【課題】機械的な干渉、過度の湿気、及び損傷を及ぼす可能性がある物質からインターフェロメトリックモジュレータを保護するバックプレートを備えたインターフェロメトリックモジュレータアレイを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳを基本にしたディスプレイデバイス６００であり、インターフェロメトリックモジュレータアレイ６０４が透明基板を通じて光を反射させるように構成されている。透明基板は、シール６０６を介してバックプレート６０８に取り付けられており、バックプレートは、インターフェロメトリックモジュレータアレイを制御するための電子回路を内蔵することができる。バックプレートは、ディスプレイの状態を制御するために使用することができるデバイス構成要素（例えば電子構成要素、等）に関する物理的支持物となることができる。さらに、バックプレートは、デバイスに関する構造上の主支持物として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】迅速に安定状態に移行可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定基板５１と、固定基板５１に接合された可動基板５２と、固定基板５１に設けられた固定反射膜５４と、可動基板５２に設けられ固定反射膜５４に反射膜間ギャップＧ１を介して対向する可動反射膜５５と、可動基板５２を固定基板５１側に撓ませて反射膜間ギャップＧ１のギャップ量を変化させる静電アクチュエーター５６と、を具備し、固定基板５１及び可動基板５２の間には、反射膜間ギャップＧ１のギャップ量が小さくなった際に、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の間の空気が逃げる解放空間５７が設けられ、可動基板５２のバネ定数をｋ_ｖとし、反射膜間ギャップＧ１に存在する空気のバネ定数をｋ_ａｉｒとした場合に、ｋ_ｖ≧２０×ｋ_ａｉｒの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】反射膜の帯電を防止可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定基板５１と、可動基板５２と、固定基板５１に設けられた固定反射膜５４と、可動基板５２に設けられ、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧ１を介して対向する可動反射膜５５と、反射膜間ギャップＧ１を変化させる静電アクチュエーター５６と、可動基板５２にに設けられ、接地された可動電極５６２と、を備え、可動電極５６２は、平面視において、光干渉領域Ａｒ１を覆って可動基板５２に設けられ、可動反射膜５５は、可動電極５６２を介して可動基板５２に設けられ、固定反射膜５４は、可動電極５６２に電気的に接続された。 （もっと読む）

【課題】応力関連の変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、上位の支持構造によって支持される移動可能層を含み、更に、下位の支持構造を含むことができる。１つの実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、移動可能層内の残留応力とが、実質的に等しい。別の実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、下位の支持構造内の残留応力とが、実質的に等しい。特定の実施形態では、実質的に等しい残留応力は、同じ厚さを有する同じ材料で形成される層の使用を通じて得られる。更なる実施形態では、実質的に等しい残留応力は、互いの鏡像である支持構造および／または移動可能層の使用を通じて得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド１６P３、１６P４の形成領域１６P３’、１６P４’に金Ａｕを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Ａｕの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜ＳiO₂を形成する酸化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素内の配線を減らし、量産上の歩留りを上げると共に、低コスト化を図ることのできる画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置は、マトリクス状に配列された画素において、画素毎に設けられ、透明基板（３６）上で透明基板に平行に移動し、光の透過及び遮断を行う機械的シャッタ部（２６）と、透明基板上で機械的シャッタ部を挟むように配置される一対の制御電極（２５，２７）と、この一対の制御電極に、予め定められたタイミングで、制御電極のための高電圧及び低電圧をそれぞれに交互に印加する制御電極駆動回路と、画素毎に設けられ、画素毎の階調値に応じたタイミングで、信号線を介して設定される高電圧及び低電圧のいずれかを印加することにより、機械的シャッタ部の動作を静電的に制御するシャッタ制御回路を備える。 （もっと読む）

【課題】改良された画像品質と、削減された電力消費とのために、高速に、かつ低電圧で駆動されることが可能な、機械的に作動させられるディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳベースの光変調器の動きを制御するための制御マトリクスを利用して、ディスプレイ上に画像を形成するための、方法および装置に関する。 （もっと読む）

