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Fターム[2H092JB05]の内容

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【課題】電気光学装置用基板に形成された膜をパターニングして所定形状の複数のデバイスパターンを形成する際、デバイスパターンの角部分の形状を確実に制御することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の画素電極等のデバイスパターン91aをパターニング形成する際、デバイスパターン91aの間で第1方向Yに延在する第1境界領域99gと重なる領域を選択的に露光する第1露光工程と、デバイスパターン91aの間で第2方向Xに延在する第2境界領域99hと重なる領域を選択的に露光する第2露光工程とを行う。このため、デバイスパターン91aの第1辺部91yは、第1露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成され、デバイスパターン91aの第2辺部91xは、第2露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成される。 (もっと読む)


【課題】応答速度の高速化が可能であるとともに透過率の低減を抑制しつつ高精細化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層を備えたスイッチング素子と、第1電極と、前記第1電極と向かい合うとともに前記スイッチング素子と電気的に接続され且つ第1方向に沿って複数のV字型スリットが並んで形成された第2電極と、第1配向膜と、を備えた第1基板と、第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記V字型スリットは、第1中央部、前記第1中央部の一端側に繋がった第1端部、前記第1中央部の他端側に繋がった第2端部、第2中央部、前記第2中央部の一端側に繋がった第3端部、及び、前記第2中央部の他端側に繋がった第4端部を有し、前記第1端部と前記第3端部とが繋がったことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】光配向を用いたIPS方式の液晶表示装置において、配向膜が柱状スペーサによって削れることを防止する。
【解決手段】対向基板200に形成された柱状スペーサ204がTFT基板100に接触する部分に、画素電極108よりも高い、台座114を形成する。画素電極108および台座114の上に2層構造の配向膜113を塗布すると、レベリング効果によって、台座114上の配向膜113は薄くなる。この状態で光配向すると、台座上の光分解した上配向膜112は消失し、機械的な強度の大きい下配向膜111が残る。したがって、配向膜削れを防止できる。一方、画素電極108上では、上配向膜112は元々厚いので、液晶を配向させるための所定の膜厚を確保できる。 (もっと読む)


【課題】横電界モードの液晶表示装置であって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板の上方に配置された画素電極及び対向電極と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と向かい合う側において前記第2絶縁基板の基板端部よりも内側で額縁状に形成された額縁部を有する第1遮光層と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と向かい合う側に配置され前記第1遮光層から離間し前記第2絶縁基板の基板端部まで延在した第2遮光層と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、前記第1遮光層と前記第2遮光層との間を遮光する第3遮光層と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と向かい合う側とは反対側の表面に配置され前記基板端部まで延在した光透過性を有する導電性のシールド部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示装置に含まれるTFTのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の作製工程において、フォトリソグラフィ工程数を削減する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜およびチャネル保護膜となる絶縁膜を連続で形成し、多階調マスクであるフォトマスクによって露光し現像したレジストマスクを用いて、(1)レジストマスクのない領域において、チャネル保護膜となる絶縁膜、チャネル領域が形成される半導体膜、ゲート絶縁膜となる絶縁膜およびゲート電極となる導電膜を連続してエッチングし、(2)レジストマスクをアッシングなどによって後退させ、レジストマスクを残膜厚が小さい領域のみを除去することで、チャネル保護膜となる絶縁膜の一部を露出させ、(3)露出したチャネル保護膜となる絶縁膜の一部をエッチングし、一対の開口部を形成する。 (もっと読む)


【課題】 電源がオフされた際の残像の発生を回避することができる液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層LQと、複数の走査線GLと、複数の信号線SLと、複数の画素スイッチSWPと、複数の第1電極と、走査線駆動回路GDと、第2電極と、電圧供給配線W1と、制御機構と、第1切替え機構と、第2切替え機構と、出力タイミング切替え機構と、を備える。第1切替え機構及び第2切替え機構は、制御機構から与えられる制御信号を基に、導通状態及び非導通状態の何れかに切替え可能である。出力タイミング切替え機構は、上記制御信号を基に、画素スイッチSWPを導通状態に切替える第2走査信号を複数の走査線GLに同時に出力可能である。 (もっと読む)


【課題】 反射電極の間を通過する入射光の光量低減が要望されている。
【解決手段】 半導体基板に、複数のスイッチング素子が形成されている。半導体基板の上に、スイッチング素子に対応して配置され、対応するスイッチング素子に接続された反射電極が形成されている。反射電極の上面及び端面を覆い、反射電極の間の領域において、反射電極の底面と同じか、該底面よりも低い位置に上面が配置されているカバー絶縁膜が形成されている。反射電極の間のカバー絶縁膜の上に、遮光膜が形成されている。遮光膜の上面が、反射電極の上面よりも高い位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、液晶層に電圧を印加しながら重合性成分を重合して液晶配向を安定化させるポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用いて液晶の配向方位を規制して、広い視野角が得られると共に、中間調の応答時間を短くできる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向配置された2枚の基板20、30間に、液晶分子のプレチルト角および駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶層24が封止されている。液晶層24に電圧を印加しながら液晶層24中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース10の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン8が配列している。 (もっと読む)


