【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【解決手段】 窒素及び炭素の含有量を適切に制御して、ハードフィルムを形成することで、エッチング時に発生するCD偏差を減らし、遮光膜の金属成分が高く、反射防止膜の金属成分が低い金属膜を形成することによって、その厚さを低めて、解像度及びパターン正確度を向上させ、耐化学特性を改善することができる。また、金属膜とハードフィルムとの反射率差が大きくなるように、金属膜とハードフィルムとを形成することで、ハードフィルムの検査を容易に行える。これにより、本発明によるハードマスク用のブランクマスクを、DRAM、フラッシュメモリ、MPUなどに、ハーフピッチ32nm以下、特に、22nm以下の最小線幅の具現が可能になるように適用しうる。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク１００であり、基板１上に多層反射膜５と吸収体膜２とエッチングマスク膜３が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層２２が形成されており、高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な遮光膜を有する転写用マスクを作製することを可能とする、マスクブランクを提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであり、透光性基板上に遮光膜とエッチングマスク膜とが順に積層した構造を有するマスクブランクであって、前記エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、前記遮光膜は、タンタルを含有する材料からなり、前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、前記高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】薄膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなるという問題を解決するための、マスクブランクおよび転写用マスクを提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面に薄膜が形成されてなるマスクブランクにおいて、前記薄膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板の主表面と前記薄膜との間に、前記ガラス基板から薄膜へ水素が侵入することを抑制する侵入抑制膜を備えることを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】短時間の圧力変動による影響が抑制されたＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置の提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（マスクブランクス）の製造装置２０は、クリーンルーム１０のワーキングエリア１１に導入された清浄空気を超清浄化空気として製造装置２０内に導入するファンフィルタユニット２５、搬出入用の開口部２４、排気用の開口部２６を有し、製造装置２０内で超清浄化空気の流通方向において、搬出入用の開口部より下流側、かつ、排気用の開口部よりも上流側の位置に、呼吸機構用の開口部２７が設けられ、製造装置２０内の圧力と、クリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力との圧力差の変動に応じて、製造装置２０への清浄空気の導入または排気を行う呼吸機構を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクまたはＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 従来における有機系レジストとクロムの遮蔽膜を用いるフォトマスクは、製造工程が煩雑で、かつ、クロム金属のエッチング後の廃液処理が必要なため、環境負荷が大きく、かつ、コストが高くなるといった問題があり、また、有機系レジストに姻族が添加されている遮蔽膜を用いるフォトマスクにあっては、耐久性や遮蔽性が劣るといった問題があった。
【解決手段】 レーザー光のエネルギーによって表面電位差が生じる表面電位が変位し易い金属原子Ｘと、酸化されても変化し難い金属原子Ｙとの組み合わせによる金属レジスト２の遮蔽膜で構成したフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】チャージアップを生じさせず、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであり、マスクブランクは、基板１上に、転写パターン形成用薄膜２と、転写パターン形成用薄膜２のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜３とがこの順に形成され、転写パターン形成用薄膜２は、電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料とし、基板の主表面から、基板の側面又は面取り面までに亘って形成され、エッチングマスク膜３は、基板の少なくとも側面に存在せず、転写パターン形成用薄膜２が露出するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】約６．４ｎｍから約７．２ｎｍの範囲の波長を有する放射を反射させるように構成された多層ミラーが提供される。
【解決手段】多層ミラーは、第１層および第２層を含む相互層を有する。第１層および第２層は、Ｕ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_４Ｃ層、Ｔｈ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_４Ｃ層、Ｌａ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_９Ｃ層、Ｌａ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_４Ｃ層、Ｕ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_９Ｃ層、Ｔｈ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_９Ｃ層、Ｌａ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、Ｕ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、Ｃ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、ならびにＴｈ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上３０ａｔ％以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理して得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写する。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、少なくとも２層からなる薄膜を有するフォトマスクブランクであって、前記薄膜は、タンタル、窒素、およびキセノンを含む材料からなる第１の層と、該第１の層の上面に積層されるタンタル、酸素、およびアルゴンを含む材料からなる第２の層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（描画方法やレジスト塗布方法）や異なる条件（レジストの種類やレジスト膜厚）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜を少なくとも有し、前記遮光性膜上にレーザ描画用のレジスト膜をスリットコータ装置で形成するためのＦＰＤデバイス製造用マスクブランクであって、前記遮光性膜は、前記レーザ描画波長を含む３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が２％未満の範囲となるように制御された膜であり、前記スリットコータ装置は、一方向に延びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記遮光性膜表面に対して前記一方向に交差する方向へノズルを相対移動させてレジスト膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング工程中にパーティクルが発生し難い珪素ターゲット材を提供し、成膜される珪素含有膜の低欠陥化（高品質化）を図ること。
【解決手段】珪素含有膜の成膜に、室温での比抵抗が２０Ω・ｃｍ以上の珪素ターゲット材を用いる。珪素ターゲット材は、多結晶や非晶質のものでもよいが、単結晶のものとすればより安定した放電状態を実現できるという利点がある。また、ＦＺ法により結晶育成された単結晶シリコンは、酸素含有量が低いため、高純度珪素ターゲット材として好ましい材料である。また、安定した放電特性を得る観点からはドナー不純物を含むｎ型のもののほうが好ましい。珪素含有膜のスパッタリング成膜は、本発明の珪素ターゲット材のみを単独または複数用いて行うことのほか、珪素ターゲット材と遷移金属と珪素を含有するターゲット材を同時に用いたり、珪素ターゲット材と遷移金属ターゲット材を同時に用いることとして行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンを形成する際に、透明基板上にレジスト膜の残滓などの塵埃が付着した場合であっても、遮光膜としての機能を十全に発揮させる。
【解決手段】透明基板１の表面にレジスト膜２を形成し（ｂ）、レジスト膜２をパターニングする（ｃ）。透明基板１上に残っているレジスト膜２をマスクとして透明基板１をエッチングすることにより、透明基板１に凸部１ａを形成する（ｄ）。凸部１ａ上に残っているレジスト膜２を除去し、透明基板１の表面を洗浄する（ｅ）。透明基板１の表面に遮光膜４を形成する（ｇ）。少なくとも遮光膜４を研磨することにより、凸部１ａが露出した状態で遮光膜４および凸部１ａを平坦にする（ｉ）。これにより、透明基板１上のレジスト膜２が完全に除去された状態で透明基板１の表面が洗浄された後、この透明基板１上に遮光膜４が形成される。 （もっと読む）