【課題】薄板状の被加工物の端面を的確且つ安全に研削加工を行うことができる研削装置を提供する。
【解決手段】外周に被加工物Ｗの端面を研削可能な研削面を有し回転する砥石６１と、この研削面で被加工物Ｗの端面を研削するよう砥石６１及び被加工物Ｗを相対的に移動する移動手段と、砥石６１の周囲に略等角度間隔に配設され研削面に液体を微粒子化して噴射する複数の噴射ノズル１１２と、被加工物Ｗに接触する砥石６１の研削加工位置を基準として砥石６１の回転方向後方に液体が噴射されるよう複数の噴射ノズル１１２の噴射を制御する制御手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】管状の研磨工具を回転させ、被加工物に圧接して研磨液を吐出しながら研磨する研磨装置において、吐出する研磨液の圧力が変化して研磨除去量が不正確となるのを防ぐ。
【解決手段】研磨液を吐出しながら被加工物２０を研磨する管状の研磨工具１は、隙間９をもってハウジング１０の穴に嵌挿され、回転モーター５によって回転駆動される。研磨液は、ハウジング１０の穴と研磨工具１の間の隙間９に供給され、管状穴７を介して被加工部２１に吐出される。ハウジング１０の穴の側面に設けられた溝である研磨液調整部位１１ａは、研磨液調整圧力計１８を有する流路を経て研磨液調整ポンプ１６に接続され、隙間９に満たされた研磨液の圧力を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ確実に、所定量の研磨液を回転バフに供給することができる研磨液供給装置を提供する。
【解決手段】ロッドレンズアレイのロッドレンズが露出する端面を研磨する端面研磨装置６の回転バフ１２に研磨液を供給する研磨液供給装置３０であって、前記研磨液を収容する研磨液容器３４と、前記研磨液を前記回転バフに向けて吐出する吐出部３６と、前記研磨液容器と前記吐出部とを流体連通させるチューブ３８と、前記研磨液容器から前記吐出部まで前記チューブを通して前記研磨液を搬送するポンプ４４とを備え、前記ポンプが、所定インターバルで、前記研磨液を前記吐出部から吐出させるように作動され、前記ポンプの作動中は、前記回転バフの回転速度が低下する。 （もっと読む）

【課題】研磨時間が短く、表面傷および潜傷の発生を抑制できるガラス製光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】レンズ基体の表面を、水に酸化セリウム砥粒を混ぜた第１研磨液を用いて研磨する第１研磨工程と、第１研磨工程で研磨されたレンズ基体の被加工面を、非水系分散媒である第２研磨液を用いて研磨する第２研磨工程と、を施すことにより、第２研磨工程で、第１研磨工程で形成された水和層を除去することができる。したがって、研磨時間の短縮と表面傷および潜傷を防止できる。 （もっと読む）

【課題】遊離研磨スラリに関連した不都合さを示さないで、短時間の高速ストック除去を提供する。
【解決手段】（ａ）研磨物品１０の研削層とガラスワークピース表面とを接触させるステップであって、研削層が複数の研磨複合材１１を含み、複合材１１が有機樹脂と、アルカリ金属塩とアルカリ性金属塩およびそれらの組合せから選択された金属塩と、この研磨複合材１１全体にわたって均質に分散された単一のダイヤモンド研磨粒子とを含む、ステップと、（ｂ）研磨物品１０の研削層とガラスワークピース表面との間に潤滑剤を導入するステップと、（ｃ）研磨物品１０の研削層とガラスワークピース表面とを相対移動するステップとを含む、ガラスワークピース表面を研削する方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層を裏面に有する半導体基板のシリコン基板の厚みを砥石で研削加工して薄くする際の砥石切り込み速度の低下を無くす。
【解決手段】 基板チャックロータリーテーブル３０上に固定された半導体基板ｗの基板裏面に砥粒水分散液６２を噴出ノズル６１ａより吹き付けるサンドブラスト加工して絶縁層をなくしてテクスチャ加工されたシリコン基板面を露現させ、ついで、この露現したシリコン基板面に研削液を供給しながら研削砥石で基板面を研削加工して半導体基板のシリコン基板厚みを薄くする。 （もっと読む）

【課題】高い加工レートを実現できると共に、表面の平滑化が可能な加工方法を提供する。
【解決手段】過酸化水素水を含んだ水酸化カリウム溶液２中にＳｉＣ基板８を配置し、ＳｉＣ基板８の表面に紫外光を照射する。紫外光の照射によってＳｉＣ基板８の表面に形成されたＳｉＯ_２層９を水酸化カリウム溶液によって化学的に除去すると共に、合成石英定盤３ａによってもＳｉＯ_２層９を除去する。 （もっと読む）