【課題】画像品質の改良と、電力消費の削減とのために、高速に、かつ低電圧で駆動されることが可能な、機械的に作動させられるディスプレイを提供する。
【解決手段】シャッタベースの光変調器を組み込んだディスプレイ装置が、そのような装置を製造する方法とともに開示される。本方法は、当業界で周知の薄膜製造プロセスと互換性があり、より低い消費電力を有するディスプレイをもたらす。 （もっと読む）

【課題】電極とミラーとを近接させても、ミラーと電極との衝突を回避しつつミラーの揺動スペースを確保する。
【解決手段】ミラーデバイス１は、揺動可能なミラー２１と、ミラー２１と対向する駆動電極３１，３１，…とを備えている。ミラーデバイス１は、ミラー２１が設けられたミラー基板２と、駆動電極３１，３１，…が設けられた電極基板３と、ミラー基板２と電極基板３との間に介設され、ミラー２１と当接することによってミラー２１の揺動を所定の揺動範囲に制限するストッパ４とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】所望の波長の光を精度よく取り出せる波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器を提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルター５は、固定基板５１と、可動基板５２と、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に設けられた固定反射膜５４と、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に設けられ、反射膜間ギャップＧ１を介して固定反射膜５４と対向する可動反射膜５５と、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に設けられた固定電極５６１と、を備え、固定基板５１は、固定反射膜５４が設けられる反射膜固定面５１２Ａと、固定電極５６１が設けられ、可動基板５２からの距離が反射膜固定面５１２Ａとは異なる固定電極面５１１Ａと、を有し、反射膜固定面５１２Ａよりも可動基板５２からの距離が大きい固定電極面５１１Ａに、固定反射膜５４及び固定電極５６１が積層された積層部５７が設けられた。 （もっと読む）

【課題】反射型ディスプレイにおいて反射型ディスプレイ素子の前面に向けられた照明を供給する。
【解決手段】ディスプレイ装置であって、入射光がそこから反射される反射面を有する複数の反射型ディスプレイ素子と、前記反射面を支持する少なくとも部分的に光学的に伝送可能な複数の支柱４００と、前記支柱と位置合せされた複数の光リダイレクタ４１０とを具備し、前記光リダイレクタは、前記支柱により伝達される光の向きを前記反射型ディスプレイ素子の中へと変えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスが開示される。
【解決手段】一実施形態では、MEMSデバイス(900)は、事前形成された構成要素を各々が有する、前面基板(910)と保持体(950)を積層することによって製作される。前面基板(910)には、その上に重ねて形成された静止電極が提供される。その上に重ねて形成された可動電極(1360)を含む保持体(950)は、前面基板(910)に結合される。いくつかの実施形態の保持体(3500)は、可動電極(3510)を前面基板(3570)に移転させた後で除去される。他の実施形態では、保持体(3450)は、前面基板(3410)上に留まり、MEMSデバイス(3400)のための背面板として機能する。フィーチャは、付着およびパターン形成によって、型押しによって、またはパターン形成およびエッチングによって形成される。 （もっと読む）

【課題】環境性および帯電除去性に優れた波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】エタロン５は、可動基板５２と、可動基板５２に対向する固定基板５１と、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に設けられた可動反射膜５７と、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に設けられ、可動反射膜５７とギャップを介して対向する固定反射膜５６と、可動反射膜５７の固定基板５１に対向する面と端面とを被覆するとともに、エタロン５の外周部に延びる第一引出部を有する可動保護膜５９と、固定反射膜５６の可動基板５２に対向する面と端面とを被覆するとともに、エタロン５の外周部に延びる第二引出部を有する固定保護膜５８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法が提供される。
【解決手段】特定のＭＥＭＳデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。 （もっと読む）

