【課題】リング導波路の曲率半径を小さくしても伝播損失を抑制できる導波路型光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型光デバイス３０は、基板４０と、基板４０上に形成されたリング導波路３２とを有する。リング導波路３２はリング状のコア４２と、クラッド４３とにより形成されている。リング状のコア４２の内周面には、リング状のコア４２よりも薄く且つリング状のコア４２の内周面に沿って所定の幅で形成されたスラブ層３３が接続されており、リング状のコア４２の外周にはスラブ層が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】発光側の光導波路コアが複数の辺状部材の接合により構成されたものであっても、そのコアの光結合部位における光結合損失の変動が小さく、枠内の検知空間における高い検出精度を安定して維持することのできる入力デバイスを提供する。
【解決手段】複数の辺状部材（１０Ａ〜１０Ｄ）を突き合わせて構成された枠状の光導波路１０における発光側の二分岐状の光導波路コアＣ１は、枠の角部１０ｚに位置する共通部１と、共通部１から二股状に分岐する連絡路（２ａ，３ａ）と、枠の２辺に配置される主路（２ｂ，３ｂ）とからなり、上記の１つの主路２ｂと連絡路２ａの光結合が、上記辺状部材どうしの端面の突き合わせにより形成されている。これら主路２ｂと連絡路２ａの光結合部位における光入射側の結合端面２ｄのコア幅（Ｗ_A）は、対向する光出射側の結合端面２ｅのコア幅（Ｗ_B）以上に広く（Ｗ_A≧Ｗ_B）形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】従来は３つ必要であったＡＷＧを２つないし１つに統合し、かつ交差導波路を一切含まない１×２波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】Ｎ波長分割多重信号を入力信号とする１入力２出力の波長選択スイッチであって、入力された信号を波長分割してＮ個の出力導波路へと出力する第１のアレイ導波路回折格子と、Ｎ個の出力光が並列に入力される１入力２出力の光スイッチをＮ個有する光スイッチアレイと、２つの光スイッチからの出力光が並列に入力される２入力１出力の波長カプラをＮ−１個有する波長カプラアレイと、入力光を２つの出力ポートの少なくとも１方から出力する第２のアレイ導波路回折格子とを備え、第２のアレイ導波路回折格子の第１番目の入力ポートに第１番目の光スイッチの出力が入力され、第ｋ＋１番目の入力ポートに第ｋ番目の波長カプラの出力が入力され、第Ｎ＋１番目の入力ポートに第Ｎ番目の光スイッチの出力が入力される。 （もっと読む）

【課題】ＡＷＧを２つないし１つに統合し交差導波路の数が少なく、交差導波路の数がスイッチ状態にほとんど依存しないグリッドレス型１×２波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】１つの入力導波路から入力されたＮ波長分割多重信号を波長分割して、Ｎ個の出力導波路へと出力する第１のアレイ導波路回折格子１０１と、Ｎ個の出力導波路からの出力光が並列に入力される１入力２出力の光スイッチをＮ個有する光スイッチアレイと、隣接する波長の光を出力する２つの光スイッチからの出力光が並列に入力される２入力１出力の波長カプラをＮ−Ｐ（Ｐは１以上の整数）個有する波長カプラアレイと、Ｎ＋Ｐ個の入力ポートを有し、入力された光を２つの出力ポートの少なくとも１方から出力する第２のアレイ導波路回折格子１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】信号伝送方向と垂直方向の幅を狭くすることができ、小径のヒンジに対しても配設可能とする。
【解決手段】フレキシブル光電配線モジュールにおいて、光配線路１２と電気配線１１を有し、これらが位置合わせされて一体形成された可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、光電配線板１０に搭載され、光配線路１２に光結合された光半導体素子１３と、長辺が光電配線板１０の配線長方向に沿うように光電配線板１０に搭載され、長辺に沿って形成された電気接続端子が電気配線１１に電気的に接続され、電気接続端子及び電気配線１１を介して電気信号を入力又は／及び出力し、光半導体素子１３を駆動する略長方形の駆動ＩＣ１４とを具備し、電気配線１１が駆動ＩＣ１４の電気接続端子から光電配線板１０の配線長方向の側面に引き出される。 （もっと読む）

【課題】基板上に光導波路が設けられた光回路において、光回路内に挿入部材を挿入可能にしつつ、小型化を図ること。
【解決手段】光回路は、基板１００と、基板の上の下部クラッド層１０１と、コア層１０２と、コア層１０２の上の上部クラッド層１０３と、上部クラッド層１０３の上のヤトイ１０７とを備える。下部クラッド層１０１、コア層１０２、及び上部クラッド層１０３が光導波路を構成する。光回路は、光導波路と交差する溝１０４をさらに備え、当該溝１０４は、ヤトイ１０７から下部クラッド層１０１まで少なくとも延在する。このように、ヤトイ１０７が存在する部分において溝１０４を形成し、そこに波長板等の挿入部材１０５を挿入することで、光回路を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズ放射の抑制を可能とする。
【解決手段】実施形態によるフレキシブル光電配線モジュールは、光配線路１２と第１の電気配線１１ｉと第２の電気配線１１ａと第３の電気配線１１ｃ，１１ｅとを有する可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、フレキシブル光電配線板に搭載され、第１の電気配線に電気的に接続され、光配線路に光結合された光半導体素子１３ａと、フレキシブル光電配線板に搭載され、第１の電気配線と第２の電気配線と第３の電気配線とに電気的に接続され、第１の電気配線を介して光半導体素子を駆動し、第２の電気配線を介して電気信号を入出力し、第３の電気配線を介して電源電位及びグランド電位を供給される駆動ＩＣ１４ａと、第３の電気配線に電気的に接続されたコンデンサ１６ａと、を具備し、光半導体素子と駆動ＩＣとコンデンサとが搭載された回路領域１５ａを有する。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】広波長帯域にわたり消光比が高い復調用遅延回路および光受信器を提供する。
【解決手段】入力側カプラ６，１０と出力側カプラ７，１１とを接続する第一のアーム導波路８，９と第一のアーム導波路よりも光路長が短い第二のアーム導波路１２，１３とを有し、入力光信号を遅延させて干渉させる光干渉計を備え、光伝搬方向が入力側カプラと出力側カプラとで略１８０度異なる。入力側および出力側カプラはそれぞれ第一および第二の導波路を有し、第一の導波路は第二の導波路よりも光路長が長く、第一の導波路と第二の導波路とは長手方向２箇所において第一の方向性結合器と第二の方向性結合器とが形成されており、略５０％の結合率の波長無依存カプラとして構成され、入力側カプラの長手方向に対して入力側カプラの第一の導波路が配置されている側と、出力側カプラの長手方向に対して出力側カプラの第一の導波路が配置されている側とが同一である。 （もっと読む）