【課題】常に均一な濃度の砥粒を加工材料の加工部位に供給することで加工速度の低下を抑制することができる超音波加工装置を提供する。
【解決手段】加工材料５８の上面に砥粒液６０を供給する砥粒供給手段６２と、工具４６と加工材料５８との相対位置を保った状態で工具４６と加工材料５８を傾斜させる傾斜手段２０を有し、その傾斜手段２０により工具４６と加工材料５８を傾斜させた状態で加工材料５８を加工する。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ精度良く、ウエハの外周面を加工できるウエハ加工装置及びウエハ加工方法を提供する。
【解決手段】積層体Ｓにおけるウエハの積層方向両側を保持した状態で、積層体Ｓを回転させる回転機構１６と、回転する積層体Ｓの外周面に接触可能に設けられ、積層体Ｓの外周面を円柱形状に研削する研削回転砥石１４と、積層体Ｓの外周面に沿って設けられ、回転する積層体Ｓとの間に研磨材Ｗを介在させた状態で、積層体Ｓの外周面を研磨する研磨手段１５とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨中に研磨テープから砥粒が脱落してしまうことを極力防止し、また、たとえ基板の表面外周部を研磨中に研磨テープから砥粒が脱落したとしても、この脱落した砥粒が基板の中心部の素子形成領域等に入り込まないようにする。
【解決手段】表面に砥粒を固着した研磨テープ２０を一方向に走行させつつ、該研磨テープ２０の表面を基板Ｗの表面に押圧して該基板Ｗの表面を研磨する研磨ヘッド１２と、研磨テープ２０の走行方向に沿った研磨ヘッド１２の上流側に配置され、研磨テープ２０の表面から研磨中に砥粒が脱落するのを防止するように該表面を予めコンディショニングするコンディショニング装置（洗浄装置）３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤが長寿命であり、且つ加工精度が高く、信頼性の高いワイヤソー装置を提供すること。
【解決手段】 約１２０μｍの直径のワイヤ２と約１ｍｍの間隔を置いて磁石２０をエポキシ樹脂により接合したランジュバン型超音波振動子１３を位置させる。そして、ワイヤ２を挟んでランジュバン型超音波振動子１３に対向する位置にスラリまたは切削液１１を噴出する供給装置１０を設置する。供給装置１０から噴出されるスラリまたは切削液１１は、ワイヤ２及び磁石２０の表面を点線で示すように貯まる。そして、ランジュバン型超音波振動子１３の超音波振動は磁石２０に伝搬し、確実にスラリまたは切削液１１を伝搬してワイヤ２に到達してワイヤ２を超音波振動させる。 （もっと読む）

【課題】研削方法、電子デバイスの製造方法、及び研削装置において、砥石や研磨紙の目詰まりを抑制すること。
【解決手段】基材２１上に樹脂層２３を形成する工程と、樹脂層２３に紫外光１１を照射しながら、若しくは樹脂層２３に紫外光１１を照射した後に、砥石又は研磨紙により樹脂層２３を研削する工程とを有する研削方法による。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの良好な幾何学的形状のみならず良好なナノトポグラフィも達成し、且つ４５０ｍｍのウェハにも適している、半導体ウェハを製造するための新規の処理シーケンスを提供する。
【解決手段】規定の順序において：（ａ）単結晶からスライスされた半導体ウェハを同時に両面で材料除去する加工工程；（ｂ）アルカリ性媒体による該半導体ウェハの両面の処理工程；（ｃ）該半導体ウェハの前面及び裏面の研削工程；（ｄ）０．１〜１．０μｍの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによる半導体ウェハの両面の研磨工程；（ｅ）砥粒を含有する研磨剤の供給下での、砥粒を含有しない一次研磨パッドによる該半導体ウェハの前面の研磨工程；（ｆ）該前面の化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程
を有する、半導体ウェハの製造法によって達成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板裏面を高スループットで研削、研磨加工し、基板を薄肉化・平坦化することができる異物の付着が少ない半導体基板を製造する平坦化加工装置の提供。
【解決手段】 半導体基板のローディング／アンローディングステージ室１１ａ、裏面研磨ステージ室１１ｃ、裏面研削加工ステージ室１１ｂに各々の機械要素を収納した平坦化装置１であって、同時に２枚の基板を研磨加工する裏面研磨ステージ７０のスループット時間を１枚の基板を研削加工する裏面研削加工ステージ２０のスループット時間の約２倍に設計した平坦化加工装置１。 （もっと読む）

