【課題】コングルエント組成のマグネシウム添加タンタル酸リチウム単結晶を用いて分極反転構造の形成過程を制御することができ、高い変換効率を有する波長変換素子を安定して生産することができる波長変換素子、レーザ光源装置、画像表示装置及び波長変換素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】波長変換素子の製造方法は、ＭｇＬＮ基板１０１の＋ｚ面に周期電極１０３を、−ｚ面に対向電極１０４を形成する工程と、周期電極１０３及び対向電極１０４を形成した後に熱処理を行う熱処理工程と、ＭｇＬＮ基板１０１を１００℃以上に保持した状態で、周期電極１０３と対向電極１０４間にパルス状の電界を印加する電界印加工程と、を有する。また、波長変換素子１００は、熱処理後のＭｇＬＮ基板１０１に対して、電界印加により形成された分極反転構造を有する。 （もっと読む）

【課題】光素子の位置ずれ及び光素子の光導波路の特性変化を抑えることを可能とした光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の光素子（３）と、第１の光素子と光学的に結合する第２の光素子（２０）と、第１の光素子及び第２の光素子が搭載された第１のシリコン基板（１０）とを有し、第２の光素子は第２のシリコン基板（２１）及び第２のシリコン基板と貼り合わされた導波路基板（３０）を含み、第２の光素子は導波路基板が第１のシリコン基板に向かい合う状態で第１のシリコン基板上に搭載されている光デバイス（１）。 （もっと読む）

【課題】カラーレスかつディレクションレスなアド／ドロップポートを備えたOXCノードを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、N波長を多重した光信号の経路を選択可能なK入力K出力のOXCノードは、K入力2K出力の光スイッチを備える。この光回路は、MおよびLをM×L＝N×Kを満たす整数として、L個のM入力Q出力の光スイッチと、Q個のL入力1出力の波長合波器とを備える。また、本発明の一実施形態によれば、N波長を多重した光信号の経路を選択可能なK入力K出力のOXCノードは、2K入力K出力の光スイッチを備える。この光回路は、MおよびLをM×L＝N×Kを満たす整数として、L個のQ入力M出力の光スイッチと、Q個の1入力L出力の波長合波器とを備える。このような構成により、カラーレスかつディレクションレスなQ本のアド／ドロップポートを備えたOXCノードを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔（２５ＧＨｚ間隔，５０ＧＨｚ間隔等）の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を１種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の発生または検出に必要なシステムの小型・簡素化すると共に低コスト化を実現することのできる電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置１は表面が（１１１）面である基板と、基板上にエピタキシャル成長された化合物半導体層と、その化合物半導体層上に、間隙を有して配設された一対のアンテナ本体を有するアンテナを備え、エピタキシャル成長された化合物半導体層の略法線方向、すなわち略＜１１１＞方向から化合物半導体層に偏光を入射することで、その層において入射した偏光の波長が１／２の波長の偏光に変換され、この１／２の波長の偏光により光電効果が生じる機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】動作波長帯域が広い偏波分離素子および光集積素子を提供すること。
【解決手段】基板上に形成される光導波路型の偏波分離素子であって、入力光分波部と、出力光合波部と、前記入力光分波部と前記出力光合波部とを接続する、複屈折性を有する光導波から構成される第１アーム導波路および第２アーム導波路と、前記第１アーム導波路および前記第２アーム導波路のそれぞれの上方に形成された１つ以上の加熱部と、を備え、前記第２アーム導波路の幾何学的長さは、前記第１アーム導波路に複屈折性を付与するために前記加熱部が加熱を施した場合に該第１アーム導波路に生じる光路長の増加量に対応する程度以下だけ、前記第１アーム導波路の幾何学的長さよりも長い。 （もっと読む）