【課題】小型化と偏波無依存性とを同時に達成しつつ、幅誤差による偏波無依存性の悪化に対する耐性を高める。
【解決手段】基板８の主面８ａ側に延在するクラッド１２と、光導波路型要素１３とで構成される光導波路７を有し、光導波路は、２個の偏波無依存な方向性結合器１６及び１８と、２個の方向性結合器間を接続するとともに、光路長が異なっていて、互いに並列された第１湾曲光導波路２０ａ及び第２湾曲光導波路２０ｂと、第１及び第２湾曲光導波路のそれぞれに少なくとも１個以上設けられ、厚みよりも幅が大きな、合計２個以上の光路長調整領域２２_１及び２２_２とを備え、光導波路材料は、クラッドの屈折率よりも４０％以上大きな屈折率を有しており、それぞれの光路長調整領域の偏波間における光路長差を、全ての光路長調整領域について総和した値が０となるように、それぞれの光路長調整領域の幾何学的長さを設定する。 （もっと読む）

【課題】クラッドによるＸ線の閉じ込め効果を高めることで、高い伝搬効率で位相の揃ったＸ線を導波することが可能なＸ線導波路を提供する。
【解決手段】波長が１ｐｍ以上１００ｎｍ以下のＸ線１５を導波させるためのコア１０とクラッド１１、１２を有するＸ線導波路において、コア１０は、Ｘ線１５の導波方向に垂直な方向において屈折率実部が異なる複数の物質を含む周期構造を有し、コア１０とクラッド１２間に平坦化層１３が設けられており、平坦化層１３とクラッド１２の界面における全反射臨界角は、コア１０の周期性に起因するブラッグ角よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能でありより容易に製造できる状態で、光機能素子が構成できるようにする。
【解決手段】光導波路１０１と、光導波路１０１の出力側に配置された偏波分離部１０２とを少なくとも備える。光導波路１０１は、光導波路１０１の固有偏波面に対して偏波を４５°傾けた状態または円偏波状態の位相変調信号１２１が入力され、固有偏波面に対して平行な第１偏波１２２と固有偏波面に対して垂直な第２偏波１２３との伝搬時間の差が、位相変調信号の１ビット分の時間となる光導波路長とされている。 （もっと読む）

【課題】典型的な２次元フォトニック結晶構造を有する光共振器において、Ｑ値等の性能が十分高い構造を実現する。
【解決手段】光共振器１００は、所定の穴径で一列に一定周期で並んだ結晶穴５を持つ１次元のフォトニック結晶２を利用する。フォトニック結晶部材の厚さを所定の範囲に設定する。光波回路・電子回路において層間分離膜や封止膜としての役割を果たす低屈折率のシリコン酸化膜３，４を使用して１次元フォトニック結晶共振器を埋め込み、必要十分なＱ値を確保できる。前記層間分離膜または封止膜を利用して、フォトニック結晶と光波回路または電子回路とを集積化する。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スラブ導波路及びアレイ導波路の接続部分の加工容易性を上げるとともに、ＡＷＧの所望の光学特性を得るために必要なアレイ導波路の本数を従来と同様にしても、回路サイズを抑えることを目的とする。
【解決手段】本発明は、スラブ導波路１と、スラブ導波路１の端部に接続される接続部２１−１（２１−２）と、スラブ導波路１の端部から離れた場所に位置し、スラブ導波路１の端部から離れる方向に分岐を生ずる分岐部２２−１（２２−２）と、を有するアレイ導波路２−１（２−２）と、を備えることを特徴とする光導波路Ｗである。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】限られたスペース内に複数個の光学素子を効率よく設置することが可能なミラー付き光導波路を提供する。
【解決手段】下部クラッド層２と、下部クラッド層２上に間隔をおいて並設された複数本のコア３ａ〜３ｄと、コア３ａ〜３ｄのそれぞれに形成されたミラー面６とを有するミラー付き光導波路５であって、各コア３ａ〜３ｄは、長手方向に間隔をおいて第１〜第２の傾斜面１１，２１を有しており、コアの第ｋの傾斜面（ｋは１〜２の整数）１１，２１同士がコアの短手方向に１列に配列しており、コアの傾斜面１１，２１よりなる総ての傾斜面のうち、一部の傾斜面が金属層３０の形成されたミラー面６となっており、残部の傾斜面が金属層３０を有しない透光面７となっており、ミラー面６に対して短手方向に隣接する傾斜面は、いずれも透光面７となっているミラー付き光導波路５。 （もっと読む）