４とは異なるオーバーコート層３３からなる誘電体膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】内面シールド型のＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、上電極の種々のスリ
ット状開口の形状が、透過率Ｔが大きく、駆動電圧Ｖがあまり大きくならない範囲となる
ようにすること。
【解決手段】本発明の内面シールド型のＦＦＳモードの液晶表示パネルは、上電極に形成
される隣接する前記スリット状開口のピッチをＰとし、隣接するスリット状開口間の上電
極の幅をＬとするとき、Ｌ／Ｐが４５％〜５５％となるようにする。この数値範囲では、
透過率Ｔが大きく、駆動電圧Ｖがあまり高くならず、かつ効率値Ｅ（Ｔ^３／Ｖ）が大きい
内面シールド型のＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。 （もっと読む）

【課題】第一、第二屈折整合層の厚み及び屈折率整合（refractive index matching）により、反転位相の効果を生じさせ、エッチング工程による痕跡が視覚に与える影響を干渉可能とすること。
【解決手段】光学フィルム構造は、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造とを含み、前記多層膜構造は、前記基板に最も近い位置から順に第一屈折整合層と第二屈折整合層と第三層とを積層してなる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ座標検出電極とＹ座標検出電極の配置部に隣接する画素電極に対応する画素の開口率低下を少なくする。
【解決手段】画素電極５と画素ＴＦＴ６と走査線１４及び信号線１５を設けた基板３に、各画素電極５と信号線１５との間に信号線１５と平行に形成された複数のＸ座標検出ライン１９と、各画素電極５と走査線１４との間に走査線１４に平行に形成された複数のＹ座標検出ライン２０と、Ｙ座標検出ライン２０上に絶縁膜を介して形成され、一方が絶縁膜に設けられた第１コンタクト孔２９においてＸ座標検出ライン１９に接続され、他方が絶縁膜に設けられた第２コンタクト孔３０においてＹ座標検出ライン２０に接続された複数のＸ座標検出電極及２５びＹ座標検出電極２６とを設け、他方の基板に設けられた対向電極に、この基板の外面側からのタッチによる撓み変形によってＸ座標検出電極２５とＹ座標検出電極２６の両方に接触する接点部を設けた。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を呈する液晶を用い、新規な構成を有する液晶表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に、複数の構造体（リブ、突起、凸部とも呼ぶ）を形成し、その上に画素電極とその画素電極に対応する電極（固定電位の共通電極）を形成する。画素電極に傾斜をつけ、その画素電極に対応する電極にも傾斜をつけることにより、ブルー相を呈する液晶層に電界をかける構造とする。隣り合う構造体の間隔を狭くすることにより、液晶層に強い電界を印加することができ、液晶を駆動させるための消費電力を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第２の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるＥＤＭＯＳ回路を有する論理回路部を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１のゲート電極、ゲート絶縁層、第１の半導体層、第１の一対の不純物半導体層、及び第１の一対の配線を有し、第１の半導体層は、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体層と、混合領域と、非晶質半導体を含む層とが積層され、第２の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第２のゲート電極、ゲート絶縁層、第２の半導体層、第２の一対の不純物半導体層、及び第２の一対の配線を有し、第２の半導体層は、微結晶半導体層と、非晶質半導体層とが積層されている表示装置。 （もっと読む）