【課題】ネガ現像において得られるレジストパターンに適用できるだけでなく、ポジ現像で得られるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（２）で表される加水分解性化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、及びＲ^１_ｍ１Ｒ^２_ｍ２Ｒ^３_ｍ３Ｓｉ（ＯＲ）_{（４−ｍ１−ｍ２−ｍ３）}（１）Ｕ（ＯＲ^４）_ｍ４（ＯＲ^５）_ｍ５（２）（Ｂ）一般式（３）で表される加水分解性ケイ素化合物と一般式（４）で表される加水分解性ケイ素化合物とを含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Ｒ^６_ｍ６Ｒ^７_ｍ７Ｒ^８_ｍ８Ｓｉ（ＯＲ^９）_{（４−ｍ６−ｍ７−ｍ８）}（３）Ｓｉ（ＯＲ^１０）_４（４）を含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料を塗布し、周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性を維持しつつ、アルカリ液を用いて容易に除去可能なレジスト下層膜を形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）アルカリ開裂性官能基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用い、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）上記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成する工程、（３）上記レジストパターンをマスクとした上記レジスト下層膜及び上記被加工基板のドライエッチングにより上記被加工基板にパターンを形成する工程、並びに（４）アルカリ液により上記レジスト下層膜を除去する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】無機膜上に形成するレジストパターンの形成性及びエッチング選択比に優れ、レジスト膜を薄膜化する場合においても忠実なパターン転写が可能な多層レジストプロセス用無機膜形成組成物、並びにパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）、加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解物及び加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解縮合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物、並びに［Ｂ］有機溶媒を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物であって、［Ａ］化合物が、第３族元素、第４族元素及び第５族元素からなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含有し、かつこの金属元素の含有割合が、［Ａ］化合物に含まれる金属元素及び半金属元素の合計量に対し５０モル％以上であることを特徴とする多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、ハードマスクに対して、２枚のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンおよび隣接ゲート電極間切断領域パターンのパターニングを実行し、パターニングされたハードマスクを用いて、ゲート積層膜のエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法、微細化したパターン転写時においても曲がらない下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香環を含む樹脂と、（Ｂ）一般式（ｉ）で表される化合物と、を含む組成物によってレジスト下層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細細線再現性に優れるフレキソ印刷版作成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、少なくとも感光性樹脂層、保護層、感熱マスク層が順次積層されてなる感光性印刷原版を用いて、少なくとも（Ａ）〜（Ｄ）の工程を経てフレキソ印刷版を作成する作成方法。（Ａ）赤外線レーザー光により、感熱マスク層を像様融除する工程（Ｂ）４０℃以上の温度雰囲気下で版を水平な状態で静置する工程（Ｃ）化学線で全面露光する工程（Ｄ）現像工程 （もっと読む）

【課題】良好に所望のパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】上層ハードマスク層１０３上に下層レジスト層１０４を形成する工程と、下層レジスト層上に下層レジスト層と露光感度の異なる上層レジスト層１０５を形成する工程と、互いの透過光に１８０度の位相差が生じる第１及び第２の透過領域を有し、第１及び第２の透過領域が照射領域内に互いに隣接して設けられたフォトマスク１０を介して下層レジスト層及び上層レジスト層に露光光を照射する工程と、露光光が照射された下層レジスト層及び上層レジスト層の現像を行うことで、上層ハードマスク層が露出した第１の領域と、下層レジスト層が露出した第２の領域と、下層レジスト層及び上層レジスト層が残った第３の領域とを有する構造を形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】組成物中において経時変化により発生する異物が増加することがなく保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して十分な耐性を有するシリコン含有膜を形成可能な多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、ポリシロキサン（Ａ）並びに有機溶媒（Ｂ）を含有しており、有機溶媒（Ｂ）として、アルコール系有機溶媒（Ｂ１）を１〜５０質量％、及び式（２）で表される有機溶媒（Ｂ２）を１〜３０質量％〔但し、有機溶媒（Ｂ）全体を１００質量％とする〕含むことを特徴とする多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物。


〔式（２）において、ｍは１〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルによりパターン形状の明暗分布を指定して、それをレチクルやマスクの代替として露光するとき、波長２００〜４１０ｎｍの遠紫外光〜短波長可視光の範囲に主たる感光波長帯を有するレジストは感光させることができなかった。
【解決手段】波長２００〜４１０ｎｍの遠紫外光〜短波長可視光の範囲に主たる感光波長帯を有する下層レジスト上にアルカリに溶解する金属膜、その上に液晶パネルを透過して明暗差が大きくとれる波長４２０ｎｍ〜５３０ｎｍの青色可視光を用いて感光させることができる上層レジストを積層する。上層レジストを液晶パネルに指定したパターン形状に感光させてアルカリ現像すると、金属膜もパターン化され、波長２００〜４１０ｎｍの遠紫外光〜短波長可視光を当てると、該金属膜パターンが遮光マスクとして働き、下層レジストに該パターンを転写できる。 （もっと読む）

【課題】
薄膜でありながら高い遮光性と耐傷性を有する感熱マスク層を持つ感光性フレキソ印刷原版を提供する。
【解決手段】
少なくとも（Ａ）支持体、（Ｂ）感光性樹脂層、（Ｃ）保護層、（Ｄ）感熱マスク層が順次積層されてなる感光性フレキソ印刷原版であって、（Ｄ）感熱マスク層が、カーボンブラックと、その分散バインダーとしてブチラール樹脂及び極性基含有ポリアミドとを含有することを特徴とする感光性フレキソ印刷原版。 （もっと読む）

【課題】ラインアンドスペースパターン疎密部の下層レジスト層のサイドエッチを防止し、疎密差なく異方性形状に加工する多層レジスト膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機系中間層２０２のエッチング後、窒素を主成分として含んだ化合物（例えばＮ２）と酸素を主成分として含んだ化合物（例えばＯ２）に加え、サイドエッチを防止するために臭化水素（ＨＢｒ）を添加した混合プロセスガスを用いて下層レジスト層２０３をエッチングする。無機系中間層２０２に対して高い選択比を維持しつつ、ＣｘＢｒｙ，ＣｘＮｙなどの反応生成物を下層レジスト層２０３の側壁に堆積させ側壁保護効果を高めることにより、パターン疎密部において疎密差を制御しながら下層レジスト層２０３をサイドエッチなく異方性形状に加工できる。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を低減し、加工精度を向上させたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に下層膜２を形成する工程と、下層膜２上に、酸により脱保護する保護基を含むシリコン含有中間膜３を形成する工程と、シリコン含有中間膜３上にレジスト膜４を形成する工程と、レジスト膜４の所定領域を露光する工程と、現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に形成したレジスト層４０に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層４０を現像し、レジスト層４０に開口部（抜きパターン４２）を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層４０を処理し、レジスト層４０の開口部（抜きパターン４２）の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）