【課題】セラミックス製部品を容易にかつ迅速に、しかも低い製造コストで得ることができる、セラミックス製部品の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素またはジルコニアを含有するセラミックス材料を成形し、焼結した中間素材１３の少なくとも研削加工を施す部分を超臨界水または亜臨界水に浸漬させ、当該部分を脆くする。浸漬後の中間素材１３の前記研削取代を有する部分に研削加工を施す。
これにより、転動面に研削加工が施されたセラミックス製の玉１０を得る。 （もっと読む）

【課題】効果的に加工液の液漏れを防止して、安定した加工作業を行うことができる加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工物１００における被加工面１０１の一部を覆って、内部に加工液１５を有する加工室１１を形成するチャンバー容器２０と、チャンバー容器内部に配置され、加工室において加工液を用いて被加工面の加工を行う加工ツール３０と、チャンバー容器の被加工面側に環状に設けられ、被加工面と接触するシール部材２１と、加工室の圧力を、加工室外に対して相対的に減圧する圧力変化装置４０と、加工室を形成した状態のチャンバー容器を、被加工物に対して相対的に移動させる移動手段５０と、チャンバー容器外部に複数配置され、チャンバー容器の複数箇所を、被加工面に対してそれぞれ独立して押圧する押圧手段６０と、を有する加工装置１０とした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを製造するための新規のプロセスシーケンスを提供する。
【解決手段】
（ａ）２０．０〜６０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによって半導体ウェハのエッジを丸味づけ、（ｂ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｃ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｄ）１．０〜２０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによってエッジの丸味づけを行い、（ｅ）ウェハの面ごとに、エッチング媒体を用いてウェハの両面を処理し、（ｆ）０．１〜１．０μｍの粒度を有する研磨材を含むポリシングパッドを使用してウェハの少なくとも一方の面をポリシングし、（ｇ）ウェハのエッジのポリシングを行い、（ｈ）少なくとも前面の化学機械的ポリシングを行う。 （もっと読む）

【課題】硬質脆性材料や難削材料の精密加工に適用可能な工具及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド単相の多結晶ダイヤモンドを切れ刃とする切削工具を製造する方法であって、ダイヤモンド単相の多結晶ダイヤモンドの切れ刃の外形をレーザ加工により形状作製した後、前記切れ刃を形成するすくい面及び逃げ面の仕上げ加工を金属バインダを含むダイヤモンド焼結体を研削盤として用いる研削加工により行なう工程を含み、前記ダイヤモンド焼結体からなる研削盤は、工具を作成する加工機上で回転軸との垂直度と平坦度を出す成形加工をダイヤモンド電鋳工具を電極として用いる放電加工により行った後、更に当該ダイヤモンド電鋳工具を用いて、ダイヤモンドスラリを研削液として用いる湿式研削と乾式研削とを併せて行い面粗さを調節した研削盤であることを特徴とする多結晶ダイヤモンド切削工具の加工方法。 （もっと読む）

【課題】カップ型の砥石ヘッドにより粗研削と仕上げ研削とを１工程で行い所定の高精度の平滑面を得る研削方法を提供する。
【解決手段】粗研削用環状砥石４を配した内カップ６と、細研削用環状砥石８を配した外カップ９とが間隙を有して同心円状に配され、被加工面が粗研削用環状砥石４に次いで細研削用環状砥石８により研削されるように２重カップ型回転砥石と被加工物とを相対移動させつつ、前記内カップ６の内周面２２に研削液２５を供給する研削方法である。また、前記２重カップ型回転砥石１４と、砥石を軸心の回りに回転させる駆動手段１６と、被加工物２０を相対移動させる、移動手段と、研削液供給手段２４とを備え、被加工物２０の相対移動方向Ｓが、前記回転軸心２３と研削後の面２１を含む平面との交点から、被加工物２０と細研削用環状砥石８とが加工中に当接する位置に至る方向にベクトル成分を有する方向である研削装置である。 （もっと読む）

【課題】ベベル研磨時に研磨粉によってウエハ表面が汚染されず、研磨後のウエハ洗浄工程を必要としないウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２のベベルの下半分を研磨するには、回転砥石４１を４１aに示す位置まで移動させて、ウエハ２の端面に回転する砥石研磨面４３を接触させる。
そしてステージ３１側を回転させることによって、回転砥石４１はウエハ２の端面全周と接触してベベルを研磨する。
ステージ３１が一回転する間に、回転砥石４１をウエハ２の下面に向かって、ベベルに沿って一定の速度で移動させ、これを連続して回転砥石４１が図２、４１ｂの位置に来るまで続ける。研磨中はウエハ上方に備えたノズルからクーラント液を研磨位置直前の砥石に向かって噴射する。
ベベル上半分を研磨するときはウエハの下方に設置したノズルからクーラントを噴射しながら同様に研磨する。 （もっと読む）