【課題】発生キャリアを光吸収層から効率的に引き抜くことができ、ゲート幅の裾引きを改善することが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、下部クラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、上部クラッド層１４が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が導波路構造の上方に形成される上部電極２２と、半導体基板１１の下方に形成される下部電極２３と、を備え、入力されるポンプ光の光強度に応じて光吸収層１３の吸収係数が変化する相互吸収飽和特性を利用して、光信号のサンプリングを行うために用いられる光ゲート素子であって、導波路構造の光の導波方向の少なくとも一方の側方に、ポンプ光または光信号により光吸収層１３内に発生したキャリアを一時的に蓄積するための容量領域を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】 小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶基板中に、光を閉じ込める共振器と、共振器部位を挟んで対向する２つの領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に対向する２つの電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】使用する治具の精度を必要以上に高くしなくても、基板を均一に負荷する。
【解決手段】基板３１に結晶軸反転領域を周期的に形成した擬似位相整合素子を製造する方法である。基板３１に当接する凸部３２ａａ，３２ｂａを周期的に形成した対をなす荷重付与治具３２ａ，３２ｂを、一方の荷重付与治具３２ａに形成した凸部３２ａａ間に他方の荷重付与治具３２ｂに形成した凸部３２ｂａが位置するように、基板３１を挟んで対向配置する。所定温度に加熱したこれら対をなす荷重付与治具３２ａ，３２ｂで、基板３１を挟んで基板３１に曲げ応力を与えることで、基板３１に結晶軸反転領域を周期的に形成する。
【効果】荷重付与治具に形成する凸部を高い精度で製作しなくても、基板に均一の荷重を付与することができる。また、基板に圧縮荷重を作用させる従来方法と比べて、小さい荷重で基板に結晶軸反転領域を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】入力光に対してＳＨＧ、ＤＦＧ、ＳＦＧのいずれかの非線形光学変化を多段独立で行うことができる波長変換デバイスおよびこれを用いた波長変換装置を提供する。
【解決手段】波長変換デバイスは、基板上に、波長変換導波路と、波長変換導波路の出力端に接続され、光合分波器として機能するモード干渉導波路と、モード干渉導波路の出力に接続された第１の出力導波路および第２の出力導波路を備える。出力導波路の出力端部には、特定の波長の光に対しては光を反射し、特定の波長以外の波長の光に対しては光の反射を抑制する光学膜が設けられ、出力導波路の少なくとも１つの出力端部が出力導波路に対して斜めに端面処理される。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】複数の部分導波路から成る光導波路を設けることで、合成した電磁波のメインローブが大きな略単一の指向性を有する電磁波発生素子等を提供する。
【解決手段】電磁波発生素子は、それぞれ誘電体１０、１１に挟まれ非線形光学結晶を含む複数の部分導波路１０１、１０４、１０７から成る光導波路を備える。複数の部分導波路１０１、１０４、１０７は、これらにおける光の伝播方向のなす角が２θ_ｃと略一致する様に構成される。ここで、非線形光学結晶の光に対する屈折率をn、誘電体１０、１１と部分導波路１０１、１０４、１０７との電磁波に対する実効的な比誘電率をε_effとして、θ_ｃ=cos^-1(n/√ε_eff)と定義される。 （もっと読む）

【課題】り簡単な構成で、マトリクス光スイッチが大規模化できるようにする。
【解決手段】電源１０６の電気出力端子の他方に接続されている給電線１０６ｂも、光スイッチ素子１０１〜１０４のヒータに対して共有されている。光スイッチ素子１０１に接続する選択給電線１０１ａ，１０１ｂは、周波数ｆの電気信号が通過するフィルター機能を有している。また、光スイッチ素子１０２に接続する選択給電線１０２ａ，１０２ｂは、周波数２ｆの電気信号が通過するフィルター機能を有している。また、光スイッチ素子１０３に接続する選択給電線１０３ａ，１０３ｂは、周波数３ｆの電気信号が通過するフィルター機能を有している。また、光スイッチ素子１０４に接続する選択給電線１０４ａ，１０４ｂは、周波数４ｆの電気信号が通過するフィルター機能を有している。 （もっと読む）

【課題】光励起により効率良く比較的高強度のテラヘルツ波を発生したり、パルス幅の比較的狭いテラヘルツ波を発生したりすることができる発生素子などを提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、電気光学結晶のコア部４を含む光導波路と、導波路を光が伝搬することで導波路から発生するテラヘルツ波を空間に取り出す光結合部材７と、テラヘルツ波を反射する反射層６または反射面を有する。反射層６や反射面は、コア部４を挟んで光結合部材７の設けられた側とは反対側の位置に設けられる。反射面は、光導波路を伝搬する光の振幅が充分低下するだけの距離をコア部４から隔てた位置に設けられる。光結合部材７の出射面に対するテラヘルツ波の入射角がブリュースター条件を満たす様に設定されてもよい。同じ構成で逆過程によりテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出素子として用いられる。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】同時に駆動する光スイッチ素子数を抑制しつつ、単位光スイッチ素子の接続段数を削減した光スイッチを提供する。
【解決手段】光スイッチにおいて、１入力２出力の単位光スイッチ素子をＮ個（Ｎ≧３）縦列に接続して構成された主光スイッチ素子群（５２１）のうちのＮ−１番目を除くｉ番目（１≦ｉ≦Ｎ−１）の単位光スイッチ素子の他方の出力ポートの各々に、（Ｎ−ｉ）個の１入力２出力の単位光スイッチ素子を縦列に接続して構成された副光スイッチ素子群（５４１，５４２，５４３，５４４，５４５，５４６）を接続し、副光スイッチ素子群を構成する１入力２出力の単位光スイッチ素子の２つの出力ポートのうちの１つ、および主光スイッチ素子群のうちＮ−１番目およびＮ番目の単位光スイッチ素子（５１１−７，５１１−８）の２つの出力ポートのうちの１つを外部出力ポートとした。 （もっと読む）

【課題】小型化および集積化した強誘電体材料による光スイッチおよび光変調器
【解決手段】単結晶のベース基板と、ベース基板の表面に形成され、ペロブスカイト構造を有し、且つ、自発分極を有する菱面体晶の強誘電体薄膜とを備える基板構造体および基板構造体を製造する製造方法を提供する。強誘電体薄膜に形成された光導波路と、光導波路に対して、ベース基板の表面と平行な方向の電界を印加する電界印加部とを更に備えてよい。電界印加部は、光導波路に印加される電界の電界方向と、強誘電体薄膜における自発分極の方向とが平行となるように、電界を発生してよい。 （もっと読む）