【課題】広い視野角での立体視表示を実現できる立体表示装置を得る。
【解決手段】映像を表示する表示部と、光を透過および遮断する、表示部の表示面内における垂直方向Yから傾いた第1の方向に延伸するように形成された複数の液晶バリアを有する液晶バリア部とを備える。上記液晶バリア部は、液晶層と、液晶バリアに対応する位置に、前記液晶層を挟むように構成された第1の電極(透明電極110,120)および第2の電極とを有する。上記第1の電極は、第1の方向に延伸する第1の幹部分61と、第1の幹部分の両側において、第1の幹部分に対して非線対称な方向にそれぞれ延伸する複数の枝部分63とを含むものである。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の高いコントラスト比と広視野角を同時に確保でき、液晶分子の速い応答速度を実現するだけなく、液晶表示装置の側面視認性を向上させることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1画素電極及び第2画素電極は複数の枝電極を含み、第1画素電極の枝電極と第2画素電極の枝電極は交互に配置されており、第1画素電極の枝部と第2画素電極の枝部は、互いに隣接した第1画素電極の枝部と第2画素電極の枝部との間隔が相対的に広い第1領域と、互いに隣接した第1画素電極の枝部と第2画素電極の枝部との間隔が相対的に狭い第2領域とを含み、第1領域と前記第2領域のうちの少なくとも一つに配置されている第1画素電極の枝部と第2画素電極の枝部は、ゲート線と第1角度を成す第1部分と、ゲート線と第2角度を成す第2部分とを含む。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の輸送時等における振動や衝撃等に起因する表示ムラの発生を防止することのできるアレイ基板及びそれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板1は、透明基板2、走査線31、走査線31に交差する信号線、走査線31及び信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタ3、走査線31又は信号線と平行に設けられてなる共通配線71、共通配線71に接続され、走査線31及び信号線で区画された領域16内に形成された共通電極7、共通電極7上に絶縁層12を介して設けられ、複数のスリット81を有する画素電極8、表示領域16に設けられた複数色の着色部5、並びに非表示領域15に設けられた柱状スペーサ6を備え、柱状スペーサ6の頂部に9秒間で200mNまで荷重をかけた状態で5秒間保持したときに、荷重前後における柱状スペーサ6の頂部の位置の変位量Tが0.45μm以上である。 (もっと読む)


【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第1の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第1の酸化物半導体膜を加工して第2の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第2の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置は、相対向する第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板の上に配設される一対の電界生成電極と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、前記一対の電界生成電極の上に配設される配向膜と、を備え、前記配向膜は、主鎖と、前記主鎖に連結されている1以上の側鎖と、を有し、前記側鎖は垂直官能基又は極性基を含む。 (もっと読む)


【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置の作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜を形成し、第1の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理をして第2の酸化物半導体膜を形成し、第1の導電膜を形成し、厚さの異なる領域を有する第1のレジストマスクを形成し、第1のレジストマスクを用いて第2の酸化物半導体膜および第1の導電膜をエッチングして第3の酸化物半導体膜および第2の導電膜を形成し、第1のレジストマスクを縮小させて、第2のレジストマスクを形成し、第2のレジストマスクを用いて第2の導電膜の一部を選択的に除去することでソース電極およびドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層の側面からの酸素の脱離を防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥(酸素欠損)が十分に少なく、ソースとドレインの間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に対して第1の加熱処理を施した後に該酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、その直後に該酸化物半導体層の側壁を絶縁性酸化物で覆い、第2の加熱処理を施すことで、酸化物半導体層の側面が真空に曝されることを防ぎ、酸化物半導体層中の欠陥(酸素欠損)を少なくして半導体装置を作製する。該半導体装置はTGBC(Top Gate Bottom Contact)構造とする。 (もっと読む)


【課題】画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して対向した構造を有し、画素の一部に電気的欠陥が生じた場合にも良品化することが可能なTFTアレイ基板を提供する。
【解決手段】TFTアレイ基板101は、薄膜トランジスタ10と、ドレイン電極16に導電接続された画素電極20と、画素電極40と絶縁膜30を介して対向形成された共通電極40とを含む画素が複数マトリクス状に形成されたものである。TFTアレイ基板101は、1個の画素に着目したとき、画素電極20が複数の分割画素電極20Dに分割されており、かつ、ドレイン電極16と複数の分割画素電極20Dとをそれぞれ導電接続する複数の分岐導電部16Bを有し、平面視上、複数の分岐導電部16Bの少なくとも一部の形成領域に、共通電極40が形成されていない。 (もっと読む)


【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の高いコントラスト比と広視野角を同時に確保でき、液晶分子の速い応答速度を実現するだけでなく、優れた表示特性を示すことのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第1基板及び第2基板と、第1基板と第2基板の間に配置され、液晶分子を含む液晶層と、第1基板上に配置され、互いに分離されている第1画素電極及び第2画素電極と、を含み、第1画素電極及び第2画素電極は、第1画素電極及び第2画素電極のそれぞれ含む幹部と、幹部から延び出た複数の枝電極とを含み、第1画素電極の枝電極と第2画素電極の枝電極は交互に配置され、第1画素電極の枝部と隣接した第2画素電極の枝部との間隔が第1間隔である第1領域と、第1画素電極の枝部と隣接した第2画素電極の枝部との間隔が第2間隔である第2領域を有し、第1領域は、画素領域の端部に、第1画素電極及び第2画素電極の幹部が配置されていない領域を含む。 (もっと読む)


【課題】IPSにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線102、105とコモン線103、104を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極108とコモン電極110、111とソ─ス線106
、107を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 (もっと読む)


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