【課題】エレクトロウェティング方式の液体光学素子において、電極と導電性液体との間の絶縁の破壊等による導電性液体の電気分解に起因して発生する気泡により容器内部の圧力が上がり封止部等から液体が漏れるのを防止する技術を提供する。
【解決手段】液体光学素子１０は、不混和な導電性液体５と非導電性液体６が封入された容器１と、導電性液体に対して絶縁された第１の電極２と、導電性液体に直接接する第２の電極９を有する。第１の電極２と第２の電極９との間に電圧を印加することにより導電性液体５と非導電性液体６の界面の形状が制御される。絶縁の破壊で導電性液体５に一定以上の電流が流れることにより生じる気泡の発生を抑止する抑止手段８が、電圧を印加するための電気回路の液体光学素子１０中の部分に設けられている。 （もっと読む）

【課題】工程の増大がなく、製造時及び使用時のスティッキングや電流リークを防止できる光フィルター及び光機器を提供する。
【解決手段】光フィルター１は、第１基板２と、第１基板２に設けられた第１ミラー４Ａと、第１ミラー４Ａの周辺に配置された第１電極６Ａと、第１基板２と対向した第２基板３と第２基板３に設けられ、第１ミラー４Ａと対向した第２ミラー４Ｂと、第２ミラー４Ｂの周辺に設けられ、第１電極６Ａと対向した第２電極６Ｂと、を少なくとも有し、第１ミラー４Ａ、及び第２ミラー４Ｂは誘電体多層膜９Ａ，９Ｂを含み、誘電体多層膜９Ａ，９Ｂが、第１電極６Ａ、または第２電極６Ｂの少なくとも一方を覆っている。 （もっと読む）

【課題】 光フィルターの特性設計を容易化すること。
【解決手段】 エタロンフィルター３００は、第１基板２０と、第１基板に対向する第２基板３０と、第１基板に設けられた第１光学膜４０と、第２基板に設けられ、第１光学膜と対向する第２光学膜５０と、を含み、第１光学膜４０の、反射帯域における各波長の光の反射率によって定まる反射特性Ｌ１と、第２光学膜５０の、反射帯域における各波長の光の反射率によって定まる反射特性Ｌ２とが異なる。第１光学膜４０は、第１波長λ１を中心波長とする反射特性を有し、第２光学膜５０は、第１波長とは異なる第２波長λ２を中心波長とする反射光特性を有することができる。エタロンフィルター３００の分光帯域での中心波長をλ３としたとき、λ１＜λ３＜λ２となるように、各光学膜４０，５０を設計する。 （もっと読む）

【課題】支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。 （もっと読む）

【課題】可変減衰精度および動作の安定性の向上を実現することができる空間光デバイスを提供する。
【解決手段】出力ポート１２に入射する信号光の割合を示す光透過率が、ＭＥＭＳミラー装置１００の電極に電圧を印加してミラー１０３を回動させたときに極大となるようにする。これにより、電極に印加する電圧の全電圧範囲に亘って光透過率の変化が線形に近くなるので、可変減衰精度および動作の安定性の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳディスプレイアーキテクチャ用の低範囲ビット深度拡張のための方法および装置を提供する。
【解決手段】光変調器装置は、第1の電気導管、第1の導管から電気的に絶縁された第2の電気導管、第1の表示素子、および第2の表示素子を備える。第1の表示素子は、第1の導管と第2の導管との間の電圧差の大きさが第1の動作電圧よりも大きいときには動作状態にあり、この電圧差の大きさが第1の解放電圧よりも小さいときには解放状態にある。第2の表示素子は、この電圧差の大きさが第2の動作電圧よりも大きいときには動作状態にあり、この電圧差の大きさが第2の解放電圧よりも小さいときには解放状態にある。各動作電圧が実質上等しく、各解放電圧が異なるか、または各動作電圧が異なり、各解放電圧が実質上等しいかのいずれかである。 （もっと読む）